JPS583543B2 - デンシシヤシンヨウカンコウタイ - Google Patents
デンシシヤシンヨウカンコウタイInfo
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- JPS583543B2 JPS583543B2 JP12117275A JP12117275A JPS583543B2 JP S583543 B2 JPS583543 B2 JP S583543B2 JP 12117275 A JP12117275 A JP 12117275A JP 12117275 A JP12117275 A JP 12117275A JP S583543 B2 JPS583543 B2 JP S583543B2
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関するものである。
詳しくは新規成分よりなる接着層を設けた電子写真用感
光体に関するものである。
光体に関するものである。
電子写真用感光体は、導電性支持体上に光半導体層を積
層して製造されるが、しばしば支持体と、光半導体層間
の接着が十分でなく、光半導体層のひび割れや剥離がみ
られる。
層して製造されるが、しばしば支持体と、光半導体層間
の接着が十分でなく、光半導体層のひび割れや剥離がみ
られる。
そこでこの様な現象を防止するために、従来支持体と光
半導体層の中間に、ポリマー、例えばポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレートなどの薄層
を接着層として塗布することが行なわれていた。
半導体層の中間に、ポリマー、例えばポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレートなどの薄層
を接着層として塗布することが行なわれていた。
しかしこれら従来の接着層はそれ自身のひび割れや、剥
離が起り、接着層の上に光半導体を溶剤を用いて塗布す
ると特にその傾向が著しかった。
離が起り、接着層の上に光半導体を溶剤を用いて塗布す
ると特にその傾向が著しかった。
本発明者らは、上記欠点のない接着層に関して鋭意検討
を重ねた結果、エポキシ樹脂と、イソシアネート化合物
および共役ジエンゴムからなる接着層が、接着性にすぐ
れ、かつ耐溶剤性のある接着層になることを見出し、本
発明を完成した。
を重ねた結果、エポキシ樹脂と、イソシアネート化合物
および共役ジエンゴムからなる接着層が、接着性にすぐ
れ、かつ耐溶剤性のある接着層になることを見出し、本
発明を完成した。
すなわち本発明の要旨は、導電性支持体上にエポキシ樹
脂、イソシアネート化合物および共役ジエンゴムからな
る接着層を設け、さらにその上に光半導体層を設けたこ
とを特徴とする電子写真用感光体に存する。
脂、イソシアネート化合物および共役ジエンゴムからな
る接着層を設け、さらにその上に光半導体層を設けたこ
とを特徴とする電子写真用感光体に存する。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明感光体を構成する導電性支持体としてはアルミニ
ウムドラム、アルミニウムシ一ト、スチールドラム、ス
チールシ一ト、銅ドラム、銅シートなどの金属ドラム若
しくは金属シ一ト;又はプラスチックフイルムや紙にア
ルミニウム箔をラミネートしたもの若しくはアルミニウ
ムを蒸着したものなどが用いられる。
ウムドラム、アルミニウムシ一ト、スチールドラム、ス
チールシ一ト、銅ドラム、銅シートなどの金属ドラム若
しくは金属シ一ト;又はプラスチックフイルムや紙にア
ルミニウム箔をラミネートしたもの若しくはアルミニウ
ムを蒸着したものなどが用いられる。
本発明はエボキシ樹脂、インシアネート化合物、共役ジ
エンゴムの各成分よりなる接着層に特徴を有する。
エンゴムの各成分よりなる接着層に特徴を有する。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型のエポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般のエポキシ樹脂がいず
れも使用できる。
脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般のエポキシ樹脂がいず
れも使用できる。
インシアネート化合物としては、フエニルイソシアネー
ト、トリレンジイソシアネート、メチレンビス(P−フ
エニレンジイソシアネート)、1,6−へキサメチレン
ジイソシアネート、1,5−ナフチレンジイソシアネー
ト、4.4’,4”ートリフエニルメタントリイソシア
ネートなどが挙げられ、ポリイソシアネート化合物が好
ましい。
ト、トリレンジイソシアネート、メチレンビス(P−フ
エニレンジイソシアネート)、1,6−へキサメチレン
ジイソシアネート、1,5−ナフチレンジイソシアネー
ト、4.4’,4”ートリフエニルメタントリイソシア
ネートなどが挙げられ、ポリイソシアネート化合物が好
ましい。
共役ジエンゴムとしては、ブタジエンゴム((BR)、
スチレンーブタジエンゴム(SBR)、クロロプレンゴ
ム(CR)、アクリロニトリルーブタジエンゴム(NB
R)などの共役ジエンモノマーより製造される合成ゴム
が挙げられる。
スチレンーブタジエンゴム(SBR)、クロロプレンゴ
ム(CR)、アクリロニトリルーブタジエンゴム(NB
R)などの共役ジエンモノマーより製造される合成ゴム
が挙げられる。
エポキシ樹脂、インシアネート化合物および共役ジエン
ゴムの各成分は、それぞれ2種以上混合しても使用でき
る。
ゴムの各成分は、それぞれ2種以上混合しても使用でき
る。
かかる成分はエポキシ樹脂100部(重量部、以下同じ
)、イソシアネート化合物10部以上、通常80部位ま
で、および共役ジエンゴム10〜200部にして用いる
。
)、イソシアネート化合物10部以上、通常80部位ま
で、および共役ジエンゴム10〜200部にして用いる
。
インシアネート化合物が10部よりも少ないとエポキシ
樹脂が硬化されにくい。
樹脂が硬化されにくい。
また共役ジエンゴムが1o部より少なくなると接着能力
が劣り、200部よりも多くなると耐溶剤性が劣るよう
になる。
が劣り、200部よりも多くなると耐溶剤性が劣るよう
になる。
以上の接着層各成分を溶剤に溶解し、導電性支持体上に
塗布後、60〜150℃に0.5〜10分保持して乾燥
することによって、接着層が形成される。
塗布後、60〜150℃に0.5〜10分保持して乾燥
することによって、接着層が形成される。
接着層の厚さは乾燥後で0.5〜2μが好ましい。
溶剤としては各成分のいずれを.も溶解し、しかも活性
水素を有しないものが使用される。
水素を有しないものが使用される。
このようなものとしては、例えばメチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢
酸メチル、酢酸エチル等のエステル類;ジクロロメタン
、1,2−ジクロ口エタン等の塩素化炭化水素があげら
れる。
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢
酸メチル、酢酸エチル等のエステル類;ジクロロメタン
、1,2−ジクロ口エタン等の塩素化炭化水素があげら
れる。
これらの溶剤は単独でもよいが、2種以上混合しても使
用できる。
用できる。
接着層上に積層される光半導体層は、ポリビニル力ルバ
ゾール、ポリアセナフチレンなどの有機光半導体層、又
はセレン、酸化亜鉛などの無機光半導体層のどちらかお
よび両者でもよい。
ゾール、ポリアセナフチレンなどの有機光半導体層、又
はセレン、酸化亜鉛などの無機光半導体層のどちらかお
よび両者でもよい。
以下本発明の電子写真用感光体は、新規成分よりなる接
着層を設けたものであり、接着能力および耐溶剤性に優
れている。
着層を設けたものであり、接着能力および耐溶剤性に優
れている。
その原因は確固としては明らかではないが、共役ジエン
ゴムが接着能力を増大させ、エポキシ樹脂が耐溶剤性を
増大させ、イソシアネート化合物がエポキシ樹脂を硬化
させるものと考えられる。
ゴムが接着能力を増大させ、エポキシ樹脂が耐溶剤性を
増大させ、イソシアネート化合物がエポキシ樹脂を硬化
させるものと考えられる。
なお、本発明は光導電体層に無機光半導体層を使用した
場合には無機光半導体、特にセレンやセレンーテルル合
金などの結晶化を防止する結果がある。
場合には無機光半導体、特にセレンやセレンーテルル合
金などの結晶化を防止する結果がある。
またセレン層の上に有機光半導体層を積層する形式の感
光体においては、残留電位が小さいという効果もある。
光体においては、残留電位が小さいという効果もある。
以下に本発明の実施例につき詳細に説明するが、本発明
はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるも
のではない。
はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるも
のではない。
実施例 1
下記組成の塗布液を調製した。
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エピコート828 シ
エル社製) 0.3gエチレンジア
ミン 0.1gNBR(ニツポール
1432日本ゼオン社製)0.2g メチルエチルケトン 5.0mlこ
の溶液は、放置後数時間で不溶性の沈澱を生じた。
エル社製) 0.3gエチレンジア
ミン 0.1gNBR(ニツポール
1432日本ゼオン社製)0.2g メチルエチルケトン 5.0mlこ
の溶液は、放置後数時間で不溶性の沈澱を生じた。
エポキシ樹脂の硬化剤として周知のエチレンジアミンの
代りに、トリレンジイソシアネート0.1gを添加した
溶液は、数日後でも沈澱物は認められなかった。
代りに、トリレンジイソシアネート0.1gを添加した
溶液は、数日後でも沈澱物は認められなかった。
アルミニウム箔をラミネートした75μの膜厚のポリエ
ステルフイルムのアルミ表面に、トリレンジイソシアネ
ートを添加した上記組成の溶液を塗布し、80℃、5分
間加熱し、0.5μの膜厚の接着層を形成した。
ステルフイルムのアルミ表面に、トリレンジイソシアネ
ートを添加した上記組成の溶液を塗布し、80℃、5分
間加熱し、0.5μの膜厚の接着層を形成した。
この上に、下記組成の溶液を塗布して10μの膜厚の有
機光半導体層を形成した。
機光半導体層を形成した。
ポリビニルカルバゾール 10g2,4,
7−トリニトロフルオレノン16.3gテトラヒドロフ
ラン 150mlこの感光体を、市販の
複写機(小西六写真工業製、U−Bix800型)のマ
スターペーパーとして用い、繰返し実写テストを行なっ
たが、感光層の剥離は認められなかった。
7−トリニトロフルオレノン16.3gテトラヒドロフ
ラン 150mlこの感光体を、市販の
複写機(小西六写真工業製、U−Bix800型)のマ
スターペーパーとして用い、繰返し実写テストを行なっ
たが、感光層の剥離は認められなかった。
実施例 2
実施例1と同じアルミラミネートフイルムのアルミ表面
に、下記組成の塗布液を塗布し、85℃、5分間加熱し
、1μの膜厚の接着層を形成した。
に、下記組成の塗布液を塗布し、85℃、5分間加熱し
、1μの膜厚の接着層を形成した。
ビスフェノール型エポキシ樹脂(エピコート828 シ
エル社製) 0.5gトリレンジイ
ソシアネート 0.1gCR系接着剤(セメ
ダイン 575 セメダイン社製)
0.5gメチルエチルケトン
50mlこの上に、真空蒸着により 3μの厚
さの無定形セレン層を形成し、次いで、下記組成の塗布
液を塗布し、10μの膜厚の有機光半導体層を形成した
。
エル社製) 0.5gトリレンジイ
ソシアネート 0.1gCR系接着剤(セメ
ダイン 575 セメダイン社製)
0.5gメチルエチルケトン
50mlこの上に、真空蒸着により 3μの厚
さの無定形セレン層を形成し、次いで、下記組成の塗布
液を塗布し、10μの膜厚の有機光半導体層を形成した
。
ポリビニル力ルバゾール 10gジオクチ
ルフタレート 2gモノクロルベン
ゼン 100ml接着性は良好で、ひび
割れ剥離はなく、さらに、この感光体を暗所でコロナ放
電により負帯電し、残留電位として十分露光した後の値
、すなわち、タングステンランプで2 0 0 lux
.sec露光した後の表面電位を測定したところ、−2
5Vという実用的にも十分に小さい値であった。
ルフタレート 2gモノクロルベン
ゼン 100ml接着性は良好で、ひび
割れ剥離はなく、さらに、この感光体を暗所でコロナ放
電により負帯電し、残留電位として十分露光した後の値
、すなわち、タングステンランプで2 0 0 lux
.sec露光した後の表面電位を測定したところ、−2
5Vという実用的にも十分に小さい値であった。
一方、接着層の組成の内、CRゴム系接着剤のみを除い
た溶液から形成された接着層上に、同じ感光層を積層し
たところ、容易に接着層とセレン層の間で剥離がおきた
。
た溶液から形成された接着層上に、同じ感光層を積層し
たところ、容易に接着層とセレン層の間で剥離がおきた
。
実施例 3
実施例2のセメダイン575の代りに、NBR系接着剤
であるセメダイン521を用いても実施例2と同じく、
接着性の良好な感光体が得られた。
であるセメダイン521を用いても実施例2と同じく、
接着性の良好な感光体が得られた。
Claims (1)
- 1 導電性支持体上にエポキシ樹脂、インシアネート化
合物および共役ジエンゴムからなる接着層を設け、さら
にその上に光半導体層を設けたことを特徴とする電子写
真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12117275A JPS583543B2 (ja) | 1975-10-07 | 1975-10-07 | デンシシヤシンヨウカンコウタイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12117275A JPS583543B2 (ja) | 1975-10-07 | 1975-10-07 | デンシシヤシンヨウカンコウタイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5245340A JPS5245340A (en) | 1977-04-09 |
| JPS583543B2 true JPS583543B2 (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14804618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12117275A Expired JPS583543B2 (ja) | 1975-10-07 | 1975-10-07 | デンシシヤシンヨウカンコウタイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583543B2 (ja) |
-
1975
- 1975-10-07 JP JP12117275A patent/JPS583543B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5245340A (en) | 1977-04-09 |
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