JPS5813017B2 - コンデンサノ セイゾウホウホウ - Google Patents
コンデンサノ セイゾウホウホウInfo
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- JPS5813017B2 JPS5813017B2 JP50079787A JP7978775A JPS5813017B2 JP S5813017 B2 JPS5813017 B2 JP S5813017B2 JP 50079787 A JP50079787 A JP 50079787A JP 7978775 A JP7978775 A JP 7978775A JP S5813017 B2 JPS5813017 B2 JP S5813017B2
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- Japan
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- capacitor
- current
- forming
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- Expired
Links
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はコンデンサの製造方法に関し、特にコンデン
サペレットの再化成方法の改良に関するものである。
サペレットの再化成方法の改良に関するものである。
一般にこの種コンデンサは例えばタンタル、チタンなど
のように弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し
、焼結してなるコンデンサペレットの表面に、化成処理
により誘電体層としての絶縁層を形成し、然る後、絶縁
層上に半導体層を熱分解によって形成する操作を複数回
繰り返して形成されている。
のように弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し
、焼結してなるコンデンサペレットの表面に、化成処理
により誘電体層としての絶縁層を形成し、然る後、絶縁
層上に半導体層を熱分解によって形成する操作を複数回
繰り返して形成されている。
ところが、この分解工程時に絶縁層である酸化皮膜層が
熱的ストレス等によって劣化して絶縁耐力が落ちる傾向
にある。
熱的ストレス等によって劣化して絶縁耐力が落ちる傾向
にある。
そこで分解工程毎ないしは後にこの絶縁層を修復する目
的で再化成を数回行なっている。
的で再化成を数回行なっている。
この再化或は次の様にして行なわれている。
即ち、例えば化成において用いられたＨ３Ｐ０４又はＨ
２ＳＯ４を化成時よりやや濃度を低くして電解液とする
。
２ＳＯ４を化成時よりやや濃度を低くして電解液とする
。
そして、これを満たした電解液槽に分解工程の途中又は
後のコンデンサペレットを浸漬し、このコンデンサペレ
ットに直流電流を流して行なっている。
後のコンデンサペレットを浸漬し、このコンデンサペレ
ットに直流電流を流して行なっている。
そして、従来この再化或は再化成を行なおうとするコン
デンサの予定されている耐圧に準じた定電圧を印加して
行なわれていた。
デンサの予定されている耐圧に準じた定電圧を印加して
行なわれていた。
ところが、この方法であるとコンデンサに急激に電圧が
印加されるので、絶縁層が修復されずに一挙に破壊され
ることがあった。
印加されるので、絶縁層が修復されずに一挙に破壊され
ることがあった。
そこで、印加直後から徐々に電圧を上昇させる電圧印加
方法も行なわれている。
方法も行なわれている。
しかし、倒れにせよ、このような定電圧印加にて行なう
方法では、設定電圧が低い場合には低い耐電圧にしか修
復できない。
方法では、設定電圧が低い場合には低い耐電圧にしか修
復できない。
かといって、設定電圧を高めれば、修復不充分のコンデ
ンサでは修復電流を超える多犬な電流が流れて破壊する
ことになっていた。
ンサでは修復電流を超える多犬な電流が流れて破壊する
ことになっていた。
又、更に電圧を上昇させて修復電流を流せば高い耐圧の
ものにすることができるものでも、耐圧にバラツキのあ
る多数のコンデンサと同時に再化成される関係で、耐圧
の低いものの再化成による破壊を防止するために、再化
成電圧を耐圧の低いものに合せて低く設定している。
ものにすることができるものでも、耐圧にバラツキのあ
る多数のコンデンサと同時に再化成される関係で、耐圧
の低いものの再化成による破壊を防止するために、再化
成電圧を耐圧の低いものに合せて低く設定している。
このために、再化成されたコンデンサは規定された低い
耐圧に止どまっていた。
耐圧に止どまっていた。
そこで、本発明は上記欠点に鑑み、これを改良したもの
で、個々のコンデンサの耐圧をその上限値まで再化成方
法を工夫することによって絶縁破壊することなしに修復
しようとするものである。
で、個々のコンデンサの耐圧をその上限値まで再化成方
法を工夫することによって絶縁破壊することなしに修復
しようとするものである。
即ち、今まで規定された耐圧には耐えられず破壊されて
いたコンデンサは、低い耐圧の等級の製品として完成さ
せ、修復電流を流せば更に高い耐圧のものにできるコン
デンサはその上限値にまで耐圧を上昇させ、高い耐圧の
等級の製品として完成しようとするものである。
いたコンデンサは、低い耐圧の等級の製品として完成さ
せ、修復電流を流せば更に高い耐圧のものにできるコン
デンサはその上限値にまで耐圧を上昇させ、高い耐圧の
等級の製品として完成しようとするものである。
つまり、本発明の再化成方法はその再化成電流の印加方
法を従来の定電圧印加に換えて、定電流印加にて行なお
うとするものである。
法を従来の定電圧印加に換えて、定電流印加にて行なお
うとするものである。
このような本発明の再化成工程は次の様にして行なわれ
る。
る。
第１図に於いて、１は化成液よりやや薄めに溶した再化
成液であって、電解槽２に満たされている。
成液であって、電解槽２に満たされている。
そして、コンデンサペレット３に定電流源４より一定の
電流を流すようにしている。
電流を流すようにしている。
この定電流の大きさはそのコンデンサの最大許容漏洩電
流に合致又は準じて選ばれ、再化成電圧は電圧計５にて
計測されるよううになっている。
流に合致又は準じて選ばれ、再化成電圧は電圧計５にて
計測されるよううになっている。
そして、例えば再化成時の電圧上昇は第２図の様になる
。
。
定電流印加であるので、初期のうちは、印加時間に対し
て、電圧は比較的リニアーに上昇して行く。
て、電圧は比較的リニアーに上昇して行く。
そして、その電圧が上昇するにつれて、漏洩電流分が増
加し始め充電に寄与する電流が減少するので、その傾き
が平担になって行く。
加し始め充電に寄与する電流が減少するので、その傾き
が平担になって行く。
更に再化成電流によって絶縁層が修復され、絶縁耐力が
向上して漏洩電流分が減少したりして、この間傾きが変
化しつつ電圧が上昇して行く。
向上して漏洩電流分が減少したりして、この間傾きが変
化しつつ電圧が上昇して行く。
そして最終的にこの傾きが平担になり、漏洩電流が印加
電流と同一になった時点で再化成を停止する。
電流と同一になった時点で再化成を停止する。
この時の電圧を測定すれば、最大許容漏洩電流に対する
耐圧Ｖ１，Ｖ２を正確に知ることができる。
耐圧Ｖ１，Ｖ２を正確に知ることができる。
以上説明したように、本発明は弁作用を有する金属粉末
を所望形状に成形してなるコンデンサペレットの絶縁層
上に半導体層を形成した後に、そのコンデンサの最大許
容漏洩電流以下の定電流で再化成を、行なうことを特徴
とするコンデンサの製造方法を提供したから、再化成に
よって絶縁破壊することなく、コンデンサの耐圧をその
上限まで修復し、且つその耐圧を正確に測定でき、コン
デンサの素材を効率良く完成させることができる。
を所望形状に成形してなるコンデンサペレットの絶縁層
上に半導体層を形成した後に、そのコンデンサの最大許
容漏洩電流以下の定電流で再化成を、行なうことを特徴
とするコンデンサの製造方法を提供したから、再化成に
よって絶縁破壊することなく、コンデンサの耐圧をその
上限まで修復し、且つその耐圧を正確に測定でき、コン
デンサの素材を効率良く完成させることができる。
第１図は本発明の再化成方法の説明図、第２図は再化成
時の電流印加時間とコンデンサペレットに印加される電
圧との関係図である。 １・・・・・・再化成液、２・・・・・・電解槽、３・
・・・・・コンデンサペレット、４・・・・・・定電流
源、５・・・・・・電圧計、ＶＬ，Ｖ２・・・・・・最
大許容漏洩電流に対応した修複後のコンデンサの耐圧。
時の電流印加時間とコンデンサペレットに印加される電
圧との関係図である。 １・・・・・・再化成液、２・・・・・・電解槽、３・
・・・・・コンデンサペレット、４・・・・・・定電流
源、５・・・・・・電圧計、ＶＬ，Ｖ２・・・・・・最
大許容漏洩電流に対応した修複後のコンデンサの耐圧。
Claims (1)
- １ 弁作用を有する金属粉末を所望形状に成形してなる
コンデンサペレットの絶縁層上に半導体層を形成した後
に、そのコンデンサの最大許容漏洩電流以下の定電流で
再化成を行なうことを特徴とするコンデンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50079787A JPS5813017B2 (ja) | 1975-06-26 | 1975-06-26 | コンデンサノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50079787A JPS5813017B2 (ja) | 1975-06-26 | 1975-06-26 | コンデンサノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS523152A JPS523152A (en) | 1977-01-11 |
| JPS5813017B2 true JPS5813017B2 (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=13699913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50079787A Expired JPS5813017B2 (ja) | 1975-06-26 | 1975-06-26 | コンデンサノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5813017B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102511876B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-01-01 | 山西汉波食品股份有限公司 | 山楂红枣浓浆及其生产工艺 |
| JP6775178B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
-
1975
- 1975-06-26 JP JP50079787A patent/JPS5813017B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS523152A (en) | 1977-01-11 |
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