JPS5846772B2 - Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance value - Google Patents
Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance valueInfo
- Publication number
- JPS5846772B2 JPS5846772B2 JP13535479A JP13535479A JPS5846772B2 JP S5846772 B2 JPS5846772 B2 JP S5846772B2 JP 13535479 A JP13535479 A JP 13535479A JP 13535479 A JP13535479 A JP 13535479A JP S5846772 B2 JPS5846772 B2 JP S5846772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- needle
- regenerated
- regeneration
- capacitance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 title claims description 14
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/07—Heads for reproducing capacitive information
- G11B9/075—Heads for reproducing capacitive information using mechanical contact with record carrier, e.g. by stylus
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
情報信号と対応するピットが渦巻状あるいは同心円状に
配列されることによって形成された記録跡を備えている
情報記録媒体円盤(ディスク)における記録跡上に再生
素子(ピックアップ)の再生針を摺接し、記録跡中の情
報信号の状態に従って生じる静電容量値の変化を電気量
の変化として検出することにより、ディスクに高密度で
記録されている情報信号を再生するようにしたいわゆる
静電容量値の変化検出型の情報記録再生方式は、ディス
クにおける記録跡中の情報信号の読取りが、再生針に設
けた電極によって静電容量値の変化の検出によって行な
われるから、前記した再生針に設ける電極の厚さ寸法を
情報信号と対応するピットの長さく記録跡が延びている
方向におけるピットの大きさ)寸法に比べて充分に小さ
くして分解能を高めることができ、したがって、ディス
クの回転数を低くしても情報信号の記録再生が可能とな
るという特長を有する他に、例えばディスクに記録され
た情報信号の読取りを光学的に行なうようにした光学的
な情報記録再生方式に比べて、いわゆるフォーカス・サ
ーボ系が不要であって再生系の構成が簡単になる、その
他事(の利点を有するために、その実用化研究が推進さ
れて来ているのである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A reproducing element (pickup ) and detects the change in capacitance value that occurs according to the state of the information signal in the recording trace as a change in the amount of electricity, so that the information signal recorded at high density on the disk can be reproduced. In the so-called capacitance change detection type information recording and reproducing method, the information signal in the recording trace on the disk is read by detecting the change in capacitance value with an electrode provided on the reproduction needle. The resolution can be improved by making the thickness of the electrode provided on the reproducing needle sufficiently smaller than the length of the pit corresponding to the information signal (the size of the pit in the direction in which the recording trace extends), Therefore, in addition to having the feature that information signals can be recorded and reproduced even at a low rotational speed of the disk, for example, optical information recording in which the information signals recorded on the disk are optically read out is possible. Compared to the reproduction method, research into its practical application has been promoted because it has the following advantages: it does not require a so-called focus servo system, the configuration of the reproduction system is simpler, and other advantages.
ところで、情報信号が高密度記録されているディスクは
、記録跡間隔(トランクピッチ)が小さく、かつ、ディ
スク面上での記録波長が著るしく短いものとなされてい
るから、ディスクからの情報信号の読取りに使用される
再生素子の再生針では、ディスク面上の最短記録波長の
1/2以下の寸法となされている電極厚さと、隣接記録
跡からのクロストークが問題とならないように記録跡間
隔に略々等しくなされている電極巾とを有するような電
極端部を摺接面に出現させうるような電極部を再生針本
体における電極形成面上に導電性物質によって形成させ
ているが、再生針に形成させるべき上記の電極部として
は、ディスク面との摺接によっても再生針本体から剥離
しないように、再生針本体に対して充分に大きな付着力
で付着されている状態となされていることが必要である
と共に、情報信号の検出が良好なC/Nを示すような状
態で行なわれうるように、電極部が低い電気抵抗値を示
すものとして構成されていることが必要とされる。By the way, on discs on which information signals are recorded at high density, the interval between recording traces (trunk pitch) is small and the recording wavelength on the disc surface is extremely short. The reproducing needle of the reproducing element used for reading the data has an electrode thickness that is less than 1/2 of the shortest recording wavelength on the disk surface, and a recording trace that is designed to prevent crosstalk from adjacent recording traces from becoming a problem. An electrode portion is formed of a conductive material on the electrode forming surface of the regenerated needle body so that an electrode end portion having an electrode width approximately equal to the spacing can appear on the sliding contact surface. The above-mentioned electrode portion to be formed on the recycled needle must be attached to the recycled needle body with a sufficiently large adhesion force so that it will not peel off from the recycled needle body even when it comes into sliding contact with the disk surface. In addition, it is necessary that the electrode section be configured to exhibit a low electrical resistance value so that the information signal can be detected in a state that exhibits a good C/N. Ru.
すなわち、静電容量値の変化検出型再生素子の再生針で
はその摺接面が高速回転状態となされているディスク面
上に摺接した状態で、電極部、主として電極端部により
ディスクの記録情報を静電容量値の変化によって検出し
ているものであるが、再生針本体と電極部を構成してい
る導電性物質による被膜との間の付着力が小さいと、高
速回転するディスクと摺接状態にある電極端部に加わる
外力によって電極部が再生針本体から剥離されて、再生
針が使用不能なものとなされたり、あるいは、再生針を
所望の外形々状に加工する時、または電極部を所望の形
状に整形加工する時などに電極部に加えられる外力によ
って、電極部が再生針本体から剥離されて、完全な再生
針を得ることが困難となり、再生針の製作時の歩留りが
低下するなどの問題点が生じる。In other words, with the playback needle of the capacitance change detection type playback element, the recording information on the disk is detected by the electrode section, mainly the electrode end, while the sliding surface is in sliding contact with the disk surface that is rotating at high speed. is detected by changes in capacitance value, but if the adhesive force between the regenerating needle body and the coating made of conductive material that makes up the electrode part is small, sliding contact with the high-speed rotating disk may occur. When the electrode part is peeled off from the regenerated needle body due to an external force applied to the end of the electrode in a state of External force applied to the electrode part when shaping the needle into the desired shape causes the electrode part to peel off from the recycled needle body, making it difficult to obtain a complete recycled needle, and reducing the yield when manufacturing recycled needles. Problems such as
また、静電容量値の変化検出型再生素子では、再生針の
電極部とディスクの情報面との間の静電容量を、高周波
発振器から固定の周波数の信号が与えられている同調回
路における同調周波数の決定用のコンテツサの全部また
は一部として用い、再生針の電極部とディスクの情報面
との間の静電容量値の変化による同調回路の共振周波数
の変化によって、同調回路からディスクの記録情報によ
って振幅変調された状態の信号を取出し、それを振幅復
調してディスクの記録情報(FM波)が得られるように
しているのが通常なのであるが、ディスクの情報信号を
静電容量値の変化として検出するための再生針の電極部
は、前記のように共振回路中の素子として用いられてい
るものであるから、電極部の電気抵抗は共振回路の共振
の鋭るどさQを決定する要素となる。In addition, in a capacitance change detection type playback element, the capacitance between the electrode part of the playback needle and the information surface of the disc is tuned by a tuning circuit to which a signal of a fixed frequency is applied from a high-frequency oscillator. It is used as all or a part of the frequency determining frequency converter, and the recording of the disc from the tuning circuit is performed by changing the resonant frequency of the tuning circuit due to the change in the capacitance value between the electrode part of the playback needle and the information surface of the disc. Normally, a signal whose amplitude has been modulated by information is extracted and amplitude demodulated to obtain information recorded on the disc (FM wave). Since the electrode part of the regeneration needle used to detect changes is used as an element in the resonant circuit as described above, the electrical resistance of the electrode part determines the sharpness Q of the resonance of the resonant circuit. It becomes an element to do.
それで、電極部の電気抵抗が大きくて共振回路のQが低
くなった場合には静電容量値の変化によって共振周波数
が第1図示のようにf2からflまで変化して共振曲線
が■、■のように変化しても、高周波発振器から共振回
路に供給されている信号の周波数fnの位置における共
振曲線の変化量αは極めて小さくなり、したがって、静
電容量値の変化によって検出されたディスクの情報信号
はC/Nの悪い状態の信号として再生素子から出力され
ることになるのである。Therefore, when the electrical resistance of the electrode part is large and the Q of the resonant circuit becomes low, the resonant frequency changes from f2 to fl as shown in the first diagram due to the change in capacitance value, and the resonant curves change from ■ to ■. , the amount of change α in the resonance curve at the position of the frequency fn of the signal supplied from the high-frequency oscillator to the resonant circuit is extremely small. The information signal is output from the reproducing element as a signal with a poor C/N ratio.
第1図中において、曲線■、■は再生針の電極部が電気
抵抗値が小さなものとして構成されていた場合における
共振回路の共振曲線であり、静電容量値の変化によって
共振回路の周波数がf2からfl まで変化すると、
高周波発振器から共振回路に供給されている信号の周波
数fnの位置における共振曲線の変化量βは既述した変
化量αに比べて大きなものであり、したがって、再生素
子からはC/Nの良好な再生信号が得られるのである。In Fig. 1, the curves ■ and ■ are the resonance curves of the resonant circuit when the electrode part of the regeneration needle is constructed with a small electrical resistance value, and the frequency of the resonant circuit changes as the capacitance value changes. When changing from f2 to fl,
The amount of change β in the resonance curve at the position of the frequency fn of the signal being supplied from the high-frequency oscillator to the resonant circuit is larger than the amount of change α described above, and therefore, the reproducing element can detect a good C/N ratio. A reproduced signal can be obtained.
このように、静電容量値の変化検出型再生素子の再生針
としては、電極部と再生針本体との付着状態が充分に強
固であること、電極部の電気抵抗が低いこと、などの諸
条件も満足されていなげればならないのである。As described above, the regeneration needle of the regeneration element that detects changes in capacitance requires several factors, such as the adhesion between the electrode part and the regeneration needle body to be sufficiently strong, and the electrical resistance of the electrode part to be low. The conditions must also be satisfied.
従来、再生針の電極部は、再生針本体として用いられる
耐摩耗性を有する高硬度材料物質との間で大きな封着力
が得られるような導電性物質を選定し、その導電性物質
を再生針本体の電極形成面上にスパッタリング法あるい
は蒸着法などの適用によって所望の厚さの被膜として付
着させることによって形成させていたのであり、例えば
、再生針本体がダイヤモンドの場合には、チタンを用い
て電極部を構成させ、また例えば再生針本体がサファイ
アの場合には、ハフニウムを用いて電極部を構成させる
ことによって、電気抵抗が低く、また、実用上で大きな
支障が生じない程度において充分な付着力を以って再生
針本体に付着された状態の電極部を再生針本体に付着形
成させていたが、長寿命で安定な再生特性を示す再生針
というのには今−歩という感じがあり、より一層性能の
優れた再生針の出現が待望されていた。Conventionally, the electrode part of a recycled needle is made of a conductive material that can provide a large sealing force with the abrasion-resistant, high-hardness material used for the recycled needle body, and the conductive material is used as the material for the recycled needle. It was formed by depositing a film of a desired thickness on the electrode forming surface of the main body by sputtering or vapor deposition. For example, if the regenerated needle main body was made of diamond, titanium was used to form the material. For example, when the regenerated needle body is made of sapphire, the electrode part is made of hafnium, which provides low electrical resistance and sufficient adhesion to the extent that it does not cause any major problems in practical use. The electrode part was attached to the regenerated needle body using adhesive force, but there is a feeling that regenerated needles that have a long life and stable regeneration characteristics are just a step away. The emergence of regenerated needles with even better performance has been eagerly awaited.
そして、上記した再生針における電極部の剥離の問題を
解決するために、再生針本体における電極形成面に、イ
オン注入法によって金属イオン、不純物イオンを注入し
て電極部を構成させて、再生針の長寿命化を図るという
試みもなされたが、このように、電極部を再生針本体内
にイオン注入法によって注入され金属イオンあるいは不
純物イオンによって形成させた場合には、確かに電極部
の剥離の問題は解決されるが、どうしても電極部の電気
抵抗値が高いものとなって良好なC/Nの再生信号を得
ることは困難である。In order to solve the above-mentioned problem of peeling off of the electrode part of the regenerated needle, metal ions and impurity ions are injected into the electrode forming surface of the regenerated needle body using an ion implantation method to form the electrode part. Attempts have been made to extend the lifespan of the needle, but when the electrode part is implanted into the regenerated needle body by ion implantation and formed with metal ions or impurity ions, it is certain that the electrode part will peel off. Although this problem is solved, the electric resistance value of the electrode portion inevitably becomes high, making it difficult to obtain a reproduced signal with a good C/N ratio.
すなわち、例えば、注入エネルギが100Kev、ドー
ズ(DO8E)量が1015〜1o16ions/c這
という条件の下で、チタンをダイヤモンドにイオン注入
した時に得られたシート抵抗値Rsは、室温において約
7にΩ〜IOKΩであり、また、ダイヤモンドに注入さ
れたイオンの深さ方向での分布状態は、ヘリウム後方散
乱法を用いて解析したデータによると、第2図a図のよ
うに半値巾(チタンイオンの注入量の半値巾)が約30
0オングストロームである。That is, for example, the sheet resistance value Rs obtained when titanium is ion-implanted into diamond under the conditions of an implantation energy of 100 Kev and a dose (DO8E) of 1015 to 1016 ions/c is approximately 7Ω at room temperature. ~IOKΩ, and the distribution state of the ions implanted into the diamond in the depth direction is as shown in Figure 2a, according to the data analyzed using the helium backscattering method. The half-width of the injection amount is approximately 30
0 angstrom.
今、前記した注入層における固有抵抗値ρを求めるため
に、第2図a図示のイオンの深さ方向での分布を第2図
す図示のような分布に書き換えて、注入層の固有抵抗値
ρを
の式より求めるとシート抵抗RsがIOKΩ、深さく厚
さ)tが300オングストロームとしてρは
となる。Now, in order to find the specific resistance value ρ in the implanted layer described above, the distribution of ions in the depth direction shown in FIG. 2A is rewritten into the distribution shown in FIG. When ρ is calculated from the formula, ρ is given by assuming that the sheet resistance Rs is IOKΩ, and the depth and thickness t is 300 angstroms.
ところで、ダイヤモンド、あるいはサファイアの再生針
本体の電極形成面上にスパッタリング法によって付着形
成させた厚さ3000オングストロームの電極薄膜のシ
ート抵抗R8は数Ω以下であるのに対し、前記したイオ
ン注入法による電極のシート抵抗Rsは7にΩ〜IOK
Ωというように極端に高く、これでは良好なC/Nを有
する再生信号を得ることはできないことは明らかである
。Incidentally, the sheet resistance R8 of a 3000 angstrom thick electrode thin film deposited by sputtering on the electrode formation surface of the regenerated diamond or sapphire needle body is several ohms or less, whereas The sheet resistance Rs of the electrode is 7Ω~IOK
Ω is extremely high, and it is clear that it is not possible to obtain a reproduced signal with a good C/N.
イオン注入法によって形成させた電極を備えさせた再生
針によって良好なC/Nを有する再生信号が得られるよ
うにするためには、電極のシート抵抗Rsを小さくする
必要があるが、前述の条件で示されているドーズ量より
もドーズ量を増加させても、あるいは注入エネルギを増
加させてシート抵抗を低下させようと試みても、結晶性
の悪化によって表面の半導体的電導性が失なわれるため
か、かえってシート抵抗値Rsが増大し、また、結晶が
損傷を受けてもろくなり耐摩耗法も劣化してしまう。In order to obtain a reproduction signal with a good C/N using a reproduction needle equipped with an electrode formed by ion implantation, it is necessary to reduce the sheet resistance Rs of the electrode. Even if the dose is increased beyond the dose indicated by , or even if an attempt is made to lower the sheet resistance by increasing the implantation energy, the semiconductor-like conductivity of the surface will be lost due to deterioration of crystallinity. Perhaps because of this, the sheet resistance value Rs increases, and the crystal becomes brittle due to damage, resulting in a deterioration of the wear resistance method.
前記した原因による結晶性の悪化をアニール処理によっ
て回復させ、導電性の増大を図かるということも考えら
れるが、それによる大巾な抵抗値の低下は実現が困難と
思われる。Although it is conceivable that the deterioration of crystallinity caused by the above-mentioned causes can be recovered by annealing treatment and the conductivity can be increased, it seems difficult to realize a large decrease in the resistance value due to this.
本発明は、耐摩耗性を有する高硬度材料よりなる再生針
本体の電極形成面の表面に形成させたP型またはN型の
導電性を示すようなイオンの注入層上に導電性物質によ
る電極被膜を構成させることによって、上記した従来の
諸問題点がすべて良好に解消されるようにした再生針を
提供するものであって、以下、添付図面を参照して本発
明の再生針の具体的な内容を詳細に説明する。The present invention provides an electrode made of a conductive material on an ion-implanted layer exhibiting P-type or N-type conductivity formed on the electrode-forming surface of a regenerated needle body made of a highly hard material with wear resistance. The object of the present invention is to provide a regenerated needle in which all of the conventional problems described above are satisfactorily resolved by forming a coating. The contents will be explained in detail.
第3図は本発明の静電容量値の変化検出型再生素子の再
生針の一実施態様のものの一部の斜視図であり、この第
3図において、1は再生針本体であって、この再生針本
体1としては耐摩耗性を有する高硬度材料、例えば、ダ
イヤモンド、サファイアなどが用いられる。FIG. 3 is a partial perspective view of an embodiment of the regeneration needle of the capacitance value change detection type regeneration element of the present invention, and in FIG. 3, 1 is the regeneration needle main body; The regenerated needle body 1 is made of a highly hard material having wear resistance, such as diamond or sapphire.
2は再生針本体の摺接面であって、この摺接面2は再生
動作時にディスク面と摺接状態となされる。Reference numeral 2 denotes a sliding surface of the reproducing needle main body, and this sliding surface 2 is brought into sliding contact with the disk surface during the reproducing operation.
3は再生本体の電極形成面であり、この電極形成面3に
は、P型またはN型を示すようなイオンの注入層4が形
成されていると共に、導電性物質による電極被膜5によ
って電極部が構成されている。Reference numeral 3 denotes an electrode forming surface of the reproducing main body. On this electrode forming surface 3, an ion implantation layer 4 showing P type or N type is formed, and an electrode coating 5 made of a conductive material forms an electrode part. is configured.
この第3図示の本発明の再生針において、再生針本体1
の電極形成面3に形成されるべき電極部は、電極形成面
3の表面付近のイオン注入層4上に導電性物質による電
極被膜5が設げられることによって構成されているから
、充分に低い電気抵抗値の電極被膜5によって再生信号
が良好なC/Nを有するものとなされ、また、電極被膜
5は電極形成面3におけるイオン注入層4の形成時に電
極形成面30表面に生じた極めて微細な損傷による格子
欠陥に、電極被膜5の構成物質の原子が入り込んで付着
強度が向上したものとなり電極部の剥離の生じない再生
針が容易に得られるのである。In the regenerated needle of the present invention shown in the third figure, the regenerated needle main body 1
The electrode portion to be formed on the electrode forming surface 3 is constituted by providing an electrode coating 5 made of a conductive material on the ion implantation layer 4 near the surface of the electrode forming surface 3, so the electrode portion is sufficiently low. The reproduced signal has a good C/N due to the electrode coating 5 having an electrical resistance value, and the electrode coating 5 also eliminates extremely fine particles generated on the surface of the electrode forming surface 30 during the formation of the ion implantation layer 4 on the electrode forming surface 3. The atoms of the constituent material of the electrode coating 5 enter into the lattice defects caused by such damage, and the adhesion strength is improved, making it possible to easily obtain a regenerated needle in which the electrode portion does not peel off.
なお、イオン注入層4の形成に用いた物質と、電極被膜
5の構成物質とが同一の場合には、電極被膜5の電極形
成面3への付着が、いわば、再生針本体1の構成物質と
電極被膜5との混合層に対して電極被膜5の構成物質が
付着するという状態となるために、電極被膜5と再生針
本体1との付着強度は一層大きなものとなる。Note that if the material used to form the ion implantation layer 4 and the constituent material of the electrode coating 5 are the same, the adhesion of the electrode coating 5 to the electrode forming surface 3 may be caused by the constituent material of the regenerated needle body 1. Since the constituent materials of the electrode coating 5 adhere to the mixed layer of the electrode coating 5 and the electrode coating 5, the adhesion strength between the electrode coating 5 and the regenerated needle body 1 becomes even greater.
また、イオン注入層4の形成に用いた物質と、電極被膜
5の構成物質とが同一の場合には、再生針本体1に対す
るイオン注入工程によってイオン注入層4の形成が終了
した後に、イオンの加速電圧を低下させることにより、
引続きイオンブレーティング法による電極被膜5の形成
を行なうようにすることもでき、このようにすることに
より製作工程が簡単化できる。In addition, if the material used to form the ion implantation layer 4 and the constituent material of the electrode coating 5 are the same, the ion implantation layer 4 can be By lowering the accelerating voltage,
It is also possible to subsequently form the electrode coating 5 by the ion blating method, and by doing so, the manufacturing process can be simplified.
第4図a−d図及び第5図a −d図(第4図d図と第
5図c、d図などは一部を拡大して書いである。Figures 4 a - d and Figures 5 a - d (Figure 4 d and Figures 5 c, d, etc. are partially enlarged.
)は本発明の再生針を製作する場合の製作工程を説明す
るための斜視図であり、第4図a図及び第5図a図は、
再生針本体の素材Aであり、以下の説明においては再生
針本体の素材Aはダイヤモンドの角柱であるとされてい
る。) is a perspective view for explaining the manufacturing process when manufacturing the regenerated needle of the present invention, and FIGS. 4a and 5a are
This is the material A of the regenerated needle main body, and in the following description, the material A of the regenerated needle main body is assumed to be a prismatic diamond.
まず、第4図a −d図を参照して再生針の製作工程を
説明する。First, the manufacturing process of the regenerated needle will be explained with reference to FIGS. 4a to 4d.
第4図a図示のダイヤモンドの角柱における電極形成面
3はスクラッチフリーの状態に研磨されており、その電
極形成面3には第4図す図示のようにイオン注入法によ
って例えばチタンのイオンによりイオン注入層4が形成
される。The electrode forming surface 3 of the diamond prism shown in FIG. An injection layer 4 is formed.
前記のイオン注入層4の形成は真空槽内で行なわれるこ
とはいうまでもない。It goes without saying that the formation of the ion-implanted layer 4 is performed in a vacuum chamber.
次に、第4図す図示の状態の再生針本体の素材における
イオン注入層4が形成されている面に対して、スパッタ
リング法によって所定の厚さのチタンの電極被膜5を付
着させる(第4図C図)。Next, a titanium electrode film 5 of a predetermined thickness is deposited by sputtering on the surface of the raw material of the regenerated needle main body in the state shown in FIG. 4, on which the ion implantation layer 4 is formed. Figure C).
チタンの電極被膜5の厚さはイオン注入層4の深さも考
慮して所要のように決定される(例えば2000〜30
00A)次に、研磨加工によって第4図d図示のような
所望の外形々状を有する再生針とするのであるが、摺接
面の形状が図示のような形状以外の形状となされてもよ
いことは勿論である。The thickness of the titanium electrode coating 5 is determined as required, taking into account the depth of the ion implantation layer 4 (for example, 2000 to 3000
00A) Next, a regenerated needle having the desired external shape as shown in FIG. 4d is obtained by polishing, but the shape of the sliding surface may be made into a shape other than that shown in the figure. Of course.
前記した第4図す図示の状態のものに、電極被膜5を付
着させる工程を、スパッタリング法によらずにイオンブ
レーティング法にかえてもよく、それにより製作が容易
になるという利点が得られる。The step of attaching the electrode coating 5 to the state shown in FIG. 4 described above may be replaced by the ion blating method instead of the sputtering method, which has the advantage of simplifying the manufacturing process. .
第5図a −d図に示す再生針の製作工程は、第5図a
図示のダイヤモンド角柱よりなる再生針本体の素材Aに
おける電極形成面3に、第5図す図示のように金属イオ
ンによるイオン注入層4を形成させ、ついで、研磨加工
により第5図C図示のように再生針の外形々状に加工し
、次に第3図C図示のものにおけるイオン注入層4を電
極として電気メッキを行ない、金属のメッキ層による電
極被膜5をイオン注入層4上に形成させるのである。The manufacturing process of the recycled needle shown in Figures 5a-d is as shown in Figure 5a.
An ion-implanted layer 4 of metal ions is formed on the electrode forming surface 3 of the material A of the regenerated needle body made of a diamond prismatic pillar as shown in FIG. 5, and then polished as shown in FIG. 5C. The ion implantation layer 4 shown in FIG. 3C is used as an electrode to form an electrode coating 5 on the ion implantation layer 4. It is.
この第5図示の製作法によると、再生針本体の電極形成
面3上に付着形成される導電物質による電極被膜5は、
第5図C図で示されるように、研磨加工によって所定形
状の電極形成面となされた部分に残されているイオン注
入層4上にだけ電気メッキによる金属層が付着される、
いわゆる選択付着が自動的に行なわれるので、第4図示
の工程に従って再生針を加工する場合のように、再生針
本体の素材上に付着された電極被膜5が、再生針本体に
対する研磨加工によって所定の形状のものに整形させる
というようなことがなく、したがって、電極被膜5が研
磨加工時に損傷されたり、あるいは剥離されるようなこ
とはなく、また、電気メッキによってイオン注入層4上
に付着形成された電極被膜5は第5図d図示のようにそ
の厚さ方向の全体にわたって電極形成面の巾寸法と同様
な巾寸法のものとなされるために、第4図d図示のよう
に研磨加工が施こされた電極被膜5のように断面形状が
台形(場合によっては三角形ともなる)のものに比べて
電極端部の断面積が太き(なり、したがって第5図示の
各工程に従って作られた再生針は、第4図示の各工程に
従って作られた再生針よりも再生出力が増加するという
利点も得られる。According to the manufacturing method shown in FIG.
As shown in FIG. 5C, a metal layer is deposited by electroplating only on the ion-implanted layer 4 left in the portion formed by polishing into a predetermined shape electrode forming surface.
Since so-called selective adhesion is automatically performed, as in the case of processing a recycled needle according to the process shown in FIG. Therefore, the electrode coating 5 will not be damaged or peeled off during polishing, and the electrode coating 5 will not be formed on the ion-implanted layer 4 by electroplating. The prepared electrode coating 5 is polished as shown in FIG. 4d in order to have a width similar to that of the electrode forming surface throughout its thickness as shown in FIG. 5d. The cross-sectional area of the end of the electrode is thicker than that of the electrode coating 5, which has a trapezoidal (or triangular in some cases) cross-sectional shape, such as the electrode coating 5, which is made according to the steps shown in Figure 5. The regenerated needle also has the advantage that the regenerated needle has an increased regeneration output than the regenerated needle manufactured according to the steps shown in FIG.
なお、イオン注入層4を形成させるべきイオンは、P型
またはN型の導電性を示すようなイオンならば何でもよ
いが、イオン注入層4を形成させた物質と、イオン注入
層4上に付着形成させる電極被膜5の構成物質とは、熱
膨張係数その他の物理的な性質が同様なものであった方
が望ましい。Note that the ions to form the ion implantation layer 4 may be any ions that exhibit P-type or N-type conductivity; It is preferable that the constituent material of the electrode coating 5 to be formed has the same coefficient of thermal expansion and other physical properties.
以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の再生針では、再生針本体における電極形成面に、P
型またはN型の導電性を示すようなイオン注入層を設け
、そのイオン注入層上に導電性物質による電極被膜を付
着させた構造としたから、電極膜と再生針本体との付着
強度が犬であって電極被膜の剥離の問題が生じないと共
に、電極部は充分に低い電気抵抗値のものとして構成で
きるために、再生信号としてC/Nの良好な状態のもの
を得ることができるのであり、本発明によれば既述した
従来の諸問題点が良好に解消できるのである。As is clear from the detailed explanation above, in the regenerated needle of the present invention, P
The structure has an ion-implanted layer that exhibits type or N-type conductivity, and an electrode film made of a conductive material attached to the ion-implanted layer, so the adhesion strength between the electrode film and the regenerated needle body is extremely high. Therefore, the problem of peeling of the electrode film does not occur, and since the electrode portion can be constructed with a sufficiently low electrical resistance value, it is possible to obtain a reproduced signal with a good C/N ratio. According to the present invention, the above-mentioned conventional problems can be satisfactorily solved.
第1図は説明のための同調曲線図、第2図a。
b図はイオン注入量の分布図、第3図は本発明の再生針
の一部の斜視図、第4図a −d図、第5図a=d図は
再生針の製作工程の説明図である。
1・・・・・・再生針本体、2・・・・・・摺接面、3
・・・・・・電極形成面、4・・・・・・イオン注入層
、5・・・・・・電極被膜、A・・・・・・再生針本体
の素材。Fig. 1 is a tuning curve diagram for explanation, Fig. 2a. Figure b is a distribution diagram of the amount of ion implantation, Figure 3 is a perspective view of a part of the regenerated needle of the present invention, Figures 4 a - d, and Figures 5 a and d are explanatory diagrams of the manufacturing process of the regenerated needle. It is. 1... Recycled needle body, 2... Sliding surface, 3
... Electrode formation surface, 4 ... Ion implantation layer, 5 ... Electrode coating, A ... Material of the recycled needle body.
Claims (1)
電極形成面の表面に形成させたP型またはN型の導電性
を示すようなイオンの注入層上に導電性物質による電極
被膜を構成させてなる静電容量値の変化検出型再生素子
の再生針。1. An electrode coating made of a conductive material is formed on the ion implantation layer exhibiting P-type or N-type conductivity formed on the electrode-forming surface of the regenerated needle body made of a highly hard material with wear resistance. A regeneration needle of a regeneration element that detects changes in capacitance value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13535479A JPS5846772B2 (en) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance value |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13535479A JPS5846772B2 (en) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance value |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5661051A JPS5661051A (en) | 1981-05-26 |
| JPS5846772B2 true JPS5846772B2 (en) | 1983-10-18 |
Family
ID=15149788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13535479A Expired JPS5846772B2 (en) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance value |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846772B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860440A (en) * | 1981-10-03 | 1983-04-09 | Victor Co Of Japan Ltd | Manufacture of reproducing stylus detecting variation in electrostatic capacity value |
-
1979
- 1979-10-20 JP JP13535479A patent/JPS5846772B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5661051A (en) | 1981-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3826877A (en) | Information playback system stylus | |
| EP0388088A3 (en) | Magnetic data storage disk with low intrinsic media noise | |
| US5901431A (en) | Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion | |
| CA1058751A (en) | Video disc playback apparatus and stylus therefor | |
| JPH0817020A (en) | Magnetoresistive thin film magnetic head | |
| JPS5846772B2 (en) | Regeneration needle of regeneration element that detects changes in capacitance value | |
| US4646282A (en) | Stylus for capacity change detection type disc system | |
| EP0671724B1 (en) | Vertical magnetic head and manufacturing process | |
| US6515837B1 (en) | Magnetoresistive head and magnetic storage apparatus | |
| US4849842A (en) | Method for the manufacture of a mechanically shielding layer for a magnetic read/write head, and magnetic read/write head using this method | |
| US4418407A (en) | Video disc pickup stylus | |
| EP0351845A2 (en) | FM audio record reproducing apparatus | |
| JPH0118505B2 (en) | ||
| US4535436A (en) | Stylus having a graphite electrode | |
| JPS6158889B2 (en) | ||
| JPS5812151A (en) | Signal recording and reproducing system | |
| JPS5846770B2 (en) | Method for manufacturing a regeneration needle for a regeneration element that detects changes in capacitance value | |
| US4371961A (en) | Capacitive information system | |
| JP2875445B2 (en) | Magnetoresistive head | |
| JPS5846771B2 (en) | Method for manufacturing a regeneration needle for a regeneration element that detects changes in capacitance value | |
| JPH01287819A (en) | Magnetic recording medium | |
| KR0131975B1 (en) | Thin film magnetic head | |
| JP2001134937A (en) | Master information carrier | |
| JPS58161163A (en) | Method for manufacturing a stylus for capacitive video discs | |
| JP2513688B2 (en) | Magnetic recording media |