JPS588587B2 - 厚膜集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は厚膜集積回路装置の厚膜抵杭体の作成方法の
改良に関するものである。

通常の厚膜集積回路装置では、コンデンサや能動素子が
外付き部品として取り付けられるので、厚膜で作成され
るものは厚膜抵抗体と厚膜配線だけである。

この厚膜として代表的なものはサーメットで、このサー
メットはペースト状にした銀、白金、パラジウムなどを
スクリーン印刷したのち焼結して作成される。

以下、従来の厚膜抵抗体の作成方法の各作成段階を第１
図〜第３図で説明する。

第１図ａは第１の作成段階を示す平面図、第１図ｂは第
１図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。

第１図ａ，ｂに示すように、例えばアルミナ磁器などの
絶縁部材からなる基板１上に所定パターンのサーメット
厚膜２を作成し、その一部を厚膜抵抗体３として使用す
る。

第２図ａは第２の作成段階を示す平面図、第２図ｂは第
２図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。

第２図ａ，ｂに示すように、厚膜抵抗体３を湿気や不純
物から保護し、その抵抗値を安定化させるために厚膜抵
抗体３を被覆する長方形のガラス被膜４を作成する。

このガラス被膜４はペースト状にしたガラス粉末をスク
リーン印刷したのち焼結して作成される。

第３図ａは第３の作成段階を示す平面図、第３図ｂは第
３図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。

第３図ａ，ｂに示すように、厚膜抵抗体３以外のサーメ
ット厚膜２上に半田層５を被着し、厚膜抵抗体３の両側
端部と接続する厚膜配線６を作成する。

ところで、このように作成された厚膜抵抗体３を繰返し
高温度になる条件のもとて長時間使用する場合には、厚
膜抵抗体３がその抵抗損による加熱により一層高温度に
なるので、厚膜抵抗体３を被覆するガラス被膜４と半田
層５との間の境界面にこれらの熱膨張係数の差による熱
応力が繰返し働く。

このために上記境界面における厚膜抵抗体３と半田層５
の下敷であるサーメット厚膜２との間に裂け目が発生し
、この裂け目により厚膜抵抗体３と厚膜配線６との接続
抵抗が著しく変動するばかりか厚膜抵抗体３と厚膜配線
６との間に断線が発生するおそれがあるという欠点があ
った。

また、ガラス被膜４が高温度に長時間保持されると、半
田層５がガラス被膜４を溶かすようになるので、第３図
ｂの破線Ａで示すように、半田層５がガラス被膜４上に
流れ込むようになる。

したがって、ガラス被膜４とこの上に流れ込んだ半田層
５との間に生ずる熱応力によりガラス被膜４に裂け目が
生じ、この裂目により厚膜抵抗体３の安定化が阻害され
るおそれがあるという欠点もあった。

これらの欠点はいずれも、ガラス被膜４と半田層５との
境界面において、半田層５の厚さが厚い程促進される。

この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、導電
注厚膜上にこれを被覆し両側端部を凹凸形状にしたガラ
ス被膜を作成することによって、この両側端部に接する
半田層の厚さを薄くし、上記半田層と上記ガラス被膜と
の境界面に生ずる熱応力の減少を図るとともに上記半田
層の上記ガラス被膜上への流れ込みの抑制を図り、繰返
し高温度になる条件のもとで長時間使用に耐え得る厚膜
抵抗体を提供することを目的とする。

以下、この発明による厚膜抵抗体の作成方法の一実施例
についてその各作成段階を第４図〜第６図で説明する。

第４図ａは第１の作成段階を示す平面図、第４図ｂは第
４図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。

第４図に示す第１の作成段階は第１図に示した従来例の
第１の作成段階と全く同様であるので、ここでは説明を
省略する。

第５図ａは第２の作成段階を示す平面図、第５図ｂは第
５図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。

第５図ａ，ｂに示すように、サーメット厚膜２上にこれ
を被覆しこれに接する両側端部を凹凸形状にしたガラス
被膜４ａを作成する。

第６図ａは第３の作成段階を示す平面図、第６図ｂは第
６図ａのＶｌ １３７ ＶＩ Ｂ線での断面図である。

第６図ａ，ｂに示すように、ガラス被膜４ａ直下の厚膜
抵抗体３以外のサーメット厚膜２上に半田層５を作成し
，厚膜抵抗体３の両興端部に接続する厚膜配線６を作成
する。

このとき、半田層５を形成する半田は、その表面張力に
よりガラス被膜４ａの両側端部の凹部内へ容易に流れ込
むことができず、わずかに半田流れのよいサーメット厚
膜２上に沿うで上記凹部内へ流れ込むだけである。

したがって、上記凹部内での半田層５の厚さは非常に薄
くなっているので、半田層５とガラス被膜４ａとの境界
面に生ずる既述の熱応力を減少させることができる。

よって、この熱応力の減少により厚膜抵抗体３とサーメ
ット厚膜２との間に裂け目が発生するのを抑制すること
ができる。

また、上記凹部内での半田層５の厚さを薄くすることに
より既述の半田層５のガラス被膜４ａ上への流れ込みを
抑制することができる。

なお、これまで、サーメット厚膜について述べてきたが
、この発明による方法はこれに限らず、この他の導電姓
厚膜についでも適用することができる。

以上、詳述したように、この発明による厚膜抵抗体の作
成方法では、絶縁部材からなる基板上に導電姓厚膜を作
成し、この導電訃厚膜上にこれを被覆し両側端部を凹凸
形状にしたガラス被膜を作成し、このガラス被膜直下を
除くその他残余の上記導電姓厚膜上に半田層を作成する
ので次のような効果がある。

すなわち、上記半田層の半田の表面張力により上記ガラ
ス被膜の両側端部の凹部内での上記半田層の厚さを薄く
することができるので、上記ガラス被膜直下の導電姓厚
膜により作成された厚膜抵抗体では、繰返し高温度にな
る条件のもとて長時間使用されても，上記半田層と上記
ガラス被膜との境界面に生ずる熱応力を減少させること
ができるとともに上記半田層の上記ガラス被膜上への流
れ込みを抑制することができる。

よって、上記熱応力の減少により上記導電姓厚膜に裂け
目が発生するのを防止し、上記厚膜抵抗体とこれに接続
する厚膜配線と間に接続抵抗の変動および断線が発生す
るのを防止することができるとともに、上記半田層のガ
ラス被膜上への流れ込みの抑制により上記ガラス被膜に
裂け目が発生するのを防止し、この裂け目により上記厚
膜抵抗体の安定化が阻害されるのを防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来の厚膜抵抗体の作成方法の第１の作成段
階を示す平面図、第１図ｂは第１図ａの■Ｂ−■Ｂ線で
の断面図、第２図ａは上記従来の作成方法の第２の作成
段階を示す平面図、第２図ｂは第２図ａの■Ｂ−■Ｂ線
での断面図、第３図ａは上記従来の作成方法の第３の作
成段階を示す平面図、第３図ｂは第３図ａの■Ｂ−■Ｂ
線での断面図、第４図ａはこの発明による厚膜抵抗体の
作成方法の一実施例の第１の作成段階を示す平面図、第
４図ｂは第４図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図、第５図ａ
は上記実施例の第２の作成段階を示す平面図、第５図ｂ
は第５図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図、第６図ａは上記
実施例の第３の作成段階を示す平面図、第６図ｂは第６
図ａの■Ｂ−■Ｂ線での断面図である。 図において、１は基板、２はサーメット厚膜、３は厚膜
抵抗体、４，４ａはガラス被膜、５は半田層、６は厚膜
配線を示す。 なお、図中同一符号は夫々同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁部材からなる基板上に導電姓厚膜を作成する第
   １の段階、この導電性厚膜上にこれを被覆しこれに接す
   る両側端部を凹凸形状にしたガラス被膜を形成する第２
   の段階、およびこのガラス被膜直下の部分を除く上記導
   電院厚膜上に半田層を作成する第３の段階を備えてなる
   厚膜集積回路装置の製造方法。