JPS5823966B2 - チヨクリユウゾウフクキ - Google Patents
チヨクリユウゾウフクキInfo
- Publication number
- JPS5823966B2 JPS5823966B2 JP50087763A JP8776375A JPS5823966B2 JP S5823966 B2 JPS5823966 B2 JP S5823966B2 JP 50087763 A JP50087763 A JP 50087763A JP 8776375 A JP8776375 A JP 8776375A JP S5823966 B2 JPS5823966 B2 JP S5823966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- stage
- voltage
- drain
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/3455—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラジオ受信機の同調指示回路やその他の回路に
使用する直流増幅器に係り、簡単な構成で減電圧特性の
優れた直流増幅器を提供しようとするものである。
使用する直流増幅器に係り、簡単な構成で減電圧特性の
優れた直流増幅器を提供しようとするものである。
一般に直流増幅回路は直流成分のみを増幅すれば良いの
であるが、ラジオ受信機の同調指示回路やその他の回路
に使用すると直流増幅回路そのものの特性上高周波成分
も同時に増幅し、高域で発振することがある。
であるが、ラジオ受信機の同調指示回路やその他の回路
に使用すると直流増幅回路そのものの特性上高周波成分
も同時に増幅し、高域で発振することがある。
そのため、従来では特別に高域をカットするフィルター
を附加したり高域成分を負帰還させるための負帰還回路
を附加したりしており、その構成が非常に煩雑化してい
た。
を附加したり高域成分を負帰還させるための負帰還回路
を附加したりしており、その構成が非常に煩雑化してい
た。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するものであり
、簡単な構成で減電圧特性の優れた直流増幅器を提供す
るものである。
、簡単な構成で減電圧特性の優れた直流増幅器を提供す
るものである。
以下、本発明の直流増幅器について一実施例の図面とと
もに説明する。
もに説明する。
図において、１は増幅しようとする直流出力源、ＴＲ，
はゲートが直流出力源１に接続され、ソースがアースさ
れた電界効果型トランジスタ、Ｒ１ｙ Ｒ２は電界効果
型トランジスタＴＲ，のドレインと十Ｂ電源との間に直
列に接続された抵抗、Ｒ３は電界効果型トランジスタＴ
ＲＩのゲートとアースとの間に接続されたバイアス抵抗
、Ｄｌは抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続点とアースとの間に接続
された定電圧用のダイオード、ＴＲ２はベースが電界効
果型トランジスタＴＲ，のドレインに直結されエミッタ
が抵抗山を介してアースされた後段のトランジスタ、Ｍ
はトランジスタＴＲ２のコレクタと十Ｂ電源との間に接
続されたメータ等の負荷である。
はゲートが直流出力源１に接続され、ソースがアースさ
れた電界効果型トランジスタ、Ｒ１ｙ Ｒ２は電界効果
型トランジスタＴＲ，のドレインと十Ｂ電源との間に直
列に接続された抵抗、Ｒ３は電界効果型トランジスタＴ
ＲＩのゲートとアースとの間に接続されたバイアス抵抗
、Ｄｌは抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続点とアースとの間に接続
された定電圧用のダイオード、ＴＲ２はベースが電界効
果型トランジスタＴＲ，のドレインに直結されエミッタ
が抵抗山を介してアースされた後段のトランジスタ、Ｍ
はトランジスタＴＲ２のコレクタと十Ｂ電源との間に接
続されたメータ等の負荷である。
上記実施例において直流出力源１より取出された直流出
力は前段の電界効果型トランジスタＴＲ。
力は前段の電界効果型トランジスタＴＲ。
と後段のトランジスタＴＲ２で増幅され後段のトランジ
スタＴＲ２のコレクタに現われるのであるが、この場合
、前段のトランジスタＴＲＩに電界効果型トランジスタ
を使用し、前段のトランジスタＴＲ１のドレインには抵
抗Ｒ１とダイオードＤＩによって安定化された１、２Ｖ
程度の低電圧が抵抗Ｒ２を介して印加されているため、
前段のトランジスタＴＲＩにおけるドレイン、ソース間
の電圧は非常に低い値に抑えられ遮断周波数が極端に低
下する。
スタＴＲ２のコレクタに現われるのであるが、この場合
、前段のトランジスタＴＲＩに電界効果型トランジスタ
を使用し、前段のトランジスタＴＲ１のドレインには抵
抗Ｒ１とダイオードＤＩによって安定化された１、２Ｖ
程度の低電圧が抵抗Ｒ２を介して印加されているため、
前段のトランジスタＴＲＩにおけるドレイン、ソース間
の電圧は非常に低い値に抑えられ遮断周波数が極端に低
下する。
すなわち、電界効果型トランジスタＴＲＩはそのドレイ
ンソース間電圧が低電圧となるとドレイン電流が小さく
なり、またゲートソース間電圧が小さくなるとドレイン
電流が小さくなるものであるが、たとえばドレイン−ソ
ース間電圧が約０．５ｖ以上で直流増幅作用を有する。
ンソース間電圧が低電圧となるとドレイン電流が小さく
なり、またゲートソース間電圧が小さくなるとドレイン
電流が小さくなるものであるが、たとえばドレイン−ソ
ース間電圧が約０．５ｖ以上で直流増幅作用を有する。
また、電界効果型トランリスタＴＲＩはそのドレイン−
ソース間電圧を非常に小さくすることにより高周波での
電力利得が低下し、遮断周波数が極端に低下する。
ソース間電圧を非常に小さくすることにより高周波での
電力利得が低下し、遮断周波数が極端に低下する。
したがって、直流出力源１から得られた直流出力中に高
周波成分が含まれていたとしてもこれは前段のトランジ
スタＴＲＩではゾ完全に遮断され直流成分のみを正確に
増幅することになる。
周波成分が含まれていたとしてもこれは前段のトランジ
スタＴＲＩではゾ完全に遮断され直流成分のみを正確に
増幅することになる。
そして前段のトランジスタＴＲ１と後段のトランジスタ
ＴＲ２とは互に直結されているため、後段のトランジス
タＴＲ２のベースにはダイオードＤＩによって安定化さ
れた電圧が抵抗Ｒ２を介してベースバイアスとして印加
されることになり前段のトランジスタＴＲ１，後段のト
ランジスタＴＲ２共に電源電圧の変動による影響を受は
難く全体の動作も著しく安定するものである。
ＴＲ２とは互に直結されているため、後段のトランジス
タＴＲ２のベースにはダイオードＤＩによって安定化さ
れた電圧が抵抗Ｒ２を介してベースバイアスとして印加
されることになり前段のトランジスタＴＲ１，後段のト
ランジスタＴＲ２共に電源電圧の変動による影響を受は
難く全体の動作も著しく安定するものである。
このように、本発明によれば簡単な構成で高周波成分を
増幅する機能をなくし、全体の動作を安定させることが
でき、きわめて有用なものである。
増幅する機能をなくし、全体の動作を安定させることが
でき、きわめて有用なものである。
図は本発明の直流増幅器における一実施例の電気的結線
図である。 １・・・・・・直流出力源、ＴＲＩ・・・・・・電界効
果型トランジスタ、ＴＲ２・・・・・・トランジスタ、
Ｒ１−Ｒ４・・・・・・抵抗、ＤＩ・・・・・・ダイオ
ード、Ｍ・・・・・・負荷。
図である。 １・・・・・・直流出力源、ＴＲＩ・・・・・・電界効
果型トランジスタ、ＴＲ２・・・・・・トランジスタ、
Ｒ１−Ｒ４・・・・・・抵抗、ＤＩ・・・・・・ダイオ
ード、Ｍ・・・・・・負荷。
Claims (1)
- １ 前段の増幅素子として電界効果型トランジスタを使
用し、このトランジスタのドレインに後段のトランジス
タのベースを直結すると共に、上記前段のトランジスタ
のドレインに負荷抵抗を介して上記前段のトランジスタ
の遮断周波数が上記前段のトランジスタのゲートに印加
される直流出力中の高周波成分以下になるような低電圧
に安定化された電圧を印加し、後段のトランジスタのベ
ース、エミッタ間電圧を上記負荷抵抗を介して電圧安定
化して成る直流増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087763A JPS5823966B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | チヨクリユウゾウフクキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087763A JPS5823966B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | チヨクリユウゾウフクキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5211749A JPS5211749A (en) | 1977-01-28 |
| JPS5823966B2 true JPS5823966B2 (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=13923980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50087763A Expired JPS5823966B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | チヨクリユウゾウフクキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823966B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144227A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Nishikawa Rubber Co Ltd | シール部摺動面とその表面処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU714533A2 (ru) * | 1977-09-06 | 1980-02-05 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт | Переключающее устройство |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438862B2 (ja) * | 1973-09-20 | 1979-11-24 |
-
1975
- 1975-07-16 JP JP50087763A patent/JPS5823966B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144227A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Nishikawa Rubber Co Ltd | シール部摺動面とその表面処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5211749A (en) | 1977-01-28 |
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