JPS5936412B2 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS5936412B2 JPS5936412B2 JP50071474A JP7147475A JPS5936412B2 JP S5936412 B2 JPS5936412 B2 JP S5936412B2 JP 50071474 A JP50071474 A JP 50071474A JP 7147475 A JP7147475 A JP 7147475A JP S5936412 B2 JPS5936412 B2 JP S5936412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dielectric
- deposited
- capacitor
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラスチックフィルムを基板とし、それに蒸着
導電性膜を設けてコンデンサとするいわゆるMF(メタ
ライズドフィルム)タイプコンデンサにおいて、無機誘
電体蒸着膜を誘電体としてとり入れたコンデンサに関す
るものである。
導電性膜を設けてコンデンサとするいわゆるMF(メタ
ライズドフィルム)タイプコンデンサにおいて、無機誘
電体蒸着膜を誘電体としてとり入れたコンデンサに関す
るものである。
近年、蒸着タイプコンデンサとしてコンデンサ紙にZn
あるいはA7等を蒸着したコンデンサが使用されてきた
が、最近になってプラスチックフィルム、特にポリエチ
レンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリプロピレ
ン等のフィルムにAAを蒸着したものへと発達してきた
。
あるいはA7等を蒸着したコンデンサが使用されてきた
が、最近になってプラスチックフィルム、特にポリエチ
レンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリプロピレ
ン等のフィルムにAAを蒸着したものへと発達してきた
。
これらのコンデンサにおいては、該プラスチックフィル
ムが誘電体を構成しているのであるが、小型、低価格化
の要求に応えてプラスチックフィルムの薄膜化が進み、
現在では試験的に2μm厚(ポリカーボネイトフィルム
)のものまで製造されるにいたつている。
ムが誘電体を構成しているのであるが、小型、低価格化
の要求に応えてプラスチックフィルムの薄膜化が進み、
現在では試験的に2μm厚(ポリカーボネイトフィルム
)のものまで製造されるにいたつている。
しかし更に薄膜化し、1μm厚以下の誘電体膜を得るこ
とは前記プラスチックフィルムでは不可能に近いことで
あり、ここで本発明者によって蒸着による絶縁特性のす
ぐれた無機誘電体材料の薄膜が検討された。
とは前記プラスチックフィルムでは不可能に近いことで
あり、ここで本発明者によって蒸着による絶縁特性のす
ぐれた無機誘電体材料の薄膜が検討された。
すなわち、無機誘電体としては、金属の酸化物、硫化物
、ハロゲン化物等様々のものがあるが、各種の材料の蒸
着膜検討によって、シリコン系のものが特にすぐねた誘
電体薄膜となりうろことを見出した。
、ハロゲン化物等様々のものがあるが、各種の材料の蒸
着膜検討によって、シリコン系のものが特にすぐねた誘
電体薄膜となりうろことを見出した。
以下、本発明について詳細に説明する。
一般に蒸着された1μm以下の厚さをもつ無機薄膜にコ
ンデンサ用として求められる条件は、(a)高絶縁抵抗
(1014Ω−儂以上)、(b)低温基板上での良好な
結晶化、(c)連続長時間安定蒸発が可能であること等
があげられる。
ンデンサ用として求められる条件は、(a)高絶縁抵抗
(1014Ω−儂以上)、(b)低温基板上での良好な
結晶化、(c)連続長時間安定蒸発が可能であること等
があげられる。
(a)については、無機誘電体材料の中でも高い絶縁抵
抗を持っているSiO□、SiOがあり、この条件に関
してはシリコン系のものは要求される特性を満足する。
抗を持っているSiO□、SiOがあり、この条件に関
してはシリコン系のものは要求される特性を満足する。
(b)については、無機材料に比べ熱的に弱いポリオレ
フィン系プラスチックフィルムを基板とするため、低温
基板上での結晶化あるいは付着強度が要求される。
フィン系プラスチックフィルムを基板とするため、低温
基板上での結晶化あるいは付着強度が要求される。
S iO2はこの点で充分満足する特性を有する。
また、SiOについても、A[と同等の付着強度を持つ
ことから、要求される特性に充分満足する。
ことから、要求される特性に充分満足する。
次に、溶融石英を電子ビーム法によって蒸着した実施例
について、図面とともに説明する。
について、図面とともに説明する。
基板1はポリエステルフィルムまたはポリプロピレンフ
ィルムで構成されており、誘電体3を構成する蒸着膜の
厚さは約1000人であった。
ィルムで構成されており、誘電体3を構成する蒸着膜の
厚さは約1000人であった。
なお、電極2はlの蒸着膜で構成されている。
そして図面はこの実施例によるコンデンサの絶縁構成を
モデル化したものを示している。
モデル化したものを示している。
又電気特性を表1に示す。
比較例として従来より量産されているフィルムタイプの
コンデンサの電気特性を併せて示す。
コンデンサの電気特性を併せて示す。
この蒸着膜の組成分析結果から、誘電体3はSi 、S
iO,5in2等の混合体であり、これは真空蒸着膜の
特徴であり、このような組成のもので表1に示すような
特性が得られた。
iO,5in2等の混合体であり、これは真空蒸着膜の
特徴であり、このような組成のもので表1に示すような
特性が得られた。
そしてこの結果からシリコンまたはシリコン酸化物系の
蒸着膜が誘電体として適していることがわかった。
蒸着膜が誘電体として適していることがわかった。
なお、ポリオレフィン系プラスチックフィルムは、経済
性大なる薄膜の基板であるが、無機薄膜の基板として用
いるためには、大きな熱収縮率を持つことはその薄膜の
結晶性にも影響し、熱収縮率が10%(120°CI5
分)を超えるものに関しては良好な誘電体薄膜が得られ
なかった。
性大なる薄膜の基板であるが、無機薄膜の基板として用
いるためには、大きな熱収縮率を持つことはその薄膜の
結晶性にも影響し、熱収縮率が10%(120°CI5
分)を超えるものに関しては良好な誘電体薄膜が得られ
なかった。
以上のように本発明はシリコンまたはその酸化物系の蒸
着薄膜を用いて誘電体を構成したものであるから、誘電
体の薄膜化を容易に行なうことができ、またその絶縁特
性も優れたものにすることができる産業性の犬なるもの
である。
着薄膜を用いて誘電体を構成したものであるから、誘電
体の薄膜化を容易に行なうことができ、またその絶縁特
性も優れたものにすることができる産業性の犬なるもの
である。
図面は本発明の一実施例におけるコンデンサの断面図で
ある。 1・・・・・・基板、2・・・・・・電極、3・・・・
・・誘電体。
ある。 1・・・・・・基板、2・・・・・・電極、3・・・・
・・誘電体。
Claims (1)
- 1 熱収縮率が10%(120°C215分)以下のポ
リオレフィン系プラスチックフィルムで基板を構成し、
その基板の上に一方の電極とその電極の上にシリコンま
たはその酸化物の蒸着薄膜からなる誘電体とその上に他
方の電極を設けたことを特徴とするコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50071474A JPS5936412B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50071474A JPS5936412B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51147754A JPS51147754A (en) | 1976-12-18 |
| JPS5936412B2 true JPS5936412B2 (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=13461641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50071474A Expired JPS5936412B2 (ja) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936412B2 (ja) |
-
1975
- 1975-06-12 JP JP50071474A patent/JPS5936412B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51147754A (en) | 1976-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3819990A (en) | Thin-film capacitor and method for the fabrication thereof | |
| US3457478A (en) | Wound film capacitors | |
| US4190878A (en) | Self-healing electrical capacitor | |
| US2908593A (en) | Electrical capacitors | |
| US3217281A (en) | Electrical resistor | |
| US3149398A (en) | Silicon dioxide solid capacitor | |
| JPS5826652B2 (ja) | キンゾクカフイルムコンデンサ | |
| JPS5936412B2 (ja) | コンデンサ | |
| US3660155A (en) | Method for preparing solid films | |
| GB2143227A (en) | Ceramic dielectric compositions | |
| JP3447307B2 (ja) | フィルムコンデンサおよびその製造用フィルム | |
| JPH0770747A (ja) | 高純度誘電体薄膜形成用ターゲット材 | |
| JPS6323647B2 (ja) | ||
| KR100215544B1 (ko) | 알루미늄증착 플라스틱 필름 제조방법 | |
| JPS5821814B2 (ja) | ケンカイガタコンデンサ | |
| JPH03500475A (ja) | 温度安定多層コンデンサ | |
| JPH0563092B2 (ja) | ||
| JPH0610926B2 (ja) | 誘電体膜の製造法 | |
| JPH0432527B2 (ja) | ||
| JPS62194606A (ja) | 薄膜誘電体材料 | |
| JPS5980920A (ja) | 金属化フイルムコンデンサ | |
| JPS6110223A (ja) | アモルフアス誘電体薄膜及びその製造方法 | |
| US3223494A (en) | Multilayer ceramic body | |
| JPS58103113A (ja) | コンデンサ | |
| JPS60231314A (ja) | コンデンサ |