JPS5921173B2 - 半導体装置の接続端子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特に細長く形成され、その長辺に沿つて多数の
端子群が２列に形成されてなる半導体装置の各端子と、
別途に設けられた回路の各導体部とを一対一の対応をも
つて接続するための半導体装置の接続端子に関するもの
である。

近年半導体素子は集積化して製造される場合が非常に多
く、そのため半導体チップ上における接続点の数、即ち
外部導出用の端子導体数が増す傾向にある。

このような半導体チップ上の多数個の外部導出端子を確
実に別の回路と接続するには従来から知られているよう
に製造時間や作業者の技術やコスト面で非常に大きな問
題がある。本発明は、特に長方形の集積化された半導体
装置であつてその長辺の両縁に略等間隔で形成された２
列の外部導出用の端子部を有する半導体装置、例えばサ
ーマルヘッドのダイオードアレイのような装置を対象と
し、このような半導体装置の外部端子部の各々に対応し
て外部回路、例えば直線状に並べられた抵抗列回路への
接続端子を接続するのに、長い時間や作業者の技側を必
要とせず、コストを大きく低減できる半導体装置の接続
端子を提供することを目的とする。

以下図面とともに本発明を説明する。

本発明は既述したように多数個のダイオードやトランジ
スタの如き半導体素子を共通基板上に直線状に集積化し
て配置形成した半導体装置に特に有効に効果を発揮する
ものであつて、第１図にその一例として８個のダイオー
ドを直線状に配置した回路を示す。

同図において点線で囲んだ領域１が集積化される部分で
あり、その内部にはダイオード２が形成され、外部端子
部３、３’がそれぞれ露出して形成される。なお、４、
４’は本発明の接続端子となるべき部分である。第２図
は第１図に示す回路を集積化した半導体装置を示す斜視
図であり、シリコン基板５上に適当なパターンをもつて
ホトダイオードが形成され、外部端子部３，３′は基板
５上に２列に配置形成されている。第３図は第２図に示
す半導体装置に本発明の半導体装置の接続端子を取り付
けた状態を示す図であり、本発明の半導体装置の接続端
子は、有機樹脂フイルムからなる帯状絶縁フイルム６の
上に、これと直角になるように複数の接続用の導体箔７
の群がそれぞれ平行に、絶縁フイルム６の両縁から突出
させて形成されてなつており、導体箔７の突出した端部
の一方は半導体装置の外部端子部３，３′に同時に熱圧
着、ハンダ付け等の方法で強固に接続されている。従つ
て、導体箔７の他方の端部は更に別の回路網に接続する
ことが可能となる。ところで、第３図に示したような半
導体装置の接続端子は個々に取り扱うこと及び個々に製
作することは困難である。即ち、このような接続端子の
導体箔７の間隔は百ミクロンのオーダであり、導体箔７
の幅は数十ミクロン程度になり、この様な導体箔７の列
は当然フオトエツチ工程及び機械化された取扱方式を必
要とするため、高度の取扱精度が要求される。第４図は
本発明の半導体装置の接続端子が連続して得られる場合
の構造を示すもので、細幅の導体箔７の列が表面に形成
された帯状絶縁フイルム６の個々が短冊状をなし、また
絶縁フイルム６の両端は一定幅の導体の帯からなる支持
体８で連続的に連結されている。

２つの絶縁フイルム６に形成された導体箔７の列の間隔
は半導体装置の外部端子部の列の間隔に等しくつくられ
ており、導体箔７の列の間のスペースの１つおきに半導
体装置が挿入され、その半導体装置の両側の外部端子部
の接続がなされることになる。

この接続がなされた後の工程では、帯状絶縁フイルム６
がその両端部（図中の一点鎖線で示す）で切断され、第
３図に示す形状となる。第５図は第４図に示すような連
続した接続端子の支持体８を移送用支持体８′に固着し
、この移送用支持体８′に移送用のスプロケツト穴９を
形成した場合を示しており、これによつて接続端子の間
欠的な駆動や巻き取りが非常に容易となる。第６図は連
続した半導体装置の接続端子の他の実施例を示すもので
、本実施例ではポリイミツド、ポリエステルの如き機械
的強度と耐熱性とを有する帯状の有機絶縁フイルム６′
上に、細幅の接続用の導体箔７の複数個がそれぞれ平行
にかつ帯状絶縁フイルム６′に直角に、また導体箔７の
両端が帯状絶縁フイルム６′の両辺から突出させて形成
されており、さらに帯状絶縁フイルム６′の所定位置に
は導体箔７の突出部分を保護する目的で、この導体箔７
より大きな突出量を有する導体保護部１０が形成されて
いる。

従つて、このような連続した接続端子を半導体装置の外
部端子部の接続のために取り扱う場合、その機械的な取
り扱い時に微妙な導体箔７の尖端部を損傷することはな
い。第６図に示すような連続した半導体装置の接続端子
の製造方法として、所定の幅を有する帯状の有機絶縁フ
イルム６′に銅箔を接着し、この銅箔部をフオトエツチ
ング加工することにより前記した形状の連続した接続端
子で得られる。そして、この連続端子と半導体装置の外
部端子部とが接続用機械で接続された後は、同図の一点
鎖線で示す位置で帯状絶縁フイルム６′を切断すること
により第３図に示す半導体装置が完了する。この接続の
操作をより簡単に行なうには、第７図に示すような形状
とするのが好都合である。

同図においては、２条の帯状絶縁フイルム６′が等しい
間隔で配置され、その間隔は各条の導体箔７間が半導体
装置の外部端子間隔と等しくなるように設定されている
。また、２条の帯状絶縁フイルム６′にわたつて幅の広
い導体保護部１０が形成されており、この導体保護部１
０は２条の帯状絶縁フイルム６′の間隔を保持する効果
もある。各導体保護部１０は支持体８と一体形成されて
おり、支持体８には移送用のスプロケツト穴９が設けら
れてた形状となつている。なお、帯状絶縁フイルム６２
は導体保護部１０や支持体８と一体化してつくることも
可能である。以上説明したように本発明の半導体装置の
接続端子は、列をなして外部端子部が形成された半導体
装置には特に有効に作用するものであり、簡単な形状で
あるための接続端子の取り付の手間がなく、その製造の
時間が短縮され、作業者の特別な技仙を必要としない。

さらに、各絶縁フイルムはその端部のみを接続して支持
されているために、分離するための切断がきわめて容易
かつ迅速に行なえる効果が奏される。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は両辺に端子部を有する半導体装置
の回路図および同半導体装置の斜視図、第３図は本発明
の半導体装置の接続端子を取り付けた半導体装置を示す
斜視図、第４図〜第７図は本発明の半導体装置の他の実
施例を示す図である。 ３・・・・・・外部端子部、５・・・・・・半導体基板
、６，６′・・・・・・帯状絶縁フイルム、７・・・・
・・導体箔、８・・・・・・支持体、９・・・・・・ス
プロケツト穴、１０・・・・・・導体保護部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数個の帯状絶縁フィルム上のそれぞれに直角に、
   複数の接続用の導体箔が平行にかつその両端部を突出し
   て形成され、前記導体箔の端部に半導体装置の外部端子
   部が接続され、前記複数個の帯状絶縁フィルムが所定長
   さで平行にその各端部のみが支持体で支持されて連結さ
   れたことを特徴とする半導体装置の接続端子。 ２ 帯状絶縁フィルムが有機樹脂フィルムよりなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
   の接続端子。 ３ 帯状絶縁フィルム上に導体箔と平行でかつ前記導体
   箔よりも長い導体保護部が形成されてなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項または第２項に記載の半導体
   装置の接続端子。 ４ 所定長さの複数の導体保護部がその各端部で支持体
   に支持されて連結されたことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項または第２項または第３項に記載の半導体装置
   の接続端子。 ５ 支持体に移送用のスプロケット穴を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第４項または第５項に記載の半
   導体装置の接続端子。