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JPS5849044B2 - Den Atsuseigi Yogata Multivibrator - Google Patents
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JPS5849044B2 - Den Atsuseigi Yogata Multivibrator - Google Patents

Den Atsuseigi Yogata Multivibrator

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JPS5849044B2
JPS5849044B2 JP50089878A JP8987875A JPS5849044B2 JP S5849044 B2 JPS5849044 B2 JP S5849044B2 JP 50089878 A JP50089878 A JP 50089878A JP 8987875 A JP8987875 A JP 8987875A JP S5849044 B2 JPS5849044 B2 JP S5849044B2
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transistor
whose
voltage
collector
transistors
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文章 荒木
大典 村上
謙一 長谷川
泰弘 藤田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H03K3/282Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電圧制御型マルチバイブレーク、特に出力周波
数が制御電圧の線型関数である電圧制御型マルチバイブ
レークに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a voltage controlled multi-bye break, and more particularly to a voltage controlled multi-bye break in which the output frequency is a linear function of the control voltage.

第1図は従来の電圧制御型マルチバイブレークを示すも
ので、マルチバイブレークの基本的スイッチングトラン
ジスタ(以下単にトランジスタと称す)対は1及び2の
各トランジスタであるが、このトランジスタ1がオンし
ている場合、トランジスタ1のエミツタ電流は制御電圧
に応じて変化する電流源11及び13の合計の2■なる
値である。
Figure 1 shows a conventional voltage-controlled multi-bye break.The basic pair of switching transistors (hereinafter simply referred to as transistors) in a multi-bye break is transistors 1 and 2, and transistor 1 is on. In this case, the emitter current of the transistor 1 is a value equal to the sum of the current sources 11 and 13, which varies depending on the control voltage.

そして、第1図の電圧制御型マルチバイブレークに於い
て出力周波数は第1近似では、で示されている。
In the voltage-controlled multi-by-break shown in FIG. 1, the output frequency is shown in a first approximation as follows.

ここにITはマルチバイブレークの全電流を表わすもの
である。
Here, IT represents the total current of the multi-by-break.

尚、第1図の回路のマルチバイブレークについては特開
昭47−10266号公報「電圧制御マルチバイブレー
ク」に記載されているので、一般的動作原理については
省略する。
The multi-bye break of the circuit shown in FIG. 1 is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10266/1988 entitled "Voltage Controlled Multi-bye Break", so the general operating principle will be omitted.

しかしながら、出力周波数のより正確な値は次の如く与
えられる。
However, a more accurate value of the output frequency is given as follows.

即ち、第1図に於いてトランジスタ1のペースエミツタ
電圧■BE1はトランジスタ1が導通して2■なるエミ
ツク電流を流している時(これをVBEt **(2I
)と称す)と、遮断状態から極くわずかの電流が流れて
導通しはじめる時(これをVBEI(I:0)とでは大
きさが異る。
That is, in Fig. 1, the pace emitter voltage BE1 of transistor 1 is VBEt**(2I) when transistor 1 is conductive and an emitter current of 2
) and when a very small amount of current flows from a cut-off state and begins to conduct (this is called VBEI (I:0)), the magnitude is different.

このことはトラジスク2についても同様であって、■B
E2(2■)及び■BE2 ( I ”:: 0 )と
して表現する。
This also applies to Trajisk 2, and ■B
Expressed as E2 (2■) and ■BE2 (I''::0).

■BE,(2■)ご■BE2(2■),■BE1( ■
=o)=v,,( ■=Q)と仮定すると、出力周波数
は、 で与えられる。
■BE, (2■) ■BE2(2■), ■BE1( ■
=o)=v, , (■=Q), the output frequency is given by.

(2)式に於いては明らかに分母には2■の関数である
VBEI ( 2 I )が含まれているので、出力周
波数は■に対する完全な線型となり得ないことを示して
いる。
In equation (2), the denominator clearly includes VBEI (2 I), which is a function of 2. This shows that the output frequency cannot be perfectly linear with respect to 2.

又(2)式はVBEIの温度特性の補償も制御電圧の関
数として複雑な方法を要求している。
Equation (2) also requires a complicated method to compensate for the temperature characteristics of VBEI as a function of the control voltage.

このように、制御電圧に対して線型な出力周波数を有す
る電圧制御型マルチバイブレークは既知であるが、本発
明は(2)式で示される非線型体を除去することにより
、線型性の程度がより高度なものに改良され、更には温
度特性の改良にも実施が容易である電圧制御型マルチバ
イブレークを提供することを目的とする。
As described above, voltage-controlled multi-bibreaks having an output frequency that is linear with respect to the control voltage are known, but the present invention improves the degree of linearity by removing the nonlinear body represented by equation (2). It is an object of the present invention to provide a voltage-controlled multi-vibration brake that has been improved to a higher level and is also easy to implement in improving temperature characteristics.

以下、図面に基づき本発明を説明する。The present invention will be explained below based on the drawings.

第2図は本発明の電圧制御型マルチバイブレークの一実
施例を示すもので、トランジスタ21及び22はマルチ
バイブレークの基本となるスイッチング素子である。
FIG. 2 shows an embodiment of the voltage controlled multi-bye break of the present invention, and transistors 21 and 22 are switching elements that are the basis of the multi-bye break.

トランジスタ21及び22のエミツタ間には充放電素子
としてコンデンサ27が接続される。
A capacitor 27 is connected between the emitters of transistors 21 and 22 as a charging/discharging element.

トランジスタ21及び22のコレククには、それぞれ負
荷抵抗25及び26が接続されている。
Load resistors 25 and 26 are connected to the collectors of transistors 21 and 22, respectively.

なお、トランジスタ23と24は第1図で示したトラン
ジスタ3および4と等価なトランジスタであり、トラン
ジスタ21と22のスイッチ動作により負荷抵抗25と
26に生じる導通あるいはしゃ断の信号をトランジスタ
22と21のベースへ正帰還して反転作用を確実に、し
かも速く行わせるべく作用する。
Note that the transistors 23 and 24 are equivalent to the transistors 3 and 4 shown in FIG. It acts to positively feed back to the base and perform the reversal action reliably and quickly.

今トランジスタ21が導通している状態について考える
と、マルチバイブレークの全電流に相当する■。
If we consider the current state in which the transistor 21 is conducting, this corresponds to the total current of the multi-by-break.

が電源より抵抗25を通り、トランジスタ21のコレク
タを通ってトランジスタ21のエミツタに流れる。
flows from the power supply through the resistor 25, through the collector of the transistor 21, and to the emitter of the transistor 21.

そして、ITのうち■。−■という成分は電流源34の
出力端子30に流入し、■Tのうち■という戒分はコン
デンサ27を通って、さらに電流源34の他の出力端子
31に流入する。
And of IT ■. The -■ component flows into the output terminal 30 of the current source 34, and the component (■) of ■T flows through the capacitor 27 and further flows into the other output terminal 31 of the current source 34.

ここで重要なことは、トランジスタ21が導通している
ときのエミツタ電流がITであることである。
What is important here is that the emitter current when the transistor 21 is conductive is IT.

従来の回路では、この場合のエミツタ電流は2■であっ
た。
In the conventional circuit, the emitter current in this case was 2■.

さてコンデンサ27の放電が進みトランジスタ22のエ
ミツタ電位が下ってトランジスタ22が導通状態になっ
てトランジスタ21が遮断状態になると、トランジスタ
21および22のコレクタ電圧が変化して、その変化が
スイッチング回路35に伝えられる。
Now, as the discharge of the capacitor 27 progresses and the emitter potential of the transistor 22 falls, the transistor 22 becomes conductive and the transistor 21 becomes cut off, the collector voltages of the transistors 21 and 22 change, and this change is applied to the switching circuit 35. Reportedly.

ここでスイッチング回路35はトランジスタ22が導通
している時は電流源34の出力端子31の電流値を■T
一■に、出力端子30の電流値を■にせしめ、トランジ
スタ21が導通している時は電流源34の出力端子30
の電流値を■T一■に、出力端子31の電流値を■にせ
しめる勘路である。
Here, the switching circuit 35 changes the current value of the output terminal 31 of the current source 34 to ■T when the transistor 22 is conductive.
First, the current value of the output terminal 30 is set to ■, and when the transistor 21 is conductive, the output terminal 30 of the current source 34
This is a crossroad that causes the current value of the output terminal 31 to become ■T-■ and the current value of the output terminal 31 to become ■.

従ってトランジスタ22が導通となると、トランジスタ
22のエミツク電流は■Tとなり、コンデンサ27の電
流はトランジスタ21が導通している時とは逆向きの電
流■となる。
Therefore, when the transistor 22 becomes conductive, the emitter current of the transistor 22 becomes ■T, and the current of the capacitor 27 becomes a current in the opposite direction to that when the transistor 21 is conductive.

かかる本発明の電圧制御型マルチバイブレークの出力周
波数について以下にのべる。
The output frequency of the voltage-controlled multi-by-break of the present invention will be described below.

第2図の回路において、トランジスタ21が導通すると
、そのコレクタ電流I.021は■TOこほぼ等しくな
る( IO21”F IT )。
In the circuit of FIG. 2, when transistor 21 becomes conductive, its collector current I. 021 is almost equal to ■TO (IO21"F IT).

したがって、トランジスタ23のベース電位VB23は
、 となり、またトランジスタ22のベース電位VB22は
、 となる。
Therefore, the base potential VB23 of the transistor 23 is as follows, and the base potential VB22 of the transistor 22 is as follows.

ここで、■ccは電源電圧、R25は抵抗25の値、V
BB23 Aはトランジスタ22がしゃ断しているとき
のトランジスタ23のペースエミツタ間電圧である。
Here, ■cc is the power supply voltage, R25 is the value of the resistor 25, V
BB23A is the pace-emitter voltage of transistor 23 when transistor 22 is cut off.

ところで第(4)式で示すベース電位でトランジスタ2
2がしゃ断状態であるとすると、トランジスタ24のベ
ース電位VB24は電源電圧■ccにほぼ等し<(VB
24嵩■co)、したがって、トランジスタ21のエミ
ツタ電位VE21は、 ?なる。
By the way, at the base potential shown in equation (4), transistor 2
2 is in the cutoff state, the base potential VB24 of the transistor 24 is approximately equal to the power supply voltage ■cc<(VB
Therefore, the emitter potential VE21 of the transistor 21 is ? Become.

ここで■BE24Bはトランジスタ21が導通している
ときのトランジスタ24のペースエミツタ間電圧、■B
B21(IT)は電流■Tが流れているときのトランジ
スタ21のペースエミツタ間電圧である。
Here, ■BE24B is the pace-emitter voltage of the transistor 24 when the transistor 21 is conductive, and ■B
B21 (IT) is the voltage between the emitter and the emitter of the transistor 21 when the current ■T is flowing.

トランジスタ22のエミツタ電位VE22は初期値VE
2(0)から時間の経過につれて減少しつつあり、 とあらわされる。
The emitter potential VE22 of the transistor 22 is the initial value VE.
2 (0), it is decreasing as time passes, and is expressed as.

?こでC2はコンデンサ27の ?量値である。? Here, C2 is the capacitor 27. ? It is a quantity value.

ある時刻(1=11)において、 22のベース電位VB2が、 トランジスタ となったとするとトランジスタ22は導通しはじめ、V
B24の低下、このことによるIO21の減少、VB2
3の上昇の加速度的変化が生じ、トランジスタ21がし
ゃ断し、一方トランジスタ22が導通ずる反転動作が瞬
時に完了する。
At a certain time (1=11), if the base potential VB2 of 22 becomes a transistor, the transistor 22 starts to conduct and V
Decrease in B24, resulting in a decrease in IO21, VB2
3 occurs, and the reversal operation, in which transistor 21 is cut off and transistor 22 is turned on, is instantaneously completed.

第(7)式の■E22に第(6)式の右辺を代入すると
、?(8)式のvB2。
Substituting the right side of equation (6) into ■E22 of equation (7), ? vB2 in equation (8).

に第(4)式の右辺を、また第(4)式の■83に第(
3)式の右辺を代入して整理すると、第(8)式は以下
のようになる。
and the right-hand side of equation (4) in (4), and
3) By substituting and rearranging the right side of equation, equation (8) becomes as follows.

?なり、この時刻t1の時刻でトランジスタの役目が反
転する。
? At this time t1, the role of the transistor is reversed.

なお、トランジスタ21のエミツタ電位VE21の初期
値■。
Note that the initial value of the emitter potential VE21 of the transistor 21 is ■.

2(0)とトランジスタ22のエミツク電位VE22の
初期値VB22(。
2(0) and the initial value VB22 of the emitter potential VE22 of the transistor 22 (.

)は切り換り時点の電位を考慮することにより計算する
ことができる。
) can be calculated by considering the potential at the time of switching.

すなわち、トランジスタ21が導通状態であり、またト
ランジスタ22がまさに導通状態になろうとする時(1
=12)、コンデンサ27のトランジスタ21側の電位
はVE21であり、一方、トランジスタ22側の電位は
、 ■Co ”25 ” IT ”BE23 A ”
BE22 ( I;O)であり、したがって、コンテ′
ンサ27の両端には、で示される電圧が保持される。
That is, when the transistor 21 is in a conductive state and the transistor 22 is about to become conductive (1
=12), the potential on the transistor 21 side of the capacitor 27 is VE21, and on the other hand, the potential on the transistor 22 side is ■Co ``25'' IT ``BE23 A''
BE22 (I;O) and therefore the content
A voltage represented by is maintained across both ends of the sensor 27.

第(11)式に第(5)式の右辺を代入することにより
第(11)式は、とあらわされる。
By substituting the right side of equation (5) into equation (11), equation (11) can be expressed as follows.

そこで、VC21(0)はトランジスタ21が導通して
いるときのコンデンサ電圧の初期値である。
Therefore, VC21(0) is the initial value of the capacitor voltage when the transistor 21 is conductive.

ところで、トランジスタ22が導通し一方トランジスタ
21がしゃ断すると、トランジスタ22のエミツタ電位
VB22は、 ?なる。
By the way, when the transistor 22 is turned on and the transistor 21 is turned off, the emitter potential VB22 of the transistor 22 becomes ? Become.

ただし、VBE3Bはトランジスタ22が導通している
ときのトランジスタ23のペースエミツタ間電圧、VB
E2(IT)は電流ITが流れているときのトランジス
タ22のペースエミツタ間電圧である。
However, VBE3B is the pace-emitter voltage of transistor 23 when transistor 22 is conductive, VB
E2(IT) is the emitter-emitter voltage of transistor 22 when current IT is flowing.

また、トランジスタ21のベース電位VB21は、VB
21 =■00 R26 IT VBE24 A
・・・(15)となる。
Further, the base potential VB21 of the transistor 21 is VB
21 =■00 R26 IT VBE24 A
...(15).

ここでR26は抵抗26の値、■BE24Aはトランジ
スタ21がしゃ断しているときのトランジスタ24のペ
ースエミツタ間電圧である。
Here, R26 is the value of the resistor 26, and BE24A is the emitter voltage of the transistor 24 when the transistor 21 is cut off.

ト+二ランジスタ21のエミツタ電位VE21は初期値
VB21(0)から時間の経過とともに減少し、となる
と、前述したのとは反対の状況が生じてトランジスタ2
1が導通一方トランジスタ22がしゃ断する。
The emitter potential VE21 of the transistor 21 decreases from the initial value VB21(0) with the passage of time.
1 is conductive, while transistor 22 is cut off.

したがって、t2は、となる。Therefore, t2 becomes.

このときコンデンサ27の両端にはトランジスタ21側
からトランジスタ22の側をみて、?る電圧が保持され
る。
At this time, when looking from the transistor 21 side to the transistor 22 side, ? voltage is maintained.

ここでV O 21 (0) ’はトランジスタ21が
しゃ断しているときのコンデンサ電圧の初期値である。
Here, V O 21 (0) ' is the initial value of the capacitor voltage when the transistor 21 is cut off.

ところで、VE21の初期値VB21(0)とVB22
の初期値VE2(0)は、 であり、第(20)式に第(13)式および第(14)
式を、また第(21)式に第(5)式および第(19)
式をそれぞれ代入すると次式が得られる。
By the way, the initial values of VE21 VB21 (0) and VB22
The initial value VE2(0) is
and substituting equation (21) with equation (5) and equation (19).
By substituting each expression, the following expression is obtained.

また第(22)式および第(23)式を第(10)式お
よび第(18)式に代入すると次式が得られる。
Further, by substituting equations (22) and (23) into equations (10) and (18), the following equations are obtained.

?こでR25 = R26 = R y VBE2(I
’0)VBB22 ( I 冨0 ) , VBE21
( IT)一VBE22 (IT) ,■BE23 A
:VBB2s BおよびVBE2+A;VBB2+ B
すなわち、発振周波数は第(28)式であらわされる。
? Here, R25 = R26 = R y VBE2(I
'0) VBB22 (I Tomi 0), VBE21
(IT)-VBE22 (IT), ■BE23 A
:VBB2s B and VBE2+A; VBB2+ B
That is, the oscillation frequency is expressed by equation (28).

この第(28)式において、VBEI(IT)は制御電
圧により線型的に変化する電流■に関して無関係であり
、従って出力周波数は従来の電圧制御型マルチバイブレ
ークに比して線型性が改良されるのである。
In Equation (28), VBEI(IT) is unrelated to the current that varies linearly with the control voltage, and therefore the linearity of the output frequency is improved compared to the conventional voltage-controlled multi-vibration brake. be.

又温度特性の補償も制御電圧に対して無関係な方法で可
能なことを示している。
It is also shown that compensation for temperature characteristics is possible in a manner that is independent of the control voltage.

次に第2図にブロック図で示されている電流源34およ
びスイッチング回路35の具体的実現手段の一実施例を
第3図を用いて説明する。
Next, one embodiment of a concrete implementation means of the current source 34 and the switching circuit 35 shown in the block diagram in FIG. 2 will be described with reference to FIG. 3.

第3図においては、IT−I及び■を電流の切換ではな
く制御電圧端子と一定電圧端子の電圧値の切換で発生せ
しめる。
In FIG. 3, IT-I and (2) are generated not by switching the current but by switching the voltage values of the control voltage terminal and the constant voltage terminal.

第3図においてスイッチ50とスイッチ51はマルチ7
′<イブレータの出力電圧によって駆動され、スイッチ
50が制御電圧端子の■c36に接続されている時はス
イッチ51は一定電圧端子のvBIAs52側に接続さ
れている。
In FIG. 3, switch 50 and switch 51 are multi-7
When the switch 50 is connected to the control voltage terminal c36, the switch 51 is connected to the constant voltage terminal vBIAs52.

第2図のトランジスタ22が導通である場合、例えばス
イッチ50が制御電圧36に接続されているとすると、
出力端子30及び31の電流I301I31は、 となる。
If transistor 22 of FIG. 2 is conductive, for example, if switch 50 is connected to control voltage 36, then
The currents I301I31 of the output terminals 30 and 31 are as follows.

■3o−■,■31−■T一■とすると、■T−2■1
となる。
■3o-■, ■31-■T-■, then ■T-2■1
becomes.

反対にトランジスタ21が導通であるときは、スイッチ
50はVBIAS52に接続され、スイツツ51は制御
電圧36に接続され、 となって第2図に於ける電流源34の条件を満足する。
Conversely, when transistor 21 is conductive, switch 50 is connected to VBIAS 52 and switch 51 is connected to control voltage 36, satisfying the conditions for current source 34 in FIG.

第4図は第3図に示す回路のスイッチ50及びスイッチ
51を電子的に実現せる実施例であって、例えばトラン
ジスタのエミツタダイオードによる選択とトランジスタ
スイッチを組合せるものである。
FIG. 4 shows an embodiment in which the switches 50 and 51 of the circuit shown in FIG. 3 can be realized electronically, and for example, selection by an emitter diode of a transistor is combined with a transistor switch.

即ち、切換用信号がマルチバイブレークの出力回路部分
から入力端子56、及び57に印加される。
That is, the switching signal is applied to the input terminals 56 and 57 from the output circuit portion of the multi-by-break.

この切換用信号によりトランジスタ63.64は同時に
オンオフ動作し、トランジスタ62,65は、トランジ
スタ63.64とは逆相でオンオフ動作をする。
Transistors 63 and 64 are turned on and off simultaneously by this switching signal, and transistors 62 and 65 are turned on and off in opposite phase to transistors 63 and 64.

今第2図のトランジスタ22が導通であるとき、トラン
ジスタ63.64がONでトランジスタ62.65がO
FFであるように入力端子56.57に印カ目される電
圧を決めると、トランジスタ66のベースはトランジス
タ68のベースより電圧が低くなり、トランジスタ68
が能動状態となりトランジスタ66は遮断状態となる。
Now, when transistor 22 in FIG. 2 is conductive, transistors 63 and 64 are ON and transistors 62 and 65 are OFF.
If the voltage applied to input terminals 56 and 57 is determined to be FF, the base of transistor 66 will have a lower voltage than the base of transistor 68, and transistor 68 will have a lower voltage than the base of transistor 68.
becomes active, and transistor 66 becomes cut off.

同様にしてトランジスタ67が能動状能となりトランジ
スタ69が遮断状態となる。
Similarly, transistor 67 becomes active and transistor 69 becomes cut off.

トランジスタ68のベースには■c36が印カ目され、
トランジスタ67のベースにはVBIAS52が印加さ
れ、第3図の場合と同様の出力電流が出力端子30およ
び31に流れる。
■c36 is marked on the base of the transistor 68,
VBIAS 52 is applied to the base of transistor 67, and an output current similar to that in FIG. 3 flows to output terminals 30 and 31.

以上説明したように、刈ツチング素子のエミツタに流れ
る電流が制御電圧に無関係に一定の電流であり、且つ充
放電素子の充放電電流が前記スイッチング素子のエミツ
タに流れる電流の一部であって、前記制御電圧の線型関
数であることを特徴とする本発明の電圧制御型マルチバ
イブレークは、出力周波数の線型性が従来のものより改
善され、更には温度特性の補償も制御電圧に対して無関
係な方法で可能となり、非常に実用的価値の高いもので
ある。
As explained above, the current flowing through the emitter of the cutting element is a constant current regardless of the control voltage, and the charging/discharging current of the charging/discharging element is a part of the current flowing through the emitter of the switching element, The voltage-controlled multi-vibration break of the present invention, which is characterized by being a linear function of the control voltage, has improved linearity of the output frequency compared to conventional ones, and furthermore, compensation of temperature characteristics is independent of the control voltage. This method has been made possible and is of great practical value.

また、本発明は電圧値の切り換え所定の電流を発生させ
ており、低い電源電圧でも動作できるとともに、電流源
の設計も容易である。
Further, the present invention generates a predetermined current by switching the voltage value, and can operate even at a low power supply voltage, and the current source can be easily designed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の電圧制御型マルチバイブレークイブレー
タの一実施例を示す図、第3図は本発明を示す図、第2
図は本発明の電圧制御型マルチバの電圧制御型マルチバ
イブレークの電流源回路の一実施例を示す図、第4図は
本発明の電圧制御型マルチバイブレークの電流源回路の
他の実施例を示す図である。 21 ,22,23.24・・・・・・トランジスタ、
25.26・・・・・・負荷抵抗、27・・・・・・コ
ンデンサ、34......電流源回路、35・・・・
・・スイッチング回路、36・・・・・・制御電圧、5
4,55・・・・・・電流源。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a conventional voltage-controlled multi-vibrator, FIG. 3 is a diagram showing the present invention, and FIG.
The figure shows one embodiment of the current source circuit of the voltage-controlled multi-bye break of the voltage-controlled multi-bar of the present invention, and FIG. 4 shows another embodiment of the current source circuit of the voltage-controlled multi-bye break of the present invention. It is a diagram. 21, 22, 23.24...transistor,
25.26...Load resistance, 27...Capacitor, 34. .. .. .. .. .. Current source circuit, 35...
...Switching circuit, 36...Control voltage, 5
4,55... Current source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 コレクタが負荷抵抗を介して電源端子に接続される
第1のトランジスタと、コレクタが負荷抵抗を介して前
記電源端子に接続される第2のトランジスタと、コレク
タが前記電源端子に、ベースが前記第1のトランジスタ
のコレクタに、エミツタが前記第2のトランジスタのベ
ースにそれぞれ接続される第3のトランジスタと、コレ
クタが前記電源端子に、ベースが前記第2のトランジス
タのコレクタに、エミツタが前記第1のトランジスタの
ベースにそれぞれ接続される第4のトランジスタと、前
記第1および第2のトランジスタのエミツタ間に接続さ
れる容量素子と、第1および第2の定電流源にそれぞれ
一端が接続され他端が第1および第2の出力端子に接続
されるとともに前記各一端の間がインピーダンス素子を
介して接続された第1および第2のスイッチ手段ならび
に同第1および第2のスイッチ手段に発振周波数を変化
させる外部信号電圧と基準電圧とを前記第1および第2
のトランジスタの導通しゃ断と同期して切り換えて交換
接続する切換手段とからなる定電流回路部とを具備する
とともに、同定電流回路部の第1および第2の出力端子
に前記第1および第2のトランジスタのエミツタがそれ
ぞれ接続され、前記第1もしくは第2のトランジスタが
導通し、前記第2もしくは第1のトランジスタがしゃ断
するとき前記第1もしくは第2の出力端子に一定電流が
、前記第2もしくは第1の出力端子に外部信号電圧で制
御される電流が流れ、前記第1および第2のトランジス
タの導通ずる側のエミツタに一定電流が、前記容量素子
に前記一定電流の一部で、かつ、前記外部信号電圧の線
形関数である電流が流されることを特徴とする電圧制御
型マルチバイブレーク。
1 A first transistor whose collector is connected to the power supply terminal via a load resistor, a second transistor whose collector is connected to the power supply terminal via the load resistor, whose collector is connected to the power supply terminal and whose base is connected to the power supply terminal. a third transistor whose collector is connected to the collector of the first transistor and whose emitter is connected to the base of the second transistor, whose collector is connected to the power supply terminal, whose base is connected to the collector of the second transistor, and whose emitter is connected to the collector of the second transistor; a fourth transistor connected to the base of the first transistor, a capacitive element connected between the emitters of the first and second transistors, and one end connected to the first and second constant current sources, respectively. Oscillation occurs in first and second switch means whose other ends are connected to first and second output terminals and whose ends are connected via an impedance element, and to the first and second switch means. The external signal voltage and the reference voltage for changing the frequency are connected to the first and second
a constant current circuit section configured to switch and connect in exchange in synchronization with the conduction/cutting of the transistor, and the first and second transistors are connected to the first and second output terminals of the identification current circuit section. When the emitters of the transistors are respectively connected and the first or second transistor is conductive and the second or first transistor is cut off, a constant current is applied to the first or second output terminal. A current controlled by an external signal voltage flows through a first output terminal, a constant current flows through the conducting side emitters of the first and second transistors, and a part of the constant current flows through the capacitive element, and A voltage-controlled multi-by-break, characterized in that a current that is a linear function of the external signal voltage is caused to flow.
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