JPS5821429B2 - ハンドウタイシユウセキカイロノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイシユウセキカイロノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5821429B2 JPS5821429B2 JP49083997A JP8399774A JPS5821429B2 JP S5821429 B2 JPS5821429 B2 JP S5821429B2 JP 49083997 A JP49083997 A JP 49083997A JP 8399774 A JP8399774 A JP 8399774A JP S5821429 B2 JPS5821429 B2 JP S5821429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- protective film
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路の製造方法に関するものである
。
。
本発明はチップのパッド部に突起電極（バンプ）をつく
る方法に関するものであｐ、Ａｕ系、Ａｕ−Ｐｔ系、Ａ
ｌ系等の導電性ペーストを転写印刷するものである。
る方法に関するものであｐ、Ａｕ系、Ａｕ−Ｐｔ系、Ａ
ｌ系等の導電性ペーストを転写印刷するものである。
また、導電性ペーストを選択することにより、Ａｌ配線
を合金化と同時にバンプの焼成を行なうものである。
を合金化と同時にバンプの焼成を行なうものである。
近年、ワイヤボンディングしたパッド数の多い半導体集
積回路は生産性や信頼性の点で問題があるため、フリッ
プチップ法、ビームリード法に代表されるワイヤレスボ
ンディング方式が提案され実用化されてきている。
積回路は生産性や信頼性の点で問題があるため、フリッ
プチップ法、ビームリード法に代表されるワイヤレスボ
ンディング方式が提案され実用化されてきている。
その中で、フリップチップ素子をつくる方法として半導
体チップの電極端子に金属突起を設けるバンプ方式があ
り、ＡｕメッキしたＣｕボールを埋めこんだりハンダボ
ールを用いたＤ、ｌをマスク蒸着する方法がとられてい
る。
体チップの電極端子に金属突起を設けるバンプ方式があ
り、ＡｕメッキしたＣｕボールを埋めこんだりハンダボ
ールを用いたＤ、ｌをマスク蒸着する方法がとられてい
る。
また、コイニングツールを用いてＡｌ箔からＡｌコーン
を成形しチップの電極に形成する方法が提案されている
。
を成形しチップの電極に形成する方法が提案されている
。
［本発明は、このバンプをつくる方法に関するものであ
シ、以下に実施例に基づいて説明する。
シ、以下に実施例に基づいて説明する。
拡散、絶縁膜生成を行なったＣ−ＭＯＳ 、ＬＳＩウェ
ハーに配線用Ａ７を１００ＯＯＡ蒸着し、窒素雰囲気中
で３００℃、１５分間熱処理し、Ａ［の密着性をよりシ
、ホトエツチングにより配線パターンを形成する。
ハーに配線用Ａ７を１００ＯＯＡ蒸着し、窒素雰囲気中
で３００℃、１５分間熱処理し、Ａ［の密着性をよりシ
、ホトエツチングにより配線パターンを形成する。
ついで、保護膜としてＣＶＤ・５ｉｏ２膜を４３０℃で
８００ＯＡ生成し、ホットエツチングによりパッド部の
保護膜に孔をあける。
８００ＯＡ生成し、ホットエツチングによりパッド部の
保護膜に孔をあける。
第１図に示すように、バンプ形状に相当する四部をもっ
たステンレス板１に、Ａｕ−Ｐｔ系の導電性ペースト２
を凹部に入れ、ゼラチンでつくったタンポン３をステン
レス板に押しつけ導電性ペーストをタンポンに移す。
たステンレス板１に、Ａｕ−Ｐｔ系の導電性ペースト２
を凹部に入れ、ゼラチンでつくったタンポン３をステン
レス板に押しつけ導電性ペーストをタンポンに移す。
それを上記のウェハー４に押しつけ転写印刷する。
これを導電性ペーストのバインダーを揮発させながら酸
素雰囲気中で５５０℃、１０分間の熱処理をし、配線用
人ｌの合金化と同時にバンプの焼成を行なうものである
。
素雰囲気中で５５０℃、１０分間の熱処理をし、配線用
人ｌの合金化と同時にバンプの焼成を行なうものである
。
第２図はその断面図を示すものであり、Ａ［配線パッド
部５０寸法は１５０μ口であり、保護膜６のパッド部の
孔寸法ｌ／′１１４０μ口である。
部５０寸法は１５０μ口であり、保護膜６のパッド部の
孔寸法ｌ／′１１４０μ口である。
Ａｕ−Ｐｔ系導電性バンプ７の寸法は約１００μ口で厚
ミが約１０μであり、パッドとのオーミックコンタクト
もとれ密着性も良好であった。
ミが約１０μであり、パッドとのオーミックコンタクト
もとれ密着性も良好であった。
導電性ペーストとしてＡｕ系を使用した場合は酸素雰囲
気中で約５６０℃の熱処理で十分であシＡ７系導電性ペ
ーストの場合は５３０℃の窒素雰囲気で目的が達せられ
た。
気中で約５６０℃の熱処理で十分であシＡ７系導電性ペ
ーストの場合は５３０℃の窒素雰囲気で目的が達せられ
た。
また、タンポンによる転写印刷の例を示したがステンレ
ス網目を利用したスクリーン印刷によっても可能である
。
ス網目を利用したスクリーン印刷によっても可能である
。
以上、本発明は半導体チップのＡ７７配線パツドにＡｕ
系、Ａｕ−Ｐｔ系、あるいはＡｌ系等の導電性ペースト
を転写印刷するものであり、また導電性ペーストを選択
することによって、Ａｌ配線の合金化と同時にバンプの
焼成を行なうことができるものであり、従来のバンプの
製造法に比べて生産性が著しく向上するものである。
系、Ａｕ−Ｐｔ系、あるいはＡｌ系等の導電性ペースト
を転写印刷するものであり、また導電性ペーストを選択
することによって、Ａｌ配線の合金化と同時にバンプの
焼成を行なうことができるものであり、従来のバンプの
製造法に比べて生産性が著しく向上するものである。
さらに本発明は、バンプ形状に相当する凹部をもった板
に導電ペーストを入れ、ゼラチン、ゴム等よりなる弾力
変形する押しつけ治具に導電ペーストを移して後、パッ
ド部に転写したから、パッド数に相当する数の治具を準
備する必要はなく、特に多数のパッドがある場合でも、
正確々位置合せができるものであシ、かつ、金属ペース
トの成分、粘性の違いによシ治具の形状を変更する必要
を生じない等の効果を有する。
に導電ペーストを入れ、ゼラチン、ゴム等よりなる弾力
変形する押しつけ治具に導電ペーストを移して後、パッ
ド部に転写したから、パッド数に相当する数の治具を準
備する必要はなく、特に多数のパッドがある場合でも、
正確々位置合せができるものであシ、かつ、金属ペース
トの成分、粘性の違いによシ治具の形状を変更する必要
を生じない等の効果を有する。
さらに、集積回路内の配線金属合金化する温度以下で導
電性ペーストを焼成してバンプを形成したから、パッド
とのオーミックコンタクトが十分とれ、かつ密着性が良
好なバンプを形成することができるものである。
電性ペーストを焼成してバンプを形成したから、パッド
とのオーミックコンタクトが十分とれ、かつ密着性が良
好なバンプを形成することができるものである。
第１図は本発明による実施例を示すものであシ、１は凹
部をもったステンレス板、２は導電性ペースト、３はタ
ンポン、４は半導体ウェハー、第２図はバンプをつくっ
た断面図を示すものであり、５はＡ７配線パッド、６は
ＣＶＤ ｓ ｉｏ ２膜からなる保護膜、７はＡｕ−Ｐ
ｔ系バンプ。
部をもったステンレス板、２は導電性ペースト、３はタ
ンポン、４は半導体ウェハー、第２図はバンプをつくっ
た断面図を示すものであり、５はＡ７配線パッド、６は
ＣＶＤ ｓ ｉｏ ２膜からなる保護膜、７はＡｕ−Ｐ
ｔ系バンプ。
Claims (1)
- １ 半導体集積回路上に保護膜を形成後、電極取出し部
分の該保護膜に穴をあけてパッド部とし、バンプ形状に
相当する凹部をもった板に導電ペーストを入れ、ゼラチ
ン、ゴム等よりなる弾力変形する押しつけ治具に該導電
性ペーストを移し、該パッド部に該導電性ペーストを転
写し、該半導体集積回路内の配電金属合金化する温度以
下で該導電性ペーストを焼成してバンプを形成すること
を特徴とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49083997A JPS5821429B2 (ja) | 1974-07-22 | 1974-07-22 | ハンドウタイシユウセキカイロノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49083997A JPS5821429B2 (ja) | 1974-07-22 | 1974-07-22 | ハンドウタイシユウセキカイロノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5112770A JPS5112770A (ja) | 1976-01-31 |
| JPS5821429B2 true JPS5821429B2 (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=13818162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49083997A Expired JPS5821429B2 (ja) | 1974-07-22 | 1974-07-22 | ハンドウタイシユウセキカイロノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821429B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379462A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
| JPS5430507A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-07 | Nakatsuji Tetsukoushiyo Kk | Gear hydraulic pump |
| JPS557944A (en) * | 1978-07-01 | 1980-01-21 | Nakatsuji Tekkosho:Kk | Hydrostatic gear device |
| JP2501882B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1996-05-29 | 株式会社東芝 | 電子部品の電極形成方法 |
| JP6243756B2 (ja) | 2014-03-06 | 2017-12-06 | 東洋自動機株式会社 | スパウト取付用袋の供給方法及び装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5080761A (ja) * | 1973-11-14 | 1975-07-01 |
-
1974
- 1974-07-22 JP JP49083997A patent/JPS5821429B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5112770A (ja) | 1976-01-31 |
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