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JPS5838066B2 - トランジスタチヨツパ制御装置 - Google Patents
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JPS5838066B2 - トランジスタチヨツパ制御装置 - Google Patents

トランジスタチヨツパ制御装置

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JPS5838066B2
JPS5838066B2 JP52053179A JP5317977A JPS5838066B2 JP S5838066 B2 JPS5838066 B2 JP S5838066B2 JP 52053179 A JP52053179 A JP 52053179A JP 5317977 A JP5317977 A JP 5317977A JP S5838066 B2 JPS5838066 B2 JP S5838066B2
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JP
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transistor
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chopper
current
power
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JP52053179A
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茂 栗山
力 大前
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Hitachi Ltd
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P7/00Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
    • H02P7/06Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual DC dynamo-electric motor by varying field or armature current
    • H02P7/18Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual DC dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power
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    • H02P7/28Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual DC dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices
    • H02P7/285Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual DC dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices controlling armature supply only
    • H02P7/29Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual DC dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices controlling armature supply only using pulse modulation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12Modifications for increasing the maximum permissible switched current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトランジスタチョツパ制御装置に係り、特に、
直流電動機を制御するに好適なトランジスタチョツパ装
置に関する。
バツテリ等の直流電源により負荷をオン、オフ制御する
ものにおいて、例えば、電気車等では、直流電動機をチ
ョツパ装置により駆動する方法が一般的に用いられてい
る。
そのチョツパ装置としては、サイリスク式、トランジス
タ式等がある。
これらの電気車用等のチョツパは大電力を制御すること
が必要なことからチョツパに用いる素子にも大容量のも
のが要求される。
大容量素子の価格は、小容量の素子に較べ生産数が少な
いこともあって高価なものとなっている。
特にサイリスク式では、転流回路が必要なことからチョ
ツパ回路も複雑となりさらに高価なものとなっている。
一方、トランジスタ素子も近年大容量のものが出現して
いるが、現在のところ、まだ、量産性が低いためサイリ
スク以上に高価なものとなっている。
このように、チョツパ用大容量半導体素子が高価なため
電気車用チョツパ装置としても高価なものとなってしま
う欠点がある。
そこで、従来でもチョツパ装置を安価にする方法の一例
としては、第1、第2図に示すごとく、一般用に多量に
生産されでいる安価な小容量のトランジスタを数ヶ〜数
10ケ並列接続して用いる方法が採用されている。
第1図において、Bはバツテリ電源、Kは電源スイッチ
、Mは直巻界磁巻線FLを有する直巻電動機、Fl 7
F2及びRl J R2はFLの極性を切替えて前進
,後退の切替えを行なう切替スイッチ、Dはフライホイ
ールダイオード、TCHはトランジスタチョツパ、2は
トランジスタチョツパTCHを制御する制御装置、1は
電気車のアクセルペダルに連動して電気信号を発生する
アクセル装置である。
以上の回路構戒において、電源スイッチK及び前進スイ
ッチ”1 1 ”2を閉じて制御装置2の出力VOSO
によりトランジスタチョツパTCHをオン、オフ動作さ
せると、第3図に示すようにチョツパTCHのオン時は
、バツテIJ B→電源スイッチK→前進スイッチF1
→直巻界磁巻線FL→前進スイッチF2→電動機M→ト
ランジスタチョツパTCHへと電流が流れ、電動機Mは
回転する。
チョツパTCHオフ時は、フライホイールダイオードD
を介してフライホイール電流が電動機Mに流れる。
チョツパの動作は、これをくりかえす。これらのチョツ
パの導通期間T1、非導通期間T2T1 の比α− をアクセル装置1の指令に応じT1+
T2 て可変すれば、電動機の速度制御を行うことができる。
次に第2図の回路構成を説明する。
Toはドライブ用トランジスタであり、コレクタ抵抗R
coを介して制御回路電源VCCへ、エミツタは制御回
路電源の共通端子Eへ、ベースはベース抵抗RIOへそ
れぞれ接続されている。
一方、T1〜T5はドライブ用トランジスタT。
によって駆動されるパワートランジスタで各エミツタは
、それぞれバランス用のエミツタ抵抗RE1〜RE5を
介して電源の共通端子Eへ、ベースはバランス用のベー
ス並列抵抗RB1〜RB5を介して電源の共通端子Eと
ベース直列抵抗R1、〜R15を介してドライブ用トラ
ンジスタのコレクタへ並列接続されている。
また、各コレクタを直接接続した端子Cぱ、第1図で説
明した電動機Mに、エミツタ側共通端子EはバツテIJ
Bのマイナス端子へ接続しチョツパ回路を構或してい
る。
このような回路構戒において、ドライブ用トランジスタ
Toのベース入力に第4図に示す波形の信号VOSOを
入力するとパワートランジスタT1〜T5は駆動される
すなわち、第4図のごとく入力電圧VOSOが零になる
とトランジスタToはO FFL,パワートランジスタ
T1〜T,は、ドライブ用トランジスタT。
のコレクタ抵抗ROOとそれぞれのベース抵抗Ttt+
〜R1,を介してベース電流が各トランジスタに供給さ
れコレクタ電流■。
1〜IO5が流れる。vosaがハイレベルになるとド
ライブトランジスタT。
はONし、パワートランジスタT1〜T5を遮断する。
上記のようにトランジスタを並列接続したチョツパでは
第5図のコレクタ電流■o1,■c2の波形のごとくト
ランジスタのターンオフ特性のバラツキから過渡時に特
定のトランジスタに電流が集中して流れることがあり、
この電流値がトランジスタの定格値をこえるとトランジ
スタが破壊される。
したがって、この問題についでは、従来では、各トラン
ジスタのターンオフ特性が同じものを選別して使用して
いる。
しかしこの方法は、トランジスタの選別が必要なため歩
留りが悪くなり、トランジスタの価格も高価なものとな
ってしまい実用的でない。
また、他の方法としては、特性のばらつきがある範囲内
にあるものを使用して、トランジスタの単体の使用条件
を最大定格値よりも十分低くさげて、トランジスタの並
列数を増加させで使用する方法がある。
しかし、この方法はトランジスタに十分余裕をもたせて
使用しているため同じ負荷電流を流す場合を考えるとト
ランジスタの数が増加する。
いずれの場合でもコストが高くなる欠点がある。
本発明の目的は、安価な小容量のトランジスタを多数並
列に接続して大電流を制御するトランジスタチョツパ装
置において、ターンオフ時の電流が特定のトランジスタ
に集中することなく、各トランジスタに均一に流れるよ
うバランスさせることで、トランジスタ単体の電流の最
大定格値まで使用を可能とし、トランジスタ素子数を極
力少なくしてコスト低減を図ったトランジスタチョツパ
装置を提供するにある。
本発明の特徴は、トランジスタを多数並列接続してチョ
ツパを構成する場合に、ターンオン時は各トランジスタ
へ同一値のベース電流を流し、クーンオフ時は、各トラ
ンジスタの電流増幅率hFE特性に応じてターンオフベ
ース電流を流すことで、ターンオフタイムを変えて、タ
ーンオフ時のコレクタ電流をバランスさせ、各トランジ
スの電流分担を均一化したことにある。
ところでトランジスタのスイッチング動作時の入出力関
係は第4図で示した波形となる。
すなわちターンオン時は、ベース電流を十分に流してト
ランジスタを飽和させて使用するためターンオフ時に蓄
積時間tBが生じる。
タンオフ時間t。ffは次式で表わされる。
toff=ts+tf ・曲・(1)こ
こにtf;下降時間、ts:蓄積時間 tsとtfの大きさは、一般的にt s>t (である
また、tf特性は、トランジスタの違いによるばらつき
は比較的少ない。
一方蓄積時間t8はトランジスタの違いによるばらつき
は大きい。
蓄積時間t3が発生する原因は、ターンオンベース電流
を過剰に流すためトランジスタのベース領域中に過剰電
荷が蓄積されるためと云われており、一般的に次式の関
係で表わさせる。
すなわち、t8は、(2)式よりICが一定条件ではタ
ーンオンベース電流■B1とターンオフベース電流IB
R−それにhFBの影響を受けることがわかる、IBt
は定常状態での各トランジスタのコレクタ電流をバラン
スさせるために一定電流とする必要がある。
hFEは各トランジスタにより大きく異なるため、その
影響はtBの変動となって大きく表われる。
このhFEの影響をのぞくために、IBt一定電流条件
下でIBRを調整すればtsが変わり、各トランジスタ
のt。
ff電流をバランスさせることが可能となる。
すなわち、第6図に示すように、トランジスタの蓄積時
間tsは、そのトランジスタの増幅率hFEが大きくな
ると増加する特性となる。
(ただし、トランジスタのコレクタ電流、ベース電流一
定)。
従って、ターンオフ時の放電回路のインピーダンスRZ
を増幅率hFFi と逆比例関係に変化させることで、
放電々流を可変できる。
これによって各トランジスタの蓄積時間tBを個々に調
整することができる。
第7図は、ターンオン、ターンオフベース電流を変える
動作の原理を説明した図で、第2図に示した従来方式の
ドライブ回路とパワートランジスタの一部を示したもの
である。
この場合のターンオン電流IB1は次式の関係となる。
?なわち、IB1は、VOO>VBE V00:>R
gtIEとすれば、コレクタ抵抗RIOとベース抵抗R
llで決定する値となる。
また、ターンオフ時の蓄積時間tsをかえるには、第7
図に示したごとくベース抵抗Rllを変えることで、タ
ーンオフ電流IBRをかえることが可能である。
しかし、この場合の問題点は、IBR,を調整する目的
で抵抗’RHを変えれば、■Blも変ってしまい好まし
くない。
第8図は、本発明による回路の動作原理を説明する図で
ある。
図において、DRはベースドライブ回路で、ドライブ用
トランジスタのコレクタにベース直列抵抗R12とイン
ピーダンス調整用の可変抵抗R21をそれぞれ接続し、
さらに抵抗R1にはパワートランジスタT1のベース側
に順方向に、R2には逆方向にダイオードD1,D2を
各々接続し、各ダイオードの他の一端はパワートランジ
スタT,のベースヘ接続する。
このような回路構戒における動作は次のようである。
第9図に示すごとく、ターンオン時は、抵抗ROO
R1,ダイオードDllを介してパワートア ランジスタT,のベースヘIBtの一定電流を流す。
ターンオフ時は、パワートランジスタT1のベース領域
に蓄積された電荷をダイオードD21、可変抵抗R21
、ドライブトランジスタT。
を介しで放電させる。
この場合に、トランジスタのター?オフ特性に応じて、
可変抵抗R21を調整し、ターンオフ電流IBR (
放電々流)をかえることで1第9図のごとく、蓄積時間
をjst ,jso ,t3のように可変することがで
きる。
このように、トランジスタのターンオン時は一定のベー
ス電流を流し、ターンオフ時にトランジスタの増幅率に
応じてターンオフベース電流ヲかえることで、tuff
特性のみを個々に調整することが可能である。
以上、説明した動作原理のベースドライブ回路を備えた
パワートランジスタの多数並列接続によるチョツパ回路
を第10図に示す。
ベースドライブ回路DR1〜DR5をのぞいた他は第2
図の従来回路の構成と同様なので説明は省略する。
第11図には、第10図の回路における動作の一例とし
て、コレクタ電流■c1,■c2と合或電流IQの波形
関係を示す。
多数並列接続したトランジスタチョツパにおいて、上記
したような方法を用いれば、ターンオフ特性を合わせる
ことが可能となり、各トランジスタに流れるターンオフ
電流の分担が均一化されるため特定のトランジスタへの
電流が集中する問題が解決できる。
したがって、従来は、電流のアンバランスを見込んで、
各々トランジスタの使用能力を下げて全体のトランジス
タ数を増加させるなどして余裕をもたせていたものを、
トランジスタ単体の性能値の最大まで使用できることが
可能である。
すなわち、全体のトランジスタの個数を少なくできる効
果がある。
第12図a,bに本発明の他の実施例を示す。
第12図で、第8図と異なる点は、ベースインピーダン
スを変える方法として可変容量C21を用いていること
である。
この方法でも同様な機能をもたせることができる。
また、第13図において、ベース直列抵抗R12と放電
抵抗R21がR1〉R21の関係の場合にはダイオード
D11を省略でき回路が簡略化できる。
なお、第13図においてトランジスタT1〜T5のベー
スと電源の共通端子E間に各々入るベース並列抵抗を省
略してあるが、これを省略してもなんら効果は変らない
また、ベース放電抵抗R21〜R25を調整する手段と
して、第8図に示した可変抵抗器を用いる方法の他に、
例えば、ベース抵抗に絶縁板上に印刷した印刷抵抗等を
使用した場合には、チョツパ装置を組立る段階で抵抗板
の一部をけずり取るトリミング法等によっても調整でき
るので、抵抗の可動部分を無くすことができ、信頼性、
作業性も向上させることができる。
本発明によれば、安価な小容量のトランジスタを多数使
用して大容量のトランジスタチョツパを構戒することが
可能となり、大容量のトランジスタ1ヶを使用した場合
に較べ非常に安価となる。
さらに、各トランジスタの電流分担の均一化によりトラ
ンジスタの使用率が向上する。
したがって同容量のトランジスタチョツパに較べ素子数
が減少するため、低価格のチョツパ装置を提供すること
ができる。
以上、本発明のトランジスタチョツパ装置については、
一実施例として電気車を駆動する場合を説明したが、そ
の他、直流を電源とし、負荷への電圧印加を間歇的に制
御する制御装置であれば、いずれの場合でも適用できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は電気車用主回路の代表的な構成を示す図である
。 第2図は従来知られているトランジスタチョツパ回路を
示す図である。 第3図はチョツパ動作原理説明図である。 第4図はパワートランジスタの入・出力関係図、第5図
は従来方式チョツパにおけるトランジスタコレクタ電流
波形図を示す図である。 第6図はトランジスタの増幅率と蓄積時間ts,所要イ
ンピーダンスRZの関係を示す図である。 第7図は従来方式チョッパにおけるトランジスタのター
ンオン、ターンオフ動作を説明図、第8図は本発明の原
理回路図である。 第9図は本発明の原理動作説明図、第10図は本発明を
適用したチョツパ回路の一例を示す図、第11図は本発
明方式のチョツパにおけるトランジスタのコレクタ電流
波形を示す図、第12図a〜bは本発明の他の実施例の
説明図、第13図は本発明の他の実施例を採用したチョ
ツパ回路図を示す図である。 TCH・・・・・・トランジスタチョツパ、To・・・
・・・ドライブ用トランジスタ、T1〜T5・・・・・
・パワートランジスタ、DR・・・・・・ベースドライ
ブ回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 直流電源と負荷チョツパ装置及びチョツパ制御装置
    を備え、チョツパ装置は、複数個のパワートランジスタ
    のエミツタ、コレクタを共通に接続したパワースイッチ
    ング回路と、該パワースイッチング回路を構成する複数
    個のパワートランジスタのベース電流を個々に供給する
    複数個のベースドライブ回路とから構成され、チョツパ
    制御装置は前記複数個のベースドライブ回路への電流を
    制御するドライブ用スイッチ手段を含んだものにおいて
    、前記ベースドライブ回路は、各々、パワートランジス
    タのターンオン時、パワートランジスタのベース電流を
    決定する第1のインピーダンス回路と、パワートランジ
    スタのターンオフ時のベース電流を決定する第2のイン
    ピーダンス回路とを備え、第1のインピーダンス回路の
    インピーダンスは各ベースドライブ回路に等しいベース
    電流が流れるように設定し、第2のインピーダンス回路
    はパワートランジスタのターンオン時に該第2のインピ
    ーダンス回路に電流が流れるのを阻止する手段を含み、
    かつインピーダンス値を、パワートランジスタのターン
    オフ時間が等しくなるよう設定したことを特徴とするト
    ランジスタチョツパ制御装乱 2 特許請求の範囲第1項において、第2のインピーダ
    ンス回路のインピーダンスを、各々のパワートランジス
    タの増幅率に応じて変え、増幅率が大きいほどインピー
    ダンスを小さくするよう設定したことを特徴とするトラ
    ンジスタチョツパ制御装乱
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