JPS5816766B2 - 選局装置 - Google Patents
選局装置Info
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- JPS5816766B2 JPS5816766B2 JP1473678A JP1473678A JPS5816766B2 JP S5816766 B2 JPS5816766 B2 JP S5816766B2 JP 1473678 A JP1473678 A JP 1473678A JP 1473678 A JP1473678 A JP 1473678A JP S5816766 B2 JPS5816766 B2 JP S5816766B2
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- voltage
- output
- circuit
- volatile memory
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Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
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- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は揮発性メモリに選局用電圧を2値信号の形で記
憶させた選局装置に関するものであり、内蔵電池を設け
て揮発性メモリを常に記憶状態にする必要がなく、しか
も、揮発性メモリに記憶させる場合に必要とする鋸歯状
波電圧をより簡単な手段で得られるようにしようとする
ものである。
憶させた選局装置に関するものであり、内蔵電池を設け
て揮発性メモリを常に記憶状態にする必要がなく、しか
も、揮発性メモリに記憶させる場合に必要とする鋸歯状
波電圧をより簡単な手段で得られるようにしようとする
ものである。
電子チューナの選局電圧を2値信号の形でディジタルメ
モリに記憶させて読み出す方式の選局装置において、デ
ィジタルメモリとして不揮発性のEFROMを用いると
一般家庭で使用する際、各局を順次受信しその電圧を記
憶させるという操作が必要であり、又、EPROMはコ
ストが高く、信頼性にも問題があり、あまり普及してい
ないのが現状である。
モリに記憶させて読み出す方式の選局装置において、デ
ィジタルメモリとして不揮発性のEFROMを用いると
一般家庭で使用する際、各局を順次受信しその電圧を記
憶させるという操作が必要であり、又、EPROMはコ
ストが高く、信頼性にも問題があり、あまり普及してい
ないのが現状である。
またEPROMの場合、書込、消去時間がMNOSでも
各100 m secと長く、書換えに要する時間も相
当長くなっている。
各100 m secと長く、書換えに要する時間も相
当長くなっている。
他方、揮発性メモリは書込、消去共100〜500ns
ecと十分短いのでEPROMよりも好ましいが、電源
を常に供給する必要がある為、受像機に電池を内蔵しな
ければならないという欠点がある。
ecと十分短いのでEPROMよりも好ましいが、電源
を常に供給する必要がある為、受像機に電池を内蔵しな
ければならないという欠点がある。
そこで本発明は揮発性メモリで書込時間を短縮し、しか
も電源投入毎に書込む事により電池を不要にしようとす
るものであり、チューナの可変容量ダイオードに選局電
圧発生回路より各受信チャンネルに応じた直流電圧を供
給するようにし、各受信チャンネルに応じた直流電圧を
2値信号の状態で揮発性メモリに記憶して選局指令信号
によって記憶内容を読み出して上記選局電圧発生回路に
供給し、電源スィッチを投入する毎に動作する自動書込
回路を設け、この自動書込回路の動作とによって、電源
投入時選局電圧発生回路より鋸歯状波電圧を発生して、
チューナを自動掃引状態とし、この自動掃引時に得られ
る各受信チャンネルに応じた2値信号を上記揮発性メモ
リに書き込むよう構成し、上記i歯状波を、揮発性メモ
リに2値信号を供給するバイナリカウンタの出力のうち
上位数ビットを元にして階段波電圧を発生し、残の下位
数ビットを元にして一定周期で繰返す鋸歯状波を作り、
この鋸歯状波を上記階段波と合成することを特徴とする
ものである。
も電源投入毎に書込む事により電池を不要にしようとす
るものであり、チューナの可変容量ダイオードに選局電
圧発生回路より各受信チャンネルに応じた直流電圧を供
給するようにし、各受信チャンネルに応じた直流電圧を
2値信号の状態で揮発性メモリに記憶して選局指令信号
によって記憶内容を読み出して上記選局電圧発生回路に
供給し、電源スィッチを投入する毎に動作する自動書込
回路を設け、この自動書込回路の動作とによって、電源
投入時選局電圧発生回路より鋸歯状波電圧を発生して、
チューナを自動掃引状態とし、この自動掃引時に得られ
る各受信チャンネルに応じた2値信号を上記揮発性メモ
リに書き込むよう構成し、上記i歯状波を、揮発性メモ
リに2値信号を供給するバイナリカウンタの出力のうち
上位数ビットを元にして階段波電圧を発生し、残の下位
数ビットを元にして一定周期で繰返す鋸歯状波を作り、
この鋸歯状波を上記階段波と合成することを特徴とする
ものである。
以下本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
1は直流電圧が、同調素子である可変容量ダイオードに
印加されて同調数波数が制御される電子チューナ、2は
映像中間周波増幅回路、3は映像検波回路、4は同期分
離回路、5は偏向出力回路、6はチューナ1への選局電
圧発生回路、7は選局電圧を13ビツトの信号でメモリ
する揮発性メモリ回路で内部に揮発性メモリ、エンコー
ダ、セレクタ、カウンタを含んでいる。
印加されて同調数波数が制御される電子チューナ、2は
映像中間周波増幅回路、3は映像検波回路、4は同期分
離回路、5は偏向出力回路、6はチューナ1への選局電
圧発生回路、7は選局電圧を13ビツトの信号でメモリ
する揮発性メモリ回路で内部に揮発性メモリ、エンコー
ダ、セレクタ、カウンタを含んでいる。
揮発性メモリはここではCMO8のスタティックRAM
を考える。
を考える。
8は選局ボタンで、仮に12ケのボタンがあるものとす
る。
る。
9は本発明の自動書込み回路で、電源スィッチ14がオ
ンなる時、即ち主電源回路13の出力に電圧が現われた
時、受信可能な全チャンネルのデータを1回だけ揮発性
メモリ回路7へ書込ませる回路である。
ンなる時、即ち主電源回路13の出力に電圧が現われた
時、受信可能な全チャンネルのデータを1回だけ揮発性
メモリ回路7へ書込ませる回路である。
10は同調検出回路で、音声キャリアを音声キャリア検
出回路17で検出し、かつ映像搬送波を映像搬送波発生
回路18で検出した時に、出力パルスを発生し、自動書
込回路9を駆動して書込みを行なう。
出回路17で検出し、かつ映像搬送波を映像搬送波発生
回路18で検出した時に、出力パルスを発生し、自動書
込回路9を駆動して書込みを行なう。
書込み終了後次のチャンネルを受信するまで選局電圧を
掃引させる。
掃引させる。
11はAGC及びチューナのローカルAFCと、VIP
、RFのAGCの時定数の切換回路である。
、RFのAGCの時定数の切換回路である。
12は手動書込スイッチであり、このスイッチ12を閉
じると書込状態にすることができる。
じると書込状態にすることができる。
13は主電源回路で各種の直流電圧を出力し、各部へ供
給する。
給する。
14は電源スィッチで通常テレビ。ジョンセットの前面
に設げである。
に設げである。
15は100ボルトACへ接続されるプラグ、16は映
像出力回路でこの回路の出力をカラー陰極線管19へ供
給して、カラー画像を得る。
像出力回路でこの回路の出力をカラー陰極線管19へ供
給して、カラー画像を得る。
1〜19中9〜12と17.18以外は通常の電子チュ
ーナ付カラー・テレビと同一である。
ーナ付カラー・テレビと同一である。
次に、自動書込みの動作について第2図と共に説明する
。
。
先ず電源スィッチ14をオンにすると揮発性メモリ回路
7へは直流電圧が供給され、メモリ可能な状態になる。
7へは直流電圧が供給され、メモリ可能な状態になる。
これと同時に自動書込回路8のオン検出回路21Dの出
力にパルスが現われ、単安定マルチバイブレータ21M
をトリガーする。
力にパルスが現われ、単安定マルチバイブレータ21M
をトリガーする。
この単安定マルチバイブレータ21Mの出力は100m
5〜1μsec で十分である。
5〜1μsec で十分である。
単安定マルチバイブレータ21Mの出力発生までに、電
源スイツチ140オンから△Tだけの遅れがある。
源スイツチ140オンから△Tだけの遅れがある。
単安定マルチバイブレータ21Mの出力はNORゲート
22で反転され、フリップフロップ23がセットされ、
このフリップフロップ23のQが高レベルqが低レベル
となる。
22で反転され、フリップフロップ23がセットされ、
このフリップフロップ23のQが高レベルqが低レベル
となる。
一方音声キャリア検出回路17、映像キャ゛リア検出回
路18に出力が存在しないとき、同調検出回路100レ
ベル変換回路3031の出力は低レベルであり、NAN
Dゲート32の出力は高レベルである。
路18に出力が存在しないとき、同調検出回路100レ
ベル変換回路3031の出力は低レベルであり、NAN
Dゲート32の出力は高レベルである。
従って単安定マルチバイブレータ33Mの出力も高レベ
ルである。
ルである。
従って、離調状態のときには同調検出回路10の出力は
高レベルとなる。
高レベルとなる。
このときNANDゲート24は導通可能な状態となる。
このNANDゲート24には正方向の水平パルスが加え
られているので、電源スィッチ14が時刻T。
られているので、電源スィッチ14が時刻T。
で投入されたものとすれば、To十△T=T1から、■
パルスを通過させ、13ビットのバイナリカウンタ25
はHパルスをカウントし始める。
パルスを通過させ、13ビットのバイナリカウンタ25
はHパルスをカウントし始める。
25としては例えば集積回路素子5N74LS93を4
ヶ直列に接続し、213出力をバイナリカウンタ25の
クリア端子及びNANDゲート28へ供給しておけばよ
い。
ヶ直列に接続し、213出力をバイナリカウンタ25の
クリア端子及びNANDゲート28へ供給しておけばよ
い。
さて、Hパルス63.5μsec 毎に存在するので、
バイナリカウンタ25でHパルス213個数えるに必要
な時間は 63.5xlO−6X1.024X8=0.52秒とな
る。
バイナリカウンタ25でHパルス213個数えるに必要
な時間は 63.5xlO−6X1.024X8=0.52秒とな
る。
通常のテレビの電子チューナーではバンド切替でVHF
のローバンド、バイバンド、UHFバンドに分けられて
いるので理想的には0.52×3キ1,6秒で全チャン
ネルの書込みが行える事になる。
のローバンド、バイバンド、UHFバンドに分けられて
いるので理想的には0.52×3キ1,6秒で全チャン
ネルの書込みが行える事になる。
さて、NORゲート22の出力で7リツプフロツプ34
35がクリアされるので、ANDゲー)・36の出力が
高レベルになり、(ANDゲート3γ、38これらは低
レベルである。
35がクリアされるので、ANDゲー)・36の出力が
高レベルになり、(ANDゲート3γ、38これらは低
レベルである。
)フリップフロップ230り出力により、セレクタ39
はチューナ8の出力の替りにANDゲ−ト36〜38の
出力をチューナ1へ供給する事になる。
はチューナ8の出力の替りにANDゲ−ト36〜38の
出力をチューナ1へ供給する事になる。
従って、時刻T、=T十△T以降は先ずVHFローバン
ドの3チャンネルを掃弓1する。
ドの3チャンネルを掃弓1する。
バイナリカウンタ25の出力はANDゲー)26A〜2
6Mの13個のゲートを介して、揮発性メモリ7a及び
ディジタルアナログコンバータ29へ供給される。
6Mの13個のゲートを介して、揮発性メモリ7a及び
ディジタルアナログコンバータ29へ供給される。
揮発性メモ’J7aは16ビツト並列の入出力端子を有
するCMOSメモリである。
するCMOSメモリである。
バイナリカウンタ25013ビツトの出力は、入力パル
スの数を2値で表わしているので、29はパルスの総数
に比例した直流電圧を発生するディジタル・アナログ・
コンバータとなっている。
スの数を2値で表わしているので、29はパルスの総数
に比例した直流電圧を発生するディジタル・アナログ・
コンバータとなっている。
パルス数0がOvとし、213個が32Vとすると、こ
の間に1〜3チヤンネルが存在する。
の間に1〜3チヤンネルが存在する。
便宜上チューナ1の可変容量ダイオードの容量が直流逆
バイアスに対して直線的に変化するものとすれば、20
48H毎に1.2.303チヤンネルを受信することに
なる。
バイアスに対して直線的に変化するものとすれば、20
48H毎に1.2.303チヤンネルを受信することに
なる。
東京地区では1及び3チヤンネルが受信される。
時刻T1から204.8H即ち0.13秒後(T2 と
する)に「1」チャンネルを受信し、同調検出回路10
のNAND回路32の出力が低レベルになって、単安定
マルチバイブレータ33Mを駆動する。
する)に「1」チャンネルを受信し、同調検出回路10
のNAND回路32の出力が低レベルになって、単安定
マルチバイブレータ33Mを駆動する。
このマルチバイブレータ33Mのパルス巾を約2μse
cとすると、この間NANDゲート24は遮断される。
cとすると、この間NANDゲート24は遮断される。
これと同時に負論理、ANDゲー)33Gの出力で揮発
性メモリ7aのW/R端子が低レベルとなって、その時
のバイナリ−カウンタ25の出力が13ビツトで揮発性
メモ’) −7aに書込まれる。
性メモリ7aのW/R端子が低レベルとなって、その時
のバイナリ−カウンタ25の出力が13ビツトで揮発性
メモ’) −7aに書込まれる。
揮発性メモリ7aの書込みアドレスは、カウンタ27c
で決められ、単安定マルチバイブレータ33Mの出力が
1つ目敏、選局ボタン8の第1ポジシヨンの場合と同じ
アドレスとなる。
で決められ、単安定マルチバイブレータ33Mの出力が
1つ目敏、選局ボタン8の第1ポジシヨンの場合と同じ
アドレスとなる。
次に、単安定マルチバイブレーク33Mの出力が高レベ
ルに戻ると、カウンタ25は、再びカウントを開始し、
T2から2048H後に、「2」チャンネルになるが、
同調検出回路100のNANDゲート32の出力が変化
しないので更に2048H後に、「3」チャンネルに同
調し、再び、単安定マルチバイブレータ33Mの出力が
約2μsec低レベルとなって、揮発性メモリ7ヘパイ
ナリカウンタ25の出力が書込まれる。
ルに戻ると、カウンタ25は、再びカウントを開始し、
T2から2048H後に、「2」チャンネルになるが、
同調検出回路100のNANDゲート32の出力が変化
しないので更に2048H後に、「3」チャンネルに同
調し、再び、単安定マルチバイブレータ33Mの出力が
約2μsec低レベルとなって、揮発性メモリ7ヘパイ
ナリカウンタ25の出力が書込まれる。
書込みアドレスは単安定マルチバイブレータ33Mの出
力が2個目故、選局ボタン8の第2ポジシヨンの場合と
同じアドレスになる。
力が2個目故、選局ボタン8の第2ポジシヨンの場合と
同じアドレスになる。
なお、セレクタ27Sはフリップフロップ23のqで制
御され単安定マルチバイブレータ33Mの出力をカウン
トしたアドレスを揮発性メモリ7aに供給している。
御され単安定マルチバイブレータ33Mの出力をカウン
トしたアドレスを揮発性メモリ7aに供給している。
「3」チャンネルの書込み終了までの時間は2048H
+2 μsec+4096H+ 2μs e c哄0.
39秒であり、更に2048H後にバイナリカウンタ2
5の213出力が高レベルとなって、揮発性メモリ25
をクリアしく時刻T1とする)かつフリップフロップ3
4をセットする。
+2 μsec+4096H+ 2μs e c哄0.
39秒であり、更に2048H後にバイナリカウンタ2
5の213出力が高レベルとなって、揮発性メモリ25
をクリアしく時刻T1とする)かつフリップフロップ3
4をセットする。
従って、フリップフロップ34のQが高レベルとなり、
Qが低レベルとなって、ANDゲート37の出力が高レ
ベルとなる。
Qが低レベルとなって、ANDゲート37の出力が高レ
ベルとなる。
フリップフロップ35の端子にフリップフロップ34の
Q出力が加えられているので、このときフリップフロッ
プ35はセットされず、次のセット信号でセットされる
。
Q出力が加えられているので、このときフリップフロッ
プ35はセットされず、次のセット信号でセットされる
。
従って、チューナ1のバンド切替はVHFバイバンドと
なる。
なる。
VHFバイバンドは4〜1209チヤンネルあるので、
約820H毎に1チヤンネル受信となる。
約820H毎に1チヤンネル受信となる。
即ち、T4かも820H後のT、で4チヤンネルに同調
し、フリップフロップ33Mの出力が低レベルとなり、
選局ボタン8の第3番目のポジションに相当するアドレ
スにバイナリカウンタ25の出力が書込まれるのは前と
同じである。
し、フリップフロップ33Mの出力が低レベルとなり、
選局ボタン8の第3番目のポジションに相当するアドレ
スにバイナリカウンタ25の出力が書込まれるのは前と
同じである。
VHFバイバンドは東京では4.6.8゜10.12の
5チヤンネルあるので、書込時間が10 μSeC増し
、8192H+10 μ5ec=0.52秒TIOで書
込みが終る。
5チヤンネルあるので、書込時間が10 μSeC増し
、8192H+10 μ5ec=0.52秒TIOで書
込みが終る。
次のUHFバッドについても同様でTIOから8192
H+2n 後に書込みが終る。
H+2n 後に書込みが終る。
仮にUHFバンドμSeC
が4局としても0.52秒である。
従って全体では0.52+2n (nは受信μS
eC 可能な局数)で、書込みが終了する。
eC 可能な局数)で、書込みが終了する。
VHF、UHF全部の書込みに要する時間はほぼ819
2X3X63.5中1,56秒である。
2X3X63.5中1,56秒である。
書込みが終了する時はANDゲート38の出力が高レベ
ルでバイナリカウンタ25の213出力が高レベルとな
りUHFの最高チャンネル「62」まで掃引後に、この
出力が現われNANDゲート28の出力が低レベルとな
って、フリップフロップ23をクリアする。
ルでバイナリカウンタ25の213出力が高レベルとな
りUHFの最高チャンネル「62」まで掃引後に、この
出力が現われNANDゲート28の出力が低レベルとな
って、フリップフロップ23をクリアする。
従って、NANDゲート24が遮断され、26A〜26
Mも遮断される。
Mも遮断される。
26A〜26Mはいわゆるトライ・ステイ) (Tri
−5tate )のゲ−) (0,1およびハイイン
ピーダンスの三つの状態をとるゲート)で、遮断される
と出力端子は高インピーダンスとなる。
−5tate )のゲ−) (0,1およびハイイン
ピーダンスの三つの状態をとるゲート)で、遮断される
と出力端子は高インピーダンスとなる。
フリップフロップ23のQが高レベルとなって、セレク
タ39及びセレクタ27Sはいずれも、読み出し状態と
なる。
タ39及びセレクタ27Sはいずれも、読み出し状態と
なる。
なお、選局ボカン8は一般に12ポジシヨンが多く、前
述の如く、VNFのローバンドが2チヤンネル、VHF
のバイバンドがSチャンネノベUHFバンドが4チヤン
ネルとして、11番目まで書込まれており、後1チャン
ネル分は余るが、使う必要はない。
述の如く、VNFのローバンドが2チヤンネル、VHF
のバイバンドがSチャンネノベUHFバンドが4チヤン
ネルとして、11番目まで書込まれており、後1チャン
ネル分は余るが、使う必要はない。
以上で本発明の実施例の主要部の説明を終るが、各部に
ついて若干補足する。
ついて若干補足する。
26A〜26Mの例としては集積回路素子5N7412
6又はDM8094がある。
6又はDM8094がある。
セレクタ390例としては集積回路5N74LS157
がある。
がある。
単安定マルチバイブレータ33Mの例として集積回路5
N74LS123の%又はSN?4121がある。
N74LS123の%又はSN?4121がある。
27Cは書込アドレス用のカウンタで、単安定マルチバ
イブレータ33M出力に負の書込みパルスが現われると
その前縁をカウントする。
イブレータ33M出力に負の書込みパルスが現われると
その前縁をカウントする。
従って、前述の如<VHFの1チヤンネルはアドレス0
001であり、3チヤンネルは0010となり、VHF
の12チヤンネルは0111となる。
001であり、3チヤンネルは0010となり、VHF
の12チヤンネルは0111となる。
一方、27SのSe端子は、フリップフロップ23のQ
が低レベルのため27Sの出力はA入力部ち、27Cの
出力となる。
が低レベルのため27Sの出力はA入力部ち、27Cの
出力となる。
従って、揮発性メモリ7aのアドレス0001には、1
チヤンネルに相当する13ビツトの2値信号が書込まれ
る。
チヤンネルに相当する13ビツトの2値信号が書込まれ
る。
一方、第2図の40L 40H40Uは3図に示す如
く、26A〜26Mと同じANDゲートである。
く、26A〜26Mと同じANDゲートである。
揮発性メモリ7aの■101〜13には選局電圧が書込
マレ、14〜16はV(7)L、H,Uに対応して、1
を書き込み、読み出すIloで、VHF1チャンネルの
時は、ANDゲート36の出力が高レベル故11014
へ1が書き込まれる。
マレ、14〜16はV(7)L、H,Uに対応して、1
を書き込み、読み出すIloで、VHF1チャンネルの
時は、ANDゲート36の出力が高レベル故11014
へ1が書き込まれる。
即ち、書き込みアドレス0001と0010の時は11
014へ11」が供給され書込まれる。
014へ11」が供給され書込まれる。
VHFの4〜12チヤンネルでは、11015へ「1」
が供給され書込まれる。
が供給され書込まれる。
Uの場合は11016へ「1」が供給され書き込まれる
。
。
次にUの書き込みが終って、バイナリカウンタ25の出
力に正のパルスが発生するとフリップフロップ23がク
リアされ、セレクタ27Sの端子Seが高レベルとなり
セレクタ27Sの出力は、エンコーダ27Eの出力即ち
、選局ボタン8で指定されたチャネルポジションとなる
。
力に正のパルスが発生するとフリップフロップ23がク
リアされ、セレクタ27Sの端子Seが高レベルとなり
セレクタ27Sの出力は、エンコーダ27Eの出力即ち
、選局ボタン8で指定されたチャネルポジションとなる
。
エンコーダ27Eは10進数1〜12を2進4ピツトに
変換する。
変換する。
エンコーダである。フリップフロップ23のQが高レベ
ルの為ケート36Gの出力は高レベルとなって揮発性メ
モリ7は読み出し状態となる。
ルの為ケート36Gの出力は高レベルとなって揮発性メ
モリ7は読み出し状態となる。
セレクタ39の出力もB入力となる。
仮に選局ボタン803番目を押すと、エンコーダ27E
の出力は0011となり、揮発性メモリ7の出力I/(
H〜13にはVHF4チャンネルに対応する2値信号が
現われ、11014〜16中15のみ1となって、チュ
ーナ1へVHFのバイバンド指示する。
の出力は0011となり、揮発性メモリ7の出力I/(
H〜13にはVHF4チャンネルに対応する2値信号が
現われ、11014〜16中15のみ1となって、チュ
ーナ1へVHFのバイバンド指示する。
なお、26A〜26Mと40L〜40Uの各ゲートの出
力は高インピーダンスとなる。
力は高インピーダンスとなる。
ディジタル・アナログコンバータ29へは揮発性メモリ
7の■101の出力が供給され、4チヤンネルに相当す
る制御電圧がディジタル・アナログコンバータ29の出
力として得られ、チューナ1へ供給され4チヤンネルを
受信する。
7の■101の出力が供給され、4チヤンネルに相当す
る制御電圧がディジタル・アナログコンバータ29の出
力として得られ、チューナ1へ供給され4チヤンネルを
受信する。
ディジタル・アナログコンバータ2901例を第3図に
示す。
示す。
第3図に於て、29Cは10ビツトの比較回路29Aは
10ビツトの同期式カウンタ、29Fは、フリップフロ
ップ、29Gは約18ME(zで発振するゲーテッド発
振器である。
10ビツトの同期式カウンタ、29Fは、フリップフロ
ップ、29Gは約18ME(zで発振するゲーテッド発
振器である。
又、第4図に於てψ1は水平同期信号であり、tlから
t2までは約63.5μsecである。
t2までは約63.5μsecである。
発振器29Gの出力のパルス巾は
である。
従って発振器29Gの出力を210=1024個数えて
も約56.9μsecとなり、IH内に210個数え得
る。
も約56.9μsecとなり、IH内に210個数え得
る。
第4図のtl は前述のT1 の後の最初の水平同期信
号であり、ψ2の始めはtl から約556nsecの
巾のパルスである。
号であり、ψ2の始めはtl から約556nsecの
巾のパルスである。
即ち、t、でフリップフロップ29Fがセットされ、発
振器29Gが発振する。
振器29Gが発振する。
このとき、バイナリカウンタ25の出力は000000
0000001であり、発振器29Gの出力パルスを1
個数えると、比較回路29Cが両入力の一致を検出し、
フリップフロップ29Fをリセットする。
0000001であり、発振器29Gの出力パルスを1
個数えると、比較回路29Cが両入力の一致を検出し、
フリップフロップ29Fをリセットする。
従って発振器29Gは発振を停止する。
故にフリップフロップ29FのQ出力の巾は発振器29
Gの1パルス分約55.6nsecとなる。
Gの1パルス分約55.6nsecとなる。
次のIHではφ2の巾は2 X 55.6 n5ecと
なり毎H1パルス分ずつ広がる。
なり毎H1パルス分ずつ広がる。
従って1023Hまでは第5図Bに示す電圧を第3図ダ
イオード2909と2910との接続点すなわち容量2
9820両端に得る。
イオード2909と2910との接続点すなわち容量2
9820両端に得る。
コンデンサ2908には並列に電界効果型トランジスタ
2981が接続されていて、このトランジスタ2981
のゲートにフリップフロップ29FのQ出力が加えられ
ているので、このQ出力によってトランジスタ2981
が導通し、コンデンサ2908の出力電圧は第6図Bに
示すようになる。
2981が接続されていて、このトランジスタ2981
のゲートにフリップフロップ29FのQ出力が加えられ
ているので、このQ出力によってトランジスタ2981
が導通し、コンデンサ2908の出力電圧は第6図Bに
示すようになる。
この第6図Bの鋸歯状波の横軸の長さは右の方にゆくに
従って少しづつ長くなる。
従って少しづつ長くなる。
ダイオード2910を介してコンデンサ2982に加え
られた電圧は少しづつ増加する。
られた電圧は少しづつ増加する。
第6図Aは水平パルスを示している。
時刻t1 から1024Hまでを考えるとコンデンサ2
982に得られる電圧は第5図Bに示すようになる。
982に得られる電圧は第5図Bに示すようになる。
1024Hになると電界効果型トランジスタ2983が
導通し、コンデンサ2982の電荷は放電されて元の状
態に復帰し、鋸歯状波となる。
導通し、コンデンサ2982の電荷は放電されて元の状
態に復帰し、鋸歯状波となる。
カウンタ25は、1023Hまでは、2°〜29出力に
O1■が出力され210〜213出力は0であり、フリ
ップフロップ29FのQ出力は毎H1ビットずつ増える
ので、抵抗2901を介して、この出力がトランジスタ
29020ベースに伝えられる。
O1■が出力され210〜213出力は0であり、フリ
ップフロップ29FのQ出力は毎H1ビットずつ増える
ので、抵抗2901を介して、この出力がトランジスタ
29020ベースに伝えられる。
トランジスタ2902はスイッチング動作し、フリップ
フロップ29FのQ出力が高レベルの間導通し、トラン
ジスタ2902のコレクタはほぼアース電位となる。
フロップ29FのQ出力が高レベルの間導通し、トラン
ジスタ2902のコレクタはほぼアース電位となる。
抵抗2903と2904は、トランジスタ2902が導
通した時、トランジスタ2906がA級で動作するよう
な値に決めである。
通した時、トランジスタ2906がA級で動作するよう
な値に決めである。
2905は帰還用抵抗で省略してもよい。2907は積
分用抵抗、2908は積分用容量で、後述する如く、ト
ランジスタ2916〜2976がすべてオフの時、即ち
第5図t1から1024Hの直前までは、第5図Bの鋸
歯状波電圧が、抵抗29000両端に得られる。
分用抵抗、2908は積分用容量で、後述する如く、ト
ランジスタ2916〜2976がすべてオフの時、即ち
第5図t1から1024Hの直前までは、第5図Bの鋸
歯状波電圧が、抵抗29000両端に得られる。
1024H目になると、バイナリカウンタ25の210
出力が1となり、デコーダ29Dの1出力が低レベルに
なり、トランジスタ2914が導通する。
出力が1となり、デコーダ29Dの1出力が低レベルに
なり、トランジスタ2914が導通する。
即ち抵抗2911゜2912はデコーダ29Dの1出力
が高レベルの時、トランジスタ2914を遮断するよう
な値に決めである。
が高レベルの時、トランジスタ2914を遮断するよう
な値に決めである。
ダイオード2913については後述する。
デコーダ29Dとしては集積回路SN 7442又は5
N74LS42が適している。
N74LS42が適している。
トランジスタTR2914が導通すると、抵抗2915
にトランジスタ2914のコレクタ電流が流れ、トラン
ジスタ2916のベース電位が低下し、トランジスタ2
916が導通し、抵抗2900に、第5図の1024H
〜2048Hに示される電圧が発生する。
にトランジスタ2914のコレクタ電流が流れ、トラン
ジスタ2916のベース電位が低下し、トランジスタ2
916が導通し、抵抗2900に、第5図の1024H
〜2048Hに示される電圧が発生する。
一方、29FのQ出力は再び、毎H1ビットずつ広がり
、容量2908の両端に第5図Bの鋸歯電圧が発生する
が、ダイオード2909を介し、抵抗2900と接続さ
れているので、第5図Aの点線の如くなる。
、容量2908の両端に第5図Bの鋸歯電圧が発生する
が、ダイオード2909を介し、抵抗2900と接続さ
れているので、第5図Aの点線の如くなる。
以下同様であり、2048H目からバイナリカウンタ2
5の211出力が1となって、デコーダ29Dの(2)
出力が低レベルとなって(1)出力は高レベルとなる。
5の211出力が1となって、デコーダ29Dの(2)
出力が低レベルとなって(1)出力は高レベルとなる。
しかし、ダイオード2913を介して、トランジスタ2
914のコレクタ電流はデコーダ29Dの(2)出力へ
流れ込む。
914のコレクタ電流はデコーダ29Dの(2)出力へ
流れ込む。
以下同様に、1024H毎に、デコーダ29Dの(3)
、(4)、(5)、(6)、(7)と順々に低レベルに
なり、それに伴ない2923〜2963のダイオードが
順次導通し、トランジスタ29142924・・・・・
・2974が導通し、7168H〜8192Hではトラ
ンジスタ2914〜2974が全部導通し抵抗2900
に発生する第5図Aの階段波電圧は最も高レベルとなる
。
、(4)、(5)、(6)、(7)と順々に低レベルに
なり、それに伴ない2923〜2963のダイオードが
順次導通し、トランジスタ29142924・・・・・
・2974が導通し、7168H〜8192Hではトラ
ンジスタ2914〜2974が全部導通し抵抗2900
に発生する第5図Aの階段波電圧は最も高レベルとなる
。
従ってチューナ1へは第5図Aの点線波形が加えられる
。
。
次に、データを揮発性メモリ7aから読み出す場合は1
3ビツトの出力中、上位3ビツトがデコーダ29Dに加
えられ第5図Aのいずれのステップかを決める。
3ビツトの出力中、上位3ビツトがデコーダ29Dに加
えられ第5図Aのいずれのステップかを決める。
揮発性メモリ7aからの出力が仮に100100000
0000で、VHFの8チヤンネルであったとする。
0000で、VHFの8チヤンネルであったとする。
デコーダ29Dは(4)出力が低レベルとなり、抵抗2
900にv4が発生し、これに上乗せされる電圧は、ゲ
ーテッド発振器29Gのパルス512ビット分である。
900にv4が発生し、これに上乗せされる電圧は、ゲ
ーテッド発振器29Gのパルス512ビット分である。
本発明では、掃引電圧を階段波と、鋸歯波に分けたので
、ディジタル・アナログコンバータ29を通常のTTL
(或はLowpower S chottky )で
構成できる。
、ディジタル・アナログコンバータ29を通常のTTL
(或はLowpower S chottky )で
構成できる。
もし、分割せずすべて鋸歯波で行なうと、比較回路29
C、カウンタ29Aは13ビツトになり、ゲーテッド発
振器29Gは、23即ち8倍の周波数で発振させないと
、IH間に8192個のパルスをカウントできず、従っ
て、掃引書込時の電圧変化が遅くなり書き込み速度が低
下する。
C、カウンタ29Aは13ビツトになり、ゲーテッド発
振器29Gは、23即ち8倍の周波数で発振させないと
、IH間に8192個のパルスをカウントできず、従っ
て、掃引書込時の電圧変化が遅くなり書き込み速度が低
下する。
周波数を8倍(約150〜160MHz)にすると通常
のTTLが使えなくなるという欠点がある。
のTTLが使えなくなるという欠点がある。
本発明はこれらの欠点を除いた画期的なものである。
以上のように本発明によれば電源の投入毎にメモリに書
込を行なわせることができるのでメモリとして揮発性の
ものを用いることができ、しかも揮発性メモリを用いた
場合の欠点である電池を内蔵させることも不安になるも
のである。
込を行なわせることができるのでメモリとして揮発性の
ものを用いることができ、しかも揮発性メモリを用いた
場合の欠点である電池を内蔵させることも不安になるも
のである。
さらに、チューナに加える鋸歯状波電圧を単なる鋸歯状
波発生回路だけでな(、バイナリカウンタの上位数ビッ
トの出力を元にして作られた階段波にバイナリカウンタ
の下位数ビットの出力を元にして作られた鋸歯状波を加
える回路を用いているので、鋸歯状波を発生する回路容
易かつ安価に実現できるものである。
波発生回路だけでな(、バイナリカウンタの上位数ビッ
トの出力を元にして作られた階段波にバイナリカウンタ
の下位数ビットの出力を元にして作られた鋸歯状波を加
える回路を用いているので、鋸歯状波を発生する回路容
易かつ安価に実現できるものである。
第1図は本発明の一実施例における選局装置の回路図、
第2図は同装置の要部の具体的なブロック線図、第3図
は同装置の要部の回路図、第4図、第5図、第6図は同
装置説明のための波形図である。 1・・・・・・チューナ、6・・・・・・選局電圧発生
回路、γ・・・・・・揮発性メモリ回路、8・・・・・
・選局ボタン、9・・・・・泪動書込回路、10・・・
・・・同調検出回路、13・・・・・・主電源回路、1
4・・・・・・電源スィッチ、25・曲・バイナリカウ
ンタ、29D・・・・・・デコーダ、2913〜296
3・・・・・・ダイオード、2911〜2974.29
16〜2976・・曲トランジスタ、2900・・・・
・・抵抗、1a・・・・・・揮発性メモリ、29C・・
・・・・比較回路、29A・・・・・・カウンタ、29
G・・・・・・発振器、29F・・・・・・フリップフ
ロップ、2902.2906・・・・・・トランジスタ
、29o82982・・・・・・充放電コンデンサ。
第2図は同装置の要部の具体的なブロック線図、第3図
は同装置の要部の回路図、第4図、第5図、第6図は同
装置説明のための波形図である。 1・・・・・・チューナ、6・・・・・・選局電圧発生
回路、γ・・・・・・揮発性メモリ回路、8・・・・・
・選局ボタン、9・・・・・泪動書込回路、10・・・
・・・同調検出回路、13・・・・・・主電源回路、1
4・・・・・・電源スィッチ、25・曲・バイナリカウ
ンタ、29D・・・・・・デコーダ、2913〜296
3・・・・・・ダイオード、2911〜2974.29
16〜2976・・曲トランジスタ、2900・・・・
・・抵抗、1a・・・・・・揮発性メモリ、29C・・
・・・・比較回路、29A・・・・・・カウンタ、29
G・・・・・・発振器、29F・・・・・・フリップフ
ロップ、2902.2906・・・・・・トランジスタ
、29o82982・・・・・・充放電コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 可変容量ダイオードを同調素子として用いたチュー
ナと、各チャンネルに応じた直流電圧を発生してこの直
流電圧をチューナの可変容量ダイオードに供給する選局
電圧発生回路と、上記直流電圧に対応した二値信号を記
憶する揮発性メモリと、電源の投入毎に動作を開始し、
上記揮発性メモリに、バイナリカウンタの複数の出力端
子より発生した各チャンネルに対応する二値信号を順次
記憶させるとともに、この記憶を行なわせるために上記
選局電圧発生回路を制御して上記可変容量ダイオードに
鋸歯状波電圧を加えさせる書込回路とを備え、この鋸歯
状波を発生する手段として上記バイナリカウンタの複数
の出力端子に得られる2値信号中の上位複数ビットをデ
コーダでデコードし、得られた信号を用いて一定周期で
電圧が太き(なる階段波電圧を発生させ、上記2値信号
中の残りの下位数ビットを用いて上記一定周期で元の状
態に戻る鋸歯状波電圧を発生させ、上記階段波電圧とこ
の鋸歯状波電圧とを合成する手段を用いたことを特徴と
する選局装置。 2 デコーダの複数の出力端子間にダイオードをそれぞ
れ同じ極性に接続し、この複数のダイオードの両端子お
よび各ダイオードの接続点を1個の負荷抵抗と電源端子
間に接続されたスイッチング回路の制御端子に接続した
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の選局装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1473678A JPS5816766B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 選局装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1473678A JPS5816766B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 選局装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54107603A JPS54107603A (en) | 1979-08-23 |
| JPS5816766B2 true JPS5816766B2 (ja) | 1983-04-02 |
Family
ID=11869399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1473678A Expired JPS5816766B2 (ja) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | 選局装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816766B2 (ja) |
-
1978
- 1978-02-10 JP JP1473678A patent/JPS5816766B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54107603A (en) | 1979-08-23 |
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