JPS5851414B2 - ヨウキヨクサンカホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は陽極酸化の方法に係り、特に耐食性膜をマス
ク及び電極として用い半導体膜を陽極酸化する方法に関
する。

シリコンを陽極酸化する際、一般にマスクとして窒化膜
を用い、電荷供給方法として、シリコン基体の裏面に白
金を蒸着し、弗酸溶液中でシリコンを陽極として、シリ
コン表面を選択的にエツチング又は酸化する方法が知ら
れている。

従来技術ではＮ型シリコン基板上のＰ型シリコン或いは
絶縁基体上のシリコン膜を陽極側としこれを選択的に酸
化したり、エツチングすることは非常に困難である。

なぜならば、後者の場合は、裏面に白金電極を設けても
基板Ｓｉと導通を得ることは不可能であり、Ｎ型シリコ
ン基板上にＰ形シリコンが設けられている場合、ｎ形シ
リコン基板表面に白金電極を設は陽極にした場合、わず
かしか電流が流れず反応が生じ難いからである。

又ウェハ側面から電荷を供給しようとしても電流の流れ
る経路が長くなり酸化が不均一に進行してしまう。

この発明の目的は従来選択的に、陽極酸化又は陽極エッ
チすることが困難であると考えられていた、Ｎ型シリコ
ン基板上のＰ型シリコン膜や、絶縁体上のシリコン等を
選択的に陽極酸化することの可能な方法を提供するにあ
る。

。 基板上のＰ型シリコン膜を陽極酸化する場合を例にとっ
て、本発明を説明する。

ｎ型基板１上のＰ型シリコン膜２上に白金等の耐食性の
導電体３を蒸着する。

さらにその上に二酸化シリコンのような耐酸性物質４を
被着し、通常のＰＥＰ工程によって所定のパターンを得
る。

次にこのＳｉＯ２をマスクにして第１図Ａの如く酸によ
り白金を選択的に取り除く。

マスクに用いた５ｉｎ２をＮ Ｈ４Ｆで取り除き、パタ
ーニングされた白金を陽極酸化のマスク及びその一部を
電極として、ｎ型基板上のＰ型シリコンを選択的に陽極
酸化する。

この時白金によってマスクされない部分のみが第１図Ｂ
の如く反応膜５になる。

半導体ＩＣの場合第２図に示す如く孤立パターン６を残
してエツチングしたい時にはウェハー全面にわたって配
線（電荷供給源）となるようなスクライブラインＴを陽
極として用いれば孤立パターン６の白金マスクに電流を
供給しなくても目的を達成できる。

ｎ型基板上のＰ型シリコンを用いたＩＣにおいて、陽極
反応生成物である多孔質シリコンを用いた絶縁分離技術
を適用することが困難であった。

本発明に用いることにより、ｎ型基板上のＰ型シリコン
を用いたＩＣに多孔質シリコンを用いた絶縁分離方法を
使用してより高速なＩＣを作ることも可能となった。

同様に誘電体分離等の絶縁基板上のシリコンを用いて、
ＩＣを作る場合、陽極反応でできる多孔質シリコンを用
いた絶縁分離技術を適用できないという制限があったが
、本発明を用いることにより絶縁基板上のＬＳＩに多孔
質シリコンを用いた絶縁分離方法を使用してより高速な
ＩＣを作ることも可能となった。

本発明の第２の実施例としてＮ型シリコン基体上のＰ型
シリコン層を陽極酸化する場合について述べる。

一般にシリコンを陽極酸化する場合、弗酸ＨＦ中にて白
金電極に対しシリコン基板に正の電圧を印加する。

しかしＮ型シリコン基板上のＰ形シリコン層を陽極酸化
する場合、Ｎ形シリコン基板に正の電位を印加すれば、
Ｐ形シリコン層は逆方向の電圧が印加され、電流がほと
んど流れず、Ｐ形シリコン層は陽極酸化がほとんど神行
せずＮ形シリコン層において進行する。

したがってＰ形シリコン層に所望の部分のみ陽極酸化を
行うためには、例えば将来スクライブラインとなる個所
に耐陽極酸化マスクとなり且つ電流路を形成する白金パ
ターンを設ければよい。

白金の代わりに他の耐蝕性金属を用いてもよいことは言
うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ、Ｂは本発明の一実施例を説明するための工程
断面図、第２図は、本発明で電極の取り出し方を説明す
る平面図である。 図において、３・・・・・・導電体パターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 耐食性導電体をマスクとして半導体層を陽極酸化し
   、半導体層を選択的に陽極酸化することを特徴とする陽
   極酸化方法。