JPS5820186B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5820186B2 JPS5820186B2 JP56162866A JP16286681A JPS5820186B2 JP S5820186 B2 JPS5820186 B2 JP S5820186B2 JP 56162866 A JP56162866 A JP 56162866A JP 16286681 A JP16286681 A JP 16286681A JP S5820186 B2 JPS5820186 B2 JP S5820186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- vertical
- switch
- horizontal
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブルーミングを防止した固体撮像装置に関する
。
。
第１図は従来のＭＯ８型固体撮像装置の原理図である。
マトリックス状に配列された光ダイオード１からなる感
光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号を読み出す
ための垂直読出しスイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ９１〜９ｎ
および水平読出しスイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ８１〜８ｍ
と、それぞれのスイッチを順序よく切換えるための垂直
シフトレジスタ３および水平シフトレジスタ２と、出力
信号線４から成っている。
光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号を読み出す
ための垂直読出しスイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ９１〜９ｎ
および水平読出しスイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ８１〜８ｍ
と、それぞれのスイッチを順序よく切換えるための垂直
シフトレジスタ３および水平シフトレジスタ２と、出力
信号線４から成っている。
垂直、水平の切換えスイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴは、シフ
トレジスタの各段の出力から得られる出力パルスによっ
てＭＯ８型Ｆ”ＥＴのゲート電圧を制御し、スイッチ動
作を得ている。
トレジスタの各段の出力から得られる出力パルスによっ
てＭＯ８型Ｆ”ＥＴのゲート電圧を制御し、スイッチ動
作を得ている。
ところでこの固体撮像装置においては、入射光量が一定
量以上になると画面上に白い縦縞の入るプルーミングと
呼ばれる現象が生じ、画質を著しく劣化させる。
量以上になると画面上に白い縦縞の入るプルーミングと
呼ばれる現象が生じ、画質を著しく劣化させる。
これは以下に述べる原因によると考えられる。
すなわち第２図および第３図に示すように、強い光の当
っている光ダイオード１はそれに蓄積された多量の電荷
１２によって順方向にバイアスされる。
っている光ダイオード１はそれに蓄積された多量の電荷
１２によって順方向にバイアスされる。
それ以後光電流によって生じる電荷は、垂直読出しスイ
ッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ ９ ｉの下に構成される寄生ト
ランジスタ１１１を通して水平出力線１０にあふれだす
。
ッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ ９ ｉの下に構成される寄生ト
ランジスタ１１１を通して水平出力線１０にあふれだす
。
１水平期間に水平出力線１０にあふれだした電荷１３は
、同じ水平出力線１０につながる他の光ダイオードの電
荷を読出すとき同時に読出され、ブルーミングを生じる
。
、同じ水平出力線１０につながる他の光ダイオードの電
荷を読出すとき同時に読出され、ブルーミングを生じる
。
したがって第４図に示すように、垂直読出しスイッチ用
ＭＯ８型ＦＥＴ９ｉの部分にある壁の高さより壁の高さ
が低い素子１５ｉを通して光ダイオードに生じる過剰電
荷を取り出せば、プルーミングを防止することができる
。
ＭＯ８型ＦＥＴ９ｉの部分にある壁の高さより壁の高さ
が低い素子１５ｉを通して光ダイオードに生じる過剰電
荷を取り出せば、プルーミングを防止することができる
。
これは、光ダイオードにつながる過剰電荷取り出し用Ｍ
ＯＳ型ＦＥＴ １５ ｉ 、壁の高さを調節するために
このＭＯ８型ＦＥＴ １５ ｉのゲートに電圧を加える
ためのゲート電圧制御線、過剰電荷を取り出すための過
剰電荷取り出し線を設けることによって実現することが
できる。
ＯＳ型ＦＥＴ １５ ｉ 、壁の高さを調節するために
このＭＯ８型ＦＥＴ １５ ｉのゲートに電圧を加える
ためのゲート電圧制御線、過剰電荷を取り出すための過
剰電荷取り出し線を設けることによって実現することが
できる。
しかし固体撮像装置の面積は一定であるため、このよう
な素子および線を新たに設けるとそれだけ光ダイオード
の面積が減り、感度が低減する。
な素子および線を新たに設けるとそれだけ光ダイオード
の面積が減り、感度が低減する。
特にゲート電圧制御線および過剰電荷取り出し線によっ
てしめられる面積は大きく、著しく感度を劣化させる。
てしめられる面積は大きく、著しく感度を劣化させる。
本発明はこのようなゲート電圧制御線および過剰電荷取
り出し線を新たに設けることなく、ブルーミングの原因
になる過剰電荷を取り出せる構造を持つ固体撮像装置を
提供することを目的とする。
り出し線を新たに設けることなく、ブルーミングの原因
になる過剰電荷を取り出せる構造を持つ固体撮像装置を
提供することを目的とする。
第５図は本発明の原理、ならびに実施例図である。
過剰電荷を取り出すのは過剰電荷取り出し用ＭＯＳ型Ｆ
ＥＴ １５ ｉによって行なう。
ＥＴ １５ ｉによって行なう。
ただしこのＭＯ８型ＦＥＴ １５ ｉのゲート電圧は水
平出力線１０に加える直流のビデオ電圧によって制御し
、過剰電荷は垂直ス′イツチ用ＭＯ８型ＦＥＴのケート
につながる線を通して取り出す。
平出力線１０に加える直流のビデオ電圧によって制御し
、過剰電荷は垂直ス′イツチ用ＭＯ８型ＦＥＴのケート
につながる線を通して取り出す。
又、ここで垂直シフトレジスタは、垂直スイッチ用ＭＯ
８型ＦＥＴをｏｆｆ状態にするとき、垂直スイッチ用Ｍ
Ｏ８型ＦＥＴのゲートにつながる線が外部電源又は接地
と低インピーダンスでつながる回路構成とする。
８型ＦＥＴをｏｆｆ状態にするとき、垂直スイッチ用Ｍ
Ｏ８型ＦＥＴのゲートにつながる線が外部電源又は接地
と低インピーダンスでつながる回路構成とする。
このような回路構成の例を第７図に示す。
以下、本発明の原理動作を第６図を用いて説明する。
第６図に、第５図の固体撮像装置センサ部（ｐチャンネ
ル型）の縦構造と各部の電圧関係を示しである。
ル型）の縦構造と各部の電圧関係を示しである。
垂直スイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴ９ ｉの部分にある壁の
高さは、ゲート２０の電圧と垂直スイッチ用ＭＯ８型Ｆ
ＥＴのシキイ値ｖＴの差、および光ダイオードが順バイ
アスになる電圧である十０．７Ｖの内で、低い方の電圧
で決まる。
高さは、ゲート２０の電圧と垂直スイッチ用ＭＯ８型Ｆ
ＥＴのシキイ値ｖＴの差、および光ダイオードが順バイ
アスになる電圧である十０．７Ｖの内で、低い方の電圧
で決まる。
第６図は十〇、 ７ Ｖの方が低いと仮定して示しであ
る。
る。
一方過剰電荷取り出し用ＭＯＳ型ＦＥＴ １５ ｉの部
分にある壁の高さは、水平出力線に継がる過剰電荷取り
出し用ＭＯＳ型ＦＥＴのグーＮＯ’に加わるビデオ電圧
とシキイ値ｖＴの差の電圧で決まる。
分にある壁の高さは、水平出力線に継がる過剰電荷取り
出し用ＭＯＳ型ＦＥＴのグーＮＯ’に加わるビデオ電圧
とシキイ値ｖＴの差の電圧で決まる。
この値はビデオ電圧とシキイ値ＶＴの設定（シキイ値電
圧ＶＴの設定技術については今日では一般的に良くしら
れているため詳述しない。
圧ＶＴの設定技術については今日では一般的に良くしら
れているため詳述しない。
）によって自由に選ぶことができるので第６図に示すよ
うに、例えばビデオ電圧とシキイ値ｖＴをほぼ同一にす
ることにより第４図に示した関係を実現することができ
る。
うに、例えばビデオ電圧とシキイ値ｖＴをほぼ同一にす
ることにより第４図に示した関係を実現することができ
る。
一方過剰電荷取り出し用ＭＯＳ型ＦＥＴを通った過剰電
荷は、垂直スイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴのゲートにつなが
る線２０′を通して取り出される。
荷は、垂直スイッチ用ＭＯ８型ＦＥＴのゲートにつなが
る線２０′を通して取り出される。
この過剰電荷は上述した垂直シフトレジスタに対して全
く悪影響はない。
く悪影響はない。
以上の原理により、過剰電荷取り出し用ＭＯＳ型ＦＥＴ
のゲート電圧制御線および過剰電荷取り出し線を設ける
ことなくプルーミングの原因となる過剰電荷を取り出す
ことができる。
のゲート電圧制御線および過剰電荷取り出し線を設ける
ことなくプルーミングの原因となる過剰電荷を取り出す
ことができる。
第１図〜第３図は従来の問題点を説明する図、第４図〜
第７図は本発明の実施例図である。
第７図は本発明の実施例図である。
Claims (1)
- １ 水平（行）方向、垂直（列）方向に配列された複数
個の受光素子と、該受光素子者々に対応した垂直読み出
しスイッチと、同一列上に存在する上記垂直読み出しス
イッチの出力端を共通接続する第一線と、該第−線に接
続された水平読み出しスイッチと、該水平読み出しスイ
ッチの出力端を共通接続する出力線と、同一行上に存在
する上記垂直読み出しスイッチの制御端を共通接続する
第二線と、上記水平読み出しスイッチの制御端に水平走
査パルスを印加する水平走査回路と、上記垂直読み出し
スイッチの制御端に上記第二線を介して垂直走査パルス
を印加する垂直走査回路とを有する固体撮像装置におい
て、上記受光素子者々に過剰電荷取り出し用スイッチを
付設し、該スイッチの出力端を後段の上記第二線に接続
し、かつ制御端を前段の第一線に接続した固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162866A JPS5820186B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162866A JPS5820186B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5795783A JPS5795783A (en) | 1982-06-14 |
| JPS5820186B2 true JPS5820186B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15762744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162866A Expired JPS5820186B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820186B2 (ja) |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP56162866A patent/JPS5820186B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5795783A (en) | 1982-06-14 |
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