JPS5815838B2 - カサイカンチキ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は火災感知器に関する。

従来この種の火災感知器は感知器が異常時に正常に動作
するかどうか通常は分らない、従って試験時に、異常時
の状態を作って、感知器を働かせて調べていた。

本発明は上記の欠点を改善し、火災感知器が平常は発振
素子が発振をしており、異常時には発振素子がスイッチ
ングする事により、火災を感知するようにし、検査を簡
単に行いうるようにしたものである。

次に本発明を実施例について説明する。

第１図は本発明の火災感知器を示すもので、１はシリコ
ンのｎ型基板で、２は１上の１部にＰ型不純物をドープ
したＰ＋層、３はＰ＋２上にｎ型不純物を高濃度にドー
プしたｎ＋層、４はｎ１基板上の他の部分にｎ型不純物
を高濃度にドープしたｎ＋層、５はｎ１基板の他面にＰ
型不純物を高濃度にドープしたＰ＋層である。

この３，４，５１上に電極６，７，８をそれぞれ付ける
。

９は出力抵抗、１０はｖ０２、サーミスタ等の温度急変
抵抗素子である。

Ｖｌは主電源、■２は補助電源である。

なおり２はなくてもよい、すなわち電極６と７との間に
、主電源Ｖ１と抵抗９を直列に接続し、電極８と７との
間に、温度急変抵抗素子１０と補助電源■２とを直列に
接続する。

温度が低く温度センサ１０が高抵抗の時、Ｐ＋５層の電
位が外部からのホールの注入により上昇して、ｎ１層＋ よりＰ ５層の方が高くなると、Ｐ＋５、ｎｌ。

Ｐ ２．ｎ＋３のサイリスク構造が導通して、出＋ 力抵抗９に電流が流れる。

そして、Ｐ＋５層の電位はほぼｎ＋３層の電位迄下がる
。

そして、センサ１０の抵抗値がサイリスクの保持電流以
下である様な高抵抗であるので、Ｐ＋５層よりホールが
＋ 出はらい、また、ｎ ３よりの電子がＰ＋５層に入ると
、Ｐ＋５層の電位は下がってしまうと、サイリスク構造
の電流は停止する。

しかし、ｎ １−Ｐ２の接合は、Ｐ″−２層に過剰のキ
ャリアが蓄積されているので、これらのキャリアがなく
なるまでは、順方向にバイアスされたままであるので、
ｎ ４ 、ｎｌ 、Ｐ＋２ ｔｎ＋３のトランジスタ
構＋ 造が飽和状態であるので、飽和電流■８は素子９の抵抗
をＲとすると が流れる。

そしてこの過剰キャリアがなくなると、電流は完全にス
トップする。

そして、Ｐ＋５層の電位は下がったままであるが、外部
よりホールの注入によりだんだん上昇して行き、Ｐ＋５
層の電位がｎ１層の電位より上がると、サイリスク構造
はスイッチングする。

以上を繰返して発振を行う。次に温度が高くなると、温
度センサ１０の抵抗値が下がり、それ故、サイリスク構
造ｐ＋５．ｎＬＰ ２ｔｎ＋３がオンした時に、保持
電流以上と＋ なり、サイリスクは導通状態を続ける。

そして、このサイリスク電流と、トランジスタ構造によ
る飽和電流■８が流れつづける。

以上のように本発明素子によると、正常状態では、出力
は発振波形が表わしており、高温時には、素子のスイッ
チングによる大きな一定電流が流れている。

また素子の故障時には、出力は何にも出ないという状態
になるので、出力波形の違いにより、火災等を感知する
ことが出来ると共に、正常時、発振出力が出ていれば、
感知器は異常なく動作していることが分るので、動作の
チェックをする必要がなくなり、検査をきわめて容易に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の火災感知器を示す。 １・・・・・・ｎ型基板、２・・・・・・Ｐ＋層、３・
・・・・・層一層、４・・・・・・ｎ＋層、５・・・・
・・Ｐ＋層、６，７，８・・・・・・電極、９・・・・
・・出力抵抗、１０・・・・・・温度急変素子、ｖｌ、
ｖ２・・・・・・電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 導電型半導体基板１の片面の一部に該基板と逆導電
   型不純物層２を設けＪさらに前記不純物層２上に基板１
   と同導電型不純物層３を設け、基板１の片面の他の部分
   に基板１と同導電型不純物層４を設け、基板１の逆面に
   基板１と逆導電型不純物層５を設け、層３，４，５上に
   それぞれ、電極６．７，８を設けた発振素子において、
   電極７゜８間に温度センサーを接続し、電極６，７間に
   出力抵抗９を直列に介して電源■１を電極７が正方向と
   なるように接続されている火災感知器。