JPS59130B2 - 絶縁膜・半導体界面の欠陥の電気的特性測定法 - Google Patents
絶縁膜・半導体界面の欠陥の電気的特性測定法Info
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- JPS59130B2 JPS59130B2 JP14000978A JP14000978A JPS59130B2 JP S59130 B2 JPS59130 B2 JP S59130B2 JP 14000978 A JP14000978 A JP 14000978A JP 14000978 A JP14000978 A JP 14000978A JP S59130 B2 JPS59130 B2 JP S59130B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁膜と半導体界面の捕獲中心の密度、エネ
ルギー準位、捕獲断面積等の電気的特性を金属一絶縁膜
一半導体（ＭＩＳ）ダイオードの方形波応答の温度依存
性より、高感度、高精度でしかも簡便に測定する方法に
関するものである。
ルギー準位、捕獲断面積等の電気的特性を金属一絶縁膜
一半導体（ＭＩＳ）ダイオードの方形波応答の温度依存
性より、高感度、高精度でしかも簡便に測定する方法に
関するものである。
絶縁膜一半導体界面の電気的特性は、バイポーラ・トラ
ンジスタや電界効果トランジスタ等の半導体素子及び集
積回路の動作に対して本質的な影響を与えるため、この
界面の電気的特性を、密度、エネルギー準位等の静的な
性質ばかりでなく、捕獲断面積等の動的な性質まで高感
度でしかも簡便に測定することは極めて重要なものであ
る。従来、絶縁膜一半導体界面の電気的特性の測定法と
しては、ＭＩＳダイオードのアドミタンスのバイアス電
圧及び周波数依存性より求める方法が各種知られている
。しかし、この方法では本質的に半導体表面電位を高精
度で求める必要があるが、絶縁膜中の固定電荷あるいは
絶縁膜一半導体界面の凹凸による表面電位の二次元的分
散及び半導体中の浅い不純物密度の深さ方向の不均一等
による誤差を生じ、その測定精度、感度とも充分なもの
とは言えない。又、静的な界面の特性は比較的短時間で
測定可能であるが、動的な特性まで求めようとすると一
般に長時間を要する。ところで、半導体ｐ−ｎ接合ある
いはショットキー接合の接合容量の方形波過度応答を２
つのサンプリング時間を０、を２における容量の差ΔＣ
で評価し、この容量差の温度掃引より、接合部に存在す
る深い不純物準位の電気的性質、すなわち、エネルギー
準位、捕獲断面積、密度の空間分布を測定するＤＬＴＳ
（Ｄｅｅｐ−ＬｅｖｅｌＴｒａｎｓｉｅｎｔＳｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）と呼ばれている方法があり、高感度、
高精度を有することが確認されており、ＭＩＳダイオー
ドの絶縁膜一半導体界面の界面準位の測定にも応用され
ている。
ンジスタや電界効果トランジスタ等の半導体素子及び集
積回路の動作に対して本質的な影響を与えるため、この
界面の電気的特性を、密度、エネルギー準位等の静的な
性質ばかりでなく、捕獲断面積等の動的な性質まで高感
度でしかも簡便に測定することは極めて重要なものであ
る。従来、絶縁膜一半導体界面の電気的特性の測定法と
しては、ＭＩＳダイオードのアドミタンスのバイアス電
圧及び周波数依存性より求める方法が各種知られている
。しかし、この方法では本質的に半導体表面電位を高精
度で求める必要があるが、絶縁膜中の固定電荷あるいは
絶縁膜一半導体界面の凹凸による表面電位の二次元的分
散及び半導体中の浅い不純物密度の深さ方向の不均一等
による誤差を生じ、その測定精度、感度とも充分なもの
とは言えない。又、静的な界面の特性は比較的短時間で
測定可能であるが、動的な特性まで求めようとすると一
般に長時間を要する。ところで、半導体ｐ−ｎ接合ある
いはショットキー接合の接合容量の方形波過度応答を２
つのサンプリング時間を０、を２における容量の差ΔＣ
で評価し、この容量差の温度掃引より、接合部に存在す
る深い不純物準位の電気的性質、すなわち、エネルギー
準位、捕獲断面積、密度の空間分布を測定するＤＬＴＳ
（Ｄｅｅｐ−ＬｅｖｅｌＴｒａｎｓｉｅｎｔＳｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）と呼ばれている方法があり、高感度、
高精度を有することが確認されており、ＭＩＳダイオー
ドの絶縁膜一半導体界面の界面準位の測定にも応用され
ている。
しかし、温度掃引中方形波印加電圧を一定に保つ従来の
方法では例えばサンプリング時間ｔｌにおける容量ｃ（
ｔｌ）がフェルミ準位の温度依存性のため温度により変
化し、そのため、ＭＩＳダイオードの界面準位の測定に
応用した場合Ｃ（ｔｌ）の変化を逐一補正する必要が生
じ、ＤＬＴＳのスペクトロスコピツクな特徴が充分生か
されていない欠点がある。これに対して本発明の方法は
従来の上記ＤＬＴＳをＭＩＳダイオードの絶縁膜一半導
体界面の界面準位測定用に改良したものであつて、その
目的とする所は、温度掃引中にサンプリング時間ｔｌま
たはを２における高周波容量を一定にするように印加方
形波電圧に帰還系をもうけ、複雑な計算器処理すること
なく直接界面準位密度のエネルギー分布をＸ−Ｙレコー
ダ上に記録させ、かつ、捕獲断面積もそのレコーダ上の
図面より極く簡単に求めることができる測定法を提供し
ようとするものである。
方法では例えばサンプリング時間ｔｌにおける容量ｃ（
ｔｌ）がフェルミ準位の温度依存性のため温度により変
化し、そのため、ＭＩＳダイオードの界面準位の測定に
応用した場合Ｃ（ｔｌ）の変化を逐一補正する必要が生
じ、ＤＬＴＳのスペクトロスコピツクな特徴が充分生か
されていない欠点がある。これに対して本発明の方法は
従来の上記ＤＬＴＳをＭＩＳダイオードの絶縁膜一半導
体界面の界面準位測定用に改良したものであつて、その
目的とする所は、温度掃引中にサンプリング時間ｔｌま
たはを２における高周波容量を一定にするように印加方
形波電圧に帰還系をもうけ、複雑な計算器処理すること
なく直接界面準位密度のエネルギー分布をＸ−Ｙレコー
ダ上に記録させ、かつ、捕獲断面積もそのレコーダ上の
図面より極く簡単に求めることができる測定法を提供し
ようとするものである。
以下、本発明の手法を実施例を交えて詳細に説明する。
本発明による測定法を実施するための界面準位測定装置
の一例の構成の大要を第１図に示す。約３０分〜１時間
に亘る温度掃引中約８０Ｋから４００Ｋ程度まで昇温可
能なクライオスタツト１内に測定すべきＭＩＳダイオー
ド２を配置し、その高周波容量Ｃ（ｔ）と標準容量３の
容量値ＣＯとの差Ｃ（ｔ）−ＣＯを高速応答の差動測定
型の容量計４で測定する。この高周波容量の測定周波数
は、例えば１ＭＩＩｚとすることができる。また標準容
量ＣＯはバイアス電圧を与えたときの静止状態の容量値
またはその近傍の値を選定することができる。この時、
ＭＩＳダイオード２には容量計４を介して方形波発生器
５と帰還型直流電源６により第２図ａに示す如き方形波
状の繰返し電圧を印加する。ただし、第２図ではｎ型半
導体基板を有するＭＩＳダイオード２の場合を例示して
いる。この方形波電圧のパルス幅、周期は任意に設定で
き、またピーク値電圧Ｖｂはフラツトバンド電圧より正
の電圧とし、半導体表面に電子の蓄積層を形成し、界面
準位に電子が捕獲されている状態とする。ここで、ＭＩ
Ｓダイオード２に印加するバイアス電圧を、半導体表面
に空乏層が形成される電圧Ｖａ、例えば−３に変化させ
た時、界面準位から伝導帯への電子が放出され、これに
伴なつてＭＩＳダイオード２の高周波容量Ｃ（ｔ）は第
２図ｂに例示する如く変化する。この過度応答を２つの
サンプリング時間Ｔ，，ｔ２、例えばｔ１＝５ｍｓ．．
ｔ２＝１０ｍｓにおける容量の差ΔＣ（＝−Ｃ（Ｔ２）
−Ｃ（Ｔ２））で評価する。この容量差を２入力型のボ
ツクスカ一・アベレジヤー７で測定する。さて、この容
量差ΔＣをＭＩＳダイオード２の温度に対して図示する
のが従来のＤＬＴＳであるが、本発明の方法では温度掃
引中、一方のサンプリング時間ｔ１における高周波容量
Ｃ（ｔ１）が標準容量ＣＯに等しくなる様にバイアス電
圧Ｖａに対して帰還路をもうける。すなわち第１図に示
すように容量計４で測定した高周波容量Ｃ（Ｔ，）と標
準容量Ｇとの差Ｃ（Ｔ，）−ＣＯをボツクスカ一・アベ
レジヤー７を介して帰還型直流電源６に供給する。この
場合ｂも同時に変化するが、半導体表面に電子の蓄積層
さえ出来ていれば何ら支障ないので、方形波電圧のピー
ク値を充分大きく取つておけばよい。さて、ＭＩＳダイ
オード２の温度を、例えば熱電対８により測定し、その
出力をさらにリニアライザー９により絶対温度Ｔ（ｋ）
に比例する出力に変換する。そして容量差ΔＣと絶対温
度Ｔとの比ΔＣ／Ｔを割算器１０により出力し、このΔ
Ｃ／Ｔを絶対温度Ｔに対してＸ−Ｙレコーダ１１上に記
録すると、ΔＣ／Ｔが界面準位密度に比例し、Ｔがほぼ
エネルギー準位に比例するため、直接Ｘ一Ｙレコーダ上
に界面準位密度のエネルギー分布が描かれる。又、捕獲
断面積はサンプリング時間Ｔｌ，ｔ２を変えて今一度測
定し、２つの曲線の変化より簡単に決定される。次に上
記の事項を理論式を用いて以下に説明する。
の一例の構成の大要を第１図に示す。約３０分〜１時間
に亘る温度掃引中約８０Ｋから４００Ｋ程度まで昇温可
能なクライオスタツト１内に測定すべきＭＩＳダイオー
ド２を配置し、その高周波容量Ｃ（ｔ）と標準容量３の
容量値ＣＯとの差Ｃ（ｔ）−ＣＯを高速応答の差動測定
型の容量計４で測定する。この高周波容量の測定周波数
は、例えば１ＭＩＩｚとすることができる。また標準容
量ＣＯはバイアス電圧を与えたときの静止状態の容量値
またはその近傍の値を選定することができる。この時、
ＭＩＳダイオード２には容量計４を介して方形波発生器
５と帰還型直流電源６により第２図ａに示す如き方形波
状の繰返し電圧を印加する。ただし、第２図ではｎ型半
導体基板を有するＭＩＳダイオード２の場合を例示して
いる。この方形波電圧のパルス幅、周期は任意に設定で
き、またピーク値電圧Ｖｂはフラツトバンド電圧より正
の電圧とし、半導体表面に電子の蓄積層を形成し、界面
準位に電子が捕獲されている状態とする。ここで、ＭＩ
Ｓダイオード２に印加するバイアス電圧を、半導体表面
に空乏層が形成される電圧Ｖａ、例えば−３に変化させ
た時、界面準位から伝導帯への電子が放出され、これに
伴なつてＭＩＳダイオード２の高周波容量Ｃ（ｔ）は第
２図ｂに例示する如く変化する。この過度応答を２つの
サンプリング時間Ｔ，，ｔ２、例えばｔ１＝５ｍｓ．．
ｔ２＝１０ｍｓにおける容量の差ΔＣ（＝−Ｃ（Ｔ２）
−Ｃ（Ｔ２））で評価する。この容量差を２入力型のボ
ツクスカ一・アベレジヤー７で測定する。さて、この容
量差ΔＣをＭＩＳダイオード２の温度に対して図示する
のが従来のＤＬＴＳであるが、本発明の方法では温度掃
引中、一方のサンプリング時間ｔ１における高周波容量
Ｃ（ｔ１）が標準容量ＣＯに等しくなる様にバイアス電
圧Ｖａに対して帰還路をもうける。すなわち第１図に示
すように容量計４で測定した高周波容量Ｃ（Ｔ，）と標
準容量Ｇとの差Ｃ（Ｔ，）−ＣＯをボツクスカ一・アベ
レジヤー７を介して帰還型直流電源６に供給する。この
場合ｂも同時に変化するが、半導体表面に電子の蓄積層
さえ出来ていれば何ら支障ないので、方形波電圧のピー
ク値を充分大きく取つておけばよい。さて、ＭＩＳダイ
オード２の温度を、例えば熱電対８により測定し、その
出力をさらにリニアライザー９により絶対温度Ｔ（ｋ）
に比例する出力に変換する。そして容量差ΔＣと絶対温
度Ｔとの比ΔＣ／Ｔを割算器１０により出力し、このΔ
Ｃ／Ｔを絶対温度Ｔに対してＸ−Ｙレコーダ１１上に記
録すると、ΔＣ／Ｔが界面準位密度に比例し、Ｔがほぼ
エネルギー準位に比例するため、直接Ｘ一Ｙレコーダ上
に界面準位密度のエネルギー分布が描かれる。又、捕獲
断面積はサンプリング時間Ｔｌ，ｔ２を変えて今一度測
定し、２つの曲線の変化より簡単に決定される。次に上
記の事項を理論式を用いて以下に説明する。
今、ｎ型半導体基板のＭＩＳダイオード２を例に取ると
、エネルギー準位Ｅにおける界面準位密度Ｎｓｓ（Ｅ）
は、で表わされる。
、エネルギー準位Ｅにおける界面準位密度Ｎｓｓ（Ｅ）
は、で表わされる。
ただしεｓは半導体の誘電率、ＮＤは浅いドナー密度、
ｋはボルツマン定数、ＣＯｘは酸化膜容量、Ａは金属電
極面積であり、その他の記号はすでに定義してある。又
、エネルギー準位Ｅはで表わされる。
ｋはボルツマン定数、ＣＯｘは酸化膜容量、Ａは金属電
極面積であり、その他の記号はすでに定義してある。又
、エネルギー準位Ｅはで表わされる。
ただしＥｃは半導体伝導帯下端のエネルギー、Ｎｃは伝
導帯の電子の実効準位密度、Ｖｎは電子の熱速度、σｎ
（Ｅ）はそのエネルギー準位での電子に対する捕獲断面
積である。第（１）式よりＣ（ｔ１）を一定にすること
によりΔＣ／ＴがＮｓｓに比例することが、第（２）式
より捕獲断面積がエネルギー準位に強く依存しない場合
は絶対温度ＴがＥｃから測つたエネルギー準位に比例す
ることが明らかで、界面準位密度のエネルギー分布が直
接Ｘ−Ｙレコーダ１１上に記録されることがわかる。さ
て、捕獲断面積、及び温度とエネルギー準位との関係は
第（２）式を利用して求めることができる。
導帯の電子の実効準位密度、Ｖｎは電子の熱速度、σｎ
（Ｅ）はそのエネルギー準位での電子に対する捕獲断面
積である。第（１）式よりＣ（ｔ１）を一定にすること
によりΔＣ／ＴがＮｓｓに比例することが、第（２）式
より捕獲断面積がエネルギー準位に強く依存しない場合
は絶対温度ＴがＥｃから測つたエネルギー準位に比例す
ることが明らかで、界面準位密度のエネルギー分布が直
接Ｘ−Ｙレコーダ１１上に記録されることがわかる。さ
て、捕獲断面積、及び温度とエネルギー準位との関係は
第（２）式を利用して求めることができる。
具体的手法を第３図に示す。すなわち、サンプリング時
間Ｔｌ，ｔ２の比Ｔ２／ｔ１を一定に保つて変化させ、
Ｔｌ，ｔ′２とする。この時ΔＣ／Ｔ対Ｔを表わす曲線
ＡおよびＢは第３図に示す如く相互にシフトする。とこ
ろで同じエネルギー準位に対応する界面準位密度は当然
等しいため第（１）式より同じΔＣ／Ｔ値を有する。逆
に言うと、任意の等しいΔＣ／Ｔに対応する温度を第３
図の如くＴ，Ｔ′とすると、これは同じエネルギー準位
に対応し、第（２）式を用いて捕獲断面積σｎは、で与
えられる。
間Ｔｌ，ｔ２の比Ｔ２／ｔ１を一定に保つて変化させ、
Ｔｌ，ｔ′２とする。この時ΔＣ／Ｔ対Ｔを表わす曲線
ＡおよびＢは第３図に示す如く相互にシフトする。とこ
ろで同じエネルギー準位に対応する界面準位密度は当然
等しいため第（１）式より同じΔＣ／Ｔ値を有する。逆
に言うと、任意の等しいΔＣ／Ｔに対応する温度を第３
図の如くＴ，Ｔ′とすると、これは同じエネルギー準位
に対応し、第（２）式を用いて捕獲断面積σｎは、で与
えられる。
ただしＶｎＮｃのＴ２の温度依存性を考慮しておりＶＺ
，Ｖ〃は３００Ｋにおける値をを意味する。で与えるれ
る。
，Ｖ〃は３００Ｋにおける値をを意味する。で与えるれ
る。
このように簡単な計算により捕獲断面積、エネルギー準
位を求めることができる。さて、具体的実施例として、
乾燥酸素中での高熱酸化によりシリコン表面上に形成し
たＳｉＯ２と基板シリコン界面の界面準位について測定
した結果を第４図に示す。第４図の曲線ａはｔ１＝５ｍ
ｓ，ｔ２−１０ｍｓのサンプリング時間で測定したΔＣ
／Ｔ対Ｔを界面準位密度Ｎｓｓ対エネルギー準位Ｅの目
盛りに変換したものである。ほぼＥｃ一０．４ｅＶから
Ｅｃ−０．５ｅＶの広範囲にわたる測定が可能であるこ
とがわかる。第４図ｂは捕獲断面積のエネルギー依存性
を示す。捕獲断面積の平均値は約１０−１６ｃＩＬで一
定であつた。なお、当絶のことではあるが、必ずしも温
度掃引を２回以上する必要はなく、Ｔｌ，ｔ２，ｔ３の
３つの時間でサンプリング可能な装置を用い、）の２出
力を取り出せば１回の温度掃引で充分であり、測定時間
が半分に短縮される。
位を求めることができる。さて、具体的実施例として、
乾燥酸素中での高熱酸化によりシリコン表面上に形成し
たＳｉＯ２と基板シリコン界面の界面準位について測定
した結果を第４図に示す。第４図の曲線ａはｔ１＝５ｍ
ｓ，ｔ２−１０ｍｓのサンプリング時間で測定したΔＣ
／Ｔ対Ｔを界面準位密度Ｎｓｓ対エネルギー準位Ｅの目
盛りに変換したものである。ほぼＥｃ一０．４ｅＶから
Ｅｃ−０．５ｅＶの広範囲にわたる測定が可能であるこ
とがわかる。第４図ｂは捕獲断面積のエネルギー依存性
を示す。捕獲断面積の平均値は約１０−１６ｃＩＬで一
定であつた。なお、当絶のことではあるが、必ずしも温
度掃引を２回以上する必要はなく、Ｔｌ，ｔ２，ｔ３の
３つの時間でサンプリング可能な装置を用い、）の２出
力を取り出せば１回の温度掃引で充分であり、測定時間
が半分に短縮される。
この場合にはいずれか１つのサンプリング時間における
容量値が標準容量ＣＯに等しくするようにすればよいが
、中間のＴ２における容量値Ｃ（Ｔ２）をＣＯに等しく
した方が、測定処理が容易となるため有利である。かく
の如く、本発明の測定法は、接合容量の過度応答の一種
であるＤＬＴＳをＭＩＳダイオードの絶縁膜一半導体界
面の界面準位測定用に改良したものであり、サンプリン
グ時間ｔ１の容量Ｃ（ｔ１）を温度掃引中変化しないよ
うに印加電圧に帰還をかけることにより界面準位密度の
エネルギー分布を直接Ｘ−Ｙレコーダ上に記録させ、か
つ、同時に捕獲断面積まで求めることを可能にする簡便
にして高感度な測定法である。
容量値が標準容量ＣＯに等しくするようにすればよいが
、中間のＴ２における容量値Ｃ（Ｔ２）をＣＯに等しく
した方が、測定処理が容易となるため有利である。かく
の如く、本発明の測定法は、接合容量の過度応答の一種
であるＤＬＴＳをＭＩＳダイオードの絶縁膜一半導体界
面の界面準位測定用に改良したものであり、サンプリン
グ時間ｔ１の容量Ｃ（ｔ１）を温度掃引中変化しないよ
うに印加電圧に帰還をかけることにより界面準位密度の
エネルギー分布を直接Ｘ−Ｙレコーダ上に記録させ、か
つ、同時に捕獲断面積まで求めることを可能にする簡便
にして高感度な測定法である。
その上、一般に面内分布を持つ半導体表面電位を介する
測定法でないこと、浅い不純物密度の深さ方向分布の特
別な仮定をする必要がないことから、精度の良い測定法
でもある。
測定法でないこと、浅い不純物密度の深さ方向分布の特
別な仮定をする必要がないことから、精度の良い測定法
でもある。
第１図は本発明の測定法を実施する装置の一例の構成の
概略図、第２図ａおよびｂは、それぞれ印加電圧及びＭ
ＩＳダイオードの高周波容量の時間変化の概念図、第３
図はエネルギー準位及び捕獲断面積を求める手順の説明
図であり、第４図は、ＳｉＯ２／Ｓｉ系のＭＩＳダイオ
ードについての測定例である。 １・・・・・・クライオスタツト、２・・・・・・ＭＩ
Ｓダイオード、３・・・・・・標準容量、４・・・・・
・差動測定型容量計、５・・・・・・方形波発生器、６
・・・・・・帰還型直流電源、７・・・・・・ボツクス
カーアベレジヤ一、８・・・・・・熱電対、９・・・・
・・リニアライザー １０・・・・・・割算器、１１・
・・・・・Ｘ−Ｙレコーダ。
概略図、第２図ａおよびｂは、それぞれ印加電圧及びＭ
ＩＳダイオードの高周波容量の時間変化の概念図、第３
図はエネルギー準位及び捕獲断面積を求める手順の説明
図であり、第４図は、ＳｉＯ２／Ｓｉ系のＭＩＳダイオ
ードについての測定例である。 １・・・・・・クライオスタツト、２・・・・・・ＭＩ
Ｓダイオード、３・・・・・・標準容量、４・・・・・
・差動測定型容量計、５・・・・・・方形波発生器、６
・・・・・・帰還型直流電源、７・・・・・・ボツクス
カーアベレジヤ一、８・・・・・・熱電対、９・・・・
・・リニアライザー １０・・・・・・割算器、１１・
・・・・・Ｘ−Ｙレコーダ。
Claims (1)
- １ 金属−絶縁膜−半導体（ＭＩＳ）ダイオードの高周
波容量の方形波過度応答を少なくとも２つのサンプリン
グ時間ｔ＿１、ｔ＿２における容量の差で評価し、この
容量差の温度掃引より絶縁膜−半導体界面の界面準位を
測定するにあたり、サンプリング時間ｔ＿１もしくはｔ
＿２ににおける高周波容量を温度掃引中一定にするよう
に容量測定中に金属電極に印加しているバイアス電圧に
帰還をかけることを特徴とする界面準位測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14000978A JPS59130B2 (ja) | 1978-11-14 | 1978-11-14 | 絶縁膜・半導体界面の欠陥の電気的特性測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14000978A JPS59130B2 (ja) | 1978-11-14 | 1978-11-14 | 絶縁膜・半導体界面の欠陥の電気的特性測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5567147A JPS5567147A (en) | 1980-05-21 |
| JPS59130B2 true JPS59130B2 (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=15258803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14000978A Expired JPS59130B2 (ja) | 1978-11-14 | 1978-11-14 | 絶縁膜・半導体界面の欠陥の電気的特性測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622259B2 (ja) * | 1982-07-28 | 1994-03-23 | 富士通株式会社 | 界面電気伝導評価方法 |
-
1978
- 1978-11-14 JP JP14000978A patent/JPS59130B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5567147A (en) | 1980-05-21 |
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