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JPS5847005B2 - 位置検出法 - Google Patents
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JPS5847005B2 - 位置検出法 - Google Patents

位置検出法

Info

Publication number
JPS5847005B2
JPS5847005B2 JP52032722A JP3272277A JPS5847005B2 JP S5847005 B2 JPS5847005 B2 JP S5847005B2 JP 52032722 A JP52032722 A JP 52032722A JP 3272277 A JP3272277 A JP 3272277A JP S5847005 B2 JPS5847005 B2 JP S5847005B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
position detection
detection method
electron beam
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52032722A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS53117463A (en
Inventor
誠吾 井垣
雄史 稲垣
正博 岡部
泰男 古川
範明 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP52032722A priority Critical patent/JPS5847005B2/ja
Publication of JPS53117463A publication Critical patent/JPS53117463A/ja
Publication of JPS5847005B2 publication Critical patent/JPS5847005B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビーム露光における回転基準となる基板上
のマークによる位置検出法に関するものである。
従来、基板たとえばウェーバ上に電子ビーム露光を行な
う場合には、露光パターンをウェーバ上の所定の座標系
に従って配置することが通常である。
その時にはウェーバまたは電子ビーム偏向部の回転が必
要となる。
その際回転角を求めるには通常ウェーバ上に設けたアラ
インメントマークを検出することによって行なわれる。
すなわちある距離を隔てた2個のアラインメントマーク
ラ検出して両者間の距離とその垂直方向からのずれ量か
ら角度を算出しているが、これではまず2個のマークを
捜策しなければならないので手数が2重にかかる。
またこのマーク検出に電子ビーム走査線を用いるので不
必要な領域も電子ビーム露光してしまう等の欠点が存在
する。
本発明の目的は単一のマークまたは組合せマークにより
少ない電子ビーム走査により露光位置に対する回転角を
検出する位置検出法を提供することである。
前記目的を達成するため、本発明の位置検出法は基板上
のマークを電子ビームにより走査して該基板の回転を検
出する位置検出法において、基板上に中心のマークに関
し軸対称に傾斜させた2本の直線状のマークを形成し、
該マークを電子ビームにより走査することにより得られ
る信号間隔の比較より該基板の回転を検出することを特
徴とするものである。
第1図は本発明の位置検出法の実施例説明図である。
同図において、シリコン基板またはシリコン基板上に形
成した2酸化シリコン(Si02)膜10をエツチング
することにより直線状の3本のマーク1,2.3より成
る組合せマーク20を形成する。
この形状はマーク2が所定の基準方向、たとえば、第2
図に示すウェーバ10の切断面(OF面)11の方向ま
たは所定の結晶方向110と垂直な方向に合せである。
他のマーク1,3はマーク2に関しある角度だけ傾斜し
て対称に配列された直線状パターンである。
従って、いま電子ビーム走査線の、■、■が3つの位置
にきて、マーク1,2.3と交差した場合それぞれの交
点をA1 * Bl e C1m A2 * B2 e
C2* A3 + B3 e C3とすれば、それぞれ
切取られる線分の長さを比較すると、走査線のでは石1
、〈B1C1となり、また走査線■ではA3BンB3C
となって走査線が何れもマークに対しある角度だけ傾斜
していることがわかる。
これに対し、マーク2に垂直である走査線■の場合はA
2B2=B2C2となって走査線■が基準線に一致する
ことがわかる。
この走査線■を基準にして露光位置を求めると回転角度
を検出することが可能となる。
第2図は第1図に説明した位置検出法を実現するための
位置検出回路の実施例説明図である。
前述の組合せマーク20を形成したウェーバ10を電子
ビーム12により走査し、その反射電子または2次電子
をPnジャンクションよ゛り成る検知器13で受け、そ
の検出信号を増幅器14、波形整形回路15を通して、
走査線がマーク1゜2.3と交差する交点A、B、Cに
対応するパルスを発生する。
このパルスを制御回路16に入れて第1図で説明した線
分ABとBCの比較検出を行なう。
すなわちマーク1との交点Aにおいて発生するパルスで
カウンター7□をセットしカウンタ17□をリセットし
ておき、クロックを与えてカウンタ17□により計数し
交点Bにおいて発生するパルスでカウンター7をリセッ
トしカウンター1□をセットして計数を行ない、交点C
で発生するパルスによりカウンター72をリセットする
これらカウンタ171,172の内容を一致回路18で
比較し、一致すれば一致信号19を送出して当該走査線
を基準線として採用する。
一致しなければ制御回路16およびカウンター7□、1
7□を当初の状態に戻す。
次にウェーバを回転させて、再度マークを走査し、カウ
ンター 71.17□の計数値が一致するようにする0
回転の方向はカウンタ171と172の計数値がどちら
が多いかで決定する。
すなわち、もしウェーバが反時計方向に回転していると
、マークは走査線のにより走査される。
この状態では交点A1.B1でそれぞれ発生するパルス
の間隔より交点B1.C1でそれぞれ発生するパルスの
間隔が長い。
従って、この場合はカウンタ171の計数値よりカウン
タ17□の計数値が太きい。
ウェーバが時計方向に回転している時マークは走査線■
により走査され、パルス間隔は前述とは逆になる。
従ってカウンタ17□の計数値がカウンタ172より大
きい。
以上説明したように、本発明によれば、基板上に3本の
直線状マークより成る組合せマークを形成し、これに電
子ビーム走査線を交差させて前記マークにより切り取ら
れた線分を比較して等長の時走査線が基準線に一致する
ものである。
このようにして1組のマークで基準線を決定できるから
、マークの捜索に手数を要することなく、また基準線の
捜索も僅かの走査線で足りるから、有効で簡単な位置検
出法が得られる。
なお、マーク2は切断面に対して垂直方向に設けた例を
示したが、傾斜させて設けてもよい。
この場合はパルス間隔の比が一定値であれば、正確に位
置合せされていると判断する。
またウェーバの回転だけでなく、ウェーバホルダーの回
転も検知できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の位置検出法の実施例説明図、第2図は
本発明を実現する位置検出回路の実施例説明図であり、
図中、1.2.3はヤーク、10はウェーバ、11は切
断面、12は電子ビーム、13は検知器、14は増幅器
、15は波形整形回路、16は制御回路、170.17
□はカウンタ、18は一致回路、19は一致信号を示す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 、′基板上のマークを電子ビームにより走査して該
    基板の回転を検出する位置検出法において、基板上に中
    心のマークに関し軸対称に傾斜させた2本の直線状のマ
    ークを形成し、該マークを電子ビームにより走査するこ
    とにより得られる信号間隔の比較より該基板の回転を検
    出することを特徴とする位置検出法。
JP52032722A 1977-03-23 1977-03-23 位置検出法 Expired JPS5847005B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP52032722A JPS5847005B2 (ja) 1977-03-23 1977-03-23 位置検出法

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JP52032722A JPS5847005B2 (ja) 1977-03-23 1977-03-23 位置検出法

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Publication Number Publication Date
JPS53117463A JPS53117463A (en) 1978-10-13
JPS5847005B2 true JPS5847005B2 (ja) 1983-10-20

Family

ID=12366723

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55160428A (en) * 1979-05-31 1980-12-13 Jeol Ltd Position detecting method for exposed material in electron beam exposure
JPS63284405A (ja) * 1987-05-18 1988-11-21 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP3076178B2 (ja) * 1993-07-22 2000-08-14 日本電気株式会社 ウエハ位置決め用方向算出装置

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JPS53117463A (en) 1978-10-13

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