JPS5821814B2 - ケンカイガタコンデンサ - Google Patents
ケンカイガタコンデンサInfo
- Publication number
- JPS5821814B2 JPS5821814B2 JP50134258A JP13425875A JPS5821814B2 JP S5821814 B2 JPS5821814 B2 JP S5821814B2 JP 50134258 A JP50134258 A JP 50134258A JP 13425875 A JP13425875 A JP 13425875A JP S5821814 B2 JPS5821814 B2 JP S5821814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- thin film
- film
- inorganic dielectric
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘電体として、無機誘電体材料を用いて、その
耐電圧特性、誘電率、消失において大巾な改良を加えた
巻回型コンデンサに関するものである。
耐電圧特性、誘電率、消失において大巾な改良を加えた
巻回型コンデンサに関するものである。
現在巻回型コンデンサにおいては、誘電体材料としてプ
ラスチックフィルムあるいはコンデンサ紙等が用いられ
ている。
ラスチックフィルムあるいはコンデンサ紙等が用いられ
ている。
電気特性にすぐれた無機誘電体材料を薄膜化し巻回型コ
ンデンサとしたら現在用いられている巻回型コンデンサ
に比べ大巾な改良がなされることが予想される。
ンデンサとしたら現在用いられている巻回型コンデンサ
に比べ大巾な改良がなされることが予想される。
ここでアルミ電解およびタンタル電解コンデンサについ
ては、その誘電体が酸化アルミニウムあるいは酸化タン
タルであるが、その電気特性は誘電体そのものの電気特
性が充分生かされていないし、また、電解質が用いられ
ていることからここで云うコンデンサと同一種類、ある
いは同一技術内容のものではな−無機誘電体材料の薄膜
化は種々の方法があり、それの基板となる材料にも多く
のものがある。
ては、その誘電体が酸化アルミニウムあるいは酸化タン
タルであるが、その電気特性は誘電体そのものの電気特
性が充分生かされていないし、また、電解質が用いられ
ていることからここで云うコンデンサと同一種類、ある
いは同一技術内容のものではな−無機誘電体材料の薄膜
化は種々の方法があり、それの基板となる材料にも多く
のものがある。
薄膜化の方法としては、化学的析出法、真空蒸着、スパ
ッターリング等がある。
ッターリング等がある。
また、その中で、例えば金属酸化物を例にとると、単体
金属膜を酸化する場合と、金属酸化物そのものを真空蒸
着あるいはスパッタリング等で形成する場合等がある。
金属膜を酸化する場合と、金属酸化物そのものを真空蒸
着あるいはスパッタリング等で形成する場合等がある。
一般に無機誘電体材料を薄膜化する場合はその結晶化の
過程で特に基板温度が重要な要因となってくる。
過程で特に基板温度が重要な要因となってくる。
ここで基板材料にはプラスチックフィルムあるいはガラ
ス系シート、金属箔等が考えられるが、熱的には金属箔
が最も適している。
ス系シート、金属箔等が考えられるが、熱的には金属箔
が最も適している。
これはすることと、各種の厚さ、材質、等、が入手しや
すいためである。
すいためである。
このようなコンデンサの場合、誘電体薄膜の電気特性に
その性能が支配され、その誘電体薄膜の電気特性はその
膜の結晶性、不純物、等に影響される。
その性能が支配され、その誘電体薄膜の電気特性はその
膜の結晶性、不純物、等に影響される。
誘電体薄膜の結晶性に関してはその材料によって異なる
臨界基板温度が存在するが、現在の□所すべての材料に
ついて検討されてはいない。
臨界基板温度が存在するが、現在の□所すべての材料に
ついて検討されてはいない。
一般に基板温度が高い場合には結晶性が良くなる傾向に
ある。
ある。
また、成膜時の基板温度による影響も犬であるが同時に
成膜後の熱処理によって高結晶性、高純度化がはかられ
る。
成膜後の熱処理によって高結晶性、高純度化がはかられ
る。
この熱処理温度は−、般に２００℃以上であり、一般プ
ラスチックフィルムでは大半のものが熱的に変形、劣化
等の点で不充分である。
ラスチックフィルムでは大半のものが熱的に変形、劣化
等の点で不充分である。
このため、本発明では金属箔（特にアルミニウム）を基
板として、その上に金属酸化物を真空蒸着した結果当初
予想された性能の巻回型コンデンサとすることができた
。
板として、その上に金属酸化物を真空蒸着した結果当初
予想された性能の巻回型コンデンサとすることができた
。
この巻回型コンデンサの構成を図面により説明すると、
１はアルミニウムなどの金属箔であり、この金属箔１の
一面には、Ｓ ｉＯ、Ｓ ｉＯ２、Ｔ ＋ ０２などの
無機誘電体薄膜２が形成されている。
１はアルミニウムなどの金属箔であり、この金属箔１の
一面には、Ｓ ｉＯ、Ｓ ｉＯ２、Ｔ ＋ ０２などの
無機誘電体薄膜２が形成されている。
３は１ポリエステルなどのプラスチックフィルムであり
、このプラスチックフィルム３の一面、すなわち、金属
箔１の無機誘電体薄膜２と対向する面には蒸着によるア
ルミニウムなどの導電性金属薄膜４が形成されている。
、このプラスチックフィルム３の一面、すなわち、金属
箔１の無機誘電体薄膜２と対向する面には蒸着によるア
ルミニウムなどの導電性金属薄膜４が形成されている。
これを重ね合わせて巻回して巻回型コンデンサとしたも
ので、図面はその一部の断面を示している。
ので、図面はその一部の断面を示している。
次に実施例をもって説明する。
実験例
アルミニウム箔１に連続的にシリコンを蒸着した。
巻回された長尺物のアルミニウム箔に連続的に蒸着する
ため、蒸着時の基板温度は０〜６０℃であった。
ため、蒸着時の基板温度は０〜６０℃であった。
蒸着後の基板を５００℃の常圧水蒸気中で２０時間熱処
理を行った結果、コンデンサの誘電体として充分なる性
能を有するシリコン酸化膜２ができた。
理を行った結果、コンデンサの誘電体として充分なる性
能を有するシリコン酸化膜２ができた。
これと、対向する電極として、プラスチックフィルム（
この場合ポリエステルフィルム）３にアルミニウム４を
真空蒸着したものを重ね合せて巻回しコンデンサとした
。
この場合ポリエステルフィルム）３にアルミニウム４を
真空蒸着したものを重ね合せて巻回しコンデンサとした
。
このコンデンサはシリコン酸化膜２の良い特性を有する
ととに、メタライズド型コンデンサの特徴である自己回
復性を有し、従来のプラスチックフィルムコンデンサに
比べ小型、大容量化がはかれた。
ととに、メタライズド型コンデンサの特徴である自己回
復性を有し、従来のプラスチックフィルムコンデンサに
比べ小型、大容量化がはかれた。
また、このような効果は他の金属酸化物（Ｔｉ。
Ｔａ 、 Ｗ、Ｗｈ等の酸化物）でも同様な結果が得ら
れた。
れた。
さらに原理的には他の金属箔でも可能であり、Ｎｉ箔の
場合、アルミニウム箔との場合と同等の効果が得られた
。
場合、アルミニウム箔との場合と同等の効果が得られた
。
以上のように本発明の巻回型コンデンサは、一方の電極
となる金属箔に無機誘電体薄膜を形式したものと他方の
電極としてプラスチックフィルムに導電性金属薄膜を形
式したものとを積層巻回したものであり、無機誘電体薄
膜が形式された基板が金属箔であることにより形式した
無機誘電体薄膜の結晶化を高めるための熱処理温度を高
温にすることが可能で、それによって極めて高誘電率の
無機誘電体薄膜を得ることができ、したがってより小型
のコンデンサを得ることができるものである。
となる金属箔に無機誘電体薄膜を形式したものと他方の
電極としてプラスチックフィルムに導電性金属薄膜を形
式したものとを積層巻回したものであり、無機誘電体薄
膜が形式された基板が金属箔であることにより形式した
無機誘電体薄膜の結晶化を高めるための熱処理温度を高
温にすることが可能で、それによって極めて高誘電率の
無機誘電体薄膜を得ることができ、したがってより小型
のコンデンサを得ることができるものである。
図面は本発明の巻回型コンデンサの一実施例を示す要部
の断面図である。 １・・・・・・金属箔、２・・・・・・無機誘電体薄膜
、３・・・・・・プラスチックフィルム、４・・・・・
・導電性金属薄膜。
の断面図である。 １・・・・・・金属箔、２・・・・・・無機誘電体薄膜
、３・・・・・・プラスチックフィルム、４・・・・・
・導電性金属薄膜。
Claims (1)
- １ 一方の電極となる金属箔に無機誘電体薄膜を形成し
たものと他方の電極としてプラスチックフィルムに導電
性金属薄膜を形成したものとを積層巻回したことを特徴
とする巻回型コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50134258A JPS5821814B2 (ja) | 1975-11-08 | 1975-11-08 | ケンカイガタコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50134258A JPS5821814B2 (ja) | 1975-11-08 | 1975-11-08 | ケンカイガタコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5258854A JPS5258854A (en) | 1977-05-14 |
| JPS5821814B2 true JPS5821814B2 (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=15124084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50134258A Expired JPS5821814B2 (ja) | 1975-11-08 | 1975-11-08 | ケンカイガタコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821814B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2692598B1 (fr) * | 1992-06-17 | 1995-02-10 | Air Liquide | Procédé de dépôt d'un film contenant du silicium à la surface d'un substrat métallique et procédé de traitement anti-corrosion. |
-
1975
- 1975-11-08 JP JP50134258A patent/JPS5821814B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5258854A (en) | 1977-05-14 |
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