JPS5835407B2 - Channel selection device - Google Patents
Channel selection deviceInfo
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- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は揮発性メモリーを選局用信号の記憶素子として
用いた選局装置に関するものであり、揮発性メモリーを
常に動作状態にしておくための電池を必要としない選局
装置を提供しようとするものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a channel selection device that uses a volatile memory as a storage element for channel selection signals, and is a channel selection device that does not require a battery to keep the volatile memory always in operation. The aim is to provide station equipment.
電子チューナの選局電圧を2値信号の形でディジクルメ
モリに記憶させて読み出す方式の選局装置において、デ
ィジタルメモリとして不揮発性のEPROMを用いると
一般家庭で使用する際、各局を順次受信しその電圧を記
憶させるという操作が必要であり、又、EPROMはコ
ストが高く、信頼性にも問題があり、あまり普及してい
ないのが現状である。In a tuning device that stores the tuning voltage of an electronic tuner in the form of a binary signal in a digital memory and reads it out, if a non-volatile EPROM is used as the digital memory, it will be possible to receive each station sequentially when used at home. It is necessary to perform an operation to memorize the voltage, and EPROM is also expensive and has reliability problems, so it is currently not widely used.
また、EPROMの場合、書込。消去時間がMNOSで
も各100 m SeCと長く、書換えに要する時間も
相当長くなっている。Also, in the case of EPROM, write. Even in MNOS, the erasing time is long at 100 m SeC each, and the time required for rewriting is also considerably long.
他方揮発性メモリは書込み、消去共ioo〜500ns
ecと十分短いのでEPROMよりも好ましいが電源を
常に供給する必要がある為、受像機に電池を内蔵しなけ
ればならないという欠点がある。On the other hand, volatile memory has a writing and erasing time of ioo~500ns.
It is preferable to EPROM because it is sufficiently short as ec, but it has the disadvantage that it requires a constant supply of power, so a battery must be built into the receiver.
そこで本発明は、揮発性メモリで書込時間を短縮し、し
かも電源投入毎に書込む事により電池を不要にしようと
するものであり、チューナの可変容量ダイオードに選局
電圧発生回路より各受信チャンネルに応じた直流電圧を
供給するようにし、各受信チャンネルに応じた直流電圧
を2値信号の状態で揮発上メモリに記憶して、選局指令
信号によって記憶内容を読み出して上記選局電圧発生回
路に供給し、電源スィッチを投入する毎に動作する自動
書込回路を設け、この自動書込回路の動作によって、電
源投入時選局電圧発生回路を自動掃引状態とし、この自
動掃引時に得られる各受信チャンネルに応じた2値信号
を上記揮発性メモリに書き込むことを特徴とするもので
ある。Therefore, the present invention aims to shorten the write time using volatile memory and eliminate the need for batteries by writing data every time the power is turned on. A DC voltage corresponding to the channel is supplied, and the DC voltage corresponding to each receiving channel is stored in a volatile memory in the form of a binary signal, and the stored contents are read out in response to a channel selection command signal to generate the channel selection voltage. An automatic writing circuit is provided that operates each time the power switch is turned on, and the operation of this automatic writing circuit causes the tuning voltage generation circuit to be automatically swept when the power is turned on. The present invention is characterized in that a binary signal corresponding to each reception channel is written into the volatile memory.
そして、その自動掃引を行なうときにはチューナのAG
C回路とローカルAFC回路の少なくとも一方の時定数
を短くして、掃引速度を速くするようにしている。When performing the automatic sweep, the tuner's AG
The time constant of at least one of the C circuit and the local AFC circuit is shortened to increase the sweep speed.
以下本発明の実施例について図面とともに説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention.
1は直流電圧が同調素子である可変容量ダイオドに印加
されて同調周波数が制御される電子チュす、2は映像中
間周波増幅回路、3は映像検波回路、4は同期分離回路
、5は偏向出力回路、6はチューナ1への選局電圧発生
回路、7は選局電圧を13ビツトの信号でメモリする揮
発性メモリ回路で内部に揮発性メモリ、エンコーダ、セ
レクク、カウンクを含んでいる。1 is an electronic channel in which a DC voltage is applied to a variable capacitance diode as a tuning element to control the tuning frequency; 2 is a video intermediate frequency amplification circuit; 3 is a video detection circuit; 4 is a synchronous separation circuit; 5 is a deflection output The circuit 6 is a tuning voltage generating circuit for the tuner 1, and 7 is a volatile memory circuit for storing the tuning voltage as a 13-bit signal, which includes a volatile memory, an encoder, a selector, and a counter.
揮発性メモリはここではCMO8のスタティックRAM
を考える。The volatile memory here is CMO8 static RAM.
think of.
8は選局ボタンで、仮に12ケのボタンがあるものとす
る。8 is a channel selection button, and it is assumed that there are 12 buttons.
9は本発明の自動書込み回路で、電源スィッチ14がオ
ンになる時、即ち主電源回路13の出力に電圧が現われ
た時、受信可能な全チャネルのデータを1回だけ揮発性
メモリ回路7へ書込ませる回路である。Reference numeral 9 denotes an automatic write circuit of the present invention, which writes data of all receivable channels to the volatile memory circuit 7 only once when the power switch 14 is turned on, that is, when a voltage appears at the output of the main power supply circuit 13. This is the circuit for writing.
10は同調検出回路で、音声キャリアを音声キャリア検
出回路17で検出し、かつ映像搬送波を映像搬送波発生
回路18で検出した時に、出力パルスを発生し、自動書
込回路9を駆動して書込みを行なう。Reference numeral 10 denotes a tuning detection circuit, which generates an output pulse when an audio carrier is detected by the audio carrier detection circuit 17 and a video carrier is detected by the video carrier generation circuit 18, and drives the automatic writing circuit 9 to perform writing. Let's do it.
書込み終了後次のチャネルを受信するまで選局電圧を掃
引させる。After writing is completed, the channel selection voltage is swept until the next channel is received.
11はAGC及びチューナのローカルAFCとVIF、
RFのAGCの時定数の切換回路である。11 is AGC and tuner local AFC and VIF,
This is an RF AGC time constant switching circuit.
12は手動書込スイッチであり、このスイッチ12を閉
じると書込状態にすることができる。Reference numeral 12 denotes a manual write switch, and when this switch 12 is closed, the writing state can be set.
13は主電源回路で各種の直流電圧を出力し、各部へ供
給する。13 is a main power supply circuit that outputs various DC voltages and supplies them to various parts.
14は電源スィッチで通常テレビジョンセットの前面に
設けである。Reference numeral 14 denotes a power switch, which is usually provided on the front of the television set.
15は100ボルトACへ接続されるプラグ、16は映
像出力回路でこの回路の出力をカラー陰極線管19へ供
給して、カラー画像を得る。15 is a plug connected to a 100 volt AC; 16 is a video output circuit; the output of this circuit is supplied to a color cathode ray tube 19 to obtain a color image.
1〜19中9〜12と’17,18以外は通常の電子チ
ューナ付カラーテレビと同一である。1 to 19, except 9 to 12 and '17 and 18 are the same as a normal color television with an electronic tuner.
次に、自動書込みの動作について第2図と共に説明する
。Next, the automatic writing operation will be explained with reference to FIG.
先ず電源スィッチ14をオンにすると揮発性メモリ回路
7へは直流電圧が供給され、メモリ可能な状態になる。First, when the power switch 14 is turned on, DC voltage is supplied to the volatile memory circuit 7, and the volatile memory circuit 7 is brought into a memorizable state.
これと同時に自動書込回路8のオン検出回路21Dの出
力にパルスが現われ、単安定マルチバイブレーク21M
をトリガする。At the same time, a pulse appears at the output of the ON detection circuit 21D of the automatic write circuit 8, and the monostable multi-by-break 21M
trigger.
この単安定マルチバイブレーク21Mの出力は100
ns〜1μsecで十分である。The output of this monostable multi-bi break 21M is 100
ns to 1 μsec is sufficient.
単安定マルチバイブレーク21Mの出力発生までに、電
源スィッチ14のオンから△Tだけの遅れがある。There is a delay of ΔT from when the power switch 14 is turned on until the monostable multi-by-break 21M generates an output.
単安定マルチバイブレーク21Mの出力はNORゲート
22で反転され、フリップフロップ23がセットされ、
このフリップフロップ23のQが高レベルQが低レベル
となる。The output of the monostable multi-bi break 21M is inverted by the NOR gate 22, the flip-flop 23 is set,
The Q of this flip-flop 23 becomes a high level, and the Q of this flip-flop 23 becomes a low level.
一方、音声キャリア検出回路17、映像キャリア検出回
路18に出力が存在しないとき、同調検出回路10のレ
ベル変換回路30,31の出力は低レベルであり、NA
NDゲ゛−132の出力は高レベルである。On the other hand, when there is no output in the audio carrier detection circuit 17 and the video carrier detection circuit 18, the outputs of the level conversion circuits 30 and 31 of the tuning detection circuit 10 are at a low level, and the NA
The output of ND gate 132 is at high level.
従って単安定マルチバイブレーク33Mの出力も高レベ
ルである。Therefore, the output of the monostable multi-by-break 33M is also at a high level.
従って離調状態のときには同調検出回路10の出力は高
レベルとなる。Therefore, when the tuning is out of tune, the output of the tuning detection circuit 10 is at a high level.
このときNANDゲート24は導通可能な状態となる。At this time, the NAND gate 24 becomes conductive.
このNANDゲート24には正方向の水平パルスが加え
られているので、電源スィッチ14が時刻Toで投入さ
れたものとすれば、To+△T=T。Since a positive horizontal pulse is applied to this NAND gate 24, if the power switch 14 is turned on at time To, To+ΔT=T.
から、Hパルスを通過させ、13ビツトのバイナリカウ
ンタ25はHパルスをカウンタし始める。From then on, the H pulse is passed, and the 13-bit binary counter 25 starts counting the H pulse.
25としては例えば集積回路素子5N74LS93を4
ヶ直列に接続し、213出力をパイナリカウンク乏5の
クリア端子及びN A、 N Dゲート28へ供給して
おけばよい。As 25, for example, 4 integrated circuit elements 5N74LS93 are used.
It is sufficient to connect the two in series and supply the output 213 to the clear terminal of the pinary count circuit 5 and the NA and ND gates 28.
さて、Hパルスは約63.5μsec毎に存在するので
バイナリカウンタ25でHパルスを213個数えるに必
要な時間は63.5X10−6X1024X8=0.3
2秒となる。Now, since H pulses exist approximately every 63.5 μsec, the time required for the binary counter 25 to count 213 H pulses is 63.5 x 10-6 x 1024 x 8 = 0.3
It will be 2 seconds.
通常のテレビの電子チューナではバンド切替でVHFの
ローバンド。With an ordinary TV's electronic tuner, you can switch the band to the VHF low band.
ハイバンド、UHFバンドに分けられているので理相的
には0.52X11.6秒で全チャンネルの書込みが行
える事になる。Since it is divided into high band and UHF band, theoretically it is possible to write all channels in 0.52 x 11.6 seconds.
さて、NORゲート22の出力でフリップフロップ34
,35がクリアされるので、ANDゲ゛−ト36の出力
が高レベルになり(ANDゲ゛−ト37.38の出力は
低レベルである)、フリップフロップ23のQ出力によ
り、セレクタ39はチューナ8の出力の替りにANDゲ
゛−ト36〜38の出力をチューナへ供給する事になる
。Now, with the output of the NOR gate 22, the flip-flop 34
, 35 are cleared, the output of the AND gate 36 becomes high level (the outputs of AND gates 37 and 38 are low level), and the Q output of the flip-flop 23 causes the selector 39 to Instead of the output of the tuner 8, the outputs of the AND gates 36 to 38 are supplied to the tuner.
従って、時刻T1−T+△T以降は先ずVHFローバン
ドの3チヤンネルを掃引する。Therefore, after time T1-T+ΔT, first, three channels of the VHF low band are swept.
バイナリカウンタ25の出力はANDゲ゛−ト26A〜
26Mの13個のゲートを介して揮発性メモリ7a及び
ディジタル・アナログ・コンバータ29へ供給される。The output of the binary counter 25 is output from the AND gate 26A~
The signal is supplied to the volatile memory 7a and the digital-to-analog converter 29 through 13 gates of 26M.
揮発性メモリ7aは16ビツト並列の入出力端子を有す
るCMOSメモリである。Volatile memory 7a is a CMOS memory having 16-bit parallel input/output terminals.
バイナリカウンタ25の13ビツトの出力に入力パルス
の数を2値で表わしているので、29はパルスの総数に
比例した直流電圧を発生するディジタル・アナログ・コ
ンバータとなっている。Since the number of input pulses is expressed in binary in the 13-bit output of the binary counter 25, 29 is a digital-to-analog converter that generates a DC voltage proportional to the total number of pulses.
パルス数OがOVとし、213個が32Vとすると、こ
の間に1〜3チヤンネルが存在する。When the number of pulses O is OV and 213 pulses are 32V, there are 1 to 3 channels between them.
便宜上チューナ1の可変容量ダイオードの容量が直流逆
バイアスに対して直線的に変化するものとすれば、20
48H毎に1,2.3の3チヤンネルを受信することに
なる。For convenience, if we assume that the capacitance of the variable capacitance diode of tuner 1 changes linearly with respect to DC reverse bias, then 20
Three channels, 1, 2.3, are received every 48H.
東京地区では1及び3チヤンネルが受信される。Channels 1 and 3 are received in the Tokyo area.
時刻T1から2048H即ち、0.13秒後(T2とす
る)に1チヤンネルを受信し、同調検出回路10のNA
ND回路32の出力が低レベルになって、単安定マルチ
バイブレータ33Mを駆動する。1 channel is received 2048H, that is, 0.13 seconds after time T1 (referred to as T2), and the NA of the tuning detection circuit 10 is
The output of the ND circuit 32 becomes low level and drives the monostable multivibrator 33M.
このマルチバイブレーク33Mのパルス巾を約2μse
cとすると、この間NANDゲート24は遮断される。The pulse width of this multi-by-break 33M is approximately 2μse.
c, the NAND gate 24 is cut off during this period.
これと同時に負論理のANDゲート33Gの出力で揮発
性メモ’J 7 aのW/R端子が低レベルとなって、
その時のバイナリカウンタ25の出力が13ビツトで揮
発性メモリ7aに書込まれる。At the same time, the output of the negative logic AND gate 33G causes the W/R terminal of the volatile memo 'J7a to become low level.
The output of the binary counter 25 at that time is written in 13 bits to the volatile memory 7a.
揮発性メモリ7aの書込みアドレスは、カウンタ27c
で決められ、単安定マルチバイブレーク33Mの出力が
1つ目数、選局ボクン8の第1ポジシヨンの場合と同じ
アドレスとなる。The write address of the volatile memory 7a is written to the counter 27c.
The output of the monostable multi-by-break 33M is the first number, which is the same address as in the case of the first position of the channel selection box 8.
次に、単安定マルチバイブレーク33Mの出力が高レベ
ルに戻ると、カウンタ25は再びカウントを開始し、T
2から2048H後に、2チヤンネルになるが、同調検
出回路10のNANDゲ゛−432の出力が変化しない
ので更に2048H後に、3チヤンネルに同調し再び単
安定マルチバイブレーク33Mの出力が約2μsec低
レベルとなって揮発性メモリ7ヘパイナリカウンタ25
の出力が書込まれる。Next, when the output of the monostable multi-by break 33M returns to high level, the counter 25 starts counting again and T
After 2048H from 2, the channel becomes 2, but since the output of the NAND gate 432 of the tuning detection circuit 10 does not change, after another 2048H, it is tuned to the 3rd channel, and the output of the monostable multi-bi break 33M becomes low level for about 2μsec again. Volatile memory 7 to binary counter 25
The output of is written.
書込みアドレスは単安定マルチバイブレーク33Mの出
力が2個目故、選局ボタン8の第2ポジシヨンの場合と
同じアドレスになる。Since the output of the monostable multi-by-break 33M is the second, the write address becomes the same address as in the case of the second position of the channel selection button 8.
なお、セレクタ27Sはフリップフロップ23のQで制
御され単安定マルチバイブレーク33Mの出力をカウン
トしたアドレスを揮発性メモリ7aに供給している。Note that the selector 27S is controlled by the Q of the flip-flop 23 and supplies an address obtained by counting the output of the monostable multi-by-break 33M to the volatile memory 7a.
3チヤンネルの書込み終了までの時間は2048H+2
μsec+ 4096H+2 μSec’−=; 0.
39秒であり、更に2048H後にバイナリカウンタ2
5の213出力が高レベルとなって揮発性メモリ25を
クリアし、(時刻T4とする)、かつ、フリップフロッ
プ34をセットする。The time to finish writing for 3 channels is 2048H+2
μsec+ 4096H+2 μSec'-=; 0.
39 seconds, and after 2048H, the binary counter 2
The 213 output of No. 5 becomes high level, clears the volatile memory 25 (time T4), and sets the flip-flop 34.
従って、フリップフロップ34のQが高レベルとなり、
Qが低レベルとなって、ANDゲート37の出力が高レ
ベルとなる。Therefore, the Q of the flip-flop 34 becomes high level,
Q becomes low level, and the output of AND gate 37 becomes high level.
フリップフロップ35のJ端子にフリップフロップ34
のQ出力が加えられているので、このときフリップフロ
ップ35はセットされず、次のセット信号でセットされ
る。Flip-flop 34 is connected to the J terminal of flip-flop 35.
Since the Q output of is added, the flip-flop 35 is not set at this time, but is set by the next set signal.
従って、チューナ1のバンド切替はVHFハイバンドと
なる。Therefore, the band switching of the tuner 1 becomes the VHF high band.
VHFハイバンドは4〜12の9チヤンネルであるので
、約820H毎に1チヤンネル受信となる。Since the VHF high band has 9 channels from 4 to 12, one channel is received approximately every 820 hours.
即ち、T4から820H後のT5で4チヤンネルに同調
し、フリップフロップ33Mの出力が低レベルとなり、
選局ボタン8の第3番目のポジションに相当するアドレ
スにバイナリカウンタ25の出力が書込まれるのは前と
同じである。That is, at T5, 820H after T4, it is tuned to channel 4, and the output of the flip-flop 33M becomes low level.
As before, the output of the binary counter 25 is written to the address corresponding to the third position of the channel selection button 8.
VHFハイバンドは東京では4,6゜8.10,12の
5チヤンネルあるので、書込み時間が10μsec増し
、8192H+ 1. Oμ5ec0.52秒(Tlo
)で書込みが終る。In Tokyo, VHF high band has 5 channels of 4, 6 degrees, 8, 10, and 12, so the writing time increases by 10 μsec, resulting in 8192H+1. Oμ5ec0.52 seconds (Tlo
), the writing ends.
次のUHFバンドについても同様でTIOから81.9
2H+2Nμsec (Nは選局可能な局数)後に書込
みが終る。The same goes for the next UHF band, 81.9 from TIO.
Writing ends after 2H+2N μsec (N is the number of selectable stations).
仮にUHFバンドが4局としても0952秒である。Even if there are 4 stations in the UHF band, the time is 0952 seconds.
従って全体では0.52+2Nμ5eC(nは受信可能
な局数)で書込みが終了する。Therefore, in total, writing is completed in 0.52+2Nμ5eC (n is the number of receivable stations).
VHF、UHF全部の書込みに要する時間ははy819
2X3X63.5#1.56秒である。The time required to write both VHF and UHF is y819
2X3X63.5#1.56 seconds.
書込みが終了する時はANDゲ゛−ト38の出力が高レ
ベルでバイナリカウンタ25の213出力が高レベルと
なりUHFの最高チャンネル「62」まで掃引後に、こ
の出力が現われ、NANDゲ゛−ト28の出力が低レベ
ルとなって、フリップフロップ23をクリアする。When writing is completed, the output of the AND gate 38 is at a high level, the output 213 of the binary counter 25 is at a high level, and after sweeping to the highest UHF channel "62", this output appears, and the output from the NAND gate 28 is at a high level. The output of becomes low level and clears the flip-flop 23.
従って、NANDゲート24が遮断され、26A〜26
Mも遮断される。Therefore, NAND gate 24 is blocked and 26A-26
M is also blocked.
26A〜26Mはいわゆるトライ・ステイト(Try−
state )のゲート(0,1およびハイインピーダ
ンスの三つの状態をとるゲート)で遮断されると出力端
子は高インピーダンスとなる。26A to 26M are the so-called Tri-State (Try-
state) (a gate that takes three states of 0, 1, and high impedance), the output terminal becomes high impedance.
フリップフロップ23のQが高レベルとなって、セレク
タ39及びセレクタ27Sはいずれも読み出し状態とな
る。The Q of the flip-flop 23 becomes high level, and both the selector 39 and the selector 27S enter the read state.
なお、選局ボタン8は一般に12ポジシヨンが多く、前
述の如<VHFのローバンドが2チヤンネル、VHFの
ハイバンドが5チヤンネル、UHFバンドが4チヤンネ
ルとして、11番目まで書込まれており、後1チャンネ
ル分は余るが、使う必要はない。Note that the channel selection button 8 generally has 12 positions, and as mentioned above, VHF low band is written as 2 channels, VHF high band as 5 channels, and UHF band as 4 channels, up to the 11th position, and the remaining 1 There is a surplus of channels, but there is no need to use them.
以上で本発明の実施例の主要部の説明を終るが、各部に
ついて若干補足する。This concludes the explanation of the main parts of the embodiment of the present invention, but some supplements will be added about each part.
26A〜26Mの例としては集積回路素子5N7412
6又はDM8094がある。An example of 26A to 26M is an integrated circuit element 5N7412.
6 or DM8094.
セレクタ39の例としては集積回路SNγ4.LS15
7がある。An example of the selector 39 is the integrated circuit SNγ4. LS15
There are 7.
単安定マルチバイブレーク33Mの例として集積回路5
N74LS123の1/2又はSN74121がある。Integrated circuit 5 as an example of monostable multibibreak 33M
There is 1/2 of N74LS123 or SN74121.
27Cは書込みアドレス用のカウンタで、単安定マルチ
バイブレーク33M出力に負の書込みパルスが現われる
とその前縁をカウントする。27C is a write address counter that counts the leading edge of a negative write pulse when it appears at the monostable multi-by-break 33M output.
従って、前述の如<VHFの1チヤンネルはアドレス0
001であり、3チヤンネルは0010となり、VHF
の12チヤンネルは0111となる。Therefore, as mentioned above, one channel of VHF has address 0.
001, and the third channel is 0010, VHF
The 12th channel is 0111.
一方、27SのSe端子はフリップフロップ23のQが
低レベルのため27Sの出力はA入力即ち27Cの出力
となる。On the other hand, since the Q of the flip-flop 23 at the Se terminal of 27S is at a low level, the output of 27S becomes the A input, that is, the output of 27C.
従って揮発性メモ’J 7 aのアドレス0001には
1チヤンネルに相当する13ビツトの2値信号が書込ま
れる。Therefore, a 13-bit binary signal corresponding to one channel is written to address 0001 of volatile memo 'J7a.
一方、第2図の40L、40H,40Uは第3図に示す
如く、26A〜26Mと同じANDゲートである。On the other hand, 40L, 40H, and 40U in FIG. 2 are the same AND gates as 26A to 26M, as shown in FIG.
揮発性メモリ7aのl101〜13には選局電圧が書込
まれ、14〜16は■のり、H,Uに対応して1を書き
込み、読み出すIloでVHF1チャンネルの時はAN
Dゲート36の出力が高レベル故l1014へ1が書き
込まれる。The channel selection voltage is written in l101-13 of the volatile memory 7a, 1 is written in 14-16 corresponding to ■ paste, H, and U, and AN is read out when it is VHF1 channel in Ilo.
Since the output of the D gate 36 is at a high level, 1 is written to l1014.
即ち、書き込みアドレス0001とooioの時はl1
014へ1が供給され書込まれる。That is, when the write address is 0001 and ooio, l1
1 is supplied to 014 and written.
VHFの4〜12チヤンネルではl1015へ1が供給
され書込まれる。For channels 4 to 12 of VHF, 1 is supplied to l1015 and written.
Uの場合はl1016へ1が供給され書込まれる。In the case of U, 1 is supplied to l1016 and written.
次にUの書込みが終って、パイナリカウンク25の出力
に正のパルスが発生するとフリップフロップ23がクリ
アされ、セレクタ27Sの端子Seが高レベルとなりセ
レクタ27Sの出力はエンコーダ27Eの出力即ち、選
局ボクン8で指定されたチャンネルポジションとなる。Next, when the writing of U is completed and a positive pulse is generated in the output of the pinary counter 25, the flip-flop 23 is cleared, and the terminal Se of the selector 27S becomes high level, and the output of the selector 27S becomes the output of the encoder 27E, that is, the channel selection box. This is the channel position specified by 8.
エンコーダ27Eは10進数1〜12を2進4ビツトに
変換するエンコーダである。The encoder 27E is an encoder that converts decimal numbers 1 to 12 into binary 4 bits.
フリップフロップ23のQが高レベルの為ゲート23G
の出力は高レベルとなって揮発性メモリ7aは読み出し
状態となる。Since Q of flip-flop 23 is high level, gate 23G
The output becomes high level, and the volatile memory 7a enters the read state.
セレクタ39の出力もB入力となる。The output of the selector 39 also becomes the B input.
仮に選局ボクン8の3番目を押すと、エンコーダ27E
の出力は0011となり、揮発性メモリ7の出力■10
1〜13にはV I−I P 4チヤンネルに対応する
2値信号が現われ、l1014〜16中15のみ1とな
って、チューナ1へVHFのハイバンドを指示する。If you press the third button on the channel selection button 8, the encoder 27E
The output of is 0011, and the output of volatile memory 7 is ■10
Binary signals corresponding to the V I-I P 4 channels appear at 1 to 13, and only 15 of 11014 to 16 becomes 1, instructing the tuner 1 to use the VHF high band.
なお、26A〜26Mと40L〜40Uの各ゲ゛−トの
出力は高インピーダンスとなる。Note that the outputs of the gates 26A to 26M and 40L to 40U have high impedance.
テ゛イジクル・アナログコンバータ29へは揮発性メモ
’J 7 aのl101〜13の出力が供給され、4チ
ヤンネルに相当する制御電圧がディジクル・アナログコ
ンバータ29の出力として得られチューナーへ供給され
、4チヤンネルを受信する。The device/analog converter 29 is supplied with the outputs of l101 to 13 of the volatile memo 'J7a, and control voltages corresponding to 4 channels are obtained as outputs of the device/analog converter 29 and supplied to the tuner, which converts the 4 channels. Receive.
ディジクル・アナログコンバータ29の1例を第3図に
示す。An example of the digital-to-analog converter 29 is shown in FIG.
第3図に於て29Cは13ビツトの高速比較回路、29
Aは13ビツトの高速同期式カウンタ、29Fは高速の
フリップフロップ、29Gは約150 MHzのゲーテ
ッド発振器である。In Figure 3, 29C is a 13-bit high-speed comparison circuit, 29
A is a 13-bit high-speed synchronous counter, 29F is a high-speed flip-flop, and 29G is a gated oscillator of approximately 150 MHz.
29Iは入力のパルス巾に比例した直流電圧を発生させ
る積分回路である。29I is an integrating circuit that generates a DC voltage proportional to the input pulse width.
第4図に於てφ1は水平同期信号であり、t1〜t2は
約635μSecである。In FIG. 4, φ1 is a horizontal synchronizing signal, and t1 to t2 are approximately 635 μSec.
ゲ−テッド発振器29Gの出力のパルス巾は約
嵩6.7nSeCである。The pulse width of the gated oscillator 29G output is approximately
The bulk is 6.7nSeC.
従って、1.5X10”−8
発振器29Gの出力を213=8192個数えても約5
4.6μsecとなり、IH間内に収まる。Therefore, even if you count 213 = 8192 outputs of the 1.5X10”-8 oscillator 29G, it will be approximately 5
The time is 4.6 μsec, which falls within the IH interval.
第4図でtlは前述のtlの後の最初の水平同期信号で
あり、φ2の始めはtlから6.7nSeCの巾のパル
スである。In FIG. 4, tl is the first horizontal synchronizing signal after tl, and the beginning of φ2 is a pulse with a width of 6.7 nSeC from tl.
即ち、t、でフリップフロップ29Fがセットされ、発
振器29Gの出力が発生する。That is, at t, the flip-flop 29F is set and the output of the oscillator 29G is generated.
この時第2図カウンタ25の出力は000000000
0001であり、lイ固目の29Gの出力を29Aで数
えると、29Cが両人力の一致を検出し、29Fをリセ
ットする。At this time, the output of the counter 25 in FIG. 2 is 000000000.
0001, and when the output of the first 29G is counted by 29A, 29C detects the coincidence of both forces and resets 29F.
従って発振器29Gは発振を停止する。Therefore, oscillator 29G stops oscillating.
故にフリップフロップ29FのQ出力の巾は発振器29
Gの1パルス分約6.7 n5ecとなる。Therefore, the width of the Q output of the flip-flop 29F is the width of the oscillator 29
One pulse of G is approximately 6.7 n5ec.
次のIHではφ2の巾は6,7X 2 nsとなり、毎
H1パルス分ずつ広がる。In the next IH, the width of φ2 becomes 6.7X 2 ns, which widens by one pulse every H1.
VHFのローバンドの場合は2048H目で、パルス巾
6.6 X 2048#13.65 μsecとなり3
2/4=8Vの出力が積分回路29Iの出力として得ら
れる。In the case of VHF low band, at the 2048th H, the pulse width is 6.6 x 2048#13.65 μsec, which is 3
An output of 2/4=8V is obtained as the output of the integrating circuit 29I.
以下同様である。ここでは毎H1ビットずつパルス巾を
変えたが、水平同期信号を1/10分周したf H/を
NANDゲート24及びフリップフロップ29Fへ加え
、発振器29Gの周波数を4 fsc= 14.318
18MHz(又はその近傍)としてもよく、この場合は
、前述の書込時間は約15.6秒となる。The same applies below. Here, the pulse width was changed by H1 bit every H1 bit, but by applying fH/, which is the frequency of the horizontal synchronizing signal divided by 1/10, to the NAND gate 24 and flip-flop 29F, the frequency of the oscillator 29G was changed to 4 fsc = 14.318
It may also be 18 MHz (or around 18 MHz), in which case the aforementioned write time will be approximately 15.6 seconds.
この場合はディジタル・アナログ・コンバータ29とし
て通の低電圧ショットキ型(Low Power 5c
hottky型)のTTLが使える。In this case, the digital-to-analog converter 29 is a common low-voltage Schottky type (Low Power 5C).
Hottky type) TTL can be used.
次に読み出し表示の場合を考えると揮発性メモリーaか
ら読み出したデータが1000000000000即ち
、4096であれば比較回路29Cは、発振器29Gの
4096個目で一致出力を出力し、フリップフロップ2
9F2
をリセットするので、積分回路29Iの出力はTX32
=16Vとなって、VHFのローバンド2チヤンネルに
1が同調し、大阪地区なら2チヤンネルの信号を受信で
きる。Next, considering the case of readout display, if the data read from the volatile memory a is 1000000000000, that is, 4096, the comparator circuit 29C outputs a coincidence output at the 4096th oscillator 29G, and the flip-flop 2
Since 9F2 is reset, the output of the integrating circuit 29I is TX32.
= 16V, and 1 is tuned to VHF low band 2 channels, so if you are in the Osaka area you can receive 2 channel signals.
他も同様である。次に、AGC,AFCの時定数切換回
路について説明する。The same applies to others. Next, the time constant switching circuit for AGC and AFC will be explained.
第5図はチューナーのローカルAFCの例でフリップフ
ロップ23のQが高レベル即ち書込み中は直流レベル調
整回路11Dでフリップフロップ23のQ出力をレベル
変換し、電界効果型トランジスタFET11Fを導通さ
せ、積分時定数を小さくしている。FIG. 5 shows an example of local AFC of a tuner. When the Q of the flip-flop 23 is at a high level, that is, during writing, the level of the Q output of the flip-flop 23 is converted by the DC level adjustment circuit 11D, the field effect transistor FET11F is made conductive, and the integration is performed. The time constant is made smaller.
なお、FET11FのソースS又はドレインD側に直列
抵抗を入れれば時定数の調整は容易である。Note that the time constant can be easily adjusted by inserting a series resistor on the source S or drain D side of the FET 11F.
書込みが終るとFET11Fが遮断され、時定数は抵抗
11Rの値とコンデンサー1Cの値の積となって通常の
動作を行なう。When writing is completed, FET 11F is cut off, the time constant becomes the product of the value of resistor 11R and the value of capacitor 1C, and normal operation is performed.
AGCについても同様の回路構成で時定数の切換が行え
る。The time constant of AGC can also be switched using a similar circuit configuration.
同調に要する時間を短かくするにはAGC回路、AFC
回路の少くとも一方の時定数を切換えればよい。To shorten the time required for tuning, AGC circuit, AFC circuit
It is sufficient to switch at least one time constant of the circuit.
手動スイッチを操作した場合も第2図20の出力に、マ
ルチバイブレーク21Mの出力と同一のものが現われ自
動書込みと全く同一の動作が行われる。Even when the manual switch is operated, the same output as that of the multi-by-break 21M appears in the output shown in FIG. 20, and the same operation as automatic writing is performed.
以上のように本発明によれば、受信チャンネルを掃引し
てテレビジョン信号の存在するチャンネルを検出しその
チャンネルの選局電圧の2値信号を揮発性メモリに書き
込むときに、その自動掃引中はチューナのAGC回路あ
るいはローカルAFC回路の時定数を短くするように切
換えているので掃引速度を速くすることができ、しかも
電源スィッチの投入時に毎回短時間(例えば約1.56
秒)で、受信可能な周波数をメモリに書込めるので、揮
発性メモリを用いることができ、しかも揮発性メモリを
常に動作状態にするための電池を設ける必要がないもの
である。As described above, according to the present invention, when sweeping reception channels to detect a channel in which a television signal is present and writing a binary signal of the channel selection voltage of that channel to a volatile memory, during automatic sweeping, Since the time constant of the tuner's AGC circuit or local AFC circuit is switched to shorten, the sweep speed can be increased, and each time the power switch is turned on, the time constant is changed to shorten.
Since the receivable frequencies can be written into the memory in seconds), a volatile memory can be used, and there is no need to provide a battery to keep the volatile memory always in operation.
第1図は本発明の一実施例における選局装置のブロック
線図、第2図は同装置の具体的なブロック線図、第3図
は同装置の一部分のより具体的なブロック線図、第4図
は同装置説明のための波形図、第5図は同装置の一部分
の具体回路図である。
1・・・・・・チューナ、6・・・・・・選局電圧発生
回路、7・・・・・・揮発性メモリ回路、8・・・・・
・選局ボタン、9・・・・・・自動書込回路、13・・
・・・・主電源回路、10・・・・・・同調検出回路、
11・・−・・・時定数切替回路、21D・・・・・・
オン検出回路、21M・・・・・・単安定マルチバイブ
レーク、23・・・・・・フリップフロップ、24・・
・・・・NANDゲート、25・・・・・・バイナリカ
ウンタ、26A・・26M・・・・・・ANDゲート、
7a・・・・・・揮発性メモリ、27S、29・・・・
・・セレクタ、27C・・・・・・カウンタ、2γE・
・・・・・エンコーダ、34,35・・・・・・フリッ
プフロップ、36,37,38,40L40H,40U
・・・・・・アンドゲート。FIG. 1 is a block diagram of a channel selection device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a specific block diagram of the same device, and FIG. 3 is a more specific block diagram of a part of the same device. FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the device, and FIG. 5 is a specific circuit diagram of a portion of the device. 1... Tuner, 6... Tuning voltage generation circuit, 7... Volatile memory circuit, 8...
・Tuition selection button, 9... Automatic writing circuit, 13...
...Main power supply circuit, 10... Tuning detection circuit,
11... Time constant switching circuit, 21D...
ON detection circuit, 21M... monostable multi-bi break, 23... flip-flop, 24...
...NAND gate, 25...Binary counter, 26A...26M...AND gate,
7a... Volatile memory, 27S, 29...
...Selector, 27C...Counter, 2γE.
... Encoder, 34, 35 ... Flip-flop, 36, 37, 38, 40L40H, 40U
...and gate.
Claims (1)
ナと、このチューナの可変容量ダイオードに各受信チャ
ンネルと応じた直流電圧を供給する選局電圧発生回路と
、各受信チャンネルに応じた上記直流電圧を2値信号の
状態で揮発性メモリに記憶し、選局指令信号によって上
記選局電圧発生回路に所定の記憶信号を供給する揮発性
メモリ回路と、電源スィッチを投入する毎に動作を開始
し、この電源スイツチ投入時上記選局電圧発生回路を自
動掃引状態とし、この自動掃引時に得られる各受信チャ
ンネルに応じた選局電圧の2値信号を上記揮発性メモリ
に書き込む書込回路と、上記選局電圧発生回路が自動掃
引状態にあるときチューナのAGC回路とローカルAF
C回路の少くとも一方の時定数をそれ以外の状態のとき
より短くする切換回路とを備えたことを特徴とする選局
装置。1 A tuner that uses a variable capacitance diode as a tuning element, a tuning voltage generation circuit that supplies the variable capacitance diode of this tuner with a DC voltage corresponding to each receiving channel, and a tuning voltage generation circuit that supplies the DC voltage corresponding to each receiving channel to a binary value. A volatile memory circuit stores the signal state in a volatile memory and supplies a predetermined storage signal to the channel selection voltage generation circuit in response to a channel selection command signal, and a volatile memory circuit that starts operation every time the power switch is turned on and When the switch is turned on, the tuning voltage generation circuit is set to an automatic sweep state, and a writing circuit writes a binary signal of the tuning voltage corresponding to each receiving channel obtained during this automatic sweeping into the volatile memory; When the generator circuit is in automatic sweep mode, the tuner's AGC circuit and local AF
A channel selection device comprising: a switching circuit that makes the time constant of at least one of the C circuits shorter than that in other states.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1473578A JPS5835407B2 (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Channel selection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1473578A JPS5835407B2 (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Channel selection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54107602A JPS54107602A (en) | 1979-08-23 |
| JPS5835407B2 true JPS5835407B2 (en) | 1983-08-02 |
Family
ID=11869372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1473578A Expired JPS5835407B2 (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Channel selection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835407B2 (en) |
-
1978
- 1978-02-10 JP JP1473578A patent/JPS5835407B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54107602A (en) | 1979-08-23 |
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