JP7845285B2 - 多層基板及びアンテナモジュール - Google Patents

Description

本発明は、放射導体層を備える多層基板及びアンテナモジュールに関する。

従来の多層基板に関する発明としては、特許文献１に記載のアンテナモジュールが知られている。このアンテナモジュールは、放射導体層、第１給電点及び第２給電点を備えている。第１高周波信号は、第１給電点を介して放射導体層に入力する。放射導体層は、第１高周波信号を放射する。第２高周波信号は、第２給電点を介して放射導体層に入力する。放射導体層は、第２高周波信号を放射する。そして、第１高周波信号の偏波の方向は、第２高周波信号の偏波の方向と異なる。

特開２０２１－８３１２１号公報

ところで、特許文献１に記載のアンテナモジュールの分野において、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくしたいと共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制したいという要望がある。

そこで、本発明の目的は、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできる共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる多層基板及びアンテナモジュールを提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
を備えている。

本発明の一形態に係るアンテナモジュールは、
第１基板と、
可撓性を有する第２基板と、
を備えており、
前記第１基板は、
複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する第１積層体と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
を含んでおり、
前記第２基板は、
複数の絶縁体層が前記Ｚ軸方向に積層された構造を有する第２積層体と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第１配線層と電気的に接続される第７配線層と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第２配線層と電気的に接続される第８配線層と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第７配線層及び前記第８配線層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層、前記第７配線層及び前記第８配線層と重なるグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第２基板の前記Ｚ軸方向の長さは、前記第１基板の前記Ｚ軸方向の長さより短く、
前記第２基板は、前記第１基板より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１基板と重ならない領域を有する。

本発明によれば、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。

図１は、多層基板１０の分解斜視図である。 図２は、多層基板１０を上から透視した図である。 図３は、多層基板１０の断面図である。 図４は、多層基板１０，１１０の断面図である。 図５は、多層基板１１０の上面図である。 図６は、多層基板１１０の断面図である。 図７は、多層基板１０ａの上面図である。 図８は、多層基板１０ｂの上面図である。 図９は、多層基板１０ｃの上面図である。 図１０は、多層基板１０ｄの上面図である。 図１１は、多層基板１０ｅの分解斜視図である。 図１２は、多層基板１０ｅの上面図である。 図１３は、多層基板１０ｆの上面図である。 図１４は、多層基板１０ｇの分解斜視図である。 図１５は、多層基板１０ｇの断面図である。 図１６は、多層基板１０ｈの分解斜視図である。 図１７は、多層基板１０ｈの断面図である。 図１８は、多層基板１０ｉの上面図である。 図１９は、多層基板１０ｊの上面図である。 図２０は、多層基板１０ｋの上面図である。 図２１は、アンテナモジュール１００の断面図である。 図２２は、多層基板２１０の分解斜視図である。 図２３は、アンテナモジュール１００ａの断面図である。

（実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。図２は、多層基板１０を上から透視した図である。図３は、多層基板１０の断面図である。図３は、図２のＡ－Ａにおける断面図である。

以下では、積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Ｚ軸方向と一致する。上方向は、Ｚ軸の正方向である。下方向は、Ｚ軸の負方向である。積層体１２を上下方向に見て、積層体１２の辺が延びる２方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。左右方向は、Ｘ軸方向と一致する。右方向は、Ｘ軸の正方向である。左方向は、Ｘ軸の負方向である。前後方向は、Ｙ軸方向と一致する。前方向は、Ｙ軸の正方向である。後方向は、Ｙ軸の負方向である。従って、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。

多層基板１０は、例えば、スマートフォン等の無線通信端末に用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、第１放射導体層１６、第１配線層２０、第２配線層２２、外部電極２４，２６、グランド導体層２８、環状グランド導体層３０及び層間接続導体ｖ１～ｖ８を備えている。第１放射導体層１６、第１配線層２０、第２配線層２２、外部電極２４，２６、グランド導体層２８、環状グランド導体層３０及び層間接続導体ｖ１～ｖ８のそれぞれは、積層体１２に設けられている。

積層体１２は、板形状を有している。図１に示すように、積層体１２は、上下方向に見て、長方形状を有している。積層体１２は、絶縁体層１４ａ～１４ｅ及び保護層１５ａ，１５ｂが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。保護層１５ａ、絶縁体層１４ａ～１４ｅ及び保護層１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１４ａ～１４ｅの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体１２は、可撓性を有する。保護層１５ａ，１５ｂについては後述する。

第１放射導体層１６は、第１高周波信号を放射及び／又は受信する。本実施形態では、第１放射導体層１６は、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。第１放射導体層１６は、図１に示すように、上下方向に見て、四角形状を有している。第１放射導体層１６は、図１に示すように、上下方向に見て、前後方向及び左右方向に延びる対角線を有するひし形を有している。

具体的には、第１放射導体層１６は、図２に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１、第２直線Ｅ２及び直線Ｅ１０１，Ｅ１０２（第７直線及び第８直線）を含む第１外縁ＥＥ１を有している。また、第１部分ＥＰ１は、第１外縁ＥＥ１の内の第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２を除く部分である。すなわち、第１部分ＥＰ１は、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２である。

第１直線Ｅ１と直線Ｅ１０２とは互いに平行である。第２直線Ｅ２と直線Ｅ１０１とは互いに平行である。第２直線Ｅ２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交している。直線Ｅ１０１は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、直線Ｅ１０２と直交している。第１直線Ｅ１の右後端（Ｘ軸の正側の端）は、第２直線Ｅ２の右前端（Ｘ軸の正側の端）に接続されている。第１直線Ｅ１の左前端は、直線Ｅ１０１の右前端に接続されている。第２直線Ｅ２の左後端は、直線Ｅ１０２の右後端に接続されている。直線Ｅ１０１の左後端は、直線Ｅ１０２の左前端に接続されている。

第１直線Ｅ１、第２直線Ｅ２及び直線Ｅ１０１，Ｅ１０２の長さは、互いに等しい。第１直線Ｅ１、第２直線Ｅ２及び直線Ｅ１０１，Ｅ１０２の長さは、例えば、第１高周波信号の波長の１／２である。

グランド導体層２８は、図１及び図３に示すように、第１放射導体層１６より下（Ｚ軸の負側）に位置している。グランド導体層２８は、絶縁体層１４ｅの下主面に設けられている。グランド導体層２８は、図１に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。グランド導体層２８の長辺は、左右方向に延びている。グランド導体層２８の短辺は、前後方向に延びている。上下方向に見て、グランド導体層２８は、第１放射導体層１６と重なっている。グランド導体層２８は、グランド電位に接続される。

環状グランド導体層３０は、図１及び図３に示すように、グランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。本実施形態では、環状グランド導体層３０の上下方向の位置は、第１放射導体層１６の上下方向の位置と同じである。従って、環状グランド導体層３０は、絶縁体層１４ａの上主面に位置している。

また、環状グランド導体層３０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６の周囲を囲む環形状を有している。環状グランド導体層３０の外縁及び内縁は、前後方向に延びる２本の辺及び左右方向に延びる２本の辺を有する長方形状を有している。環状グランド導体層３０は、グランド電位に接続される。

ここで、図２に示すように、距離Ｌ１～Ｌ４を以下に説明するように定義する。距離Ｌ１（第１距離）、距離Ｌ２（第２距離）、距離Ｌ３（第３距離）及び距離Ｌ４（第４距離）は、互いに等しい。
距離Ｌ１：第１直線Ｅ１に直交する方向において、第１直線Ｅ１の中央から環状グランド導体層３０までの距離
距離Ｌ２：第２直線Ｅ２に直交する方向において、第２直線Ｅ２の中央から環状グランド導体層３０までの距離
距離Ｌ３：直線Ｅ１０１（第７直線）に直交する方向において、直線Ｅ１０１（第７直線）の中央から環状グランド導体層３０までの距離
距離Ｌ４：直線Ｅ１０２（第８直線）に直交する方向において、直線Ｅ１０２（第８直線）の中央から環状グランド導体層３０までの距離
第１配線層２０は、図１に示すように、第１放射導体層１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。本実施形態では、第１配線層２０は、絶縁体層１４ｄの上主面に位置している。第１配線層２０は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第１配線層２０の左端は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっている。第１配線層２０の右端は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。これにより、第１配線層２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交しないように交差している。本実施形態では、第１配線層２０と第１直線Ｅ１とが形成する角度θ１は、４５度である。ただし、角度θ１は、４５度に限らず、０度より大きく９０度より小さければよい。角度θ１は、例えば、４５度±２２．５度である。

また、図２に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１を第１直線Ｅ１に直交する方向に移動させたときに、第１直線Ｅ１が通過する領域を第１領域Ａ１と定義する。第１配線層２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１領域Ａ１と第１領域Ａ１外の領域とに跨っている。第１配線層２０の左端は、上下方向に見て、第１領域Ａ１に位置している。第１配線層２０の右端は、上下方向に見て、第１領域Ａ１外に位置している。

第２配線層２２は、第１放射導体層１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。本実施形態では、第２配線層２２は、絶縁体層１４ｄの上主面に位置している。また、第２配線層２２は、上下方向に見て、第１配線層２０より後に位置している。第２配線層２２は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。従って、第２配線層２２は、第１配線層２０と平行である。第２配線層２２の左端は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっている。第２配線層２２の右端は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。これにより、第２配線層２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２と直交しないように交差している。本実施形態では、第２配線層２２と第２直線Ｅ２とが形成する角度θ２は、４５度である。ただし、角度θ２は、４５度に限らず、０度より大きく９０度より小さければよい。角度θ２は、例えば、４５度±２２．５度である。

また、図２に示すように、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２を第２直線Ｅ２に直交する方向に移動させたときに、第２直線Ｅ２が通過する領域を第２領域Ａ２と定義する。第２配線層２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２領域Ａ２と第２領域Ａ２外の領域とに跨っている。第２配線層２２の左端は、上下方向に見て、第２領域Ａ２に位置している。第２配線層２２の右端は、上下方向に見て、第２領域Ａ２外に位置している。

外部電極２４，２６は、図１に示すように、絶縁体層１４ｅの下主面に設けられている。外部電極２４，２６は、グランド導体層２８と接していない。従って、外部電極２４，２６は、グランド導体層２８に設けられた開口内に位置している。

外部電極２４は、上下方向に見て、第１配線層２０の右端部と重なっている。外部電極２６は、上下方向に見て、第２配線層２２の右端部と重なっている。外部電極２４には、第１高周波信号が入力又は出力する。外部電極２６には、第２高周波信号が入力又は出力する。

層間接続導体ｖ１は、第１放射導体層１６と第１配線層２０とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１４ａ～１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１の上端は、第１給電点Ｐ１において第１放射導体層１６に接触している。第１給電点Ｐ１は、第１外縁ＥＥ１の中で第１直線Ｅ１の最も近くに位置している。本実施形態では、第１給電点Ｐ１は、第１直線Ｅ１の中で第１直線Ｅ１の中点の最も近くに位置している。層間接続導体ｖ１の下端は、第１配線層２０の左端部に接触している。これにより、第１配線層２０は、第１給電点Ｐ１において第１放射導体層１６と電気的に接続されている。

層間接続導体ｖ２は、第１放射導体層１６と第２配線層２２とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１４ａ～１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ２の上端は、第２給電点Ｐ２において第１放射導体層１６に接触している。第２給電点Ｐ２は、第１外縁ＥＥ１の中で第２直線Ｅ２の最も近くに位置している。本実施形態では、第２給電点Ｐ２は、第２直線Ｅ２の中で第２直線Ｅ２の中点の最も近くに位置している。層間接続導体ｖ２の下端は、第２配線層２２の左端部に接触している。これにより、第２配線層２２は、第２給電点Ｐ２において第１放射導体層１６と電気的に接続されている。

層間接続導体ｖ３は、第１配線層２０と外部電極２４とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１４ｄ，１４ｅを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、第１配線層２０の右端部に接触している。層間接続導体ｖ３の下端は、外部電極２４に接触している。

層間接続導体ｖ４は、第２配線層２２と外部電極２６とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ４は、絶縁体層１４ｄ，１４ｅを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ４の上端は、第２配線層２２の右端部に接触している。層間接続導体ｖ４の下端は、外部電極２６に接触している。

層間接続導体ｖ５～ｖ８は、グランド導体層２８と環状グランド導体層３０とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ５～ｖ８は、絶縁体層１４ａ～１４ｅを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５～ｖ８の上端は、環状グランド導体層３０に接触している。層間接続導体ｖ５～ｖ８の下端は、グランド導体層２８に接触している。

以上のような第１放射導体層１６、第１配線層２０、第２配線層２２、外部電極２４，２６、グランド導体層２８及び環状グランド導体層３０は、絶縁体層１４ａ～１４ｅの上主面及び下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。層間接続導体ｖ１～ｖ８は、絶縁体層１４ａ～１４ｅを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。

保護層１５ａ，１５ｂは、絶縁体層１４ａ～１４ｅの誘電率よりも高い誘電率を有している。保護層１５ａは、絶縁体層１４ａの上主面を覆っている。これにより、保護層１５ａは、第１放射導体層１６及び環状グランド導体層３０を保護している。保護層１５ｂは、絶縁体層１４ｅの下主面を覆っている。これにより、保護層１５ｂは、グランド導体層２８を保護している。ただし、保護層１５ｂには、開口Ｈが設けられている。これにより、外部電極２４，２６は、開口Ｈを介して多層基板１０から外部に露出している。

以上のような多層基板１０では、第１放射導体層１６及びグランド導体層２８は、第１高周波信号及び第２高周波信号を放射又は受信するパッチアンテナとして機能する。ただし、第１高周波信号の偏向方向は、第２高周波信号の偏向方向と異なる。具体的には、第１給電点Ｐ１は、第１直線Ｅ１近傍に位置している。第２給電点Ｐ２は、第２直線Ｅ２近傍に位置している。第１直線Ｅ１は、第２直線Ｅ２に直交している。そのため、第１高周波信号の偏向方向は、第２高周波信号の偏向方向に直交する。なお、第１高周波信号及び第２高周波信号の受信時の偏向方向も第１高周波信号及び第２高周波信号の送信の偏向方向と同様である。

（効果）
多層基板１０によれば、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。以下に、比較例に係る多層基板１１０を例に挙げて説明する。図４は、多層基板１０，１１０の断面図である。図４は、図２のＢ１－Ｂ１、図２のＢ２－Ｂ２及び図５のＤ－Ｄにおける断面図である。図５は、多層基板１１０の上面図である。図６は、多層基板１１０の断面図である。図６は、図５のＣ－Ｃにおける断面図である。

図５に示す多層基板１１０は、第１配線層２０が第１直線Ｅ１と直交している点において多層基板１０と相違する。多層基板１１０では、第１高周波信号は、第１給電点Ｐ１を介して第１放射導体層１６に供給される。これにより、第１直線Ｅ１において定在波が発生し、第１高周波信号が放射される。この際、電気力線ｅ１１が、第１直線Ｅ１からグランド導体層２８へと発生する。電気力線ｅ１１は、第１直線Ｅ１に直交する方向、かつ、下方向に延びる。

同様に、第２高周波信号は、第２給電点Ｐ２を介して第１放射導体層１６に供給される。これにより、第２直線Ｅ２において定在波が発生し、第２高周波信号が放射される。この際、電気力線ｅ１２が、第２直線Ｅ２からグランド導体層２８へと発生する。電気力線ｅ１２は、第２直線Ｅ２に直交する方向、かつ、下方向に延びる。

ところで、第１配線層２０は、第１直線Ｅ１と直交している。従って、第１配線層２０は、第１直線Ｅ１と直交する方向に長く延びている。そのため、電気力線ｅ１１は、図６に示すように、第１配線層２０により遮られやすい。このように、電気力線ｅ１１が第１配線層２０に遮られると、第１高周波信号の放射方向が上下方向から右上方向に傾いてしまう。

また、第２配線層２２は、第２直線Ｅ２と直交していない。従って、第２配線層２２は、第２直線Ｅ２と直交する方向に長く延びていない。そのため、電気力線ｅ１２は、図４に示すように、第２配線層２２により遮られにくい。このように、電気力線ｅ１２が第２配線層２２により遮られにくいと、第２高周波信号の放射方向が上下方向から傾きにくい。その結果、多層基板１１０では、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとに差が生じる。

そこで、多層基板１０では、第１配線層２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交しないように交差している。更に、第２配線層２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２と直交しないように交差している。これにより、電気力線ｅ１は、図４に示すように、第１配線層２０により遮られにくい。更に、電気力線ｅ２は、図４に示すように、第２配線層２２により遮られにくい。その結果、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が第１放射導体層１６の主面の法線方向（上下方向）から傾くことを抑制できる。更に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が上下方向から傾くことが抑制されるので、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差が小さくなる。なお、本明細書において高周波信号の放射方向とは、高周波信号の放射パターンの中心軸線である。

また、多層基板１０では、上記と同じ理由により、第１高周波信号の受信方向及び第２高周波信号の受信方向が上下方向から傾くことが抑制されるので、第１高周波信号の受信パターンと第２高周波信号の受信パターンとの差が小さくなる。

多層基板１０によれば、以下の理由によっても、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。より詳細には、電気力線ｅ１は、第１領域Ａ１に発生しやすい。電気力線ｅ２は、第２領域Ａ２に発生しやすい。そこで、多層基板１０では、第１配線層２０は、上下方向に見て、第１領域Ａ１と第１領域Ａ１外の領域とに跨っている。更に、第２配線層２２は、上下方向に見て、第２領域Ａ２と第２領域Ａ２外の領域とに跨っている。これにより、第１配線層２０において第１領域Ａ１に位置する部分の長さが短くなる。第２配線層２２において第２領域Ａ２に位置する部分の長さが短くなる。これにより、電気力線ｅ１は、第１配線層２０により遮られにくい。電気力線ｅ２は、第２配線層２２により遮られにくい。その結果、多層基板１０によれば、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。

多層基板１０によれば、距離Ｌ１、距離Ｌ２、距離Ｌ３及び距離Ｌ４は、互いに等しい。これにより、第１直線Ｅ１と環状グランド導体層３０との間に発生する容量の大きさと、第２直線Ｅ２と環状グランド導体層３０との間に発生する容量の大きさと、直線Ｅ１０１と環状グランド導体層３０との間に発生する容量の大きさと、直線Ｅ１０２と環状グランド導体層３０との間に発生する容量の大きさとが近づく。その結果、第１高周波信号の放射パターンと第２高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第１高周波信号の放射方向及び第２高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて説明する。図７は、多層基板１０ａの上面図である。

多層基板１０ａは、第２放射導体層２１６、第３配線層２２０及び第４配線層２２２を更に備えている点において多層基板１０と相違する。

第２放射導体層２１６、第３配線層２２０及び第４配線層２２２のそれぞれは、第１放射導体層１６、第１配線層２０及び第２配線層２２と同じ構造を有している。具体的には、第２放射導体層２１６は、積層体１２に設けられている。第２放射導体層２１６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３、第４直線Ｅ４、直線Ｅ１０３及び直線Ｅ１０４を含む第２外縁ＥＥ２を有している。第４直線Ｅ４は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３と交差している。第４直線Ｅ４は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３と直交している。また、グランド導体層２８は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２放射導体層２１６と重なっている。

第３配線層２２０は、積層体１２に設けられている。第３配線層２２０は、第２放射導体層２１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第３配線層２２０は、第２外縁ＥＥ２の中で第３直線Ｅ３の最も近くに位置している第３給電点Ｐ３において第２放射導体層２１６と電気的に接続されている。第３配線層２２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３と直交しないように交差している。

第４配線層２２２は、積層体１２に設けられている。第４配線層２２２は、第２放射導体層２１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第４配線層２２２は、第２外縁ＥＥ２の中で第４直線Ｅ４の最も近くに位置している第４給電点Ｐ４において第２放射導体層２１６と電気的に接続されている。第４配線層２２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第４直線Ｅ４と直交しないように交差している。

第２放射導体層２１６は、第１放射導体層１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。また、第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２は、第１外縁ＥＥ１の内の第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２を除く第１部分ＥＰ１より右（Ｘ軸の正側）に位置している。第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４は、第２外縁ＥＥ２の内の第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４を除く第２部分ＥＰ２より左（Ｘ軸の負側）に位置している。多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

多層基板１０ａによれば、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６とが相互に結合することが抑制されるので、第１放射導体層１６及び第２放射導体層２１６の利得の低下が抑制される。より詳細には、第１放射導体層１６では、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２において電界の強度が高くなる。第２放射導体層２１６では、直線Ｅ１０３，Ｅ１０４において電界の強度が高くなる。従って、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２は、第３配線層２２０及び第４配線層２２２と電界結合しやすい。直線Ｅ１０３，Ｅ１０４は、第１配線層２０及び第２配線層２２と電界結合しやすい。そこで、多層基板１０ａでは、第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２は、第１外縁ＥＥ１の内の第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２を除く第１部分ＥＰ１より右に位置している。第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４は、第２外縁ＥＥ２の内の第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４を除く第２部分ＥＰ２より左に位置している。これにより、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２は、第３配線層２２０及び第４配線層２２２の遠くに位置する。直線Ｅ１０３，Ｅ１０４は、第１配線層２０及び第２配線層２２の遠くに位置する。よって、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６とが相互に結合することが抑制されるので、第１放射導体層１６及び第２放射導体層２１６の利得の低下が抑制される。

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて説明する。図８は、多層基板１０ｂの上面図である。

多層基板１０ｂは、第３放射導体層３１６、第５配線層３２０及び第６配線層３２２を更に備えている点において多層基板１０ａと相違する。

第３放射導体層３１６は、積層体１２に設けられている。第３放射導体層３１６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第５直線Ｅ５、第６直線Ｅ６、直線Ｅ１０５及び直線Ｅ１０６を含む第３外縁ＥＥ３を有している。第６直線Ｅ６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第５直線Ｅ５と交差している。第６直線Ｅ６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第５直線Ｅ５と直交している。また、グランド導体層２８は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３放射導体層３１６と重なっている。

第５配線層３２０は、積層体１２に設けられている。第３配線層２２０は、第３放射導体層３１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第５配線層３２０は、第３外縁ＥＥ３の中で第５直線Ｅ５の最も近くに位置している第５給電点Ｐ５において第３放射導体層３１６と電気的に接続されている。第５配線層３２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第５直線Ｅ５と直交しないように交差している。

第６配線層３２２は、積層体１２に設けられている。第６配線層３２２は、第３放射導体層３１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第６配線層３２２は、第３外縁ＥＥ３の中で第６直線Ｅ６の最も近くに位置している第６給電点Ｐ６において第３放射導体層３１６と電気的に接続されている。第６配線層３２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第６直線Ｅ６と直交しないように交差している。

第３放射導体層３１６は、第２放射導体層２１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。また、第５直線Ｅ５及び第６直線Ｅ６は、第３外縁ＥＥ３の内の第５直線Ｅ５及び第６直線Ｅ６を除く第３部分ＥＰ３より右（Ｘ軸の正側）に位置している。多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０ａと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

また、多層基板１０ｂによれば、第３配線層２２０及び第４配線層２２２と第５配線層３２０及び第６配線層３２２とが離れる。その結果、第２放射導体層２１６と第３放射導体層３１６とが結合することが抑制される。

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて説明する。図９は、多層基板１０ｃの上面図である。

多層基板１０ｃは、第１放射導体層１６、第２放射導体層２１６及び第３放射導体層３１６の位置において多層基板１０ｂと相違する。より詳細には、第２放射導体層２１６は、第１放射導体層１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。第３放射導体層３１６は、第２放射導体層２１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。第１直線Ｅ１、第３直線Ｅ３及び第５直線Ｅ５は、左右方向（Ｘ軸）と平行である。第２直線Ｅ２、第４直線Ｅ４及び第６直線Ｅ６は、左右方向（Ｘ軸方向）に見て、互いに重なり合っている。第１直線Ｅ１の右端（Ｘ軸の正側の端）は、第２直線Ｅ２の前端（Ｙ軸の正側の端）に接続されている。第３直線Ｅ３の右端（Ｘ軸の正側の端）は、第４直線Ｅ４の前端（Ｙ軸の正側の端）に接続されている。第５直線Ｅ５の右端（Ｘ軸の正側の端）は、第６直線Ｅ６の前端（Ｙ軸の正側の端）に接続されている。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０ｂと同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｃは、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６との結合度と第２放射導体層２１６と第３放射導体層３１６との結合度とを近づけることができる。より詳細には、第１放射導体層１６では、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２において電界の強度が高くなる。第２放射導体層２１６では、直線Ｅ１０３，Ｅ１０４において電界の強度が高くなる。第３放射導体層３１６では、直線Ｅ１０５，Ｅ１０６において電界の強度が高くなる。そこで、第２直線Ｅ２と直線Ｅ１０３とが向かい合っている。第４直線Ｅ４と直線Ｅ１０５とか向かい合っている。これにより、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６との結合度と第２放射導体層２１６と第３放射導体層３１６との結合度とを近づけることができる。その結果、第１放射導体層１６、第２放射導体層２１６及び第３放射導体層３１６の全体から放射される高周波信号が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて説明する。図１０は、多層基板１０ｄの上面図である。

多層基板１０ｄは、第１放射導体層１６、第２放射導体層２１６及び第３放射導体層３１６の位置において多層基板１０ｂと相違する。より詳細には、第２放射導体層２１６は、第１放射導体層１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。第３放射導体層３１６は、第２放射導体層２１６の右（Ｘ軸の正側）に位置している。

第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２は、第１外縁ＥＥ１の内の第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２を除く第１部分ＥＰ１より左（Ｘ軸の負側）に位置している。第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４は、第２外縁ＥＥ２の内の第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４を除く第２部分ＥＰ２より後（Ｙ軸の負側）に位置している。第５直線Ｅ５及び第６直線Ｅ６は、第３外縁ＥＥ３の内の第５直線Ｅ５及び第６直線Ｅ６を除く第３部分ＥＰ３より左（Ｘ軸の負側）に位置している。多層基板１０ｄのその他の構造は、多層基板１０ｂと同じであるので説明を省略する。

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて説明する。図１１は、多層基板１０ｅの分解斜視図である。図１２は、多層基板１０ｅの上面図である。

多層基板１０ｅは、第２放射導体層２１６、第３配線層２２０及び第４配線層２２２を更に備えている点において多層基板１０と相違する。第２放射導体層２１６は、積層体１２に設けられている。第２放射導体層２１６は、第１放射導体層１６より下（Ｚ軸の負側）に位置している。第２放射導体層２１６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっている。第２放射導体層２１６は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４を含む第２外縁ＥＥ２を有している。

第３直線Ｅ３の右端（Ｘ軸の正側の端）は、第４直線Ｅ４の右端（Ｘ軸の正側の端）に接続されている。第３直線Ｅ３は、第１直線Ｅ１と平行である。第４直線Ｅ４は、第２直線Ｅ２と平行である。

第３配線層２２０は、積層体１２に設けられている。第３配線層２２０は、第２放射導体層２１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第３配線層２２０は、第２外縁ＥＥ２の中で第３直線Ｅ３の最も近くに位置している第３給電点Ｐ３において第２放射導体層２１６と電気的に接続されている。第３配線層２２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｅ３と直交しないように交差している。

第４配線層２２２は、積層体１２に設けられている。第４配線層２２２は、第２放射導体層２１６より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。第４配線層２２２は、第２外縁ＥＥ２の中で第４直線Ｅ４の最も近くに位置している第４給電点Ｐ４において第２放射導体層２１６と電気的に接続されている。第４配線層２２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第４直線Ｅ４と直交しないように交差している。

また、第１配線層２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１及び第３直線Ｅ３と直交しないように交差している。第２配線層２２は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２及び第４直線Ｅ４と直交しないように交差している。多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｅは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

多層基板１０ｅによれば、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６とが相互に結合することが抑制されるので、第１放射導体層１６及び第２放射導体層２１６の利得の低下が抑制される。より詳細には、第１放射導体層１６では、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２において電界の強度が高くなる。第２放射導体層２１６では、直線Ｅ１０３，Ｅ１０４において電界の強度が高くなる。従って、直線Ｅ１０１，Ｅ１０２は、第３配線層２２０及び第４配線層２２２と電界結合しやすい。直線Ｅ１０３，Ｅ１０４は、第１配線層２０及び第２配線層２２と電界結合しやすい。

そこで、多層基板１０ｅでは、第１直線Ｅ１は、第３直線Ｅ３と平行である。第２直線Ｅ２は、第４直線Ｅ４と平行である。第１直線Ｅ１の右端は、第２直線Ｅ２の右端に接続されている。第３直線Ｅ３の右端は、第４直線Ｅ４の右側の端に接続されている。これにより、第１配線層２０及び第２配線層２２は、直線Ｅ１０３，１０４の近くに位置しなくなる。第３配線層２２０及び第４配線層２２２は、直線Ｅ１０１，１０２の近くに位置しなくなる。これにより、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６とが相互に結合することが抑制されるので、第１放射導体層１６及び第２放射導体層２１６の利得の低下が抑制される。

また、第１放射導体層１６が発生する電界の強度が高くなる直線Ｅ１０１，Ｅ１０２から遠ざかるように、第２放射導体層２１６の第１配線層２０及び第２配線層２２が引き出されている。これにより、第１放射導体層１６と第２放射導体層２１６との結合が抑制され、第１放射導体層１６及び第２放射導体層２１６の利得低下を低減できる。

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて説明する。図１３は、多層基板１０ｆの上面図である。

多層基板１０ｆは、第２放射導体層２１６の配置において多層基板１０ｃと相違する。より詳細には、第３直線Ｅ３の後端（Ｙ軸の負側の端）は、第４直線Ｅ４の左端（Ｘ軸の負側の端）に接続されている。多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０ｃと同じであるので説明を省略する。

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る多層基板１０ｇについて説明する。図１４は、多層基板１０ｇの分解斜視図である。図１５は、多層基板１０ｇの断面図である。

多層基板１０ｇは、リジッド部Ａ３及び可撓部Ａ４を有している点、及び、第１グランド導体層１２８及び層間接続導体ｖ９～ｖ１２を更に備えている点において多層基板１０と相違する。

リジッド部Ａ３は、上下方向（Ｚ軸方向）の長さが、図１４及び図１５に示すように、可撓部Ａ４の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより長い部分である。本変形例では、リジッド部Ａ３は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、保護層１５ａと重なる。可撓部Ａ４は、上下方向（Ｚ軸方向）の長さが、リジッド部Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより短い部分である。本変形例では、可撓部Ａ４は、リジッド部Ａ３の右に位置している。第１配線層２０は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。第２配線層２２は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。グランド導体層２８は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。リジッド部Ａ３において、環状グランド導体層３０とグランド導体層２８との間には、グランド導体が設けられていない。外部電極２４，２６及び開口Ｈは、可撓部Ａ４に設けられている。リジッド部Ａ３のその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。以下に、可撓部Ａ４の構造について、詳細に説明する。

可撓部Ａ４において、積層体１２は、絶縁体層１４ｃ～１４ｅ及び保護層１５ｂ，１５ｃが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。保護層１５ｃ、絶縁体層１４ｃ～１４ｅ及び保護層１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。

第１グランド導体層１２８は、絶縁体層１４ｃの上主面に設けられている。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、長方形状を有している。第１グランド導体層１２８の長辺は、左右方向に延びている。第１グランド導体層１２８の短辺は、前後方向に延びている。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、第１配線層２０及び第２配線層２２と重なっている。第１グランド導体層１２８は、グランド電位に接続される。

層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、第１グランド導体層１２８とグランド導体層２８とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、絶縁体層１４ｃ～１４ｅを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ９～ｖ１２の上端は、第１グランド導体層１２８に接触している。層間接続導体ｖ９～ｖ１２の下端は、グランド導体層２８に接触している。

第１グランド導体層１２８は、絶縁体層１４ｃの上主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、絶縁体層１４ｃ～１４ｅを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。

保護層１５ｃは、絶縁体層１４ａ～１４ｅの誘電率よりも高い誘電率を有している。可撓部Ａ４において、保護層１５ｃは、絶縁体層１４ｃの上主面を覆っている。これにより、保護層１５ｃは、第１グランド導体層１２８を保護している。

外部電極２４，２６及び開口Ｈの構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。また、多層基板１０ｇのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｇは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

（ａ）多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ｇの曲げ加工が容易になる。より詳細には、多層基板１０ｇは、リジッド部Ａ３及び可撓部Ａ４を有している。可撓部Ａ４の上下方向（Ｚ軸方向）の長さは、リジッド部Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより短い。従って、可撓部Ａ４は、リジッド部Ａ３より変形しやすい。すなわち、可撓部Ａ４は、容易に曲げられやすい。これにより、多層基板１０ｇを容易に曲げることができる。その結果、多層基板１０ｇの曲げ加工が容易になる。

（ｂ）多層基板１０ｇによれば、リジッド部Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の長さを短くすることができる。より詳細には、リジッド部Ａ３において、第１配線層２０及び第２配線層２２のそれぞれは、環状グランド導体層３０より下、かつ、グランド導体層２８より上に位置している。従って、環状グランド導体層３０及びグランド導体層２８により、ノイズが第１配線層２０及び第２配線層２２のそれぞれの内部に侵入することが抑制される。

（ｃ）多層基板１０ｇによれば、環状グランド導体層３０とグランド導体層２８との間にグランド導体を設ける場合と比較して、第１放射導体層１６とグランド導体との間に発生する容量を抑制することができる。

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る多層基板１０ｈについて説明する。図１６は、多層基板１０ｈの分解斜視図である。図１７は、多層基板１０ｈの断面図である。

多層基板１０ｈは、リジッド部Ａ３及び可撓部Ａ４を有している点、第７配線層１２０、第８配線層１２２、第１グランド導体層１２８及び層間接続導体ｖ９～ｖ１２，ｖ１５，ｖ１６を更に備えている点、層間接続導体ｖ１３を備えている点、及び、層間接続導体ｖ１４を備えている点において多層基板１０と相違する。

リジッド部Ａ３は、上下方向（Ｚ軸方向）の長さが、図１６及び図１７に示すように、可撓部Ａ４の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより長い部分である。本変形例では、リジッド部Ａ３は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、保護層１５ａと重なる。可撓部Ａ４は、上下方向（Ｚ軸方向）の長さが、リジッド部Ａ３の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより短い部分である。本変形例では、可撓部Ａ４は、リジッド部Ａ３の右に位置している。まず、リジッド部Ａ３の構造について、詳細に説明する。次に、可撓部Ａ４の構造について、詳細に説明する。

リジッド部Ａ３において、積層体１２は、絶縁体層１４ａ～１４ｆ及び保護層１５ａ，１５ｂが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。保護層１５ａ、絶縁体層１４ａ～１４ｆ及び保護層１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１４ｆの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体１２は、可撓性を有する。

本変形例では、第１配線層２０及び第２配線層２２は、絶縁体層１４ｂの上主面に位置している。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、絶縁体層１４ａを上下方向に貫通している。グランド導体層２８は、絶縁体層１４ｆの下主面に設けられている。保護層１５ｂは、絶縁体層１４ｆの下主面を覆っている。これにより、保護層１５ｂは、グランド導体層２８を保護している。

第７配線層１２０は、積層体１２に設けられている。第７配線層１２０は、第１配線層２０より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。本変形例では、第７配線層１２０は、絶縁体層１４ｅの上主面に位置している。また、第７配線層１２０は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第７配線層１２０は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。また、第７配線層１２０は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。

第８配線層１２２は、積層体１２に設けられている。第８配線層１２２は、第２配線層２２より下（Ｚ軸の負側）かつグランド導体層２８より上（Ｚ軸の正側）に位置している。本変形例では、第８配線層１２２は、絶縁体層１４ｅの上主面に位置している。また、第８配線層１２２は、上下方向に見て、第７配線層１２０より後に位置している。第８配線層１２２は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第８配線層１２２は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。また、第８配線層１２２は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。

層間接続導体ｖ１３は、第１配線層２０と第７配線層１２０とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１３は、絶縁体層１４ｂ～１４ｄを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１３の上端は、第１配線層２０の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１３の下端は、第７配線層１２０の左端部に接触している。これにより、第７配線層１２０は、第１配線層２０と電気的に接続されている。

層間接続導体ｖ１４は、第２配線層２２と第８配線層１２２とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１４は、絶縁体層１４ｂ～１４ｄを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１４の上端は、第２配線層２２の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１４の下端は、第８配線層１２２の左端部に接触している。これにより、第８配線層１２２は、第２配線層２２と電気的に接続されている。

層間接続導体ｖ１３，ｖ１４は、絶縁体層１４ｂ～１４ｄを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。

グランド導体層２８は、リジッド部Ａ３と可撓部Ａ４とに跨っている。外部電極２４，２６及び開口Ｈは、可撓部Ａ４に設けられている。リジッド部Ａ３のその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。以下に、可撓部Ａ４の構造について、詳細に説明する。

可撓部Ａ４において、積層体１２は、絶縁体層１４ｄ～１４ｆ及び保護層１５ｂ，１５ｃが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。保護層１５ｃ、絶縁体層１４ｄ～１４ｆ及び保護層１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。

可撓部Ａ４において、第１グランド導体層１２８は、絶縁体層１４ｄの上主面に設けられている。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、第７配線層１２０及び第８配線層１２２と重なっている。第１グランド導体層１２８のその他の構造は、多層基板１０ｇと同じであるので説明を省略する。

可撓部Ａ４において、層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、絶縁体層１４ｄ～１４ｆを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ９～ｖ１２のその他の構造は、多層基板１０ｇと同じであるので説明を省略する。

層間接続導体ｖ１５は、第７配線層１２０と外部電極２４とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１５は、絶縁体層１４ｅ，１４ｆを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１５の上端は、第７配線層１２０の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１５の下端は、外部電極２４に接触している。

層間接続導体ｖ１６は、第８配線層１２２と外部電極２６とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１６は、絶縁体層１４ｅ，１４ｆを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１６の上端は、第８配線層１２２の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１６の下端は、外部電極２６に接触している。

層間接続導体ｖ１５，ｖ１６は、絶縁体層１４ｅ，１４ｆを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。

保護層１５ｃは、絶縁体層１４ａ～１４ｅの誘電率よりも高い誘電率を有している。可撓部Ａ４において、保護層１５ｃは、絶縁体層１４ｄの上主面を覆っている。これにより、保護層１５ｃは、第１グランド導体層１２８を保護している。

外部電極２４，２６は、絶縁体層１４ｆの下主面に設けられている。外部電極２４，２６のその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

開口Ｈの構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。また、多層基板１０ｈのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｈは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｈによれば、（ａ）～（ｃ）の作用効果を奏することができる。

（ｄ）多層基板１０ｈによれば、第１配線層２０及び第２配線層２２のそれぞれの上下方向に直交する方向の長さ（幅）を調整することにより、第１放射導体層１６に近い位置で特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、損失を低減しつつ、反射波を第１放射導体層１６に供給することができるようになる。

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る多層基板１０ｉについて説明する。図１８は、多層基板１０ｉの上面図である。

多層基板１０ｉは、第１配線層２０及び第２配線層２２が整合部ＰＭＣを含んでいる点において多層基板１０と相違する。本変形例では、第１配線層２０の整合部ＰＭＣの前後方向の長さは、第１配線層２０の整合部ＰＭＣ以外の部分の前後方向の長さよりも長い。また、第２配線層２２の整合部ＰＭＣの前後方向の長さは、第２配線層２２の整合部ＰＭＣ以外の部分の前後方向の長さよりも長い。整合部ＰＭＣは、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。

多層基板１０ｉは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｉによれば、整合部ＰＭＣと第１放射導体層１６とが結合することが抑制される。より詳細には、整合部ＰＭＣを第１放射導体層１６に近い位置に設けることにより、損失を低減しつつ、反射波を第１放射導体層１６に供給することができるため、整合部ＰＭＣを第１配線層２０及び第２配線層２２に設けることが好ましい。ここで、整合部ＰＭＣは、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。従って、整合部ＰＭＣを第１放射導体層１６の遠くに位置させることができる。その結果、多層基板１０ｉによれば、整合部ＰＭＣと第１放射導体層１６とが結合することが抑制される。

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る多層基板１０ｊについて説明する。図１９は、多層基板１０ｊの上面図である。

多層基板１０ｊは、第１配線層２０及び第２配線層２２がスタブ部ＳＴを含んでいる点において多層基板１０と相違する。本変形例では、スタブ部ＳＴは、グランド電位に接続されないオープンスタブである。スタブ部ＳＴは、上下方向に見て、前後方向に延びる線形状を有している。スタブ部ＳＴは、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。

多層基板１０ｊは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｊによれば、スタブ部ＳＴと第１放射導体層１６とが結合することが抑制される。より詳細には、スタブ部ＳＴを第１放射導体層１６に近い位置に設けることにより、損失を低減しつつ、反射波を第１放射導体層１６に供給することができるため、スタブ部ＳＴを第１配線層２０及び第２配線層２２に設けることが好ましい。ここで、スタブ部ＳＴは、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。従って、スタブ部ＳＴを第１放射導体層１６の遠くに位置させることができる。その結果、多層基板１０ｉによれば、スタブ部ＳＴと第１放射導体層１６とが結合することが抑制される。

（第１１変形例）
以下に、第１１変形例に係る多層基板１０ｋについて説明する。図２０は、多層基板１０ｋの上面図である。

多層基板１０ｋは、第７配線層１２０が、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交している点において多層基板１０ｈと相違する。多層基板１０ｋのその他の構造は、多層基板１０ｈと同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｋは、多層基板１０ｈと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｋによれば、第７配線層１２０と第１放射導体層１６との間の距離は、第１配線層２０と第１放射導体層１６との間の距離より大きい。そのため、第１配線層２０が、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交しないように交差しており、かつ、第２配線層２２が、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２と直交しないように交差していれば、第７配線層１２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交してもよい。

（ｅ）多層基板１０ｋによれば、配線レイアウトの自由度が向上する。より詳細には、第７配線層１２０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１直線Ｅ１と直交してもよい。なお、第８配線層１２２が、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２直線Ｅ２と直交してもよい。

（第１２変形例）
以下に、第１２変形例に係るアンテナモジュール１００について説明する。図２１は、アンテナモジュール１００の断面図である。図２２は、多層基板２１０の分解斜視図である。

アンテナモジュール１００は、例えば、スマートフォン等の無線通信端末に用いられる。アンテナモジュール１００は、多層基板１０及び多層基板２１０を備えている。

多層基板２１０は、図２１に示すように、多層基板１０より下（Ｚ軸の負側）に位置している。多層基板２１０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、多層基板１０と重なる領域ＡＲ１、及び、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、多層基板１０と重ならない領域ＡＲ２を有している。以下に、多層基板２１０の構造について、詳細に説明する。

多層基板２１０は、積層体１１２、第７配線層１２０、第８配線層１２２、外部電極１２４～１２７、第１グランド導体層１２８、第２グランド導体層１２９及び層間接続導体ｖ９～ｖ１２，ｖ１５～ｖ１８を備えている。第７配線層１２０、第８配線層１２２、外部電極１２４～１２７、第１グランド導体層１２８、第２グランド導体層１２９及び層間接続導体ｖ９～ｖ１２，ｖ１５～ｖ１８のそれぞれは、図２２に示すように、積層体１１２に設けられている。多層基板１０は、本発明の「第１基板」に対応する。多層基板２１０は、本発明の「第２基板」に対応する。積層体１２は、本発明の「第１積層体」に対応する。積層体１１２は、本発明の「第２積層体」に対応する。

積層体１１２は、板形状を有している。積層体１１２は、上下方向に見て、長方形状を有している。積層体１１２は、絶縁体層１１４ａ～１１４ｃ及び保護層１１５ａ，１１５ｂが上下方向（Ｚ軸方向）に積層された構造を有している。積層体１１２の上下方向の長さは、積層体１２の上下方向の長さより短い。これにより、多層基板２１０の上下方向（Ｚ軸方向）の長さは、多層基板１０の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより短い。保護層１１５ａ、絶縁体層１１４ａ～１１４ｃ及び保護層１１５ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１１４ａ～１１４ｃの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体１１２は、可撓性を有する。多層基板２１０は、可撓性を有する。保護層１１５ａ，１１５ｂについては後述する。

第１グランド導体層１２８は、絶縁体層１４ａの上主面に設けられている。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、長方形状を有している。第１グランド導体層１２８の長辺は、左右方向に延びている。第１グランド導体層１２８の短辺は、前後方向に延びている。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、第７配線層１２０及び第８配線層１２２と重なっている。第１グランド導体層１２８は、グランド電位に接続される。

外部電極１２４，１２６は、絶縁体層１１４ａの上主面に設けられている。外部電極１２４，１２６は、第１グランド導体層１２８と接していない。従って、外部電極１２４，１２６は、第１グランド導体層１２８に設けられた開口内に位置している。また、外部電極１２４は、上下方向に見て、第７配線層１２０の左端部と重なっている。また、外部電極１２６は、上下方向に見て、第８配線層１２２の左端部と重なっている。

第７配線層１２０は、第１グランド導体層１２８より下かつ第２グランド導体層１２９より上に位置している。本変形例では、第７配線層１２０は、絶縁体層１１４ｂの上主面に位置している。第７配線層１２０は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。図２１に示すように、アンテナモジュール１００において、第７配線層１２０の左端は、上下方向に見て、第１配線層２０と重なっている。アンテナモジュール１００において、第７配線層１２０の右端は、第１配線層２０と重なっていない。第７配線層１２０は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。また、第７配線層１２０と第１放射導体層１６との間の距離は、第１配線層２０と第１放射導体層１６との間の距離より大きい。

第８配線層１２２は、図２２に示すように、第１グランド導体層１２８より下かつ第２グランド導体層１２９より上に位置している。本変形例では、第８配線層１２２は、絶縁体層１１４ｂの上主面に位置している。また、第８配線層１２２は、上下方向に見て、第７配線層１２０より後に位置している。第８配線層１２２は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。図２１に示すように、アンテナモジュール１００において、第８配線層１２２の左端は、上下方向に見て、第２配線層２２と重なっている。アンテナモジュール１００において、第８配線層１２２の右端は、第２配線層２２と重なっていない。第８配線層１２２は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。また、第８配線層１２２と第１放射導体層１６との間の距離は、第２配線層２２と第１放射導体層１６との間の距離より大きい。

第２グランド導体層１２９は、図２２に示すように、絶縁体層１１４ｃの下主面に設けられている。従って、第２グランド導体層１２９は、第７配線層１２０及び第８配線層１２２より下（Ｚ軸の負側）に位置している。第２グランド導体層１２９は、上下方向に見て、長方形状を有している。第２グランド導体層１２９の長辺は、左右方向に延びている。第２グランド導体層１２９の短辺は、前後方向に延びている。第２グランド導体層１２９は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第７配線層１２０及び第８配線層１２２と重なっている。また、図２１に示すように、第２グランド導体層１２９は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１放射導体層１６と重なっている。すなわち、第２グランド導体層１２９は、多層基板１０と重なる領域ＡＲ１と、多層基板１０と重ならない領域ＡＲ２と、に跨っている。第２グランド導体層１２９は、グランド電位に接続される。なお、第２グランド導体層１２９は、本発明の「グランド導体層」に対応する。

外部電極１２５，１２７は、絶縁体層１１４ｃの下主面に設けられている。外部電極１２５，１２７は、第２グランド導体層１２９と接していない。従って、外部電極１２５，１２７は、第２グランド導体層１２９に設けられた開口内に位置している。また、外部電極１２５は、上下方向に見て、第７配線層１２０の右端部と重なっている。また、外部電極１２７は、上下方向に見て、第８配線層１２２の右端部と重なっている。

層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、第１グランド導体層１２８と第２グランド導体層１２９とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ９～ｖ１２は、絶縁体層１１４ａ～１１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ９～ｖ１２の上端は、第１グランド導体層１２８に接触している。層間接続導体ｖ９～ｖ１２の下端は、第２グランド導体層１２９に接触している。

層間接続導体ｖ１５は、外部電極１２４と第７配線層１２０とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１５は、絶縁体層１１４ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１５の上端は、外部電極１２４に接触している。層間接続導体ｖ１５の下端は、第７配線層１２０の左端部に接触している。

層間接続導体ｖ１６は、外部電極１２６と第８配線層１２２とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１６は、絶縁体層１１４ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１６の上端は、外部電極１２６に接触している。層間接続導体ｖ１６の下端は、第８配線層１２２の左端部に接触している。

層間接続導体ｖ１７は、第７配線層１２０と外部電極１２５とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１７は、絶縁体層１１４ｂ，１１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１７の上端は、第７配線層１２０の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１５の下端は、外部電極１２５に接触している。

層間接続導体ｖ１８は、第８配線層１２２と外部電極１２７とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ１８は、絶縁体層１１４ｂ，１１４ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１８の上端は、第８配線層１２２の右端部に接触している。層間接続導体ｖ１８の下端は、外部電極１２７に接触している。

保護層１１５ａ，１１５ｂは、絶縁体層１１４ａ～１１４ｃの誘電率よりも高い誘電率を有している。保護層１１５ａは、絶縁体層１１４ａの上主面を覆っている。これにより、保護層１１５ａは、第１グランド導体層１２８を保護している。ただし、保護層１１５ｂには、開口ｈ１が設けられている。これにより、外部電極１２４，１２６は、開口ｈ１を介して多層基板２１０から外部に露出している。また、保護層１１５ｂは、絶縁体層１１４ｃの下主面を覆っている。これにより、保護層１１５ｂは、第２グランド導体層１２９を保護している。ただし、保護層１１５ｂには、開口ｈ２が設けられている。これにより、外部電極１２５，１２７は、開口ｈ２を介して多層基板２１０から外部に露出している。

多層基板２１０は、多層基板１０に実装される。具体的には、外部電極１２４は、半田Ｓにより外部電極２４に固定される。これにより、第７配線層１２０は、第１配線層２０と電気的に接続される。従って、外部電極１２５には、第１高周波信号が入力又は出力する。また、外部電極１２６は、半田Ｓにより外部電極２６に固定される。これにより、第８配線層１２２は、第２配線層２２と電気的に接続される。従って、外部電極１２７には、第２高周波信号が入力又は出力する。

アンテナモジュール１００は、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、アンテナモジュール１００によれば、（ｄ）、（ｅ）の作用効果を奏することができる。

（ｆ）アンテナモジュール１００によれば、アンテナモジュール１００の曲げ加工が容易になる。より詳細には、多層基板２１０は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、多層基板１０と重なる領域ＡＲ１、及び、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、多層基板１０と重ならない領域ＡＲ２を有している。また、多層基板２１０の上下方向（Ｚ軸方向）の長さは、多層基板１０の上下方向（Ｚ軸方向）の長さより短い。従って、多層基板２１０の領域ＡＲ２は、多層基板１０より変形しやすい。すなわち、多層基板２１０の領域ＡＲ２は、容易に曲げられやすい。これにより、アンテナモジュール１００を容易に曲げることができる。その結果、アンテナモジュール１００の曲げ加工が容易になる。

（第１３変形例）
以下に、第１３変形例に係るアンテナモジュール１００ａについて説明する。図２３は、アンテナモジュール１００ａの断面図である。

アンテナモジュール１００ａは、多層基板１０ｌ及び多層基板２１０ａを備えている点においてアンテナモジュール１００と相違する。多層基板１０ｌは、グランド導体層２８及び層間接続導体ｖ５～ｖ８を備えていない点において多層基板１０と相違する。

多層基板２１０ａは、図２３に示すように、第１グランド導体層１２８が、上下方向に見て、領域ＡＲ２にのみ位置している点において多層基板２１０と相違する。第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていない。本変形例では、第１グランド導体層１２８は、上下方向に見て、領域ＡＲ１に位置していない。本変形例では、アンテナモジュール１００ａのその他の構造は、アンテナモジュール１００と同じであるので説明を省略する。以上のようなアンテナモジュール１００ａでは、第１放射導体層１６及び第２グランド導体層１２９は、第１高周波信号及び第２高周波信号を放射又は受信するパッチアンテナとして機能する。

アンテナモジュール１００ａは、アンテナモジュール１００と同じ作用効果を奏することができる。

（ｇ）アンテナモジュール１００ａによれば、領域ＡＲ１の上下方向（Ｚ軸方向）の長さを短くすることができる。より詳細には、第１放射導体層１６に対向する第１グランド導体層１２８が存在しない。第１放射導体層１６とグランド導体との間に発生する容量は、第１放射導体層１６と第２グランド導体層１２９との間で発生する容量が支配的になる。従って、所望の容量を形成するときに、領域ＡＲ１の上下方向（Ｚ軸方向）の長さを短くすることができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｋに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板１０，１０ａ～１０ｋの構造を任意に組み合わせてもよい。

本発明に係るアンテナモジュールは、アンテナモジュール１００，１００ａに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、アンテナモジュール１００，１００ａの構造を任意に組み合わせてもよい。また、アンテナモジュール１００は、多層基板１０ａ～１０ｌを備えていてもよい。

なお、環状グランド導体層３０は、必須の構成要件ではない。

なお、第１配線層２０と第２配線層２２とは並行でなくてもよい。第３配線層２２０と第４配線層２２２とは並行でなくてもよい。第５配線層３２０と第６配線層３２２とは並行でなくてもよい。

なお、多層基板１０ａにおいて、第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２は、第１外縁ＥＥ１の内の第１直線Ｅ１及び第２直線Ｅ２を除く第１部分ＥＰ１より左（Ｘ軸の負側）に位置し、かつ、第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４は、第２外縁ＥＥ２の内の第３直線Ｅ３及び第４直線Ｅ４を除く第２部分ＥＰ２より右（Ｘ軸の正側）に位置していてもよい。

第２直線Ｅ２は、上下方向に見て、第１直線Ｅ１と交差していればよく、第１直線Ｅ１と直交していなくてもよい。第４直線Ｅ４は、上下方向に見て、第３直線Ｅ３と交差していればよく、第３直線Ｅ３と直交していなくてもよい。第６直線Ｅ６は、上下方向に見て、第５直線Ｅ５と交差していればよく、第５直線Ｅ５と直交していなくてもよい。

なお、第１直線Ｅ１と第２直線Ｅ２とは、上下方向に見て、交差していなくてもよい。

なお、第１給電点Ｐ１は、第１直線Ｅ１の中で第１直線Ｅ１の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、第２給電点Ｐ２は、第２直線Ｅ２の中で第２直線Ｅ２の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、第３給電点Ｐ３は、第３直線Ｅ３の中で第３直線Ｅ３の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、第４給電点Ｐ４は、第４直線Ｅ４の中で第４直線Ｅ４の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、第５給電点Ｐ５は、第５直線Ｅ５の中で第５直線Ｅ５の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、第６給電点Ｐ６は、第６直線Ｅ６の中で第６直線Ｅ６の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。

なお、リジッド部Ａ３は、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、保護層１５ａと重ならなくてもよい。

なお、第１グランド導体層１２８は、必須の構成要件ではない。

なお、第７配線層１２０及び第８配線層１２２のそれぞれは、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていてもよい。ただし、第７配線層１２０及び第８配線層１２２のそれぞれと第１放射導体層１６との間の距離を大きくすることにより、第７配線層１２０及び第８配線層１２２のそれぞれと第１放射導体層１６とが結合することが抑制されるため、第７配線層１２０及び第８配線層１２２のそれぞれは、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていないことが好ましい。

なお、整合部ＰＭＣは、第７配線層１２０及び第８配線層１２２に含まれていてもよい。

なお、第１配線層２０、第２配線層２２、第７配線層１２０及び第８配線層１２２とは別に整合部ＰＭＣを設ける場合であっても、整合部ＰＭＣは、上下方向に見て、第１放射導体層１６と重なっていなければよい。この場合、整合部ＰＭＣは、例えば、特性インピーダンスを整合させるための整合回路を構成するチップコンデンサ等の電子部品により、形成されもよい。

なお、スタブ部ＳＴは、第７配線層１２０及び第８配線層１２２に含まれていてもよい。また、スタブ部ＳＴは、グランド電位に接続されるショートスタブであってもよい。

本発明は、以下の構造を備える。

（１）
複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
を備えている、
多層基板。

（２）
前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線を前記第１直線に直交する方向に移動させたときに、前記第１直線が通過する領域を第１領域と定義し、
前記第１配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１領域と前記第１領域外の領域とに跨っており、
前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線を前記第２直線に直交する方向に移動させたときに、前記第２直線が通過する領域を第２領域と定義し、
前記第２配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２領域と前記第２領域外の領域とに跨っている、
（１）に記載の多層基板。

（３）
前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線の最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線の最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっている、
（１）又は（２）に記載の多層基板。

（４）
前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｘ軸の負側に位置している、
（３）に記載の多層基板。

（５）
前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第５直線及び第６直線を含む第３外縁を有している第３放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第５直線の最も近くに位置している第５給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第５直線と直交しないように交差している第５配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第６直線の最も近くに位置している第６給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第６直線と直交しないように交差している第６配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３放射導体層と重なっている、
（３）又は（４）に記載の多層基板。

（６）
前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｘ軸の負側に位置しており、
前記第５直線及び前記第６直線は、前記第３外縁の内の前記第５直線及び前記第６直線を除く第３部分より前記Ｘ軸の正側に位置している、
（５）に記載の多層基板。

（７）
前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記第１直線、前記第３直線及び前記第５直線は、前記Ｘ軸と平行であり、
前記第２直線、前記第４直線及び前記第６直線は、Ｘ軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
前記第３直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第４直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
前記第５直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第６直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されている、
（５）に記載の多層基板。

（８）
前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記第１直線、前記第４直線及び前記第５直線は、前記Ｘ軸と平行であり、
前記第２直線、前記第３直線及び前記第６直線は、Ｘ軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
前記第３直線の前記Ｙ軸の負側の端は、前記第４直線の前記Ｘ軸の負側の端に接続されており、
前記第５直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第６直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されている、
（５）に記載の多層基板。

（９）
前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の負側に位置しており、
前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｙ軸の負側に位置しており、
前記第５直線及び前記第６直線は、前記第３外縁の内の前記第５直線及び前記第６直線を除く第３部分より前記Ｘ軸の負側に位置している、
（５）に記載の多層基板。

（１０）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線に最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線に最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっており、
前記第１直線は、前記第３直線と平行であり、
前記第２直線は、前記第４直線と平行であり、
Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
前記第３直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第４直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
前記第１配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線及び前記第３直線と直交しないように交差しており、
前記第２配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線及び前記第４直線と直交しないように交差している、
（１）又は（２）に記載の多層基板。

（１１）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有している、
（１）ないし（１０）のいずれかに記載の多層基板。

（１２）
前記第１放射導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線、前記第２直線、第７直線及び第８直線を含んでおり、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、四角形状を有しており、
前記第１直線に直交する方向において、前記第１直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第１距離と定義し、
前記第２直線に直交する方向において、前記第２直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第２距離と定義し、
前記第７直線に直交する方向において、前記第７直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第３距離と定義し、
前記第８直線に直交する方向において、前記第８直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第４距離と定義し、
前記第１距離、前記第２距離、前記第３距離及び前記第４距離は、互いに等しい、
（１１）に記載の多層基板。

（１３）
前記第１配線層及び前記第２配線層は、整合部を含んでおり、
前記整合部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の多層基板。

（１４）
前記第１配線層及び前記第２配線層は、スタブ部を含んでおり、
前記スタブ部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
（１）ないし（１２）のいずれかに記載の多層基板。

（１５）
前記多層基板は、
リジッド部と、
可撓部と、
を有しており、
前記可撓部の前記Ｚ軸方向の長さは、前記リジッド部の前記Ｚ軸方向の長さより短い、
（１）ないし（１４）のいずれかに記載の多層基板。

（１６）
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有しており、
前記リジッド部において、前記環状グランド導体層と前記グランド導体層との間には、グランド導体が設けられていない、
（１５）に記載の多層基板。

（１７）
前記積層体に設けられており、かつ、前記第１配線層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１配線層と電気的に接続されている第７配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第２配線層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２配線層と電気的に接続されている第８配線層と、
を更に備えている、
（１５）又は（１６）に記載の多層基板。

（１８）
前記第７配線層及び前記第８配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
（１７）に記載の多層基板。

（１９）
第１基板と、
可撓性を有する第２基板と、
を備えており、
前記第１基板は、
複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する第１積層体と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
を含んでおり、
前記第２基板は、
複数の絶縁体層が前記Ｚ軸方向に積層された構造を有する第２積層体と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第１配線層と電気的に接続される第７配線層と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第２配線層と電気的に接続される第８配線層と、
前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第７配線層及び前記第８配線層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層、前記第７配線層及び前記第８配線層と重なるグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第２基板の前記Ｚ軸方向の長さは、前記第１基板の前記Ｚ軸方向の長さより短く、
前記第２基板は、前記第１基板より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１基板と重ならない領域を有する、
アンテナモジュール。

１０，１０ａ～１０ｊ，２１０，２１０ａ：多層基板
１２，１１２：積層体
１４ａ～１４ｆ，１１４ａ～１１４ｃ：絶縁体層
１５ａ～１５ｃ，１１５ａ，１１５ｂ：保護層
１６：第１放射導体層
２０：第１配線層
２２：第２配線層
２４，２６，１２４～１２７：外部電極
２８：グランド導体層
３０：環状グランド導体層
１００，１００ａ：アンテナモジュール
１２０：第７配線層
１２２：第８配線層
１２８：第１グランド導体層
１２９：第２グランド導体層
２１６：第２放射導体層
２２０：第３配線層
２２２：第４配線層
３１６：第３放射導体層
３２０：第５配線層
３２２：第６配線層
Ａ１：第１領域
Ａ２：第２領域
Ａ３：リジッド部
Ａ４：可撓部
Ｅ１：第１直線
Ｅ２：第２直線
Ｅ３：第３直線
Ｅ４：第４直線
Ｅ５：第５直線
Ｅ６：第６直線
ＥＥ１：第１外縁
ＥＥ２：第２外縁
ＥＥ３：第３外縁
ＥＰ１：第１部分
ＥＰ２：第２部分
ＥＰ３：第３部分
Ｈ，ｈ１，ｈ２：開口
Ｐ１：第１給電点
Ｐ２：第２給電点
Ｐ３：第３給電点
Ｐ４：第４給電点
Ｐ５：第５給電点
Ｐ６：第６給電点
Ｓ：半田
ＳＴ：スタブ部
ｖ１～ｖ１８：層間接続導体

Claims (25)

1. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
   を備えており、
   前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線を前記第１直線に直交する方向に移動させたときに、前記第１直線が通過する領域を第１領域と定義し、
   前記第１配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１領域と前記第１領域外の領域とに跨っており、
   前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線を前記第２直線に直交する方向に移動させたときに、前記第２直線が通過する領域を第２領域と定義し、
   前記第２配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２領域と前記第２領域外の領域とに跨っている、
   多層基板。
2. 前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線の最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線の最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
   を更に備えており、
   前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっている、
   請求項１に記載の多層基板。
3. 前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
   前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
   前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｘ軸の負側に位置している、
   請求項２に記載の多層基板。
4. 前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第５直線及び第６直線を含む第３外縁を有している第３放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第５直線の最も近くに位置している第５給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第５直線と直交しないように交差している第５配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第６直線の最も近くに位置している第６給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第６直線と直交しないように交差している第６配線層と、
   を更に備えており、
   前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３放射導体層と重なっている、
   請求項２に記載の多層基板。
5. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線の最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線の最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第５直線及び第６直線を含む第３外縁を有している第３放射導体層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第５直線の最も近くに位置している第５給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第５直線と直交しないように交差している第５配線層と、
   前記積層体に設けられており、かつ、前記第３放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第３外縁の中で前記第６直線の最も近くに位置している第６給電点において前記第３放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第６直線と直交しないように交差している第６配線層と、
   を備えており、
   前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層及び前記第３放射導体層のそれぞれと重なっている、
   多層基板。
6. 前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
   前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
   前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｘ軸の負側に位置しており、
   前記第５直線及び前記第６直線は、前記第３外縁の内の前記第５直線及び前記第６直線を除く第３部分より前記Ｘ軸の正側に位置している、
   請求項４又は請求項５に記載の多層基板。
7. 前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
   前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
   Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
   前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記第１直線、前記第３直線及び前記第５直線は、前記Ｘ軸と平行であり、
   前記第２直線、前記第４直線及び前記第６直線は、Ｘ軸方向に見て、互いに重なり合っており、
   前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
   前記第３直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第４直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
   前記第５直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第６直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されている、
   請求項４又は請求項５に記載の多層基板。
8. 前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
   前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
   Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
   前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記第１直線、前記第４直線及び前記第５直線は、前記Ｘ軸と平行であり、
   前記第２直線、前記第３直線及び前記第６直線は、Ｘ軸方向に見て、互いに重なり合っており、
   前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されており、
   前記第３直線の前記Ｙ軸の負側の端は、前記第４直線の前記Ｘ軸の負側の端に接続されており、
   前記第５直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第６直線の前記Ｙ軸の正側の端に接続されている、
   請求項４又は請求項５に記載の多層基板。
9. 前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
   前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
   Ｙ軸は、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交しており、
   前記第３放射導体層は、前記第２放射導体層の前記Ｘ軸の正側に位置しており、
   前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の負側に位置しており、
   前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｙ軸の負側に位置しており、
   前記第５直線及び前記第６直線は、前記第３外縁の内の前記第５直線及び前記第６直線を除く第３部分より前記Ｘ軸の負側に位置している、
   請求項４又は請求項５に記載の多層基板。
10. 前記多層基板は、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線に最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線に最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
    を更に備えており、
    前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっており、
    前記第１直線は、前記第３直線と平行であり、
    前記第２直線は、前記第４直線と平行であり、
    Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
    前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
    前記第３直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第４直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
    前記第１配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線及び前記第３直線と直交しないように交差しており、
    前記第２配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線及び前記第４直線と直交しないように交差している、
    請求項１に記載の多層基板。
11. 前記多層基板は、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
    更に備えており、
    前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有している、
    請求項１に記載の多層基板。
12. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層と、
    を備えており、
    前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有している、
    多層基板。
13. 前記第１放射導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線、前記第２直線、第７直線及び第８直線を含んでおり、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、四角形状を有しており、
    前記第１直線に直交する方向において、前記第１直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第１距離と定義し、
    前記第２直線に直交する方向において、前記第２直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第２距離と定義し、
    前記第７直線に直交する方向において、前記第７直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第３距離と定義し、
    前記第８直線に直交する方向において、前記第８直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第４距離と定義し、
    前記第１距離、前記第２距離、前記第３距離及び前記第４距離は、互いに等しい、
    請求項１１又は請求項１２に記載の多層基板。
14. 前記第１配線層及び前記第２配線層は、整合部を含んでおり、
    前記整合部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
    請求項１に記載の多層基板。
15. 前記第１配線層及び前記第２配線層は、スタブ部を含んでおり、
    前記スタブ部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
    請求項１に記載の多層基板。
16. 前記多層基板は、
    リジッド部と、
    可撓部と、
    を有しており、
    前記可撓部の前記Ｚ軸方向の長さは、前記リジッド部の前記Ｚ軸方向の長さより短い、
    請求項１に記載の多層基板。
17. 前記多層基板は、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
    更に備えており、
    前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有しており、
    前記リジッド部において、前記環状グランド導体層と前記グランド導体層との間には、グランド導体が設けられていない、
    請求項１６に記載の多層基板。
18. 前記積層体に設けられており、かつ、前記第１配線層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１配線層と電気的に接続されている第７配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２配線層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２配線層と電気的に接続されている第８配線層と、
    を更に備えている、
    請求項１６に記載の多層基板。
19. 前記第７配線層及び前記第８配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
    請求項１８に記載の多層基板。
20. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線の最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線の最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
    を備えており、
    前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっており、
    前記第２放射導体層は、前記第１放射導体層のＸ軸の正側に位置しており、
    前記Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
    前記第１直線及び前記第２直線は、前記第１外縁の内の前記第１直線及び前記第２直線を除く第１部分より前記Ｘ軸の正側に位置しており、
    前記第３直線及び前記第４直線は、前記第２外縁の内の前記第３直線及び前記第４直線を除く第２部分より前記Ｘ軸の負側に位置している、
    多層基板。
21. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第３直線及び第４直線を含む第２外縁を有している第２放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第３直線に最も近くに位置している第３給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第３直線と直交しないように交差している第３配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第２放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第２外縁の中で前記第４直線に最も近くに位置している第４給電点において前記第２放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第４直線と直交しないように交差している第４配線層と、
    を備えており、
    前記グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２放射導体層と重なっており、
    前記第１直線は、前記第３直線と平行であり、
    前記第２直線は、前記第４直線と平行であり、
    Ｘ軸は、前記Ｚ軸に直交しており、
    前記第１直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第２直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
    前記第３直線の前記Ｘ軸の正側の端は、前記第４直線の前記Ｘ軸の正側の端に接続されており、
    前記第１配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線及び前記第３直線と直交しないように交差しており、
    前記第２配線層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線及び前記第４直線と直交しないように交差している、
    多層基板。
22. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    を備えており、
    前記第１配線層及び前記第２配線層は、整合部を含んでおり、
    前記整合部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
    多層基板。
23. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    を備えており、
    前記第１配線層及び前記第２配線層は、スタブ部を含んでおり、
    前記スタブ部は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっていない、
    多層基板。
24. 複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層と重なっているグランド導体層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Ｚ軸の正側に位置している環状グランド導体層と、
    を備えており、
    リジッド部と、
    可撓部と、
    を有しており、
    前記可撓部の前記Ｚ軸方向の長さは、前記リジッド部の前記Ｚ軸方向の長さより短く、
    前記環状グランド導体層は、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層の周囲を囲む環形状を有しており、
    前記リジッド部において、前記環状グランド導体層と前記グランド導体層との間には、グランド導体が設けられていない、
    多層基板。
25. 第１基板と、
    可撓性を有する第２基板と、
    を備えており、
    前記第１基板は、
    複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する第１積層体と、
    前記第１積層体に設けられており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、第１直線及び第２直線を含む第１外縁を有している第１放射導体層と、
    前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層よりＺ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第１直線の最も近くに位置している第１給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１直線と直交しないように交差している第１配線層と、
    前記第１積層体に設けられており、かつ、前記第１放射導体層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記第１外縁の中で前記第２直線の最も近くに位置している第２給電点において前記第１放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第２直線と直交しないように交差している第２配線層と、
    を含んでおり、
    前記第２基板は、
    複数の絶縁体層が前記Ｚ軸方向に積層された構造を有する第２積層体と、
    前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第１配線層と電気的に接続される第７配線層と、
    前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第２配線層と電気的に接続される第８配線層と、
    前記第２積層体に設けられており、かつ、前記第７配線層及び前記第８配線層より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１放射導体層、前記第７配線層及び前記第８配線層と重なるグランド導体層と、
    を含んでおり、
    前記第２基板の前記Ｚ軸方向の長さは、前記第１基板の前記Ｚ軸方向の長さより短く、
    前記第２基板は、前記第１基板より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記第１基板と重ならない領域を有する、
    アンテナモジュール。