JPS5910253B2 - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置Info
- Publication number
- JPS5910253B2 JPS5910253B2 JP55094993A JP9499380A JPS5910253B2 JP S5910253 B2 JPS5910253 B2 JP S5910253B2 JP 55094993 A JP55094993 A JP 55094993A JP 9499380 A JP9499380 A JP 9499380A JP S5910253 B2 JPS5910253 B2 JP S5910253B2
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- Japan
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- gas treatment
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/08—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles
- B01J8/12—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles moved by gravity in a downward flow
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は種々の物理的および化学的操作を行うだめの装
置に関し、さらに詳細には、粒体にガスを接触させ粒体
にガス中の或る成分を吸着させ、又は接触によって化学
反応をさせるだめの装置に関するもので、特に連続して
接触作用を行うのに効果的な装置の構成に係るものであ
る。
置に関し、さらに詳細には、粒体にガスを接触させ粒体
にガス中の或る成分を吸着させ、又は接触によって化学
反応をさせるだめの装置に関するもので、特に連続して
接触作用を行うのに効果的な装置の構成に係るものであ
る。
ガス中の或る成分を粒体に吸着あるいは粒体と接触反応
させる装置には燃焼排ガス中のＳＯ２を活性炭に吸着さ
せる脱硫装置、タンクベントガス中の炭化水素吸着装置
あるいは燃焼排ガス中のＮＯＸガスの脱硝装置などがあ
る。
させる装置には燃焼排ガス中のＳＯ２を活性炭に吸着さ
せる脱硫装置、タンクベントガス中の炭化水素吸着装置
あるいは燃焼排ガス中のＮＯＸガスの脱硝装置などがあ
る。
しかし、使用する処理粒体の機能には限度があり劣化を
防止して対象装置および本装置自身の安定かつ幼果的操
業を遂行するために接触作用を停止せずに一定の効率を
保って連続作業を行なうことが望ましく処理物質は連続
して入れ替えられなければならない。
防止して対象装置および本装置自身の安定かつ幼果的操
業を遂行するために接触作用を停止せずに一定の効率を
保って連続作業を行なうことが望ましく処理物質は連続
して入れ替えられなければならない。
従来粒体物質の排出法には、電磁振動フイーダ、ロータ
リフイーダ、ダンパ、或はテーブルフイーダ等が用いら
れそれらの効果には一長一短があり、いずれも粒体破壊
度および定量排出性において満足し得ない点が多かった
。
リフイーダ、ダンパ、或はテーブルフイーダ等が用いら
れそれらの効果には一長一短があり、いずれも粒体破壊
度および定量排出性において満足し得ない点が多かった
。
本発明は上述の欠点を克服するために、接触槽内充填物
を定量的にかつ破損を伴うことなく、さらには大型接触
槽でも充填物の偏流落下もなく均一に取出し得る排出機
構を具備したガス処理装置を提供することを目的とする
。
を定量的にかつ破損を伴うことなく、さらには大型接触
槽でも充填物の偏流落下もなく均一に取出し得る排出機
構を具備したガス処理装置を提供することを目的とする
。
すなわち本発明は、ガス処理用物質を含む１個以上のガ
ス処理層を内蔵するガス処理装置において、被処理ガス
が導入され処理後のガスが導出される容器と、該容器内
に粒状ガス処理物質より成る該ガス処理層を内装する一
対の有隙板および底板を有する接触槽を１個以上設け、
該一対の有隙板の一方の下端部と該底板との間にぱ切欠
部が形成され、該底板には奥行方向に延長するスリット
および巾方向に延長する開口部が形成され、該底板上に
奥行方向の往復動可能なスクレイパが配設され、該底板
の下部にはホツパー状の下部シュートが装着され、該下
部シュートの下端には排出弁を設け、前記切欠部より溢
出して前記底板上に安負角内に形成される前記処理質を
前記スクレイパにより該スリットおよび該開口部を経て
掻出して前記下部シュートに受納した後前記排出弁より
排出することにより定量掻取部と排出部とを分離したこ
とを特徴とするガス処理装置である。
ス処理層を内蔵するガス処理装置において、被処理ガス
が導入され処理後のガスが導出される容器と、該容器内
に粒状ガス処理物質より成る該ガス処理層を内装する一
対の有隙板および底板を有する接触槽を１個以上設け、
該一対の有隙板の一方の下端部と該底板との間にぱ切欠
部が形成され、該底板には奥行方向に延長するスリット
および巾方向に延長する開口部が形成され、該底板上に
奥行方向の往復動可能なスクレイパが配設され、該底板
の下部にはホツパー状の下部シュートが装着され、該下
部シュートの下端には排出弁を設け、前記切欠部より溢
出して前記底板上に安負角内に形成される前記処理質を
前記スクレイパにより該スリットおよび該開口部を経て
掻出して前記下部シュートに受納した後前記排出弁より
排出することにより定量掻取部と排出部とを分離したこ
とを特徴とするガス処理装置である。
以下附図を参照しつつ本発明を説明する。
第１図乃至第３図は本発明の処理装置を具備した連続移
動層式接触装置の１実施例の正面、側面および平面図、
第４図は本発明による粒体掻取装置の１実施例を示す断
面図、第５ａ，ｂ図は第４図の線Ａ−Ａに沿ってとられ
た断面図で、第５ａおよび第５ｂ図はそれぞれ形状を異
にするスクレイパを装備した図である。
動層式接触装置の１実施例の正面、側面および平面図、
第４図は本発明による粒体掻取装置の１実施例を示す断
面図、第５ａ，ｂ図は第４図の線Ａ−Ａに沿ってとられ
た断面図で、第５ａおよび第５ｂ図はそれぞれ形状を異
にするスクレイパを装備した図である。
処理容器１の中には所定間隔を保って平行に対向する２
枚の有隙板２によって区割される接触槽３が１列あるい
は複数列、処理容器内に直立に併設して形成されている
。
枚の有隙板２によって区割される接触槽３が１列あるい
は複数列、処理容器内に直立に併設して形成されている
。
実施例では４列接触槽の例を示したが、特に列数を限定
するものではない。
するものではない。
ガスは図中矢印で示したように接触槽３のガス通過断面
と並行に処理容器内１に入り、接触槽３の列数に応じて
均一に分割され、各接触槽３に直角に入りこれを通過し
たガスは合流して処理容器１を出る。
と並行に処理容器内１に入り、接触槽３の列数に応じて
均一に分割され、各接触槽３に直角に入りこれを通過し
たガスは合流して処理容器１を出る。
さて本形式の処理容器１では接触槽３の列数および各接
触槽の高さ、奥行、厚みなどの大きさは処理容器の能力
および条件すなわちガスの空塔速度および線速あるいは
処理物質による圧力損失などの諸因子により任意に選定
できる。
触槽の高さ、奥行、厚みなどの大きさは処理容器の能力
および条件すなわちガスの空塔速度および線速あるいは
処理物質による圧力損失などの諸因子により任意に選定
できる。
又、有隙板２としては金網、パンチングプレートあるい
はルーバーなど任意のものを用いることができ、さらに
金網の目開き、パンチングプレートの孔の形状および孔
の大きさあるいはルーバーの長さ、ピッチおよび傾斜な
どは処理物質の種類、大きさおよび処理ガスの性状、ガ
ス線速などに応じて任意に選定できる。
はルーバーなど任意のものを用いることができ、さらに
金網の目開き、パンチングプレートの孔の形状および孔
の大きさあるいはルーバーの長さ、ピッチおよび傾斜な
どは処理物質の種類、大きさおよび処理ガスの性状、ガ
ス線速などに応じて任意に選定できる。
接触槽３の上部は装入弁８を介して再生装置７に連通し
、接触槽３の下部にはホッパ状の下部シュート１０が配
設され、下部シュート１０の下端部に排出弁５（例えば
ロータリバルブ等）が装着される。
、接触槽３の下部にはホッパ状の下部シュート１０が配
設され、下部シュート１０の下端部に排出弁５（例えば
ロータリバルブ等）が装着される。
排出弁５と再生装置７とは輸送装置６により連絡され接
触槽３内の物質を循環させる。
触槽３内の物質を循環させる。
つぎに第４図，第５ａ図および第５ｂ図を参照して接触
槽３の下部の構成について詳細な説明する。
槽３の下部の構成について詳細な説明する。
接触槽３および３′の２列が一組に配置され、それぞれ
の底部を共に覆う底板９が配置される。
の底部を共に覆う底板９が配置される。
接触槽３，３′それぞれの外有隙板２ａ，２ａ’の下端
は底板９と密着され、内有隙板２ｂｔ２ｂ’の下端と底
板９との間には間隙が設けられ切欠部１２がそれぞれ形
成される。
は底板９と密着され、内有隙板２ｂｔ２ｂ’の下端と底
板９との間には間隙が設けられ切欠部１２がそれぞれ形
成される。
底板９には奥行方向に延長するスリット１０ａが形成さ
れる。
れる。
また底板９の上面にはスクレイパ４が奥行方向に往復動
可能に配置される。
可能に配置される。
スリット１０ａの巾Ｓ２より小さい。
底板９の奥行方向の端部には開口部１１が形成される。
底板９の下部にはホッパ状の下部シュート１０が装着さ
れ、スリツＮＯａおよび開口部１１は下部シュート１０
に開口する。
れ、スリツＮＯａおよび開口部１１は下部シュート１０
に開口する。
次に処理物質の抜出しについて述べる。
第４図に示すように接触槽３，３′ 内の一般に粒状の
処理物質１３は切欠部１２より溢出し各々の接触槽３底
部に配設された底板９上の奥行方向全長にわたって安息
角を形成して滞留する。
処理物質１３は切欠部１２より溢出し各々の接触槽３底
部に配設された底板９上の奥行方向全長にわたって安息
角を形成して滞留する。
安息角に形成された処理物質１３をスクレイパ４を往復
させることによって掻取る。
させることによって掻取る。
なお安息角分の処理物質１３を掻取った後には処理物質
自身の自重で直ちに新しい安息角が以前と同一の形で形
成される。
自身の自重で直ちに新しい安息角が以前と同一の形で形
成される。
掻取った処理物質は処理容器下部の下部シュート１０の
ホツパー状部を滑り落ち、該絞り口に設けた排出弁５（
例えばロータリバルブまたぱ二重タンパなど）の中へ落
下させ、さらにコンベアとパケットエレベータ等の組合
せによる機械あるいは空気輸送装置６を用いて再生装置
７に送り、ここで処理物質をスチーミング、ふるい、焼
成あるいは化学処理などの再生操作を行った後に装入弁
８（例えばロータリバルブまたは二重ダンパなど）を経
て処理容器１へ循環補給する。
ホツパー状部を滑り落ち、該絞り口に設けた排出弁５（
例えばロータリバルブまたぱ二重タンパなど）の中へ落
下させ、さらにコンベアとパケットエレベータ等の組合
せによる機械あるいは空気輸送装置６を用いて再生装置
７に送り、ここで処理物質をスチーミング、ふるい、焼
成あるいは化学処理などの再生操作を行った後に装入弁
８（例えばロータリバルブまたは二重ダンパなど）を経
て処理容器１へ循環補給する。
さてスクレイパ４の往復摺動け電動式あるいは空気圧式
など通常の方法で実施できる。
など通常の方法で実施できる。
またスクレイパ４の設置位置け接触槽のガス入口側ある
いは出口側のいずれでも特に支障ないが、ガスの漏洩防
止および接触槽の区割に特にルーバーを使用したときに
起る可能性のある処理物質の接触槽からのオーバーフロ
一対策すなわちオーバーフローした充填物を円滑に抜出
し再循環出来るようにするためには、接触槽のガス出口
側の方が有利である。
いは出口側のいずれでも特に支障ないが、ガスの漏洩防
止および接触槽の区割に特にルーバーを使用したときに
起る可能性のある処理物質の接触槽からのオーバーフロ
一対策すなわちオーバーフローした充填物を円滑に抜出
し再循環出来るようにするためには、接触槽のガス出口
側の方が有利である。
又、スクレイパ４の基数は接触槽１列あたり１基でも不
都合はないが掻取部のバランス上および処理物質の排出
、装入設備が簡素化できるなどの利点を有する接触槽２
列あたり１基の方式の方が有利である。
都合はないが掻取部のバランス上および処理物質の排出
、装入設備が簡素化できるなどの利点を有する接触槽２
列あたり１基の方式の方が有利である。
本発明によるスクレイパ装置の１実施例を第４図、およ
び該図のＡ−Ａ断面を示す第５ａ図、第５ｂ図を参照し
て述べれば、 １）底板９上に安息角をなした粒体状物質１３を往復動
するスクレイパ４にて底板上を摺動させてスクレイパ４
の巾Ｓ２の部分を掻取る。
び該図のＡ−Ａ断面を示す第５ａ図、第５ｂ図を参照し
て述べれば、 １）底板９上に安息角をなした粒体状物質１３を往復動
するスクレイパ４にて底板上を摺動させてスクレイパ４
の巾Ｓ２の部分を掻取る。
２）掻取られた粒体ぱ底板に奥行方向に切られたスリッ
ト１０ａより下部シュート１０に落下する。
ト１０ａより下部シュート１０に落下する。
３）底板の両端は第５図に示す如く開口部１１が下部の
シュート１０に対し形成されており、スクレイパ４にて
押された粒体状物質１３は開口部１１より落下し、堆積
によるスクレイパ４の動きを阻害することはない。
シュート１０に対し形成されており、スクレイパ４にて
押された粒体状物質１３は開口部１１より落下し、堆積
によるスクレイパ４の動きを阻害することはない。
４）スクレイパ４け第５ａ図に示す板状の如き任意好適
な形状を用いることができるが、例えば第５ｂ図に示す
如く三角形状とすれば、粒体状物質１３の掻取りに対し
一層滑り易く、又スクレイパ下部にガイドプレートを設
け底板のスリット１０ａ部をガイドとして摺動させる事
により安定な往復動が可能である。
な形状を用いることができるが、例えば第５ｂ図に示す
如く三角形状とすれば、粒体状物質１３の掻取りに対し
一層滑り易く、又スクレイパ下部にガイドプレートを設
け底板のスリット１０ａ部をガイドとして摺動させる事
により安定な往復動が可能である。
以上本発明の装置はその実施例を示す図面によって詳述
したとおりであり、次のようなすぐれた効果が期待でき
る。
したとおりであり、次のようなすぐれた効果が期待でき
る。
１．接触槽底部の奥行方向全長にわたって形成された粒
体の安息角分を掻取る本方式は、掻取り後の新たな粒体
の安息角形成が瞬時にかつ奥行方向の長さに関係なく全
て同一の形でなされるため、すなわち接触槽よりの処理
物質の落下が奥行方向全て均一であるため装置の大型化
が容易である。
体の安息角分を掻取る本方式は、掻取り後の新たな粒体
の安息角形成が瞬時にかつ奥行方向の長さに関係なく全
て同一の形でなされるため、すなわち接触槽よりの処理
物質の落下が奥行方向全て均一であるため装置の大型化
が容易である。
２．上記安息角形成はくり返し再現性が良いため、抜出
し量の定量安定化ができる。
し量の定量安定化ができる。
３．スクレイパの摺動および停止を任意にかつ容゜易に
できるので、粒体の抜出したタイマーのみの変更により
間欠又は連続のいずれでも自由にできる。
できるので、粒体の抜出したタイマーのみの変更により
間欠又は連続のいずれでも自由にできる。
４．粒体の定量掻取部と排出部とを分離させ、定量掻取
部より掻取られた粒体ぱそこに設けたスリットよシホツ
パー状の受納手段内に落されるので、この受納手段のホ
ッパ状部の壁面に粒体が層をなくして付着することはな
く、従って排出部より粒体ぱ一様に（粒体の一部が長時
間滞留することなく）排出され、粒体の触媒機能の再生
を容易にする。
部より掻取られた粒体ぱそこに設けたスリットよシホツ
パー状の受納手段内に落されるので、この受納手段のホ
ッパ状部の壁面に粒体が層をなくして付着することはな
く、従って排出部より粒体ぱ一様に（粒体の一部が長時
間滞留することなく）排出され、粒体の触媒機能の再生
を容易にする。
またホツパー状受納手段の下端部には排出手段が設けら
れているので定量掻取部は装置内にあり、この定量掻取
部で粒体の切取をする場合、この部分から処理されるガ
スが装置より外界に洩れることはない。
れているので定量掻取部は装置内にあり、この定量掻取
部で粒体の切取をする場合、この部分から処理されるガ
スが装置より外界に洩れることはない。
第１図は本発明の処理装置を具備した連続移動層式接触
装置の正面図、第２図は第１図装置の側面図、第３図は
該装置の平面図、第４図は本発明による粒体掻取装置の
１実施例を示す断面図、第５ａｔｂ図は第４図の線Ａ−
Ａに沿ってとられた断面図で、第５ａおよび第５ｂ図は
それぞれ形状を異にするスクレイパを装備した図である
。 １・・・・・・処理容器、２・・・・・・有隙板、３・
・・・・・接触槽、４・・・・・・スクレイパ、５・・
・・・・排出弁、６・・・・・・輸送装置、７・・・・
・・再生装置、８・・・・・・装入弁、９・・・・・・
底板、１０・・・・・・下部シュート、１０ａ・・・・
・・スリット、１１・・・・・・開口部、１２・・・・
・・切欠部、１３・・・・・・物質。
装置の正面図、第２図は第１図装置の側面図、第３図は
該装置の平面図、第４図は本発明による粒体掻取装置の
１実施例を示す断面図、第５ａｔｂ図は第４図の線Ａ−
Ａに沿ってとられた断面図で、第５ａおよび第５ｂ図は
それぞれ形状を異にするスクレイパを装備した図である
。 １・・・・・・処理容器、２・・・・・・有隙板、３・
・・・・・接触槽、４・・・・・・スクレイパ、５・・
・・・・排出弁、６・・・・・・輸送装置、７・・・・
・・再生装置、８・・・・・・装入弁、９・・・・・・
底板、１０・・・・・・下部シュート、１０ａ・・・・
・・スリット、１１・・・・・・開口部、１２・・・・
・・切欠部、１３・・・・・・物質。
Claims (1)
- １ ガス処理用物質を含む１個以上のガス処理層を内蔵
するガス処理装置において、被処理ガスが導入され処理
後のガスが導出される容器と、該容器内に粒状ガス処理
物質より成る該ガス処理層を内装する一対の有隙板およ
び底板を有する接触槽を１個以上設け、該一対の有隙板
の一方の下端部と該底板との間には切欠部が形成され、
該底板には奥行方向に延長するスリットおよび巾方向に
延長する開口部が形成され、該底板上に奥行方向の往復
動可能なスクレイパが配設され、該底板の下部にはホツ
パー状の下部シュートが装着され、該下部シュートの下
端には排出弁を設け、前記切矢部より溢出して前記底板
上に安負角内に形成される前記処理質を前記スクレイパ
により該スリットおよび該開口部を経て掻出して前記下
部シュートに受納した後前記排出弁より排出するように
して定量掻取部と排出部とを分離した構造であることを
特徴とするガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55094993A JPS5910253B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55094993A JPS5910253B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56102932A JPS56102932A (en) | 1981-08-17 |
| JPS5910253B2 true JPS5910253B2 (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=14125390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55094993A Expired JPS5910253B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910253B2 (ja) |
-
1980
- 1980-07-14 JP JP55094993A patent/JPS5910253B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56102932A (en) | 1981-08-17 |
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