JPS5823341B2 - 高周波スパツタリング用酸化亜鉛系磁器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高周波スパッタリングのターゲットに用いら
れる酸（ＥＳ亜鉛系磁器に関するものである一酸化亜鉛
の圧電結晶膜の製造方法としては、真空蒸着法、気相反
応法あるいはスパッタリング法などがある。

この中でスパッタリング法には直流２極型、直流３極型
および高周波スパッタリング法がある。

直流２極型はスパッタリング法の中でもつとも単純であ
るが、ターゲットとなる酸化亜鉛磁器の比抵抗を低くし
ないと、イオンに曝されるターゲットの表面には正電荷
が蓄積されるため、スパッタリングが効率よく行えず、
安定な放電が維持で５きなかった。

また、比抵抗の低いターゲットを用いるため、得られた
膜の比抵抗も低くなる傾向がある。

これらの膜は誘電体緩和現象により高い周波数での利用
は可能であるが、低い周波数領域に至る広い範囲での利
用ができなかった。

また、このようなスパッタリング法では一般に雰囲気ガ
スとして、酸素などの活性ガスやアルゴンなどの不活性
ガス、またはそれらを混合して用いている。

結晶膜の比抵抗を高くする方法として、雰囲気ガス中の
酸素量を増す方法があるが、この場合結晶膜の成長速度
が遅くなるという欠点があった。

これに対し、高周波スパッタリング法はターゲットに低
抵抗のものでも高抵抗のものでも用いることができると
いう利点があるが、結晶膜を工業的に量産するには膜の
成長速度を上げなければならない。

そのためにはターゲットとして高密度のものが要求され
る。

つまり、密度が高ければターゲットの単位面積当たりに
印加するパワー（パワー密度）を高くすることができ、
膜の成長速度が上がるからである。

さらに、上記したように酸化亜鉛の圧電結晶膜を低調波
領域から高周波領域まで広い範囲で利用しようとすれば
結晶膜の比抵抗を上げる必要があり、ターゲットとして
は高抵抗のものが要求される。

従来はターゲットに高純度の酸化亜鉛の磁器を用いてい
たが、焼成前の成型品を１３００℃以上の高温で焼成す
ると、焼結密度は理論密度の９０％以上になるが、比抵
抗は低くなり、高周波スパッタリング用のターゲットと
しては不適当である。

逆に１３００°Ｃ未満で焼成すると比抵抗は高くなるが
、焼結密度は理論密度の８０％に満たず、これもターゲ
ットとして不適当で、いずれの場合も高純度の酸化亜鉛
磁器では高抵抗で高密度のものは得られなかった。

たとえば、低密度のターゲット（焼結密度／理論密度Ｘ
１００（９０％）で高周波スパッタリングを行なった場
合、得られた圧電結晶膜の表面は凹凸となる。

これは酸化亜鉛クラスターが不均一に塊状になって飛ん
だことによるものと推察される。

上記したような問題を種々検討した結果、酸化亜鉛にリ
ンを含有させて得た磁器は比抵抗が高く、。

高密度でしかも磁器全体にわたって密度分布差が少ない
ターゲットが得られることを見い出したのである。

以下この発明を実施例に従って詳述する。

実施例 ｊ原料と
して、４口０，２０３（ＰＯ４）２・４Ｈ２０の各粉末
を用い、第１表に示す比率の磁器が得られるように調合
して湿式、混合した。

これらを脱水したのち６００〜８００℃で２時間仮焼を
行なった。

次に有機バインダとともに湿式ミルで粉砕、混合※。

糸し、さらに脱水、乾燥したのち整粒した。

こののち、粉末を１０００ ｋｇ／ｃＡの圧力で加圧し
、直径１００ｍＩＩＬ、厚み５ｍｍの円板に成型した。

さらに成型円板を１２００℃で２時間焼成して、リンを
含むターゲット試料を作成した。

なお、第１表中参考例である試料番号１の焼成温度は１
２５０°Ｃである。

得られたターゲットの比抵抗、理論密度に対する焼結密
度の百分率（焼結密度／理論密度Ｘ１００）を測定した
ところ、第１表に示すような結果が得られた。

ここで酸化亜鉛の理論密度は５．６７′？／ｃｒｄとし
た。

第１表中、試料番号１はリンを添加していない従来のも
のであり、それ以外はこの発明にかかるものである。

次にターゲットの密度分布を調べるため、第１図のよう
にターゲットの中心から０，１０，２０゜３０．４０ｍ
ｍ間隔に一辺約１０×１０１０１ｎ厚さ３〜４１ｎＩＩ
Ｌの正方形板を切り出した。

切り出した磁器の両面および周囲を研磨し、表面上に薄
いワックス層を付着させ、焼結密度の測定試料とした。

密度の測定はへキサクロール−１，３−ブタジェン（２
０８Ｃの密度１．６８２ ？／ｃ肩）を浸漬液としてア
ルキメデス法により行った。

第２表は各測定位置での焼結密度およびその標準偏差（
σ）を示したものである。

第２表からこの発明によるものは焼結磁器の各位置にお
ける密度バラツキすなわちσが大幅に改善されているこ
とがわかる。

次に上記したターゲットを用いて高周波スパッタリング
法により酸化亜鉛の圧電結晶膜を作成した。

第２図は高周波スパッタリング法のうち高周波２極スパ
ツタリング法を実施するための装置を示す。

１は気密容器（ベルジャ）を示し、この気密容器１には
一対の平行平板状の陰極２と陽極３が配置されている。

陰極２の上には上記した各ターゲット試料４が固定され
る。

５はシャッタである。陽極３には被着物となるガラス、
金属などの基板６が固定され、この基板６はスパッタリ
ング中で２００〜５００°Ｃの範囲で加熱される。

７は排気孔、８はガス導入口である。

高周波スパッタリングをするには、気密容器１を密封し
たのち排気孔７からＩ Ｘ １０−６ｔｏｒｎ以上の真
空度になるように排気する。

次にガス導入口。８からアルゴン、酸素あるいは酸素と
アルゴンの混合ガスを導入し、ガス圧が１刈０−１〜ｌ
Ｘｌ０−”ｔｏｒｒになるようにする。

陰極２には高周波電源９により高周波電圧を印加する。

ターゲット試料４には単位面積当たり２〜１０ Ｗ／ｃ
ｍの高周波電力を供給する。

酸化亜鉛の圧電結晶膜は実際に次のスパッタリング条件
により行った。

混合ガス比；アルゴン：酸素＝９０容量％二１０容量％ 圧 カニ ２Ｘ １０−５ｔｏｒｒ 高周波電源の周波数； １３．５６ＭＨｚ高周波電源の
電力； ６ Ｗ／ｃｒｒＬ 被着而のガ被着基板温度；３５０°Ｃ 上記した条件によりスパッタリングを行い、圧電結晶膜
の膜質を調べたところ、第１表に示すような結果であっ
た。

第１表からリンを含有させることにより膜質の良好な圧
電結晶膜が得られている。

さらに、各ターゲット試料に印加できる最大入力電力と
焼結密度の関係を測定したところ第３図のような結果を
示した。

なお、ターゲット試料は２０個の平均値で、そのバラツ
キも第３図に示した。

第３図からこの発明によるものは従来のものにくらべ最
大入力電力が２倍以上となり、結晶膜の形成速度を２倍
以上にすることができ、量産性を高めることができると
いう効果を有する。

なお、この発明において酸化亜鉛にリンを含有させる範
囲は０．０１〜２０原子％にあればよい。

つまり、０．０１原子％未満では焼結性に効果はなく、
２０原子％より大きくなると粒子成長を起しかえって焼
結性の低下を招く。

また、リン単体あるいは酸化物などの化合物を添加物と
して用いても同様の効果が得られる。

以上のようにこの発明によれば、従来のターゲットにく
らべ焼結密度が高く、その密度のバラツキが１枚のター
ゲット内で小さなものが得られる。

また、最大入力電力の大きなものが得られ、しかも結晶
膜の品質の良いものが量産性よく得られるという効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はターゲット試料から焼結密度を測定するための
試料を切り出すための説明図、第２図は高周波２極スパ
ツタリング装置、第３図はターゲット試料に印加できる
最大入力電力と焼結密度の関係を示す図である。 １・・・・・・気密容器、２・・・・・・陰極、３・・
・・・・陽極、４・・・・・・ターゲット、６・・・・
・・基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 高周波スパッタリングに用いるターゲットと２して
   、酸化亜鉛にリンを含有させたこ吉を特徴とする高周波
   スパッタリング用酸化亜鉛系磁器。