JPS5826660B2 - タコウシツシリコンノセイゾウホウホウ - Google Patents
タコウシツシリコンノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5826660B2 JPS5826660B2 JP50123553A JP12355375A JPS5826660B2 JP S5826660 B2 JPS5826660 B2 JP S5826660B2 JP 50123553 A JP50123553 A JP 50123553A JP 12355375 A JP12355375 A JP 12355375A JP S5826660 B2 JPS5826660 B2 JP S5826660B2
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- JP
- Japan
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- silicon
- porous silicon
- silicon substrate
- predetermined region
- selectively
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は選択的多孔質シリコンの生成方法に関するもの
である。
である。
シリコン基体を電解質溶液たとえば弗化水素酸水溶液に
浸漬し、陽極処理を施こすとシリコン基体主表面に多孔
質シリコンが生成される。
浸漬し、陽極処理を施こすとシリコン基体主表面に多孔
質シリコンが生成される。
多孔質シリコンはシリコン単結晶に比べ熱酸化速度が極
めて速く、かつ低温度での熱酸化も可能であるので、低
温度短時間の熱酸化で厚い酸化硅素膜を得ることができ
、ＩＣの素子間絶縁分離への応用が試みられている。
めて速く、かつ低温度での熱酸化も可能であるので、低
温度短時間の熱酸化で厚い酸化硅素膜を得ることができ
、ＩＣの素子間絶縁分離への応用が試みられている。
その際、多孔質シリコンをシリコン基体主表面に選択的
に生成しなければならない。
に生成しなければならない。
従来、シリコン基体に選択的に多孔質シリコンを生成す
るには、シリコン基体主表面に選択的に耐電解質溶液性
膜たとえば窒化硅素膜を被着し、陽極処理を行なってい
た。
るには、シリコン基体主表面に選択的に耐電解質溶液性
膜たとえば窒化硅素膜を被着し、陽極処理を行なってい
た。
かかる方法により選択的に多孔質シリコンを生成すると
、第１図に示すように多孔質シリコンは横方向にも広が
って生成される。
、第１図に示すように多孔質シリコンは横方向にも広が
って生成される。
１はシリコン基体、２は窒化硅素膜、３は多孔質シリコ
ン、４は多孔質シリコンの横方向広がりである。
ン、４は多孔質シリコンの横方向広がりである。
我々の実験によると横方向広がり４は多孔質シリコン３
の膜厚の０．７〜０．９にも達している。
の膜厚の０．７〜０．９にも達している。
選択的多孔質シリコンの生成において、横方向広がりが
生じることは、多孔質シリコンをＩＣやＬＳＩなどに適
用した場合に集積度の向上を妨げることになる。
生じることは、多孔質シリコンをＩＣやＬＳＩなどに適
用した場合に集積度の向上を妨げることになる。
本発明は横方向広がりの生じない選択的多孔質シリコン
の製造方法を提供するものである。
の製造方法を提供するものである。
多孔質シリコンが横方向に広がって生成されるのは、陽
極処理による電流がシリコン基体の裏面全体から選択的
領域へ集中する為である。
極処理による電流がシリコン基体の裏面全体から選択的
領域へ集中する為である。
それ数多孔質シリコンの横方向広がりをなくすには、電
流通路を裏面から選択的領域へ末広がりとなるように設
ければよいことがわかる。
流通路を裏面から選択的領域へ末広がりとなるように設
ければよいことがわかる。
電流通路を上述したように設けるにはシリコン基体の裏
面のコンタクト領域を選択的多孔質シリコンの領域に等
しいかあるいは小さくすればよい。
面のコンタクト領域を選択的多孔質シリコンの領域に等
しいかあるいは小さくすればよい。
以下本発明の一実施例を図面と共に説明する。
第２図は本発明の一実施例における基板断面を示すもの
である。
である。
ａはシリコン基体１の主表面１１に選択的に窒化硅素膜
２を被覆し、１の裏面１２に多孔質シリコンを生成すべ
き領域１３に等しいかあるいは小さい領域１４に金属電
極層１５を蒸着により形成した後、陽極処理により多孔
質シリコン３を生成したものである。
２を被覆し、１の裏面１２に多孔質シリコンを生成すべ
き領域１３に等しいかあるいは小さい領域１４に金属電
極層１５を蒸着により形成した後、陽極処理により多孔
質シリコン３を生成したものである。
同図すは同図ａにおいて金属電極１５を形成する前にシ
リコン基体１と金属電極層１５のコンタクトをより良く
取るために基体１と同−導電線不純物拡散層１６を設け
たものである。
リコン基体１と金属電極層１５のコンタクトをより良く
取るために基体１と同−導電線不純物拡散層１６を設け
たものである。
かかる方法により多孔質シリコン３の横方向広がり４を
生じなくすることができた。
生じなくすることができた。
第３図は本発明の他の実施例である。
多孔質シリコンの生成方法にはシリコン基体自体を陽極
電極として用いる方法と、シリコン基体の裏面を導電性
性質を有する液体あるいは電解質溶液すなわち電極液に
接触させることにより電極を取る本発明者らの提案にか
かる間接電極方法があり、本実施例は後者の方法による
横方向広がりの生じない多孔質シリコンの生成方法であ
る。
電極として用いる方法と、シリコン基体の裏面を導電性
性質を有する液体あるいは電解質溶液すなわち電極液に
接触させることにより電極を取る本発明者らの提案にか
かる間接電極方法があり、本実施例は後者の方法による
横方向広がりの生じない多孔質シリコンの生成方法であ
る。
ａはシリコン基体１の主表面１１に選択的に窒化硅素膜
２を被着し、１の裏面１２に多孔質シリコンを生成すべ
き領域１３に等しいかあるいは小さい領域１４以下の領
域１８に窒化硅素膜１７を選択的に被着し、間接電極方
法により多孔質シリコン３を生成したものである。
２を被着し、１の裏面１２に多孔質シリコンを生成すべ
き領域１３に等しいかあるいは小さい領域１４以下の領
域１８に窒化硅素膜１７を選択的に被着し、間接電極方
法により多孔質シリコン３を生成したものである。
同図すは領域１４にシリコン基体１と電解液とのコンタ
クトをより良く取るために基体１と同−導電線不純物拡
散層１６を設けたものである。
クトをより良く取るために基体１と同−導電線不純物拡
散層１６を設けたものである。
かかる方法により多孔質シリコン３の横方向広がり４を
生じなくすることができた。
生じなくすることができた。
本実施例では選択的多孔質シリコン生成のマスクとして
窒化硅素膜を用いたが、限定されるものではなく耐電解
質溶液性被膜であれば良い。
窒化硅素膜を用いたが、限定されるものではなく耐電解
質溶液性被膜であれば良い。
また第３図において、シリコン基体の裏面の選択的にコ
ンタクトを取るためのマスクとして窒化硅素膜を用いた
が、これも限定されるものではなく、耐電極液性被膜で
あれば良い。
ンタクトを取るためのマスクとして窒化硅素膜を用いた
が、これも限定されるものではなく、耐電極液性被膜で
あれば良い。
またコンタクトをより良く取るためのシリコン基体裏面
の不純物拡散層１６は領域１４に限定されるものではな
い。
の不純物拡散層１６は領域１４に限定されるものではな
い。
以上述べたように、本発明によると横方向広がりの生じ
ない選択的多孔質シリコンを生成することが可能となる
。
ない選択的多孔質シリコンを生成することが可能となる
。
第１図は従来の方法により多孔質シリコンの作成された
シリコン基板の構造断面図、第２図ａ。 ｂは本発明の一実施例における多孔質シリコンの作成過
程のシリコン基板の構造図、第３図ａ、ｂは同他の実施
例のシリコン基板の構造図である。 １・・・・・・シリコン基体、２・・・・・・窒化硅素
膜、３・・・多孔質シリコン、１１・・・・・・シリコ
ン基体主表面、１２・・・・・・シリコン基体裏面、１
３・・・・・・選択的多孔質シリコン生成領域、１４・
・・・・・コンタクト領域、１５・・・・・・金属電極
層、１６・・・・・・不純物拡散層、１７・・・・・・
窒化硅素膜、１８・・・・・・コンタクト以外の領域。
シリコン基板の構造断面図、第２図ａ。 ｂは本発明の一実施例における多孔質シリコンの作成過
程のシリコン基板の構造図、第３図ａ、ｂは同他の実施
例のシリコン基板の構造図である。 １・・・・・・シリコン基体、２・・・・・・窒化硅素
膜、３・・・多孔質シリコン、１１・・・・・・シリコ
ン基体主表面、１２・・・・・・シリコン基体裏面、１
３・・・・・・選択的多孔質シリコン生成領域、１４・
・・・・・コンタクト領域、１５・・・・・・金属電極
層、１６・・・・・・不純物拡散層、１７・・・・・・
窒化硅素膜、１８・・・・・・コンタクト以外の領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン基体の一方の主面に多孔質シリコンを形成
すべき所定の領域に開口部を有する絶縁被膜を形成する
工程、前記基体の他方の主面に前記所定の領域に対応し
、前記所定の領域に形成した前記開口部より小さい領域
を有する電極部を形成する工程、および前記電極部を用
いて前記所定の領域に陽極処理により多孔質シリコンを
形成する工程とを含むことを特徴とする多孔質シリコン
の製造方法。 ２ 上記電極部が、多孔質シリコンを形成すべき所定の
領域に対応し、前記所定の領域に形成した絶縁被膜の開
口部より小さい開口部を有する線環被膜よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多孔質シリコ
ンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50123553A JPS5826660B2 (ja) | 1975-10-13 | 1975-10-13 | タコウシツシリコンノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50123553A JPS5826660B2 (ja) | 1975-10-13 | 1975-10-13 | タコウシツシリコンノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5246340A JPS5246340A (en) | 1977-04-13 |
| JPS5826660B2 true JPS5826660B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=14863440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50123553A Expired JPS5826660B2 (ja) | 1975-10-13 | 1975-10-13 | タコウシツシリコンノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826660B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049422U (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-06 | 東京瓦斯株式会社 | ガス器具及びガス供給設備点検用テスタ− |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4306951A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-22 | International Business Machines Corporation | Electrochemical etching process for semiconductors |
| JPH10340885A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Tokai Rika Co Ltd | シリコン基板における陽極化成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3954523A (en) * | 1975-04-14 | 1976-05-04 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating devices having dielectric isolation utilizing anodic treatment and selective oxidation |
-
1975
- 1975-10-13 JP JP50123553A patent/JPS5826660B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049422U (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-06 | 東京瓦斯株式会社 | ガス器具及びガス供給設備点検用テスタ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5246340A (en) | 1977-04-13 |
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