JPS5911982B2 - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS5911982B2 JPS5911982B2 JP5423179A JP5423179A JPS5911982B2 JP S5911982 B2 JPS5911982 B2 JP S5911982B2 JP 5423179 A JP5423179 A JP 5423179A JP 5423179 A JP5423179 A JP 5423179A JP S5911982 B2 JPS5911982 B2 JP S5911982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield case
- memory device
- mold part
- magnetic bubble
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バルブメモリデバイス（以下デバイスと称
する）、特に磁気バルブメモリチップ（以下チップと称
する）を樹脂モールドしたデバイスの改良に関するもの
である。
する）、特に磁気バルブメモリチップ（以下チップと称
する）を樹脂モールドしたデバイスの改良に関するもの
である。
一般にデバイスは、チップと、このチップに水５ 平方
向に回転磁界を与えるコイルと、このチップに垂直方向
にバイアス磁界を与える磁石ブロックとから主構成され
ている。
向に回転磁界を与えるコイルと、このチップに垂直方向
にバイアス磁界を与える磁石ブロックとから主構成され
ている。
第１図は従来のデバイスの一例を示す要部断面図であわ
、第２図は第１図の１−１’断面図である。
、第２図は第１図の１−１’断面図である。
１０これらの図において、１はパーマロイ等の高透磁率
磁性材よりなるシールドケース、２は対向配置されたシ
ールドケース１間に配設したチップ３内の回路と外部回
路との電気的信号を伝搬するためのリードピン、４はシ
ールドケース１の開口端部１５を覆うサイドキャップ、
５はシールドケース１の対向内面に密着配置されてチッ
プ３にバイアス磁界を与える永久磁石ブロック、６はシ
ールドケース１の対向間にチップ３および回転磁界発生
用コイルを装着して配置されたパッケージでありこの２
０パッケージ６の端部には上記リードピン２の一端側が
接続されている。
磁性材よりなるシールドケース、２は対向配置されたシ
ールドケース１間に配設したチップ３内の回路と外部回
路との電気的信号を伝搬するためのリードピン、４はシ
ールドケース１の開口端部１５を覆うサイドキャップ、
５はシールドケース１の対向内面に密着配置されてチッ
プ３にバイアス磁界を与える永久磁石ブロック、６はシ
ールドケース１の対向間にチップ３および回転磁界発生
用コイルを装着して配置されたパッケージでありこの２
０パッケージ６の端部には上記リードピン２の一端側が
接続されている。
７はシールドケース１の対向間に上記磁石ブロック５、
パッケージ６等を樹脂モールドしたモールド部である。
パッケージ６等を樹脂モールドしたモールド部である。
このような構成によるデバイスは、小型大容量、２５高
信頼性等の特徴を有しているが、他の競合メモリ、例え
ばディスクメモリ、ドラムメモリ等に対抗するためには
、ビット当ヤの単価を低減する必要がある。
信頼性等の特徴を有しているが、他の競合メモリ、例え
ばディスクメモリ、ドラムメモリ等に対抗するためには
、ビット当ヤの単価を低減する必要がある。
例えば、上記デバイスの原価低減を行なう一手段として
は、第３図に要部断面図に示す３０ようにサイドキャッ
プ４を除去した構造のデバイスが提案されている。しか
しながら、このような構成によるデバイスは、次に述べ
るような問題点を有していた。
は、第３図に要部断面図に示す３０ようにサイドキャッ
プ４を除去した構造のデバイスが提案されている。しか
しながら、このような構成によるデバイスは、次に述べ
るような問題点を有していた。
すなわち、デバイスを実際に使用する場合には、駆動３
５回路が形成されたプリント基板上にマウントされる。
そして、このマウントされたデバイスが振動あるいは衝
撃を受けた場合、第４図に示したよう、Ｃｌ、にリード
ピン２がその折り曲げ部分で変形を生じ、シールドケー
ス１の端部に接触してメモリ動昨が不可能となる。
５回路が形成されたプリント基板上にマウントされる。
そして、このマウントされたデバイスが振動あるいは衝
撃を受けた場合、第４図に示したよう、Ｃｌ、にリード
ピン２がその折り曲げ部分で変形を生じ、シールドケー
ス１の端部に接触してメモリ動昨が不可能となる。
例えば、磁気バブルの検出出力は約４ｍＶと極めて小さ
な値であるため、検出用リードピン２がそのシールドケ
ース１に接触した場合、磁気バブル出力電圧に比較して
数十倍の雑音がバブル出力電圧に重畳し、読み出し動作
が全く不可能となる。また、隣接して配置された回転磁
界駆動用のリードピン２が短絡した場合には、回転磁界
用電流発生回路のＩＣが破壊する。以上説１明したよう
に、第２図に示した従来構造のデバイスからサイドキヤ
ツプを除去すると、メモリ動作が不可能あるいは駆動回
路の破壊が発生するなど好ましい結果が得られなかつた
。したがつて、本発明は上記欠点を解消するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、サイドキヤ
ツプを除去し、リードピンとシールドケースとの接触を
防止して低コスト化を実現したデバイスを提供すること
にある。
な値であるため、検出用リードピン２がそのシールドケ
ース１に接触した場合、磁気バブル出力電圧に比較して
数十倍の雑音がバブル出力電圧に重畳し、読み出し動作
が全く不可能となる。また、隣接して配置された回転磁
界駆動用のリードピン２が短絡した場合には、回転磁界
用電流発生回路のＩＣが破壊する。以上説１明したよう
に、第２図に示した従来構造のデバイスからサイドキヤ
ツプを除去すると、メモリ動作が不可能あるいは駆動回
路の破壊が発生するなど好ましい結果が得られなかつた
。したがつて、本発明は上記欠点を解消するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、サイドキヤ
ツプを除去し、リードピンとシールドケースとの接触を
防止して低コスト化を実現したデバイスを提供すること
にある。
このような目的を達成するために本発明は、モールド部
の外形をシールドケースの外形よりも大きく構成したも
のである。
の外形をシールドケースの外形よりも大きく構成したも
のである。
以下図面を用いて本発明によるデバイスについて詳細に
説明する。第５図は本発明によるデバイスの一例を示す
要部断面図であう、第１図、第２図と同記号は同一ニ要
素となるのでその説明は省略する。同図において、シー
ルドケース１の外形に対して樹脂モールド部８の端部を
突出させて形成されている。すなわち、デバイスのリー
ドピンの引出方向において、シールドケース１の長さを
Ｅ，、モールド部８の長５さを１２としたとき、モール
ド部８がシールドケース１の長さよ炉６だけ突出するよ
うに樹脂を充填させて樹脂モールド部８が形成されてい
る。樹脂モールド部８からのリードピン２の引出端と樹
脂モールド部８の側面下端とを結んだ直線より、シール
ドケース１の端部が内側になるように形成するのである
。このような構成によれば、デバイスが振動、衝撃等に
対して第６図に示すようにリードピン２に変形が生じた
場合、リードピン２がモールド部８の端部に係止される
ため、リードピン２とシールドケース１とが直接的に接
触することが皆無となる。
説明する。第５図は本発明によるデバイスの一例を示す
要部断面図であう、第１図、第２図と同記号は同一ニ要
素となるのでその説明は省略する。同図において、シー
ルドケース１の外形に対して樹脂モールド部８の端部を
突出させて形成されている。すなわち、デバイスのリー
ドピンの引出方向において、シールドケース１の長さを
Ｅ，、モールド部８の長５さを１２としたとき、モール
ド部８がシールドケース１の長さよ炉６だけ突出するよ
うに樹脂を充填させて樹脂モールド部８が形成されてい
る。樹脂モールド部８からのリードピン２の引出端と樹
脂モールド部８の側面下端とを結んだ直線より、シール
ドケース１の端部が内側になるように形成するのである
。このような構成によれば、デバイスが振動、衝撃等に
対して第６図に示すようにリードピン２に変形が生じた
場合、リードピン２がモールド部８の端部に係止される
ため、リードピン２とシールドケース１とが直接的に接
触することが皆無となる。
以上説明したように本発明によるデバイスによれば、リ
ードピンとシールドケースとが振動、衝撃に対して接触
しない構造としたことによつて、サイドキヤツプを除去
してデバイスを低コストで提供できる極めて優れた効果
が得られる。
ードピンとシールドケースとが振動、衝撃に対して接触
しない構造としたことによつて、サイドキヤツプを除去
してデバイスを低コストで提供できる極めて優れた効果
が得られる。
第１図、第２図は従来の磁気バブルメモリデバイスの一
例を示す要部斜視図、そのＩ−ビ断面図、第３図、第４
図は現在提案されている磁気バブルメモリデバイスの一
例を示す要部断面図、第５図、第６図は本発明による磁
気バブルメモリデバイスの一例を示す要部断面図である
。 １・・・・・・シールドケース、２・・・・・・リード
ピン、３・・・・・゜磁気バブルメモリチツプ（チツプ
）、５・・・・・・磁石プロツク、６・・・・・・パツ
ケージ、８・・・・・・モールド部。
例を示す要部斜視図、そのＩ−ビ断面図、第３図、第４
図は現在提案されている磁気バブルメモリデバイスの一
例を示す要部断面図、第５図、第６図は本発明による磁
気バブルメモリデバイスの一例を示す要部断面図である
。 １・・・・・・シールドケース、２・・・・・・リード
ピン、３・・・・・゜磁気バブルメモリチツプ（チツプ
）、５・・・・・・磁石プロツク、６・・・・・・パツ
ケージ、８・・・・・・モールド部。
Claims (1)
- １ 磁気バルブメモリチップを収納したパッケージを対
向間に配置したシールドケースと、前記シールドケース
間に樹脂を充填して形成したモールド部と、前記パッケ
ージの端子に一端が接続されかつ他端側か前記モールド
部を貫通して一方のシールドケースと交差する方向に折
曲げたリードピンとを少なくとも備えた磁気バルブメモ
リデバイスにおいて、前記モールド部からの前記リード
ピンの引出端と該モールド部の側面部下端とを結んだ直
線より、前記シールドケースの端部が内側になる構造と
することを特徴とした磁気バルブメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5423179A JPS5911982B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5423179A JPS5911982B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150182A JPS55150182A (en) | 1980-11-21 |
| JPS5911982B2 true JPS5911982B2 (ja) | 1984-03-19 |
Family
ID=12964759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5423179A Expired JPS5911982B2 (ja) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911982B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060099U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | 富士通株式会社 | 磁気バブルメモリパツケ−ジ |
-
1979
- 1979-05-04 JP JP5423179A patent/JPS5911982B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150182A (en) | 1980-11-21 |
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