JPS5812832B2 - transistor drive circuit - Google Patents
transistor drive circuitInfo
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- JPS5812832B2 JPS5812832B2 JP638177A JP638177A JPS5812832B2 JP S5812832 B2 JPS5812832 B2 JP S5812832B2 JP 638177 A JP638177 A JP 638177A JP 638177 A JP638177 A JP 638177A JP S5812832 B2 JPS5812832 B2 JP S5812832B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、DC−DCコンバータなどで使用されるスイ
ッチング・パワートランジスタのオフする速度を速め、
スイッチング・パワートランジスタでの損失を小さく抑
える回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention speeds up the turning-off speed of switching power transistors used in DC-DC converters, etc.
This invention relates to a circuit that suppresses loss in switching power transistors.
DC−DCコンバータなどで使用されるスイッチング・
パワートランジスタでは、ベース回路での損失を小さく
するため、コレクタ電流に比例したベース電流を変流器
で帰還する方式、いわゆる電流駆動方式が採用されてい
る。Switching equipment used in DC-DC converters, etc.
In order to reduce loss in the base circuit, power transistors employ a so-called current drive method, in which a base current proportional to the collector current is fed back using a current transformer.
従来方式は、第1図に示すように構成されている。The conventional system is configured as shown in FIG.
図において1は直流電源、2は負荷、3は変流器、4は
スイッチング・パワートランジスタ、5は制御用トラン
ジスタ、6はダイオード、7は制御用直流電源、8は抵
抗である。In the figure, 1 is a DC power supply, 2 is a load, 3 is a current transformer, 4 is a switching power transistor, 5 is a control transistor, 6 is a diode, 7 is a control DC power supply, and 8 is a resistor.
n1,n2,n3は変流器3の各ターン数である。n1, n2, and n3 are the respective numbers of turns of the current transformer 3.
この回路の動作を説明する。The operation of this circuit will be explained.
スイッチング・パワートランジスタ4は、変流器3によ
りベース電流が帰還されオンしているとする。It is assumed that the switching power transistor 4 is turned on because the base current is fed back by the current transformer 3.
コレクタ電流をi4とすると、ベース電流は、n1/n
2・14である。If the collector current is i4, the base current is n1/n
It is 2.14.
このときトランジスタ5はオフしている。At this time, transistor 5 is off.
スイッチング・パワートランジスタ4をオフさせるため
、トランジスタ5をオンさせる。Transistor 5 is turned on to turn off switching power transistor 4.
n3巻線はトランジスタ5、ダイオード6により短絡状
態になるから、ベース電流jBは零となる。Since the n3 winding is short-circuited by the transistor 5 and diode 6, the base current jB becomes zero.
したがってi4も零となる。Therefore, i4 also becomes zero.
その後巻線n3には、抵抗8を介して直流電源7が印加
されるので、励磁電流が流れ始める。Thereafter, the DC power supply 7 is applied to the winding n3 via the resistor 8, so that an excitation current begins to flow.
これにより変流器のコアはリセットされる。This resets the core of the current transformer.
つぎにトランジスタ5をオフにすると、変流器3に蓄え
られたエネルギーがスイッチング・パワートランジスタ
4のベースに放出され、スイッチング・パワートランジ
スタ4は再びオンし、電流帰還によってオンし続ける。When the transistor 5 is then turned off, the energy stored in the current transformer 3 is released to the base of the switching power transistor 4, which turns on again and remains on due to current feedback.
この回路では、トランジスタ5がオンしたとき、スイッ
チング・パワートランジスタのベース・エミツタ間が短
絡されるだけであるため、ベース層の蓄積キャリアの放
出が遅れ、スイッチング・パワートランジスタのフォー
ル・タイムが長くなり、損失が増加する欠点がある。In this circuit, when transistor 5 is turned on, the base and emitter of the switching power transistor are simply shorted, so the release of carriers accumulated in the base layer is delayed, and the fall time of the switching power transistor is lengthened. , has the disadvantage of increased loss.
本発明は、これらの欠点を除去するためスイッチング・
パワートランジスタのオフ時に、強制的に逆バイアス電
圧を印加し、フォール・タイムを短くしてスイッチング
・パワートランジスタでの損失を小さくすることを目的
とするもので、以下図面について本発明を詳細に説明す
る。The present invention proposes a switching system to eliminate these drawbacks.
The purpose of this invention is to forcibly apply a reverse bias voltage when the power transistor is off, thereby shortening the fall time and reducing the loss in the switching power transistor.The present invention will be explained in detail with reference to the drawings below. do.
第2図は、本発明のトランジスタ駆動回路の一実施例で
あって、図において1は直流電源、2は負荷、3は変流
器、4はスイッチング・パワートランジスタ、5は制御
用トランジスタ、6はダイオード、7は制御用直流電源
であり、第1図と同じである。FIG. 2 shows an embodiment of the transistor drive circuit of the present invention, in which 1 is a DC power supply, 2 is a load, 3 is a current transformer, 4 is a switching power transistor, 5 is a control transistor, and 6 is a transistor drive circuit according to the present invention. is a diode, and 7 is a control DC power supply, which are the same as in FIG.
9は逆バイアス用トランジスタである。またn1,n2
,n3は、変流器3の各巻線のターン数である。9 is a reverse bias transistor. Also n1, n2
, n3 is the number of turns of each winding of the current transformer 3.
しかして負荷2、変流器3の巻線n1、パワートランジ
スタ4を直列にして直流電源1に接続し、巻線n2をト
ランジスタ4のベースとエミツタ間に接続し、巻線n3
に直列に制御用トランジスタ5、制御用直流電源7、逆
バイアス用トランジスタ9を接続し、トランジスタ5と
9のエミツタ間にダイオード6を接続する。Thus, the load 2, the winding n1 of the current transformer 3, and the power transistor 4 are connected in series to the DC power supply 1, the winding n2 is connected between the base and emitter of the transistor 4, and the winding n3
A control transistor 5, a control DC power supply 7, and a reverse bias transistor 9 are connected in series to the transistor 5, and a diode 6 is connected between the emitters of the transistors 5 and 9.
第3図は第2図を説明するための波形である。FIG. 3 shows waveforms for explaining FIG. 2.
i4はスイッチング・パワートランジスタ4のコレクタ
電流、iBはスイッチング・パワートランジスタ4のベ
ース電流、i9は逆バイアス用トランジスタ9のコレク
タ電流、i5は制御用トランジスタ5のコレクタ電流、
i6はダイオード6の電流、E7は制御用直流電源7の
端子電圧である。i4 is the collector current of the switching power transistor 4, iB is the base current of the switching power transistor 4, i9 is the collector current of the reverse bias transistor 9, i5 is the collector current of the control transistor 5,
i6 is the current of the diode 6, and E7 is the terminal voltage of the control DC power supply 7.
つぎに動作を説明する。Next, the operation will be explained.
時刻t0で制御用トランジスタ5がオフし、スイッチン
グ・パワートランジスタ4がオンし、コレクタ電流i4
が流れ、変流器によってベース電流iB(iB=n1/
n2・i4)が流れる。At time t0, the control transistor 5 is turned off, the switching power transistor 4 is turned on, and the collector current i4
flows, and the base current iB (iB=n1/
n2・i4) flows.
これにより、負荷2には電力が供給される。As a result, power is supplied to the load 2.
時刻t1で制御用トランジスタ5と逆バイアス用トラン
ジスタ9を同時にオンさせると、制御用電源7の電圧が
n3に印加される。When the control transistor 5 and the reverse bias transistor 9 are turned on simultaneously at time t1, the voltage of the control power supply 7 is applied to n3.
このとき変流器3の、各巻線の巻きはじめは第2図に示
すようになっているから、スイッチング・パワートラン
ジスタ4のベース・エミツタ間には、n2/n3・E7
が印加されることになるので、ベース電流iBは、第3
図に示すように方向を逆転する。At this time, since the beginning of each winding of the current transformer 3 is as shown in FIG.
is applied, the base current iB is the third
Reverse direction as shown.
スイッチングパワートランジスタ4のベースに蓄積され
たキャリアが、時刻t2で全部取り除かれると、スイッ
チング・パワートランジスタ4は完全にオフとなる。When all the carriers accumulated at the base of switching power transistor 4 are removed at time t2, switching power transistor 4 is completely turned off.
したがってスイッチング・パワートランジスタ4のベー
ス・エミツタ間は高インピーダンスとなる。Therefore, the switching power transistor 4 has a high impedance between its base and emitter.
しかし、制御用トランジスタ5と逆バイアス用トランジ
スタ9はオンしているので、変流器3の巻線n3には、
第3図に示すように励磁電流が流れる。However, since the control transistor 5 and the reverse bias transistor 9 are on, the winding n3 of the current transformer 3 has
An excitation current flows as shown in FIG.
この電流は直線的に増加する。This current increases linearly.
時刻t3で逆バイアス用トランジスタ9がオフすると、
巻線n3を流れていた電流は、制御用トランジスタ5と
ダイオード6の閉ループ回路を流れる。When the reverse bias transistor 9 turns off at time t3,
The current flowing through the winding n3 flows through a closed loop circuit including the control transistor 5 and the diode 6.
この電流は直線的に減少していく。This current decreases linearly.
時刻t4で制御用トランジスタ5がオフすると、巻線n
3の電流は零となり、巻線n2に電流が流れ、変流器3
のコアの磁束の連続性は保たれる。When the control transistor 5 turns off at time t4, the winding n
3 becomes zero, current flows through winding n2, and current transformer 3
The continuity of the magnetic flux in the core is maintained.
この動作により、スイッチング・パワートランジスタ4
をスイッチングさせることができる。This operation causes switching power transistor 4
can be switched.
叙上のように、本発明はスイッチング・パワートランジ
スタ4がオフするときに、ベース・エミツタ間に逆バイ
アス電圧を十分に印加することができるので、スイッチ
ング・パワートランジスタのフォール・タイムを短かく
でき、したがって損失を小さくすることができ、スイッ
チング回路の効率を向上させることができる利点を有す
る。As described above, since the present invention can sufficiently apply a reverse bias voltage between the base and emitter when the switching power transistor 4 is turned off, the fall time of the switching power transistor 4 can be shortened. Therefore, it has the advantage of reducing loss and improving the efficiency of the switching circuit.
第1図は従来のトランジスタ駆動回路図、第2図は本発
明の一実施例におけるトランジスタ駆動回路図、第3図
i4〜i6は、回路の動作説明のための波形図である。
1・・・・・・直流電源、2・・・・・・負荷、3・・
・・・・変流器、4・・・・・・スイッチング・パワー
トランジスタ、5・・・・・・制御用トランジスタ、6
・・・・・・ダイオード、7・・・制御用直流電源、8
・・・・・・抵抗、9・・・・・・逆バイアス用トラン
ジスタ。FIG. 1 is a conventional transistor drive circuit diagram, FIG. 2 is a transistor drive circuit diagram according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 i4 to i6 are waveform diagrams for explaining the operation of the circuit. 1...DC power supply, 2...Load, 3...
... Current transformer, 4 ... Switching power transistor, 5 ... Control transistor, 6
...Diode, 7...Control DC power supply, 8
...Resistor, 9...Reverse bias transistor.
Claims (1)
持つ変流器の1次巻線、スイッチング・トランジスタで
直列回路を構成し、該変流器の2次巻線で、該スイッチ
ング・トランジスタのベース電流を供給し、第3巻線に
より、該スイッチング・トランジスタをオン、オフさせ
る回路において、該第3巻線と直列に2個のスイッチと
第2の直流電源を接続し、該第3巻線といずれかのスイ
ッチとの直列回路と並列に、ダイオードを接続したこと
を特徴とするトランジスタ駆動回路。1 Configure a series circuit with a first DC power supply, a load, a primary winding of a current transformer having first, second, and third windings, and a switching transistor, and a secondary winding of the current transformer. In the circuit that supplies the base current of the switching transistor and turns the switching transistor on and off using a third winding, two switches and a second DC power supply are connected in series with the third winding. A transistor drive circuit comprising: a diode connected in parallel with a series circuit of the third winding and one of the switches.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP638177A JPS5812832B2 (en) | 1977-01-25 | 1977-01-25 | transistor drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP638177A JPS5812832B2 (en) | 1977-01-25 | 1977-01-25 | transistor drive circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5392419A JPS5392419A (en) | 1978-08-14 |
| JPS5812832B2 true JPS5812832B2 (en) | 1983-03-10 |
Family
ID=11636794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP638177A Expired JPS5812832B2 (en) | 1977-01-25 | 1977-01-25 | transistor drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812832B2 (en) |
-
1977
- 1977-01-25 JP JP638177A patent/JPS5812832B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5392419A (en) | 1978-08-14 |
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