JPS591238B2 - 液相エピタキシャル成長層の形成法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は所要の基板上に複数の液相エピタキシヤル成長
層を順次積層して形成する液相エピタキシヤル成長層の
形成法に関し、特に複数の液相工ピタキシヤル成長層を
所期の高精度な組成及び厚さを有するものとして容易に
得ることの出来る新規な液相エピタキシヤル成長層を提
供せんとするもので、例えばヘテロ接合型半導体レーザ
の製法に適用して好適なものである。

以下本発明をヘテロ接合型半導体レーザの製法に適用す
るものとして述べるに、第１図Ａ−Ｅは本発明による液
相エピタキシヤル成長層の形成法に使用する液相エピタ
キシヤル成長層形成用装置の実施例を示し、複数４個の
液相エピタキシヤル成長層Ａｌ，Ａ２，Ａ３及びＡ４（
図示せず）が順次積層して形成される基板１（図示せず
）を配置するに供される基板配置用凹所２を土面３側に
形成してなる、固定支持板４上に摺動自在に配された基
板配置用板体５と、複数４個の融液保持部形成用貫通孔
Ｂｌ，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４を順次形成してなり且貫通孔
Ｂ２及びＢ３間に他の融液保持部形成用貫通孔Ｂｉを形
成してなる基板配置用板体５上に固定支持板４に固定せ
る関係で配された（その手段は図示せず）固定融液保持
部形成用板体６と、複数５（＝４＋１）個の融液保持部
形成用貫通孔Ｃｌ，Ｃ２・・・Ｃ５を順次形成してなり
且貫通孔Ｃ３及びＣ５間に他の融液保持部形成用貫通孔
Ｃｆを形成してなる固定融液保持部形成用板体６上に摺
動自在に配された可動融液保持部形成用板体７と、基板
配置用板体５及び可動融液保持部形成用板体７を摺動せ
しめる為の遊端に係合片８を形成してなる操作杆９とを
有し、而して第１図Ａに示されている基板配置用板体５
の初期位置に於てその基板配置用板体５の上面３と固定
板体６の貫通孔Ｂ１〜Ｂ４及びＢｆとの共働により複数
４個の融液保持用部Ｄ１〜Ｄ４と他の１つの融液保持用
部Ｄ２″とが形成される様になされ（但し第１図Ａに於
ては後述する所より明らかとなるが融液保持用部Ｄ１〜
Ｄ４及びＤ２′中の所要の融液保持用部内に所要の材料
を収容し得べく、可動板体７が一例としてではあるがそ
の貫通孔Ｃ２〜Ｃ５及びＣ！をして固定板体６の貫通孔
Ｂ１〜Ｂ４及びＢダと丁度連通せる固定板体６上の摺動
位置に在る状態が示されている入又第１図Ｂに示されて
いる基板配置用板体５及び可動板体７の初期位置に於て
固定板体６の土面１０（！：可動板体７の貫通孔Ｃ２〜
Ｃ５及びＣｆとの共働により複数４（＝５−１）個の融
液保持用部Ｅ１〜Ｅ４と他の１つの融液保持用部Ｅダと
が形成される様になされ、更に第１図Ｃに示されている
基板配置用板体５の初期位置、可動板体７の第１の摺動
位置に於て基板配置用板体５の上面３と固定板体６の貫
通孔Ｂ，〜Ｂ４及びＢ！と可動板体７の貫通孔Ｃ２〜Ｃ
５及びＣ！との共働により複数４個の融液保持用部Ｆ１
〜Ｆ４と他の１つの融液保持用部Ｆダとが形成される様
になされ、尚更に第１図Ｄに示されている基板配置用板
体５の初期位置、可動板体７の第２の摺動位置に於て基
板配置用板体５の上面３と固定板体６の貫通孔Ｂ１〜Ｂ
４及びＢｆと可動板体７の貫通孔Ｃ１〜Ｃ４及びＣ！と
の共働により複数４個の融液保持用部Ｇ１〜Ｇ４と他の
１つの融液保持用部Ｇダとが形成される様になされ、又
第１図Ｄに示す如くに融液保持用部Ｇ１〜Ｇ４及びＧ２
′が形成されている状態より基板配置用板体５を摺動せ
しめることにより基板配置用板体５の基板配置用凹所２
が先ず第１図Ｅに示す如く固定板体６の貫通孔Ｂ１に持
来され、以下順次貫通孔Ｂ２，Ｂダ，Ｂ３及びＢ４下に
１屓次持来される様になされている。

尚可動板体７の第１図Ｃに示されている第１の摺動位置
、及び第１図Ｄ及びＥに示されている第２の摺動位置は
可動板体７が第１図Ｂに示されている初期位置より操作
杆９の一方向への順次の操作によつて順次摺動せしめら
れることにより採る様になされ、又基板配置用板体５の
基板配置用凹所２が順次貫通孔Ｂ，，Ｂ２，Ｂ！，Ｂ３
及びＢ４下に持来されるべく基板配置用板体７が摺動す
るその摺動は基板配置用板体５が第１図Ａ−Ｄに示され
ている初期位置より操作杆９の一方向への操作によつて
摺動せしめられることにより得られる様になされている
。以上で本発明による液相エピタキシヤル成長層の形成
法に使用する液相エピタキシヤル成長層形成用装置の実
施例が明らかとなつたが、次に斯る液相エピタキシヤル
成長層形成用装置を用いた本発明による液相エピタキシ
ヤル成長層の形成法の実施例を第２図Ａ−Ｊを伴なつて
詳述するに、先づ液相エピタキシヤル成長層形成用装置
が第２図Ａに示す如く、第１図Ａにて上述せると同様に
基板配置用板体５が初期位置にあつてその基板配置用板
体５の上面３と固定板体６の貫通孔Ｂｌ，Ｂ２，Ｂ３及
びＢ４及びＢ！との共働により融液保持用部１）１〜Ｄ
４及びＤダを形成している状態で、それ等融液保持用部
Ｄ１〜Ｄ４及びＤＪ中の所要の融液保持用部例えばＤ２
及びＤ４内に夫々所要の材料Ｒ２及びＲ４を収容する。

この場合の材料Ｒ２及びＲ４の融液保持用部Ｄ２及びＤ
４内への収容は、例えば第２図Ａにて図示せる如く第１
図Ａにて上述せると同様に一例としてではあるが可動板
体７がその貫通孔Ｃ２〜Ｃ，及びＣ３５をして固定板体
６の貫通孔Ｂ１〜Ｂ４及びＢダと丁度連通せる固定板体
６上の摺動位置に在る状態で、その可動板体７の貫通孔
Ｃ２及びＣ４を通じてなされるものである。

又融液保持用部Ｄ２及び１１）４内に収容される材料Ｒ
２及びＲ４は、ＧａＡｓ結晶とＩｎＡｓ結晶とよりなる
ものとし得、以下簡単の為斯く材料Ｒ２及びＲ４がＧａ
Ａｓ結晶とＩｎＡｓ結晶とよりなるものとする。又融液
保持用部Ｄｆを形成せる固定板体６の貫通孔Ｂｆ内には
それを基板配置用板体５側に於て閉塞すべく蓋体２１が
着脱自在に配されている。次に液相エピタキシヤル成長
層形成用装置を、第２図Ｂに示す如く、第１図Ｂにて土
述せると同様に基板配置用板体５及び可動板体７が初期
位置にあつて固定板体６の上面１０と可動板体７の貫通
孔Ｃ２〜Ｃ５及びＣ！との共働により融液保持用部Ｅ１
〜Ｅ４及びＥ！を形成せる状態とし、而してその複数４
個の融液保持用部Ｅｌ，Ｅ２，Ｅ３及びＥ４内に夫々所
要の材料Ｓｌ，Ｓ２，Ｓ３及びＳ４を収容する。

この場合融液保持用部Ｅ１〜Ｅ４内に収容される材料Ｓ
１〜Ｓ４は。とＳｎとよりなるものとし得、以下簡単の
為斯く材料Ｓ１〜Ｓ４がＩｎとＳｎ（５よりなるものと
する。又融液保持用部Ｅ１〜Ｅ４中の所要の融液保持用
部例えばＥ２及びＥ４に夫々収容される材料Ｓ２及びＳ
４は、後述する工程に於て融液保持部Ｅ２及びＥ４に対
応する融液保持用部Ｆ２及びＦ４内で得られる融液１２
及び１４をして融液保持用部Ｅ２及びＥ４に対応する貫
通孔Ｃ３及びＣ５内での融液レベルが得られるに十分な
量を有する。

尚材料Ｓ２及びＳ４が斯る量を有するものとして得られ
るべく、可動板体７の貫通孔Ｃ１〜Ｃ５及びＣ！の体積
は、融液保持用部Ｄ１及びＤ４及びＤｆ中に収容される
材料の量にもよるが、一般に固定板体６の貫通孔Ｂ１〜
Ｂ４の体積に比し大に選ばれている。

次に液相エピタキシヤル成長層形成用装置を炉（図示せ
ず）内に配し、而して第２図Ｃに示ず如く融液保持用部
Ｄ２及びＤ４内に夫々収容せる材料Ｒ２及びＲ４の融液
Ｈ！及びＨ！及び融液保持用部Ｅｌ，Ｅ２，Ｅ３及びＥ
４内に夫々収容せる材料Ｓｌ，Ｓ２，Ｓ３及びＳ４の融
液Ｈ，，Ｈ２，Ｈ３及びＨ４を得べく、例えば水素雰囲
気中での加熱がなされる。

この場合の加熱は、第３図に示す如く、時点Ｔ。より時
点Ｔ，迄の間に於て温度Ｔが室温Ｔ。の値から高い温度
Ｔ８の値迄比較的急速に上昇し、次で温度Ｔが時点ｔ１
より時点Ｔ２迄の間に於て温度Ｔ８の値を保つという温
度プログラムを採るものである。次に、上述せる如くに
融液保持用部Ｄ２及びＤ４内に夫々融液Ｈ／及びＨ！が
、融液保持用部Ｅ，〜Ｅ４内に融液Ｈ１〜Ｈ４が得られ
ている状態より、第２図Ｄに示す如く、第１図Ｃにて上
述せると同様に、融液保持用部Ｆ１〜Ｆ４及びＦ！が形
成されるべく操作杆９の操作により可動板体７を第１の
摺動位置に摺動せしめることにより、融液保持用部Ｆ１
；Ｆ２；Ｆ３；及びＦ４にて夫々融液Ｈ１よりなる融液
１１；融液Ｈダ及びＨ２よりなる融液２：融液Ｈ３より
なる融液１３；及び融液Ｈ！及びＨ４よりなる融液４を
得る。

この場合融液１〜４は第３図に示す如く、上述せる加熱
工程の終る時点Ｔ２から時点Ｔ３迄の間、上述せる加熱
程での温度Ｔ８の値の温度Ｔを採ることにより得る。次
に第２図Ｅに示す如くに、融液保持用部Ｆ１〜Ｆ４内で
融液１〜４による結晶Ｊ１〜Ｊ４を得べく、冷却がなさ
れる。この場合の冷却は、液相エピタヰシヤル成長層形
成用装置を炉外に取出すことにより得られるものである
が、第３図に示す如く、時点Ｔ３より時点Ｔ４迄の間に
於て温度Ｔが温度Ｔ８の値より室温Ｔ。の値迄比較的急
速に下降し、爾后室温Ｔ。の値を保つという温度プログ
ラムを採るものである。次に第２図Ｆに示す如く融液保
持用部Ｆ１〜Ｆ４内に得られている結晶Ｊ１〜Ｊ４中の
所要の結晶例えば結晶Ｊ１；Ｊ２；Ｊ３；及びＪ４上に
夫々所要の結晶材料Ｕｌ，Ｕ２，Ｕ３、及びＵ４を載置
する。

又それと前后して基板配置用板体５の基板配置用凹所２
内に所要の基板１を配置する。゛この場合結晶材料Ｕｌ
，Ｕ２及びＵ４はＩｎＰ結晶よりなるものとし得、従つ
て、以下簡単の為斯く結晶材料Ｕｌ，Ｕ２及びＵ４がＮ
Ｐ結晶よりなるものとするが、材料Ｕ１は後述する融液
Ｋ１に後述する温度Ｔ６の値で所定量丈け過飽和にする
に十分な量を有し、又材料Ｕ２は後述する融液Ｋ２に後
述する温度Ｔ４の値で溶け切らないに十分な量を有し、
更に材料Ｕ４は後述する融液Ｋ４に後述する温度Ｔ２の
値で溶け切らないに十分な量を有する。又結晶材料Ｕ３
はＩｎＰ結晶とＺｎとよりなるものとし得、以下簡単の
為斯く結晶材料Ｕ３がＩｎＰ結晶とＺｎとよりなるもの
とするが、その材料Ｕ３のＩｎＰ結晶は後述する融液Ｋ
３に後述する温度Ｔ３の値で所定量丈け過飽和するに十
分な量を有する。更に基板１はＩｎＰ結晶でなるものと
し得、以下簡単の為斯く基板１がＩｎＰ結晶板でなるも
のとする。次に液相エピタキシヤル成長層形成用装置を
、上述せる如くに結晶Ｊ，〜Ｊ４上に結晶材料Ｕ１〜Ｕ
４を載置せる状態で、再度炉内に配し、而して第２図Ｇ
に示す如く融液保持用部Ｆ，；Ｆ２；Ｆ３；及びＦ４内
で夫々結晶Ｊ１及び結晶材料Ｕ１の融液Ｋ１：結晶Ｊ２
及び結晶材料Ｕ２の融液Ｋ２：結晶Ｊ３及び結晶材料Ｕ
３の融液Ｋ３；及び結晶Ｊ４及び結晶材料Ｕ４の融液Ｋ
４を得べく加熱がなされる。この場合の加熱は、第３図
に示す如く時点Ｔ４后の時点Ｔ５より時点Ｔ６迄の間に
於て温度Ｔが室温Ｔ。の値から温度Ｔ８より低い温度Ｔ
５の値迄比較的急速に土昇し、次で温度Ｔが時点Ｔ６よ
り時点Ｔ７迄の間に於て温度Ｔ，を保つという温度プロ
グラムを採り、依つて融液Ｋ２及びＫ４をＩｎ，Ｇａ，
Ａｓ及びＰの飽和せる融液として得る。又この場合融液
Ｋ２及びＫ４がその上に材料Ｕ２及びＵ４を残した状態
で貫通孔Ｃ３及びＣ４内での融液レベルを採つているこ
とは注意すべきである。次に上述せる如くに融液保持用
部Ｆ１〜Ｆ４内に融液Ｋ，〜Ｋ４が得られている状態よ
り、第２図Ｈに示す如く、第１図Ｄにて土述せると同様
に、融液保持用部Ｇ１〜Ｇ４及びＧｆが形成されるべく
操作杆９の操作により可動板体７を第２の摺動位置に摺
動せしめることにより、融液保持用部Ｇ１〜Ｇ４内で夫
々融液Ｋ１〜Ｋ４による融液Ｍ１〜Ｍ４を得る。

この場合融液Ｍ１及びＭ３は夫々融液Ｋ１及びＫ３の全
てによる融液であるも、融液Ｍ２及びＭ４は夫々融液Ｋ
２及びＫ４の貫通孔Ｃ３及びＣ，内に臨む部Ｋダ及びＫ
！が可動板体７にて切取られてなるその切取られた融液
従つて融液Ｋ２及びＫ４の貫通孔Ｂ２及びＢ４内に臨む
部Ｋ′及びＫ：でなる融液である。又融液Ｍ２が得られ
るべく融液Ｋ２の貫通孔Ｃ３内に臨む部ＫＩが可動板体
７にて切取られるその部Ｋダは融液保持用部Ｆ２′を構
成する貫通孔Ｂダ内にこれを閉塞すべく配された蓋体２
１上に位置せしめられ、又融液Ｍ４が得られるべく融液
Ｋ４の貫通孔Ｃ，内に臨む部Ｋ！が可動板体７にて切取
られるその部Ｋ！は固定板体６の上面１０と可動板体７
の貫通孔Ｃ５との共働により形成される融液保持部Ｅ！
内に位置せしめられる。更に融液Ｍ１及びＭ３はそれ等
の上に材料Ｕ，及びＵ３を残した状態にあり、又部Ｋｆ
及びＫ′はその上に材料Ｕ２及びＵ４を残した状態にあ
るも、融液Ｍ２及びＭ４はそれ等の上に材料Ｕ２及びＵ
４を残した状態にはない。次に融液保持用部Ｇ１〜Ｇ４
内に融液Ｍ１〜Ｍ４を得た状態で、第２図１に示す如く
融液Ｍ，及びＭ３上に残されている材料Ｕ１及びＵ３の
全てが夫々融液Ｍ１及びＭ３内に溶込まれるべく炉の温
度を土昇せしめ、次でこれより炉の温度を下降せしめる
。

この場合の炉の温度の上昇及び下降は、第３図に示す如
く、時点Ｔ７での温度Ｔ５の値より、時点Ｔ８での温度
Ｔ８及びＴ５間の値の温度Ｔ７の値迄温度Ｔを上昇せし
め、次で時点Ｔ８での温度Ｔ７の値より時点Ｔ，での温
度Ｔ７及びＴ５間の値の温度Ｔ６の値迄温度Ｔを下降せ
しめ、次で時点Ｔ，での温度Ｔ６の値より時点Ｔ，Ｏで
の温度Ｔ，の値より低い温度Ｔ４の値迄温度Ｔを下降せ
しめ、次で時点Ｔ，Ｏでの温度Ｔ４より時点Ｔｌｌでの
温度Ｔ４の値より低い温度Ｔ３の値迄温度Ｔを下降せし
め、次で時点Ｔｌｌでの温度Ｔ３の値より時点Ｔｌ２で
の温度Ｔ３の値より低い温度Ｔ２の値迄温度Ｔを下降せ
しめ、次で時点Ｔｌ２での温度Ｔ２の値より時点Ｔｌ３
での温度Ｔ２の値より低い温度Ｔ，の値迄温度Ｔを下降
せしめ、最后に時点Ｔｌ３での温度Ｔ１の値より時点Ｔ
ｌ４での室温Ｔ。の値迄温度Ｔを下降せしめるという、
温度プログラムを採るものである。而して基板配置用板
体５を、第２図Ｊに示す如く操作杆９の操作によりその
基板配置用凹所２が時点Ｔ，に於て融液保持用部Ｇ１下
に持来されるべく摺動せしめ、次で図示せざるも操作杆
９の同じ方向への操作により基板配置用凹所２が時点Ｔ
ｌＯ，ｔｌｌ、及びＴｌ２に於て融液保持用部Ｇ２，Ｇ
３及びＧ４下に持来されるべく順次摺動せしめて基板１
に融液Ｍｌ，Ｍ２，Ｍ３及びＭ４を順次時点Ｔ９〜Ｔｌ
ＯＴｌＯゝＴｌｌ９ｔｌｌゝＴｌ２）及びＴｌ２ゝＴｌ
３間に於て接触せしめる様になすことにより、基板１上
に融液Ｍｌ，Ｍ２，Ｍ３及びＭ４による液相エピタキシ
ヤル成長層Ａｌ，Ａ２，Ａ３及びＡ４を順次積層して形
成し、然る后操作杆９の同じ方向への操作により時点Ｔ
ｌ３より基板１を融液Ｍ４より切離し、次で液相エピタ
キシヤル成長層形成用装置を炉外に取出し、これにより
上述せる時点Ｔｌ３〜Ｔ，４間の温度プログラムを得、
次で基板配置用凹所２より液相エピタキシヤル成長層Ａ
１〜Ａ４を積層形成せる基板１を取出す。この場合液相
エピタキシヤル成長層Ａ１；Ａ２；Ａ３；及びＡ４は夫
々ＳｎのドープされたＩｎＰ結晶層；ノンドープのＩｎ
ｘＧａｌ−ＸＡｓ，Ｐ，−，結晶層（但しＯくＸく１，
０くｙく１）；ＺｎのドープされたＩｎＰ結晶層；及び
ＳｎのドープされたＩｎｘ′Ｇａｌ−、′ＡＳｙ′Ｐ１
−ｙ′結晶層（０くｘ′く１，０＜ｙ′く１）として得
られるものである。

以上にて本発明による液相エピタキシヤル成長層の形成
法の実施例が明らかとなつたが、斯る実施例によれば、
それが第２図Ｄにて土述せる如くに融液１，〜４を得る
という工程と、第２図Ｇにて上述せる如く融液Ｋ，〜Ｋ
４を得るという工程と、第２図Ｇにて土述せる如く融液
Ｋ１〜Ｋ４を得るという工程と、第２図Ｇにて上述せる
如くに融液Ｍ１〜Ｍ４を得るという工程とを採り、そし
て基板１が何等押え付けられていない融液Ｍ１〜Ｍ４に
順次接触する様になされることで液相エピタキシヤノν
成長層Ａ１〜Ａ４が得られるので、それ等成長層Ａ１〜
Ａ４を所期の高精度な組成及び厚さを有するものとして
得ることが出来るものである。因みに、従来方法にみら
れる如く、第２図Ｄにて上述せる如き融液１１〜１４を
得る工程と、第２図Ｇにて上述せる如き融液Ｋ１〜Ｋ４
を得る工程とを採ることなしに、直ちに融液Ｍ１〜Ｍ４
を得る工程を採り、そしてそれ等融液Ｍ１〜Ｍ４に基板
１を接触せしめる様にして成長層Ａ１〜Ａ４を得る様に
なすとすれば、融液Ｍ１〜Ｍ４を、それ等を得る為の材
料につき高精度の秤量をなさない限り、成長層Ａ１〜Ａ
４を高精度な組成及び厚さで得ることが出来ないもので
あるが、本発明方法によれば、斯る高精度の秤量を必要
とすることなしに成長層Ａ１〜Ａ４を高精度な組成及び
厚さで得ることが出来るものである。又因みに従来方法
にみられる如く、基板１が押付けられている融液Ｍ１〜
鳩に順次接触せしめられる様になされて成長層Ａ１〜Ａ
４を顧次得る様になすとすれば、前に得られる成長層の
上にその成長層を得る為の融液が残つた状態で次の成長
層が得られる惺れを有し、この為成長層Ａ２〜Ａ４が所
期の高精度な組成及び厚さで得られない濯れを有するも
のであるが、本発明方法によれば斯る惺れなしに成長層
Ａ２〜Ａ４を所期の高精度な組成及び厚さで得ることが
出来るものである。尚上述に於ては本発明による方法の
１つの例を述べたが、本発明の精神を脱することなしに
種々の変型変更をなし得ること明らかであろう。

【図面の簡単な説明】 第１図Ａ−Ｅは本発明による液相エピタキシヤル成長層
の形成法に使用し得る液相エピタキシヤル成長層形成用
装置の実施例を示ず路線的断面図、第２図Ａ−Ｊは本発
明による液相エピタキシヤル成長層の形成法の実施例の
説明に供する順次の工程に於ける路線的断面図、第３図
は本発明による液相エピタキシヤル成長層の形成法の実
施例の説明に供する温度プログラムを示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数Ｎ個の液相エピタキシャル成長層Ａ＿１、Ａ＿
   ２・・・Ａ＿Ｎが順次積層して形成される基板を配置す
   るに供される基板配置用凹所を上面側に形成してなる固
   定支持板上に摺動自在に配された基板配置用板体と、複
   数Ｎ個の融液保持部形成用貫通孔Ｂ＿１、Ｂ＿２・・・
   Ｂ＿Ｎを順次形成してなる上記基板配置用板体上に配さ
   れた固定融液保持部形成用板体と、複数（Ｎ＋１）個の
   融液保持部形成用貫通孔Ｃ＿１、Ｃ＿２・・・Ｃ＿Ｎ、
   Ｃ＿Ｎ＿＋＿１を順次形成してなる上記固定融液保持部
   形成用板体上に摺動自在に配された可動融液保持部形成
   用板体と、上記基板配置用板体及び上記可動融液保持部
   形成用板体を摺動せしめる為の操作杆とを有し、上記基
   板配置用板体の初期位置に於て当該基板配置用板体の上
   面と上記固定融液保持部形成用板体の複数Ｎ個の融液保
   持部形成用貫通孔Ｂ＿１、Ｂ＿２・・・Ｂ＿Ｎとの共働
   により複数Ｎ個の融液保持用部Ｄ＿１、Ｄ＿２・・・Ｄ
   ＿Ｎが形成される様になされ、上記基板配置用板体及び
   上記可動融液保持部形成用板体の初期位置に於て上記固
   定融液保持部形成用板体の上面と上記可動融液保持部形
   成用板体の複数Ｎ個の融液保持部形成用貫通孔Ｃ＿２、
   Ｃ＿３・・・Ｃ＿Ｎ＿＋＿１との共働により複数Ｎ個の
   融液保持部用Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・Ｅ＿Ｎが形成される
   様になされ、上記基板配置用板体の初期位置、上記可動
   融液保持用部形成用板体の第１の摺動位置に於て上記基
   板配置用板体の上面と上記固定融液保持部形成用板体の
   複数Ｎ個の融液保持部形成用貫通孔Ｂ＿１、Ｂ＿２・・
   ・Ｂ＿Ｎと上記可動融液保持部形成用板体の複数Ｎ個の
   融液保持部形成用貫通孔Ｃ＿２、Ｃ＿３・・・Ｃ＿Ｎ＿
   ＋＿１との共働により複数Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、
   Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎが形成される様になされ、上記基板
   配置用板体の初期位置、上記可動融液保持部形成用板体
   の第２の摺動位置に於て上記基板配置用板体の上面と上
   記固定融液保持部形成用板体の複数Ｎ個の融液保持部形
   成用貫通孔Ｂ＿１、Ｂ＿２・・・Ｂ＿Ｎと上記可動融液
   保持部形成用板体の複数Ｎ個の融液保持部形成用貫通孔
   Ｃ＿１、Ｃ＿２・・・Ｃ＿Ｎとの共働により複数Ｎ個の
   融液保持用部Ｇ＿１、Ｇ＿２・・・Ｇ＿Ｎが形成される
   様になされ、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｇ＿１、Ｇ＿
   ２・・・Ｇ＿Ｎが形成されている状態より上記基板配置
   用板体を摺動せしめることにより当該基板配置用板体の
   基板配置用凹所が上記固定融液保持部形成用板体の複数
   Ｎ個の融液保持部形成用貫通孔Ｂ＿１、Ｂ＿２・・・Ｂ
   ＿Ｎ下に順次持来たされる様になされ、上記可動融液保
   持部形成用板体の第１及び第２の摺動位置は当該可動融
   液保持部形成用板体が上記初期位置より上記操作杆の一
   方向への順次の操作によつて順次摺動せしめられること
   により採る様になされ、上記基板配置用板体の摺動は当
   該基板配置用板体が上記初期位置より上記操作杆の一方
   向への操作によつて摺動せしめられることにより得られ
   る様になされてなる液相エピタキシャル成長用装置を用
   いて、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｄ＿１、Ｄ＿２・・
   ・Ｄ＿Ｎが形成されている状態で当該複数Ｎ個の融液保
   持用部Ｄ＿１、Ｄ＿２・・・Ｄ＿Ｎ中の所要の融液保持
   用部内に所要の材料を夫々収容する第１の工程と、上記
   複数Ｎ個の融液保持用部Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・Ｅ＿Ｎが
   形成されている状態で当該複数Ｎ個の融液保持用部Ｅ＿
   １、Ｅ＿２・・・Ｅ＿Ｎ内に所要の材料を夫々収容する
   第２の工程と、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｄ＿１、Ｄ
   ＿２・・・Ｄ＿Ｎ中の所要の融液保持用部内に夫々収容
   せる材料の融液及び上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｅ＿１
   、Ｅ＿２・・・Ｅ＿Ｎ内に夫々収容せる材料の融液Ｈ＿
   １、Ｈ＿２・・・Ｈ＿Ｎを得べく加熱する第３の工程と
   、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｄ＿１、Ｄ＿２・・・Ｄ
   ＿Ｎ中の所要の融液保持用部内に夫々収容せる材料の融
   液及び上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｅ＿１、Ｅ＿２・・
   ・Ｅ＿Ｎ内に夫々収容せる材料の融液Ｈ＿１、Ｈ＿２・
   ・・Ｈ＿Ｎが得られている状態より上記複数Ｎ個の融液
   保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎが形成されるべく
   上記可動融液保持用部形成用板体を上記第１の摺動位置
   に摺動せしめることにより上記複数Ｎ個の融液保持用部
   Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ内で夫々上記複数Ｎ個の融
   液Ｈ＿１、Ｈ＿２・・・Ｈ＿Ｎを含む複数Ｎ個の融液Ｉ
   ＿１、Ｉ＿２・・・Ｉ＿Ｎを得る第４の工程と、上記複
   数Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ内で
   夫々上記複数Ｎ個の融液Ｉ＿１、Ｉ＿２・・・Ｉ＿Ｎの
   複数Ｎ個の結晶Ｊ＿１、Ｊ＿２・・・Ｊ＿Ｎを得べく冷
   却する第５の工程と、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿
   １、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ内に夫々得られている上記複数
   Ｎ個の結晶Ｊ＿１、Ｊ＿２・・・Ｊ＿Ｎ中の所要の結晶
   上に夫々所要の結晶材料を載置し、上記基板配置用板体
   の上記基板配置用凹所内に上記基板を配置する第６の工
   程と、上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・
   ・Ｆ＿Ｎ内で夫々上記複数Ｎ個の結晶Ｊ＿１、Ｊ＿２・
   ・・Ｊ＿Ｎの融液を含む複数Ｎ個の融液Ｋ＿１、Ｋ＿２
   ・・・Ｋ＿Ｎを得べく加熱する第７の工程と、上記複数
   Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ中内に
   上記複数Ｎ個の融液Ｋ＿１、Ｋ＿２・・・Ｋ＿Ｎが夫々
   得られている状態より上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｇ＿
   １、Ｇ＿２・・・Ｇ＿Ｎが形成されるべく上記可動融液
   保持部形成用板体を上記第２の摺動位置に摺動せしめる
   ことにより上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｇ＿１、Ｇ＿２
   ・・・Ｇ＿Ｎ内で夫々上記複数Ｎ個の融液Ｋ＿１、Ｋ＿
   ２・・・Ｋ＿Ｎによ複数Ｎ個の融液Ｍ＿１、Ｍ＿２・・
   ・Ｍ＿Ｎを得る第８の工程と、上記複数Ｎ個の融液保持
   用部Ｇ＿１、Ｇ＿２・・・Ｇ＿Ｎ内に夫々上記複数Ｎ個
   の融液Ｍ＿１、Ｍ＿２・・・Ｍ＿Ｎが得られている状態
   で上記基板配置用板体をその上記基板配置用凹所が上記
   複数Ｎ個の融液保持用部Ｇ＿１、Ｇ＿２・・・Ｇ＿Ｎ下
   に順次持来たされるべく摺動せしめて上記基板に上記複
   数Ｎ個の融液Ｍ＿１、Ｍ＿２・・・Ｍ＿Ｎを接触せしめ
   る様になすことにより上記基板上に上記複数Ｎ個の融液
   Ｍ＿１、Ｍ＿２・・・Ｍ＿Ｎによる複数Ｎ個の液相エピ
   タキシャル成長層Ａ＿１、Ａ＿２・・・Ａ＿Ｎを形成す
   る第９の工程をとる様になされ、上記第２の工程に於て
   上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・Ｅ＿
   Ｎ中の所要の融液保持用部（これを一般にＥ＿Ｐとする
   ）内に夫々収容される材料は、上記第４の工程に於て上
   記融液保持用部Ｅ＿Ｐに対応する上記複数Ｎ個の融液保
   持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ中の融液保持用部（
   これを一般にＦ＿Ｐとする）内で得られる上記複数Ｎ個
   の融液Ｉ＿１、Ｉ＿２・・・Ｉ＿Ｎ中の融液（これを一
   般にＩ＿Ｐとする）をして上記融液保持用部Ｅ＿Ｐに対
   応する上記融液保持部形成用貫通孔Ｃ＿２、Ｃ＿３・・
   ・Ｃ＿Ｎ＿＋＿１中の融液保持部形成用貫通孔（これを
   一般にＣ＿Ｐ＿＋＿１とする）内での融液レベルが得ら
   れるに十分な量を有し、上記第６の工程に於て上記複数
   Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿Ｎ内に夫
   々得られる上記複数Ｎ個の結晶Ｊ＿１、Ｊ＿２・・・Ｊ
   ＿Ｎ中の所要の結晶は、上記融液保持用部Ｅに対応する
   上記複数Ｎ個の融液保持用部Ｆ＿１、Ｆ＿２・・・Ｆ＿
   Ｎ中の融液保持用部（これを一般にＦ＿Ｐとする）内に
   得られている上記複数Ｎ個の結晶Ｊ＿１、Ｊ＿２・・・
   Ｊ＿Ｎ中の結晶（これを一般にＪ＿Ｐとする）でなり、
   上記第７工程に於て得られる複数Ｎ個の融液Ｋ＿１、Ｋ
   ＿２・・・Ｋ＿Ｎ中の上記結晶Ｊ＿Ｐの融液を含む融液
   （これを一般にＫ＿Ｐとする）は当該融液Ｋ＿Ｐ上に上
   記結晶Ｉ＿Ｐが残つている状態で得られ、上記第８の工
   程に於て得られる上記複数Ｎ個の融液Ｍ＿１、Ｍ＿２・
   ・・Ｍ＿Ｎ中の上記融液Ｋ＿Ｐによる融液Ｍは、上記第
   ７の工程に於て得られる上記融液Ｋ＿Ｐの上記融液保持
   部形成用貫通孔Ｃ＿Ｐ＿＋＿１内に臨む部及び上記第７
   の工程に於ける上記結晶Ｊ＿Ｐの上記融液Ｋ＿Ｐ上に残
   つた部が上記可動融液保持部形成用板体の第２摺動位置
   への摺動により切取られてなる融液でなる事を特徴とす
   る液相エピタキシャル成長層の形成法。