JPS5831671B2 - magnetic bubble memory module - Google Patents
magnetic bubble memory moduleInfo
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- JPS5831671B2 JPS5831671B2 JP52125127A JP12512777A JPS5831671B2 JP S5831671 B2 JPS5831671 B2 JP S5831671B2 JP 52125127 A JP52125127 A JP 52125127A JP 12512777 A JP12512777 A JP 12512777A JP S5831671 B2 JPS5831671 B2 JP S5831671B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2組の回転磁界発生コイルを実装可能で、し
かもバイアス磁界をチップに加える磁気回路を磁気シー
ルド型とした磁気バブルメモリモジュールの放熱方式に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a heat dissipation method for a magnetic bubble memory module in which two sets of rotating magnetic field generating coils can be mounted and a magnetic circuit that applies a bias magnetic field to a chip is of a magnetic shield type.
磁気バブルチップを動作するには、チップ同に垂直な6
0〜2000e程度のバイアス磁界と、チップ面内に回
転する20〜600e程度の回転磁界とを加える必要が
ある。To operate the magnetic bubble chip, 6 points perpendicular to the chip must be
It is necessary to apply a bias magnetic field of about 0 to 2000 e and a rotating magnetic field of about 20 to 600 e that rotates within the chip plane.
このうち回転磁界はチップ1を塔載した基板2の1わり
に互に直交して巻いた2つのコイル3,4に互に90度
の位相差を有する正弦波電流や三角波電流を流すことに
より発生する。Among these, the rotating magnetic field is generated by passing a sine wave current or triangular wave current having a phase difference of 90 degrees between two coils 3 and 4 wound orthogonally to each other around one part of the substrate 2 on which the chip 1 is mounted. do.
(第1図)一方、バイアス磁界はコイルの上下の整磁板
5,5’(ツユライトなどの平板)と、永久磁石6,6
′により発生する。(Fig. 1) On the other hand, the bias magnetic field is generated by the magnetization plates 5, 5' (flat plates such as tuyulite) above and below the coil, and by the permanent magnets 6, 6.
′ occurs.
(第2図)正弦波電流をコイル3,4に流すと、コイル
の損失抵抗によりコイルが発熱する。(Fig. 2) When a sinusoidal current is passed through the coils 3 and 4, the coils generate heat due to the loss resistance of the coils.
このときの損失電力をPとし、コイル電流振幅を■L、
コイルO損失抵抗をRLとすると、
この損失による発熱は、コイルの温度を上昇させる。The loss power at this time is P, and the coil current amplitude is ■L,
Assuming that the coil O loss resistance is RL, the heat generated by this loss increases the temperature of the coil.
従ってコイル中に実装したチップの温度も上昇する。Therefore, the temperature of the chip mounted in the coil also rises.
たとえば9間角のチップを8枚塔載した基板を2枚実装
するモジュールを例にとってみる。For example, consider a module in which two boards each having eight 9-square chips mounted thereon are mounted.
コイル3,4の形状、インダクタンス、損失抵抗、消費
電力は表1のようになる。Table 1 shows the shape, inductance, loss resistance, and power consumption of the coils 3 and 4.
ただし、動作周波数は500KHz、回転磁界振幅は4
00eとする。However, the operating frequency is 500KHz, and the rotating magnetic field amplitude is 4
Set to 00e.
この形状のコイルを実装する第1図のごとき磁石ブロッ
クにおいて、整磁板5,5′の大きさは、100mmX
50mm×2mmとなり、この上下にくる放熱フィン
は、ioo間X5QmmX8間の大きさくただし第2図
のようh凹凸を表面に有する。In the magnet block shown in Fig. 1 in which a coil of this shape is mounted, the size of the magnetic shunt plates 5, 5' is 100 mm
The size is 50 mm x 2 mm, and the upper and lower heat dissipation fins have a size of ioo x 5 Q mm x 8, but have unevenness on the surface as shown in Fig. 2.
)である。).
このモジュールの消費電力は全体で約12Wであり、チ
ップの温度上昇は約20℃となる。The total power consumption of this module is about 12W, and the temperature rise of the chip is about 20°C.
一方、バイアス磁界に対する、外部磁界の影響を小さく
するために、第3図に示すように、シールド型のバイア
ス磁気回路を用いる必要がある。On the other hand, in order to reduce the influence of external magnetic fields on the bias magnetic field, it is necessary to use a shield type bias magnetic circuit as shown in FIG.
この場合には、5 、5’、 5“の3枚の整磁板(形
状は第2図と同じ)と6 、6’、 6“、6“04個
の永久磁石によりバイアス磁気回路を構成する。In this case, a bias magnetic circuit is constructed by three magnetic shunt plates 5, 5', 5" (the shape is the same as in Figure 2) and 4 permanent magnets 6, 6', 6", 6". do.
8は外乱磁界のシー)L/−ド用磁性体であり、5 、
5v)整磁板の周囲をとり囲んでいる。8 is a magnetic material for the seed (L/-) of the disturbance magnetic field; 5,
5v) Surrounds the magnetic field shunt plate.
(厚さは2mm程度)この時、上下2ケ所に回転磁界コ
イル3 、3’、 4 。(The thickness is about 2 mm) At this time, there are rotating magnetic field coils 3, 3', and 4 in two places, upper and lower.
4′を実装できる。4' can be implemented.
従って第2図の構成の場合に較べて2倍の数のチップを
1台の磁気回路中に実装しうる。Therefore, twice as many chips can be mounted in one magnetic circuit as compared to the configuration shown in FIG.
第3図の磁気シールド型のメモリモジュールの欠点は、
コイルの放熱が良くないことである。The disadvantages of the magnetically shielded memory module shown in Figure 3 are:
The heat dissipation of the coil is poor.
3と4のコイルに着目し、第2図の場合と比較してみる
。Let's focus on coils 3 and 4 and compare them with the case in Figure 2.
第2図の場合には、整磁板5,5′を通して、放熱フィ
ン7.7′から熱を放熱しうる。In the case of FIG. 2, heat can be radiated from the radiation fins 7, 7' through the magnetic field shunt plates 5, 5'.
一方、第3図の場合には、内側の5′の整磁板に伝わっ
た熱は容易に外に引き出されない。On the other hand, in the case of FIG. 3, the heat transmitted to the inner magnetism plate 5' is not easily drawn out.
従って整磁板5と、放熱フィン7の側からの放熱効果だ
けしか期待できない。Therefore, only the heat radiation effect from the magnetic field shunt plate 5 and the radiation fin 7 side can be expected.
従って、第3図の構造にすると、第2図O場今にくらべ
て、同じ消費電力に対するチップの温度上昇が2〜3倍
増大することにiる。Therefore, if the structure shown in FIG. 3 is adopted, the temperature rise of the chip for the same power consumption will be 2 to 3 times larger than that in the case shown in FIG. 2.
従って第2図のモジュールの場合には12°Cであった
チップの温度上昇が、第3図の場合には、1組のコイル
だけを駆動したとして、約30’Cの温度上昇となる。Therefore, the temperature rise of the chip, which was 12°C in the case of the module shown in FIG. 2, becomes approximately 30°C in the case of FIG. 3, assuming that only one set of coils is driven.
また、第3図の場合に、2組のコイルを同時に駆動する
と、消費電力は2倍になシ、温**度上昇は40℃以上
とさらに増大する。Moreover, in the case of FIG. 3, if two sets of coils are driven at the same time, the power consumption will be doubled and the temperature rise will further increase to 40 degrees Celsius or more.
(コイルの形状第2図の場合と同じである。(The shape of the coil is the same as that shown in Fig. 2.
)本発明は、上記のような磁気シールド型磁気バブルメ
モリモジュールの放熱効果を改善することを目的とする
。) The object of the present invention is to improve the heat dissipation effect of the magnetically shielded magnetic bubble memory module as described above.
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.
実施例 1 第4図に示すのが本発明の第1の実施例である。Example 1 FIG. 4 shows a first embodiment of the present invention.
すなわち、内側の整磁板を5′と5″′の2枚に分け、
この両者の間に放熱板9(たとえばアルミ板)を入れる
。In other words, divide the inner magnetic field shunt plate into two pieces, 5' and 5''',
A heat sink 9 (for example, an aluminum plate) is inserted between the two.
この板をモジュールの外側で広げて、第5図に示す平面
形状となるようにする。This plate is spread out on the outside of the module so that it has the planar shape shown in FIG.
第2図釦よび表IVC示したのと同一寸法のチップ、コ
イルを実装する場合に、整磁板5 、5’、 5“、5
″′はすべて同一形状とし、大きさは1007ItTL
×501rL7IL×2山となる。When mounting chips and coils with the same dimensions as those shown in the button in Figure 2 and Table IVC, use the magnetic shunt plates 5, 5', 5", 5.
All ″′ have the same shape, and the size is 1007ItTL
x501rL7IL x 2 mountains.
放熱用の板9の厚さは、たとえば2im(0,5mπ〜
4m礼程度が適した厚さ)とする。The thickness of the heat dissipation plate 9 is, for example, 2im (0.5mπ~
The appropriate thickness is approximately 4m.
平面形状は、モジュール内部では整磁板と同寸法とし、
モジュール外部では、両側に整磁板と同等の面積程度か
らこれの4〜5倍の面積を有する形状とする。The planar shape is the same size as the magnetic shunt plate inside the module.
On the outside of the module, the shape has an area on both sides ranging from about the same area as the magnetic field shunt plate to 4 to 5 times the area.
この構造とすれば、コイル3,40発生する熱は、整磁
板5、シールドケース8を通って放熱フィン7から放散
する他に、整磁板5′を通して放熱板9から放散しうる
。With this structure, the heat generated by the coils 3 and 40 can be radiated not only from the radiation fins 7 through the magnetic shunt plate 5 and the shield case 8, but also from the heat sink 9 through the magnetic shunt plate 5'.
同様にコイル3/、 4/の発生する熱は、整磁板5″
、シールドケース8を通して放熱フィン7′から放散す
る他に、整磁板5″′を通して9の放熱板から放散しう
る。Similarly, the heat generated by the coils 3/ and 4/ is transferred to the magnetic shunt plate 5''
In addition to dissipating from the heat dissipating fins 7' through the shield case 8, it can also dissipate from the heat dissipating plate 9 through the magnetic field shunt plate 5''.
このような構造とすることにより、放熱効果は著しく向
上する。With such a structure, the heat dissipation effect is significantly improved.
第3図の場合にチップの温度上昇(1組Oコイルを駆動
する時)が30℃であったのが、本発明の第4図では1
5℃程度とすることができる。In the case of Fig. 3, the temperature rise of the chip (when driving one set of O coils) was 30°C, but in Fig. 4 of the present invention, the temperature rise of the chip was 1
The temperature can be about 5°C.
(周波数5001Glz、回転磁界振幅400e)2組
のコイルを同時に駆動する場合には、第3図の場合には
45℃程度の温度上昇であったのが、本発明の第4図で
は23℃程度になった。(Frequency 5001Glz, rotating magnetic field amplitude 400e) When driving two sets of coils simultaneously, the temperature rise was about 45°C in the case of Fig. 3, but it was about 23°C in Fig. 4 of the present invention. Became.
いずれの場合にも、チップの温度上昇を、本発明により
約1/2にすることが可能となった。In either case, the present invention has made it possible to reduce the temperature rise of the chip to about 1/2.
内側の整磁板を5′と5″′の2枚に分けた場合、4個
の永久磁石6.6’。If the inner magnetic shunt plate is divided into two pieces, 5' and 5'', there are 4 permanent magnets 6.6'.
6“、6″の磁化の強さが異ると、5と5″の整磁板の
磁位が異ることになる。If the magnetization strengths of 6" and 6" differ, the magnetic potentials of the magnetic shunt plates 5 and 5" will differ.
一方、8のシールドケースを通して5と5v)整磁板の
磁位は同一に保たれている。On the other hand, the magnetic potentials of the magnetic shunt plates 5 and 5v are kept the same through the shield case 8.
従ってコイル3,4に実装したチップと、コイル3/、
4/に実装したチップとではバイアス磁界が異ること
になる。Therefore, the chips mounted on coils 3 and 4, coil 3/,
The bias magnetic field will be different for the chip mounted in 4/.
しかし、磁石6 、6’。6“、6“′を同時に着磁す
ることにより同一の強さの磁化とできるのでこの問題は
一般にはそれほど大きくない。However, magnets 6, 6'. Generally, this problem is not so serious because magnetization of the same strength can be achieved by magnetizing the magnets 6" and 6"' at the same time.
実施例 2 第6図にその他の1実施例を示す。Example 2 FIG. 6 shows another embodiment.
この場合には、上下の整磁板5,5り外側に、それぞれ
厚さ0.5mm〜1朋程度の放熱板10.10’を入れ
る。In this case, heat radiating plates 10 and 10' having a thickness of about 0.5 mm to 1 mm are placed on the outer sides of the upper and lower magnetic field shunt plates 5, 5, respectively.
この放熱板の1わりにシールドケース8がくる。A shield case 8 comes in place of this heat sink.
この場合には、コイル3,4の熱は、整磁板5を通して
放熱板10から放散する。In this case, the heat of the coils 3 and 4 is radiated from the heat sink 10 through the magnetic field shunt plate 5.
また、コイル3′。4′の熱は整磁板5“を通して放熱
板10′よう放散する。Also, coil 3'. 4' is radiated to the heat sink 10' through the magnetic field shunt plate 5''.
従来の第3図と比較すると、放熱板1での熱抵抗がシー
ルドケース8を通らない分だけ小さくなる。Compared to the conventional structure shown in FIG. 3, the thermal resistance of the heat sink 1 is reduced by the amount that the heat sink 1 does not pass through the shield case 8.
従ってコイルの放熱効果が良く左り、チップの温度上昇
を小さくできる。Therefore, the heat dissipation effect of the coil is improved, and the temperature rise of the chip can be reduced.
第7図にこの構造Oモジュールの平面図を示す。FIG. 7 shows a plan view of this structured O module.
この構造のモジュールでのチップ温度上昇は、実施例1
の場合とほぼ同じである。The chip temperature rise in a module with this structure is as follows in Example 1.
This is almost the same as in the case of .
1組のコイルを駆動する場合には16℃、2組のコイル
を駆動する場合には24℃となった。The temperature was 16° C. when driving one set of coils, and 24° C. when driving two sets of coils.
この場合にも、上下のチップ実装位置でのバイアス磁界
を一致させるために、永久磁石6 、6’。In this case as well, permanent magnets 6 and 6' are used to match the bias magnetic fields at the upper and lower chip mounting positions.
6“、6″を同等に着磁する必要がある。6" and 6" must be equally magnetized.
実施例 3
実施例IKおける、上下のチップ実装位置のバイアス磁
界を一致させるためには、第8図に示す如くすれば良い
、すなわち2枚の整磁板の間にある放熱板9の一部を磁
性体11で置きかえて、整磁板5′と5″′の磁位を等
しくすればよい。Embodiment 3 In order to match the bias magnetic fields at the upper and lower chip mounting positions in Embodiment IK, it is sufficient to do as shown in FIG. It is sufficient to replace it with the body 11 and make the magnetic potentials of the magnetic field shunt plates 5' and 5'' equal.
この構造とすれば、永久磁石6.6’、6“、6″′の
磁化の大きさが数多ずれていても、上下のチップ実装位
装置でのバイアス磁界の値を同一にしうる。With this structure, even if the magnetization magnitudes of the permanent magnets 6.6', 6", and 6"' are different from each other, the values of the bias magnetic fields in the upper and lower chip mounting devices can be made the same.
磁性体11の面積は、整磁板5の2〜5φとすれば十分
である。It is sufficient that the area of the magnetic body 11 is 2 to 5 φ of the magnetic shunt plate 5.
実施例 4
実施例2における、上下のチップ実装位置のバイアス磁
界を一致させるためには、第9図に示す、実施例4のよ
うに、整磁板5,5“とシールドケース8の間にある放
熱用の板10,10′の一部を磁性体12,12’で置
きかえて、整磁板5とシールドケース8、および整磁板
5“とシールドケース8 ;の磁位を等しくすればよい
。Embodiment 4 In order to match the bias magnetic fields at the upper and lower chip mounting positions in Embodiment 2, as in Embodiment 4 shown in FIG. If a part of a certain heat dissipation plate 10, 10' is replaced with a magnetic material 12, 12', the magnetic potentials of the magnetic shunt plate 5 and the shield case 8, and the magnetic shunt plate 5" and the shield case 8; are made equal. good.
この構造とすれば、上下の整磁板5,5め磁位は等しく
なるので、永久磁石6 、6’、 6“、6″′の磁化
の大きさが数多ずれていても、上下のチップ実装位置で
のバイアス磁界の値を同一にしうる。With this structure, the magnetic potentials of the upper and lower magnetic shunt plates 5, 5 are equal, so even if the magnetization levels of the permanent magnets 6, 6', 6", and 6"' are different from each other, the upper and lower magnetic fields are the same. The value of the bias magnetic field at the chip mounting position can be made the same.
この場合にも、磁性体12 、12’の面積は整磁板5
の2〜5%とすれば十分である。Also in this case, the area of the magnetic bodies 12 and 12' is equal to the area of the magnetic shunt plate 5.
2 to 5% of the amount is sufficient.
以上の実施例において、実施例1と実施例2を両方用い
た、3枚の放熱用の板を有するメモリモジュールを形成
することが可能である。In the above embodiments, it is possible to form a memory module having three heat dissipation plates using both the first embodiment and the second embodiment.
しかもこの両者を用いることによりさらに放熱効果を高
めることが可能である。Moreover, by using both of them, it is possible to further enhance the heat dissipation effect.
実施例3、実施例4の両方の放熱用の板を用いることも
同様に可能である。It is also possible to use both the heat dissipation plates of Example 3 and Example 4.
以上の実施例1および実施例2の場合、さらに実施例1
と2の両方を用いた効果を従来例と比較したのが第10
図である。In the case of Example 1 and Example 2 above, further Example 1
The 10th article compares the effects of using both 2 and 2 with the conventional example.
It is a diagram.
この図は、チップの温度上昇の時間変化をそれぞれの場
合について示している。This figure shows the change in temperature of the chip over time for each case.
な釦以上の説明では2組の回転磁界発生用コイルを用い
た場合について述べたが、これは2組に限られるもので
なく、必要に応じてそれ以上の複数組を用いて行ない得
るものであることは勿論である。In the above explanation, we have described the case where two sets of rotating magnetic field generating coils are used, but this is not limited to two sets, and more than one set can be used if necessary. Of course there is.
第1図は磁気バブルメモリ用回転磁界駆動コイル、基板
、チップを示す図、第2図は磁気バブルメモリモジュー
ルの断面図、第3図は磁気シールド型磁気バブルメモリ
モジュールの断面図、第4図は本発明の実施例1による
放熱用の板を含む磁気バブルメモリモジュールの断面図
、第5図は本発明の実施例1による磁気バブルメモリモ
ジュールの平面図、第6図は本発明の実施例2による、
放熱用の板を2枚含む磁気バブルメモリモジュール、第
7図は実施例2の平面図、第8図は実施例3を説明する
図、第9図は実施例4を説明する図第10図は実施例1
,2の効果を示す図である。Fig. 1 is a diagram showing a rotating magnetic field drive coil, substrate, and chip for magnetic bubble memory, Fig. 2 is a cross-sectional view of a magnetic bubble memory module, Fig. 3 is a cross-sectional view of a magnetic shield type magnetic bubble memory module, and Fig. 4 5 is a cross-sectional view of a magnetic bubble memory module including a heat dissipation plate according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 5 is a plan view of the magnetic bubble memory module according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 6 is an embodiment of the present invention. According to 2,
A magnetic bubble memory module including two plates for heat dissipation, FIG. 7 is a plan view of Embodiment 2, FIG. 8 is a diagram explaining Embodiment 3, and FIG. 9 is a diagram illustrating Embodiment 4. FIG. 10 is Example 1
, 2 is a diagram showing the effects of .
Claims (1)
の磁気バブル駆動用回転磁界発生コイルと該回転磁界発
生コイルをそれぜれ挾んで配置される対をなす整磁板の
組を含むバイアス磁界発生装置とを磁気シールド用磁性
体に包囲してなる磁気バブルメモリモジュールにおいて
、前記対をなす整磁板の外面に配置され、その一部が前
記磁気シールド用磁性体より突出する放熱板を設けたこ
とヲ特徴とする磁気バブルメモリモジュール。1. A bias magnetic field generating device including a plurality of rotating magnetic field generating coils for driving magnetic bubbles each having a magnetic bubble chip disposed therein, and a pair of magnetic shunt plates arranged sandwiching the rotating magnetic field generating coils. and a magnetic bubble memory module surrounded by a magnetic material for magnetic shielding, wherein a heat dissipation plate is provided on the outer surface of the pair of magnetic shunt plates, a part of which protrudes from the magnetic material for magnetic shielding. Magnetic bubble memory module featuring ヲ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52125127A JPS5831671B2 (en) | 1977-10-20 | 1977-10-20 | magnetic bubble memory module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52125127A JPS5831671B2 (en) | 1977-10-20 | 1977-10-20 | magnetic bubble memory module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5459037A JPS5459037A (en) | 1979-05-12 |
| JPS5831671B2 true JPS5831671B2 (en) | 1983-07-07 |
Family
ID=14902506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52125127A Expired JPS5831671B2 (en) | 1977-10-20 | 1977-10-20 | magnetic bubble memory module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831671B2 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441184B2 (en) * | 1973-12-01 | 1979-12-07 | ||
| JPS5738986B2 (en) * | 1974-07-24 | 1982-08-18 | ||
| JPS51120140A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic valve device |
| JPS527637A (en) * | 1975-07-08 | 1977-01-20 | Agency Of Ind Science & Technol | Magnetic bubble module |
-
1977
- 1977-10-20 JP JP52125127A patent/JPS5831671B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5459037A (en) | 1979-05-12 |
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