JPS5845191B2 - フオトダイオ−ドアレイ - Google Patents
フオトダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS5845191B2 JPS5845191B2 JP51146587A JP14658776A JPS5845191B2 JP S5845191 B2 JPS5845191 B2 JP S5845191B2 JP 51146587 A JP51146587 A JP 51146587A JP 14658776 A JP14658776 A JP 14658776A JP S5845191 B2 JPS5845191 B2 JP S5845191B2
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- Japan
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- substrates
- photodiode
- photodiodes
- diode array
- photo diode
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Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
模写電送等において、読取りの速度を向上するためにフ
ォトダイオードアレイが用いられる。
ォトダイオードアレイが用いられる。
すなわち多数のフォトダイオードを一列（こ配列し２、
原画をその配列方向と直角に移動させて各ダイオードか
ら信号を並列に取出すもので、新聞紙の読み取りに必要
な程度の解像度を得るためには１間の幅に３〜５個のフ
ォトダイオードを配列する必要がある。
原画をその配列方向と直角に移動させて各ダイオードか
ら信号を並列に取出すもので、新聞紙の読み取りに必要
な程度の解像度を得るためには１間の幅に３〜５個のフ
ォトダイオードを配列する必要がある。
また同一半導体基板上に複数個のフォトダイオードを形
成する場合は、励起キャリヤの拡散長の関係から各々の
間に２０μｍ程度の間隔を設けなければならないから、
１つのフォトダイオード１８０μｍＸ１８０μｍ程度の
犬さとなる。
成する場合は、励起キャリヤの拡散長の関係から各々の
間に２０μｍ程度の間隔を設けなければならないから、
１つのフォトダイオード１８０μｍＸ１８０μｍ程度の
犬さとなる。
かつ原画は一般にＡ４またはＢ４の大きさを有するから
フォトダイオードアレイの全長は２００〜２６０１ｆＬ
ｍを必要とするが、シリコン等の単結晶半導体基板は径
５０ｍｍ程度の円板であるから、これを帯状に切断して
用いると、その各々にフォトダイオードアレイを形成し
て更（こ複数個の帯状基板を一直線状に連結する必要が
ある。
フォトダイオードアレイの全長は２００〜２６０１ｆＬ
ｍを必要とするが、シリコン等の単結晶半導体基板は径
５０ｍｍ程度の円板であるから、これを帯状に切断して
用いると、その各々にフォトダイオードアレイを形成し
て更（こ複数個の帯状基板を一直線状に連結する必要が
ある。
しかし帯状半導体基板の端部を切断し、研磨して突き合
せると機械的加工の精度の点から、それらの間に１００
μｍ程度の間隙が生ずることを避は得ない。
せると機械的加工の精度の点から、それらの間に１００
μｍ程度の間隙が生ずることを避は得ない。
この間隙は同一基板上に形成されたフォトダイオードの
間隔２０μｍより遥かに大きいから基板の継目において
解像度が低下する。
間隔２０μｍより遥かに大きいから基板の継目において
解像度が低下する。
従って従来は基板の継目には、該基板上のフォトダイオ
ード列から外れた位置に更に他のフォトダイオードを配
置し、その出力に一定の遅延を与えて、連結された基板
上におけるフォトダイオードの出力と共に送出する装置
が用いられていた。
ード列から外れた位置に更に他のフォトダイオードを配
置し、その出力に一定の遅延を与えて、連結された基板
上におけるフォトダイオードの出力と共に送出する装置
が用いられていた。
しかしフォトダイオードアレイの構造が複雑で製作も煩
雑になると共（こ遅延回路等を必要とするから回路構成
も複雑であり、かつ遅延時間の誤差によって充分な解像
度が得られない等の欠点があった。
雑になると共（こ遅延回路等を必要とするから回路構成
も複雑であり、かつ遅延時間の誤差によって充分な解像
度が得られない等の欠点があった。
従って本発明はこのような欠点のないフォトダイオード
アレイを提供するものである。
アレイを提供するものである。
第１図は本発明実施例の平面図、第２図はその縦断面図
、また第３図は第１図の一部を拡大した図である。
、また第３図は第１図の一部を拡大した図である。
このように基台１に帯状のシリコン単結晶基板２，３を
エポキシ系接着剤で貼着すると共に基板２，３の端部を
突き合せた接合部にも上記接着剤４を塗布しである。
エポキシ系接着剤で貼着すると共に基板２，３の端部を
突き合せた接合部にも上記接着剤４を塗布しである。
基板２，３は例えばｎ型導電性の半導体であってその表
面にｐ型不純物の拡散層５を形成し、かつ中央を帯状に
残して両側をエツチングにより除去すると共に残った帯
状部に例えば２０μｍの幅のきざみ目を入れて、１８０
μｍＸ１８０μｍの大きさの正方形状フォトダイオード
６．６・・・・・・を形成しである。
面にｐ型不純物の拡散層５を形成し、かつ中央を帯状に
残して両側をエツチングにより除去すると共に残った帯
状部に例えば２０μｍの幅のきざみ目を入れて、１８０
μｍＸ１８０μｍの大きさの正方形状フォトダイオード
６．６・・・・・・を形成しである。
すなわち帯状の基板２，３の上にフォトダイオード６．
６・・・・・・が１間に５個の密度をもって一列に配列
されている。
６・・・・・・が１間に５個の密度をもって一列に配列
されている。
また各ダイオードにおける拡散層５の上には金属電極バ
ッド７を設け、かつ上記フォトダイオード列の両側に添
着した絶縁体層８の−Ｌに金属端子層９，９・・・・・
・を形成して例えば径２５μの金線１０．１０・・・・
・・で各電極パッド７と端子層９とをそれぞれ接続しで
ある。
ッド７を設け、かつ上記フォトダイオード列の両側に添
着した絶縁体層８の−Ｌに金属端子層９，９・・・・・
・を形成して例えば径２５μの金線１０．１０・・・・
・・で各電極パッド７と端子層９とをそれぞれ接続しで
ある。
従って基板２，３を接地すると、端子層９，９・・・・
・・から各フォトダイオード６．６・・・・・・の出力
を得ることができる。
・・から各フォトダイオード６．６・・・・・・の出力
を得ることができる。
上述の半導体基板２，３は、その端部をダイオード６．
６・・・・・・の配列方向に対して例えば４５度の角度
ａをもって切断し、この切断端面を突き合せである。
６・・・・・・の配列方向に対して例えば４５度の角度
ａをもって切断し、この切断端面を突き合せである。
なおこの場合に、上記端面の機械的仕上精度の点から、
突き合わされた端面の間に１００μｍ程度の間隙すを設
けなければならない。
突き合わされた端面の間に１００μｍ程度の間隙すを設
けなければならない。
また基板２，３の端面ｃ、ｄはこれを所定の間隙すをも
って対設したとき、基板２のダイオード列と基板３のダ
イオード列とが所定のピッチで連続的に配列されて一連
のダイオードアレイを構成するようにしである。
って対設したとき、基板２のダイオード列と基板３のダ
イオード列とが所定のピッチで連続的に配列されて一連
のダイオードアレイを構成するようにしである。
すなわち図は基板２および３の端部のダイオード６□お
よび６３がそれぞれ一３角形状に切断され、それらが合
体して１つのフォトダイオードを形成したもので、この
ような場合は上記２つのダイオードを金線１０で連結し
て１つの端子層に接続する。
よび６３がそれぞれ一３角形状に切断され、それらが合
体して１つのフォトダイオードを形成したもので、この
ような場合は上記２つのダイオードを金線１０で連結し
て１つの端子層に接続する。
しかし第３図（こ鎖線で示したように基板２，３の端部
のダイオードの一部だけが欠除する場合はこのような必
要がなく、それぞれを独立のダイオードとして別の端子
層に接続する。
のダイオードの一部だけが欠除する場合はこのような必
要がなく、それぞれを独立のダイオードとして別の端子
層に接続する。
上記実施例のように本発明は帯状半導体基板の端部を、
斜めに切断して、突き合せたものである。
斜めに切断して、突き合せたものである。
従って前記実施例においては基板２，３の端部のフォト
ダイオード６２と６３とが、ダイオード列に直角な走行
方向において距離ｅだけ重合する。
ダイオード６２と６３とが、ダイオード列に直角な走行
方向において距離ｅだけ重合する。
すなわち基板２，３の連結部に全く間隙を生じないから
、この部分の解像度が低下するような欠点がなく、しか
も各フォトダイオードがすべて実質的ｌこ一直線上ｌこ
配置されるから遅延回路ｌこよって信号発生時刻の差を
補償する等の必汝がないと共にフォトダイオードアレイ
の構造も簡単で、その製作が容易である。
、この部分の解像度が低下するような欠点がなく、しか
も各フォトダイオードがすべて実質的ｌこ一直線上ｌこ
配置されるから遅延回路ｌこよって信号発生時刻の差を
補償する等の必汝がないと共にフォトダイオードアレイ
の構造も簡単で、その製作が容易である。
なお前記実施例の場合は、連結部における１つの）第１
・ダイオードの受光面積が３分の１程度に減少する。
・ダイオードの受光面積が３分の１程度に減少する。
しかし模写電送のよう（こ原画を黒白の二値信号に変換
する場合は、フォトダイオードの出力をスライサに加え
てマーク、スペース信号を得るから、そのスライスレベ
ルを比較的低く設定することにより、例等支障を生じな
いものである。
する場合は、フォトダイオードの出力をスライサに加え
てマーク、スペース信号を得るから、そのスライスレベ
ルを比較的低く設定することにより、例等支障を生じな
いものである。
第１図は本賢明実施例の平面図、第２図は第１図のフォ
トダイオードアレイの縦断面図、第３図は第１図の一部
を拡大した図である。 なお図において、１は基台、２，３はシリコン単結晶半
導体基板、４は接着剤、５は不純物拡散層、６はフォト
ダイオード、７は電極パッド、８は絶縁体層、９は金属
端子層、１０は金線である。
トダイオードアレイの縦断面図、第３図は第１図の一部
を拡大した図である。 なお図において、１は基台、２，３はシリコン単結晶半
導体基板、４は接着剤、５は不純物拡散層、６はフォト
ダイオード、７は電極パッド、８は絶縁体層、９は金属
端子層、１０は金線である。
Claims (1)
- １ 複数個のフォトダイオードをそれぞれ一列に形成し
た複数個の帯状半導体基板の端部を上記フォトダイオー
ドの配列方向（こ対して傾斜するように斜めに切断し、
各半導体基板の端部を突き合せて連結することにより所
望の長さとなしたことを特徴とするフォトダイオードア
レイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51146587A JPS5845191B2 (ja) | 1976-12-08 | 1976-12-08 | フオトダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51146587A JPS5845191B2 (ja) | 1976-12-08 | 1976-12-08 | フオトダイオ−ドアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5371591A JPS5371591A (en) | 1978-06-26 |
| JPS5845191B2 true JPS5845191B2 (ja) | 1983-10-07 |
Family
ID=15411074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51146587A Expired JPS5845191B2 (ja) | 1976-12-08 | 1976-12-08 | フオトダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845191B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1175884A (en) * | 1980-06-25 | 1984-10-09 | Hugh St. L. Dannatt | Light emitting diode assembly |
| JP6403369B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2018-10-10 | ローム株式会社 | 光検出装置およびセンサパッケージ |
-
1976
- 1976-12-08 JP JP51146587A patent/JPS5845191B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5371591A (en) | 1978-06-26 |
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