JP7828795B2 - 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物および半導体装置Info
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Description
ところが、片面封止タイプのパッケージ、センサーは近年のワイヤの細線化により成形時の封止樹脂の流動でワイヤ変形が起こりやすくなっているという問題がある。このワイヤ変形の低減には封止樹脂の高流動化が不可欠である。一般的に封止樹脂の流動性を高めるためには無機充填材の配合量を低減することが行われている。しかし、封止樹脂の高流動化のために無機充填材の配合量を低減させると成形後の樹脂収縮率が大きくなり片面封止タイプのパッケージでは反りが発生してしまい表面実装時に基板に搭載出来ないという問題が発生する。
この問題を解決する目的で、エポキシ樹脂組成物にエポキシ変性シリコーンレジン、又は液状エポキシ化ポリブタジエンを添加することが知られている(特許文献1及び2参照)。
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、及び(E)収縮率調整剤を含有し、前記(E)収縮率調整剤は、最大粒径が105μm以下である下記一般式(1)で示される化合物であり、樹脂組成物全量に対し、前記(D)無機充填材の含有量が60~95質量%、前記(E)収縮率調整剤の含有量が0.3~3.5質量%である半導体封止用樹脂組成物。
(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基である。)
[2]基板と、当該基板上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子を封止してなる上記[1]に記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する半導体装置。
本開示の半導体封止用樹脂組成物(以下、単に樹脂組成物ともいう)は、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、及び(E)収縮率調整剤を含有し、前記(E)収縮率調整剤は、最大粒径が105μm以下である下記一般式(1)で示される化合物であり、樹脂組成物全量に対し、前記(D)無機充填材の含有量が60~95質量%、前記(E)収縮率調整剤の含有量が0.3~3.5質量%である。
本開示で用いられる(A)エポキシ樹脂は、1分子内にエポキシ基を2個以上有する化合物であれば特に制限されず、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれも用いることができる。(A)エポキシ樹脂は、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。(A)エポキシ樹脂は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
(A)エポキシ樹脂は、低粘度であり、(D)無機充填材の含有量を増やせるという観点から、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂であってもよい。
(A)エポキシ樹脂の150℃における粘度はICI粘度計(ASTM D4287、米国試験材料協会規格に準拠)により測定できる。
本開示で用いられる(B)フェノール樹脂は、主として成形性を高める作用を有する。(B)フェノール樹脂は、上記(A)成分のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し得るフェノール性水酸基を一分子中に2個以上有するものであれば、特に制限なく使用できる。
(B)フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂、ホルムアルデヒドで変性したトリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物などが挙げられる。(B)フェノール樹脂は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
(B)フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、多官能型フェノール樹脂、及びアラルキル型フェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも1種を用いてもよい。
(B)フェノール樹脂の150℃における粘度はICI粘度計(ASTM D4287、米国試験材料協会規格に準拠)により測定できる。
本開示で用いられる(C)硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化促進剤として一般に使用されているものであれば特に制限なく使用される。(C)硬化促進剤としては、例えば、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン-5、5,6-ジブチルアミノ-1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等のシクロアミジン化合物;これらのシクロアミジン化合物に無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物;ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合を持つ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン化合物及びこれらの誘導体;2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン等のイミダゾール環を有するジアミノ-s-トリアジン化合物等のイミダゾール化合物及びこれらの誘導体;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4-メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物;これらの有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合を持つ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート;2-エチル-4-メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N-メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体等が挙げられる。(C)硬化促進剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
本開示で用いられる(D)無機充填材は、封止用樹脂組成物に一般に使用されているものであれば特に制限なく使用される。(D)無機充填材としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維等を用いてもよい。(D)無機充填材は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
本開示において平均粒子径とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて得られる体積基準の粒度分布において小径側からの累積が50%となるときの粒子径(D50)を意味する。また、平均粒子径は、(D)成分として複数種類の無機充填材が配合される場合には、配合される無機充填材の全体の平均粒子径を意味する。
また、(D)無機充填材が、シリカの場合、その含有量は76~85質量%であってもよく、アルミナの場合、その含有量は85~91質量%であってもよい。
本開示で用いられる(E)収縮率調整剤は、最大粒径が105μm以下である下記一般式(1)で示される化合物である。本開示の半導体封止樹脂組成物は、(E)収縮率調整剤を含有することにより、樹脂組成物の成形収縮率を低減し、得られるパッケージの反りを低減できる。この効果は、(E)収縮率調整剤が結晶核材となることによって得られ、さらに樹脂の流動性に悪影響を与えることがない。
R1及びR2の炭素数1~6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基などが挙げられる。R1及びR2は、tert-ブチル基、ヘキシル基であってもよい。
ここで、「最大粒径」とは、乾式ふるい分け法により測定される粒径であって、試料の少なくとも95質量%が通過する篩のうち、最も目の細かい篩の目開きの寸法により規定される粒径をいう。
(E)収縮率調整剤の最大粒径は乾式ふるい分け法により測定できる。具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
本開示の半導体封止用樹脂組成物は、遮光性の観点から、さらに(F)着色剤を含んでもよい。
(F)着色剤としては、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、アニリンブルー、クロムイエロー、フタロシアニンブルー、ベンガラ等が挙げられる。(F)着色剤は、カーボンブラックであってもよい。
本開示の半導体封止用樹脂組成物は、以上の各成分の他に、この種の組成物に一般に配合される離型剤、難燃剤、シランカップリング剤等のカップリング剤、イオントラップ剤、カルナバワックス等のワックス等の添加剤を必要に応じて配合することができる。
本開示の半導体封止用樹脂組成物が上記添加剤を含有する場合、その含有量は、各々樹脂組成物全量に対し、0.05~3.00質量%であってもよく、0.10~2.00質量%であってもよく、0.15~1.00質量%であってもよい。
本開示の半導体封止用樹脂組成物は、175℃におけるフロー粘度が15Pa・s以下であってもよく、10Pa・s以下であってもよく、8Pa・s以下であってもよい。
本開示の半導体封止用樹脂組成物は、成形収縮率が0.30%以下であってもよく、0.28%以下であってもよく、0.25%以下であってもよい。
上記フロー粘度及び成形収縮率は、実施例に記載の方法により測定できる。
本開示の半導体封止用樹脂組成物を調製するにあたっては、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)収縮率調整剤、必要に応じて配合される(F)着色剤、及び各種添加剤をミキサー等によって十分に混合(ドライブレンド)した後、熱ロール、ニーダ等の混練装置により溶融混練し、冷却後、適当な大きさに粉砕すればよい。
上記粉砕方法は特に制限されず、一般的な粉砕機を用いることができる。粉砕機としては、カッティングミル、ボールミル、サイクロンミル、ハンマーミル、振動ミル、カッターミル、グラインダーミルを用いることができる。
本開示の半導体装置は、基板と、当該基板上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子を封止してなる上記半導体封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する。
基板としては、インターポーザなどの配線基板、リードフレーム、フレキシブルプリント基板等が例示される。
半導体素子としては、トランジスタ、集積回路、ダイオード、サイリスタ等が例示される。
表1に記載の種類及び配合量の各成分を、二軸押し出し混練機で、混練温度100℃、混練時間5分間の条件で混練し、樹脂組成物を調製した。
実施例1~3で用いたトリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイトは、1Lの容量のボールミルにトリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイト100gと10mmのアルミナボール500gを投入し、30分間処理することで最大粒径53μmに粉砕した。また、比較例2で用いたトリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイトは、ボールミル処理を行わず、最大粒径700μmのものを使用した。
なお、上記実施例1~3で用いたトリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイト及び比較例2で用いたトリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイトの最大粒径は、所定の目開きの篩を用いて乾式ふるい分け法により、試料の少なくとも95質量%が通過する篩のうち、最も目の細かい篩の目開きの寸法とした。
・YX-4000:ビフェニル型エポキシ樹脂(商品名、三菱ケミカル(株)製、エポキシ当量:185、150℃における粘度:0.012Pa・s)
・HE910-10:トリフェノールメタン型フェノール樹脂(商品名、エア・ウォーター・パフォーマンスケミカル(株)製、水酸基当量:101、150℃における粘度:0.12Pa・s)
・2P4MHZ:2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール(商品名、四国化成工業(株)製)
・AL20-75R:球状アルミナ(商品名、日鉄ケミカル&マテリアル(株)製、平均粒子径:15μm)
・(E-1):IRGAFOS 168(商品名、BASF社製;トリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイト)を最大粒径:53μmに調整
・(e-1):アデカスタブ 1500(商品名、(株)ADEKA製;テトラ-C12-15-アルキル(プロパン-2,2-ジイルビス(4,1-フェニレン))ビス(ホスファイト))
・(e-2):アデカスタブ PEP-36(商品名、(株)ADEKA製;3,9-ビス(2,6-ジ-tert-ブチル-4-メチルフェノキシ)-2,4,8,10-テトラオキサ-3,9-ジホスファスピロ[5.5]ウンデカン)
・(e-3):アデカスタブ PEP-8(商品名、(株)ADEKA製;3,9-ビス(オクタデシルオキシ)-2,4,8,10-テトラオキサ-3,9-ジホスファスピロ[5.5]ウンデカン
・(e-4):IRGAFOS 168(商品名、BASF社製;トリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ホスファイト)、最大粒径:700μm)
・(e-5):IRGANOX 1010(商品名、BASF社製;テトラキス[3-(3’,5’-ジ-t-ブチル-4’-ヒドロキシフェニル)プロピオン酸]ペンタエリトリトール)
・MA-600:カーボンブラック(商品名、三菱ケミカル(株)製)
・シランカップリング剤:KBM-403(商品名、信越化学工業(株)製)
・離型剤:カルナバワックス 1号(商品名、東洋ペトロライト(株)製)
・液状ポリブタジエンゴム:Ricon657(商品名、巴工業(株)製)
(樹脂組成物の評価)
(1)スパイラルフロー
ATSM3123に準じたスパイラルフロー測定金型を用いて、樹脂組成物を下記条件にて成形し、流動先端までの距離を測定した。
[成形条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:120秒
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:220cm以上
B:190cm以上 220cm未満
C:150cm以上 190cm未満
D:150cm未満
175℃に保たれた熱板上で、樹脂組成物を直径4~5cmの円状に広げ、一定速度で練り合わせ、当該樹脂組成物が増粘し最終的に粘りがなくなるまでの時間を測定した。
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:45秒以上
B:40秒以上 45秒未満
C:30秒以上 40秒未満
D:30秒未満
高化式フロー測定装置((株)島津製作所製、製品名:CFT-500C)を用いて樹脂組成物を175℃、剪断応力 1.23×105Paの環境下に配置し、最低溶融粘度(η1)を測定した。
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:7Pa・s未満
B:7Pa・s以上 15Pa・s未満
C:15Pa・s以上 20Pa・s未満
D:20Pa・s以上
常温(23℃)で直径80mmとなる金型を用いて樹脂組成物を下記条件にて成形し、常温において、成形された樹脂組成物と金型の直径の寸法差から計算を行った。
成形収縮率=(常温の金型直径-常温の成形された樹脂組成物直径)/常温の金型直径×100
[成形条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:120秒
後硬化 :175℃、8時間
下記条件で作製した4mm×10mm×80mmの試験片について、JIS K 6911:2006に依拠して、温度25℃にて測定した。
[試験片作製条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:120秒
後硬化 :175℃、8時間
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:175MPa以上
B:130MPa以上 175MPa未満
C:100MPa以上 130MPa未満
D:100MPa未満
UL-94規格に基づき、下記条件で作製した125mm×13mm×4mmの試験片について、難燃性試験を行った。
[試験片作製条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:120秒
後硬化 :175℃、8時間
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:試験片1本あたりのt1が10秒以下かつ、t2が10秒以下かつ、t2+t3が30秒以下かつ、試験片5本の合計のt1+t2が50秒以下かつ、クランプまでの燃焼、滴下物による綿着火が無い。
B:Aの基準を満たさず、試験片1本あたりのt1が30秒以下かつ、t2が30秒以下かつ、t2+t3が60秒以下かつ、試験片5本の合計のt1+t2が250秒以下かつ、クランプまでの燃焼、滴下物による綿着火が無い。
C:Aの基準を満たさず、試験片1本あたりのt1が30秒以下かつ、t2が30秒以下かつ、t2+t3が60秒以下かつ、試験片5本の合計のt1+t2が250秒以下かつ、クランプまでの燃焼が無く、滴下物による綿着火が有る。
D:試験片1本あたりのt1が30秒よりも長いもしくは、t2が30秒よりも長いもしくは、t2+t3が60秒よりも長いもしくは、試験片5本の合計のt1+t2が250秒よりも長いもしくは、クランプまでの燃焼が有る。
得られた樹脂組成物を用いて、下記条件にてトランスファー成形を行い、以下評価用パッケージを作製した。
[パッケージ作製条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:120秒
後硬化 :175℃、8時間
35mm×35mm PBGAパッケージ(封止サイズ29mm×29mm×1.04mm)を8個作製し、成形物の表面を観察し、ボイド又はフローマークの発生の有無を確認した。なお、評価は、以下のようにして実施した。
ボイド:実体顕微鏡を用いてパッケージ表面のボイドの有無を確認。
フローマーク:目視にてパッケージ表面のフローマークの有無を確認。
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:表面にボイド及びフローマークの発生無し
B:1~5個のパッケージで表面にボイドもしくはフローマークの発生有り
C:6~8個のパッケージで表面にボイドもしくはフローマークの発生有り
BT基板(厚み:0.54mm)、ソルダーレジストPSR-4000 AUS-308を使用した35mm×35mm PBGAパッケージ(封止サイズ29mm×29mm×1.04mm)を作製した。得られたパッケージの反り量を、常温(23℃)で、AKROMETRIX社製のシャドウモアレ(PS200)を用いて測定した。
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:パッケージの反り量が-50μm以上 50μm未満
B:パッケージの反り量が-100μm以上 -50μm未満、又は50μm以上 100μm未満
C:パッケージの反り量が-150μm以上 -100μm未満、又は100μm以上 150μm未満
D:パッケージの反り量が-150μm未満、又は150μm以上
FBGAパッケージ(175mm×49mm×0.45mm)を成形した後、X線検査装置(ポニー工業(株)製)を用いてワイヤ(Φ20μm、長さ3mm)の変形を観察し、最大変形部のワイヤ流れ率を測定した。
[判定基準]
上記の測定結果より次の基準で評価した。
A:3%未満
B:3%以上 5%未満
C:5%以上 10%未満
D:10%以上
Claims (8)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、及び(E)収縮率調整剤を含有し、
前記(E)収縮率調整剤は、最大粒径が105μm以下である下記一般式(1)で示される化合物であり、
樹脂組成物全量に対し、前記(D)無機充填材の含有量が60~95質量%、前記(E)収縮率調整剤の含有量が0.3~3.5質量%である半導体封止用樹脂組成物。
(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基である。)
ここで、上記最大粒径は、乾式ふるい分け法により測定される粒径であって、試料の少なくとも95質量%が通過する篩のうち、最も目の細かい篩の目開きの寸法により規定される粒径をいう。 - 175℃におけるフロー粘度が15Pa・s以下であり、成形収縮率が0.30%以下である請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物。
ここで、上記フロー粘度は、剪断応力 1.23×10 5 Paの環境下に配置し、測定した最低溶融粘度(η1)とする。
また、上記成形収縮率は、常温(23℃)で直径80mmとなる金型を用いて樹脂組成物を下記条件にて成形し、常温において、成形された樹脂組成物と金型の直径の寸法差から計算を行った。
成形収縮率=(常温の金型直径-常温の成形された樹脂組成物直径)/常温の金型直径×100
[成形条件]
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm 2
成形時間:120秒
後硬化 :175℃、8時間 - 前記(A)エポキシ樹脂は、150℃における粘度が0.005Pa・s以上である請求項1又は2に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記(B)フェノール樹脂は、150℃における粘度が0.005Pa・s以上である請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記(D)無機充填材は、平均粒子径が1~50μmである請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記(D)無機充填材がアルミナである請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- さらに(F)着色剤を含み、当該(F)着色剤がカーボンブラックである請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 基板と、当該基板上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子を封止してなる請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する半導体装置。
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