JPS5814745B2 - ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5814745B2 JPS5814745B2 JP50086842A JP8684275A JPS5814745B2 JP S5814745 B2 JPS5814745 B2 JP S5814745B2 JP 50086842 A JP50086842 A JP 50086842A JP 8684275 A JP8684275 A JP 8684275A JP S5814745 B2 JPS5814745 B2 JP S5814745B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- pellet
- pellets
- seizou
- souchi
- Prior art date
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- Expired
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に各半導体ペ
レット間の相互配線の形成を簡略化する方法を提供する
ものである。
レット間の相互配線の形成を簡略化する方法を提供する
ものである。
従来、複数個の半導体ペレットを同一基板上に設置し、
半導体ペレット間の相互配線を蒸着により同時に行う方
法の一つとして第１図に示す方法が行われている。
半導体ペレット間の相互配線を蒸着により同時に行う方
法の一つとして第１図に示す方法が行われている。
第１図Ａにおいて、絶縁基板または金属基板１上の所定
の位置に半導体ペレット２及び３が接着、固定される。
の位置に半導体ペレット２及び３が接着、固定される。
４，５は半導体ペレット２，３上に各電極である。
ついで熱可塑性樹脂６例えばＦＥＰを半導体ペレット２
，３の上面に圧接し該熱可塑性樹脂６の厚さが半導体ペ
レット２，３上において２０μ程度になるようにする。
，３の上面に圧接し該熱可塑性樹脂６の厚さが半導体ペ
レット２，３上において２０μ程度になるようにする。
その状態をＢで示した。つぎにＣに示す如く半導体ペレ
ット上の電極４，５上の樹脂６の一部をプラズマエッチ
により除去し接続孔７を設ける。
ット上の電極４，５上の樹脂６の一部をプラズマエッチ
により除去し接続孔７を設ける。
その状態で全面に金属蒸着膜もしくは鍍金膜を形成し通
常のホトエッチ・プロセスによりＤに示す相互配線８，
９．１０を形成する。
常のホトエッチ・プロセスによりＤに示す相互配線８，
９．１０を形成する。
ここで８，１０は半導体ペレット電極から外部リード端
子への導体配線、９は半導体ペレット電極間の配線を示
す。
子への導体配線、９は半導体ペレット電極間の配線を示
す。
上配従来法ではまず第１に、第１図Ａに示す段階で半導
体ペレットが複数個還ると位置合わせが極めて困難であ
る。
体ペレットが複数個還ると位置合わせが極めて困難であ
る。
第２に、半導体ペレットの厚さを±５μ内に制御するの
は現在極めて困難である。
は現在極めて困難である。
即ち、半導体ペレットの厚さが個々に不均一であると樹
脂を圧接したとき、樹脂表面から半導体ペレット上電極
までの距離がばらつき、結果として接続孔形成、配線形
成時のコンタクト不良、配線の断線等の問題をひき起す
。
脂を圧接したとき、樹脂表面から半導体ペレット上電極
までの距離がばらつき、結果として接続孔形成、配線形
成時のコンタクト不良、配線の断線等の問題をひき起す
。
第３に半導体ペレット２，３上に樹脂６の層を必要とし
、そのために接続孔７を形成する工程が必要となる。
、そのために接続孔７を形成する工程が必要となる。
もし半導体ペレット上に樹脂６の層がなけれぱＤに示す
導体配線８は、半導体ペレット２，３のシリコンサブス
トレートに接続することになる。
導体配線８は、半導体ペレット２，３のシリコンサブス
トレートに接続することになる。
そこで、本発明は従来法の欠点である位置合わせの問題
を解決し、かつ第１図Ｃに示す接続孔形成工程を省略し
つる製造方法を提供するものである。
を解決し、かつ第１図Ｃに示す接続孔形成工程を省略し
つる製造方法を提供するものである。
まず、本発明の実施例で用いる半導体ペレットの製造方
法を第２図Ａ〜Ｃとともに説明する。
法を第２図Ａ〜Ｃとともに説明する。
第２図Ａは拡散ずみのシリコンウエハの一部を示す。
トランジスタ、抵抗、ダイオード等は図示してないがシ
リコン基板１１上に熱酸化膜１５、Ａｌ電極５６、５７
および保護絶縁膜５５がある。
リコン基板１１上に熱酸化膜１５、Ａｌ電極５６、５７
および保護絶縁膜５５がある。
２５は保護絶縁膜５５の窓であり、２６は裁断領域に設
けられた熱酸化膜１５を除去した部分である。
けられた熱酸化膜１５を除去した部分である。
次に第２図Ｂに示す如くシリコン基板１１の裏面より切
り込み１７を入れる。
り込み１７を入れる。
これは回転砥石を用いて容易に形成することができる。
切り込みの深さは酸化膜１５、保護絶縁膜５５を破傷し
ない程度とする。
ない程度とする。
しかる後、Ａｌ電極５６．５７の形成された面をアピエ
ゾンワックス（商品名）等で充分保護し、裏面よりエッ
チングする。
ゾンワックス（商品名）等で充分保護し、裏面よりエッ
チングする。
例えば、ＨＦ：ＨＮ０３系の液を使用すれば、第２図Ｃ
に示すように凹部１８を容易に形成でき、かつ、表面の
酸化膜、保護膜等を充分に突出させた突出部１５ａ，１
５ｂを残してウエハを分割することができる。
に示すように凹部１８を容易に形成でき、かつ、表面の
酸化膜、保護膜等を充分に突出させた突出部１５ａ，１
５ｂを残してウエハを分割することができる。
このようにしてペレット３０．４０が得られる。
次に、本発明の一実施例を第３図とともに説明する。
まず，第３図Ａに示す如く透明基板５１の第１の主面上
にマーク５２が設けられてかり、第２の主面上には仮止
め用接着剤５３が塗布されているものを用意する。
にマーク５２が設けられてかり、第２の主面上には仮止
め用接着剤５３が塗布されているものを用意する。
つぎにＢに示す如く先の第２図の工程で得られたペレッ
ト３０，４０の電極５６，５７をマーク５２に合わせて
仮止めした後、樹脂５４をペレット３０，４００間に充
填するとともにペレット３０．４０上を覆い、ペレット
３０．４０を固定するＣ０なおＢの保護絶縁膜５５とし
て、耐熱性樹脂、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を
用いることができる。
ト３０，４０の電極５６，５７をマーク５２に合わせて
仮止めした後、樹脂５４をペレット３０，４００間に充
填するとともにペレット３０．４０上を覆い、ペレット
３０．４０を固定するＣ０なおＢの保護絶縁膜５５とし
て、耐熱性樹脂、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を
用いることができる。
つぎにＤに示すように透明基板５１及び接着剤５３を除
去し、電極配線間の相互配線６０及び外部ルード端子へ
の相互配線を蒸着または印刷またはメッキとホトエツチ
技術を組み合わせて形成する。
去し、電極配線間の相互配線６０及び外部ルード端子へ
の相互配線を蒸着または印刷またはメッキとホトエツチ
技術を組み合わせて形成する。
このように、半導体ペレットの基板部（通常最も電位が
低い）と相合配線用導体の接触を防止するために、半導
ペレット上の絶縁膜の突出部１５ａ，１５ｂおよび半導
体ペレット上半導体配線の保護絶縁膜５５の部分をペレ
ット周辺より外方へ延長した構造のペレットを用いるこ
とにより、上記のような相互配線６０を可能とするとと
もに、従来・に比べきわめて工程を簡略化することがで
きる。
低い）と相合配線用導体の接触を防止するために、半導
ペレット上の絶縁膜の突出部１５ａ，１５ｂおよび半導
体ペレット上半導体配線の保護絶縁膜５５の部分をペレ
ット周辺より外方へ延長した構造のペレットを用いるこ
とにより、上記のような相互配線６０を可能とするとと
もに、従来・に比べきわめて工程を簡略化することがで
きる。
以上のように本発明によれば、
（１）半導体ペレット上の絶縁膜をペレット周辺より外
方へ延長したペレットを採用したため一工程省略できる
。
方へ延長したペレットを採用したため一工程省略できる
。
（２）したがって相互配線下の段差が従来法に比べて大
幅に減少し、段部での断線がなくなるため歩留りが向上
すると共に微細配線が可能となる。
幅に減少し、段部での断線がなくなるため歩留りが向上
すると共に微細配線が可能となる。
（３）相互配線は従来法では段差が１０μ以上と大きか
ったため蒸着と鍍金を共用しなければならなかったが、
本発明では１μ程度にしつるため蒸着のみでも充分信頼
性の高い導体を形成しうる。
ったため蒸着と鍍金を共用しなければならなかったが、
本発明では１μ程度にしつるため蒸着のみでも充分信頼
性の高い導体を形成しうる。
等すぐれた工業的価値を奏するものができる。
第１図Ａ〜Ｄは半導体ペレットの相互配線工程図、第２
図Ａ−Ｃは本発明に用いる半導体ペレットの製造工程断
面図、第３図Ａ−Ｅは本発明の一実施例にかかる相互配
線工程図である。 １１……シリコン基板、１５……シリコン酸化膜、１５
ａ，１５ｂ……シリコン酸化膜の突出部、３０，４０…
…半導体ペレット、５１……透明基板、５２……位置決
めマーク、５３……仮止め用接着剤、５４……樹脂、５
５……絶縁膜、５６，５７……Ａｌ配線電極、６０……
相互配線。
図Ａ−Ｃは本発明に用いる半導体ペレットの製造工程断
面図、第３図Ａ−Ｅは本発明の一実施例にかかる相互配
線工程図である。 １１……シリコン基板、１５……シリコン酸化膜、１５
ａ，１５ｂ……シリコン酸化膜の突出部、３０，４０…
…半導体ペレット、５１……透明基板、５２……位置決
めマーク、５３……仮止め用接着剤、５４……樹脂、５
５……絶縁膜、５６，５７……Ａｌ配線電極、６０……
相互配線。
Claims (1)
- １ 一主而に回路素子が構成されるとともに絶縁膜が周
縁部を越えて突出した構造を有する複数の半導体ペレッ
トを、第一の主面に位置合せ用のマークを有する透明基
板の他方の主面に接着材を介して接着、固定する工程と
、前配半導体ペレット側から樹脂を充填、硬化せしめた
後、前記透明基板および接着材を除去する工程と、前紀
半導体ペレットの特定の電極を相互に導体配線にて接続
する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50086842A JPS5814745B2 (ja) | 1975-07-15 | 1975-07-15 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50086842A JPS5814745B2 (ja) | 1975-07-15 | 1975-07-15 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5210683A JPS5210683A (en) | 1977-01-27 |
| JPS5814745B2 true JPS5814745B2 (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=13898058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50086842A Expired JPS5814745B2 (ja) | 1975-07-15 | 1975-07-15 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814745B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950238B2 (ja) * | 1978-02-10 | 1984-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品の実装方法 |
-
1975
- 1975-07-15 JP JP50086842A patent/JPS5814745B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5210683A (en) | 1977-01-27 |
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