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JPS5917364B2 - 光学式あらさ測定方法 - Google Patents
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JPS5917364B2 - 光学式あらさ測定方法 - Google Patents

光学式あらさ測定方法

Info

Publication number
JPS5917364B2
JPS5917364B2 JP50022645A JP2264575A JPS5917364B2 JP S5917364 B2 JPS5917364 B2 JP S5917364B2 JP 50022645 A JP50022645 A JP 50022645A JP 2264575 A JP2264575 A JP 2264575A JP S5917364 B2 JPS5917364 B2 JP S5917364B2
Authority
JP
Japan
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measured
roughness
group
light
optical
Prior art date
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Expired
Application number
JP50022645A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5197459A (ja
Inventor
秀彦 竹山
博 関口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP50022645A priority Critical patent/JPS5917364B2/ja
Publication of JPS5197459A publication Critical patent/JPS5197459A/ja
Publication of JPS5917364B2 publication Critical patent/JPS5917364B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、オプチカル・ファイバを用いた面のあらさの
光学式測定方法に関するものであり、さらに詳しくは面
の反射率による影響を除去したあらさの光学式測定方法
に関するものである。
オプチカル・ファイバを通して被測定面に光をあてると
、被測定面のあらさに応じて反射光の光量が変化するた
め、その光量の測定により面のあらさを求めることがで
きるが、被測定面を形成する材料によつて反射率が相違
するため、この反射率の影響を除去しなければならない
。本発明は、簡単な手段によりその反射率の影響を補正
して面のあらさを測定できるようにした方法を提供しよ
うとするものであつて、入射用ファイバ群と受光用ファ
イバ群とからなるオプチカル・ファイバの端面を被測定
面に対向させ、このオプチカル・ファイバを被測定面に
垂直に配置した場合と傾斜させて配置した場合について
、入射用ファイバ群を通して被測定面に投射した光の反
射光を受光用ファイバ群を通して光電素子より受光し、
それぞれの場合の光電出力の特性の差異に基づいて被測
定面を形成する材料の反射率の影響を除去してあらさを
求めることを特徴とするものである。
図面を参照して本発明の方法について詳述すると、第1
図に示すように、まず、被測定面1に対して、入射用フ
ァイバ群2aと受光用ファイバ群2bとを結束してなる
オプチカル・ファイバ2を垂直(θ=0)に配置してそ
の端面を対向させ、入射用ファイバ群2aの他端に対向
させた光源3からの光をその入射用ファイバ群2aを通
して被測定面1に投射し、被測定面における反射光を受
光用ファイバ群2bを通して光電素子4で受光すると、
第2図aの実験例に示すように、被測定面のあらさに応
じて変化する光電出力を得ることができる。さらに、第
1図に鎖線で示すように、被測定面1に対してオプチカ
ル・ファイバ2を適当な角度θだけ傾斜させて、同様に
被測定面からの反射光を光電素子4において受光すると
、第2図をに示すように被測定面のあらさに応じて変化
する光電出力を得ることができる。
なお、第2図a、bにおける横軸はオプチカル・ファイ
バの端面と被測定面との間のクリアランスを示している
。このような測定結果かられかるように、オプチカル・
フアイバ2を被測定面1に垂直に配置した場合の光電出
力は、被測定面のあらさがすぐれている程大きい出力を
示し、またオプチカル・フアイバ2を被測定面1に傾斜
させて配置した場合には、逆に被測定面のあらさがすぐ
れている程小さい出力を示しており、両光電出力は被測
定面のあらさをあられすものとすることができるが、被
測定面を形成する材料特有の反射率の影響を含み、その
出力特性を異にしているため、両光電出力の比をとるこ
とにより材料の反射率による影響を消去した被測定面の
あらさを求めることができる。
すなわち、第3図はあらさを横軸にして上記両光電出力
の比をとつたものであるが、その比(Vθ=07Vθ=
15つ)の値は反射率が相違する材料(SUS、および
S55C)についても、反射率の影響が消去されて同一
直線上に位置している。従つて、測定系の特性を予め調
べておくことにより、被測定面だけから直接的に反射率
補正したあらさを測定することができる。このように、
本発明の方法によれば、被測定面に非接触の光学式あら
さ測定法において、オプチカル・フアイバを被測定面に
対して垂直に配置した場合と傾斜させて配置した場合の
反射光入光量を測定するという極めて簡単な手段により
材料の反射率の影響を補正した被測定面のあらさを求め
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施の態様についての説明図、第2図
A,bおよび第3図は実験結果を示す線図である。 1・・・・・・被測定面、2・・・・・・オプチカル・
フアイバ、2a・・・・・・入射用フアイバ群、2b・
・・・・・受光用フアイバ群、3・・・・・・光源、4
・・・・・・光電素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入射用ファイバ群と受光用ファイバ群とを結束して
    なるオプチカル・ファイバの端面を被測定面に対向させ
    、このオプチカル・ファイバを被測定面に垂直に配置し
    た場合と傾斜させて配置した場合について、入射用ファ
    イバ群を通して被測定面に投射した光の投射側への反射
    光を受光用ファイバ群を通して光電素子により受光し、
    それぞれの場合の光電出力の比をとることにより被測定
    面を形成する材料の反射率の影響を除去したあらさを求
    めることを特徴とする光学式あらさ測定方法。
JP50022645A 1975-02-24 1975-02-24 光学式あらさ測定方法 Expired JPS5917364B2 (ja)

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JPS5197459A JPS5197459A (ja) 1976-08-27
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JPS4926671U (ja) * 1972-06-09 1974-03-07

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