JPS5923404B2 - 耐蝕性透明導電膜形成方法 - Google Patents
耐蝕性透明導電膜形成方法Info
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- JPS5923404B2 JPS5923404B2 JP12431678A JP12431678A JPS5923404B2 JP S5923404 B2 JPS5923404 B2 JP S5923404B2 JP 12431678 A JP12431678 A JP 12431678A JP 12431678 A JP12431678 A JP 12431678A JP S5923404 B2 JPS5923404 B2 JP S5923404B2
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐蝕性の透明導電膜を形成する方法に関する
。
。
例えば液晶表示装置に用いる透明なガラスまたはプラス
チックプレートの表面に透明で耐蝕性のある導電膜を形
成する必要がある場合、従来は、酸化インジウム、酸化
錫等の金属をスパッタリングにより透明なプレート上に
付着させていた。
チックプレートの表面に透明で耐蝕性のある導電膜を形
成する必要がある場合、従来は、酸化インジウム、酸化
錫等の金属をスパッタリングにより透明なプレート上に
付着させていた。
ところで、上記酸化インジウムや酸化錫よりも二酸化チ
タンTi02を使用する方が、耐蝕性も高く望ましいと
考えられてきたが、二酸化チタンは1000λの膜で約
50〜100にΩ/d以上の高い抵抗値をもつことと、
再元性が悪く、さらに抵抗値のばらつきも大きいなどの
点から、実用化は困難とされてきた。本発明は、この問
題を解決し、二酸化チタンを使用しながら抵抗値が低く
、かつそのばらつきも少い耐蝕性透明導電膜を得る方法
を提供することを目的とする。
タンTi02を使用する方が、耐蝕性も高く望ましいと
考えられてきたが、二酸化チタンは1000λの膜で約
50〜100にΩ/d以上の高い抵抗値をもつことと、
再元性が悪く、さらに抵抗値のばらつきも大きいなどの
点から、実用化は困難とされてきた。本発明は、この問
題を解決し、二酸化チタンを使用しながら抵抗値が低く
、かつそのばらつきも少い耐蝕性透明導電膜を得る方法
を提供することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、二酸化チタンTiO2、
に、1〜10重量パーセントの五酸化タンタルTa05
を加えた材料をターゲットとしてスパッタリングするこ
とにより達成される。
に、1〜10重量パーセントの五酸化タンタルTa05
を加えた材料をターゲットとしてスパッタリングするこ
とにより達成される。
二酸化チタンTiO2に種々の重量パーセントの五酸化
タンタルTaO5を加えた材料をターゲットとして厚さ
1000λの導電膜を形成した場合における導電膜の電
気抵抗値を測定し、これをプロットして曲線で結んだグ
ラフを第1図に示す。
タンタルTaO5を加えた材料をターゲットとして厚さ
1000λの導電膜を形成した場合における導電膜の電
気抵抗値を測定し、これをプロットして曲線で結んだグ
ラフを第1図に示す。
このグラフにおいて、五酸化タンタルの重量パーセント
が1%未満では実測抵抗値はグラフに示した曲線に対し
てかなりのばらつきを示した。一方、五酸化タンタルの
重量パーセントが10%を超えると、抵抗値は同様に曲
線に対してかなりのばらつきを示した。しかしながら、
同重量パーセントが1ないし10%の範囲Sでは、プロ
ット値はほとんど同曲線上に位置しており、ばらつきは
見られなかつた。この事実は、与えられた電気抵抗値を
もつ薄膜を、五酸化タンタルの重量パーセントを予め選
択することによつて得ることができることを意味する。
そして、範囲s内では、他の数値範囲におけるよりも薄
膜の抵抗値はかなり低く、ほぼ6重量パーセント付近で
最低値をとる。周知のように、スパッタリングはアルゴ
ンガス等の不活性ガスの低圧雰囲気中に試料および陰極
としてのターゲットを位置させて行なう。実験によれば
、雰囲気ガスとしてアルゴンArを用い、これに対し酸
素ガス02を適当量加えた場合に好ましい結果が得られ
ることが判明した。その結果を、横軸に酸素分圧のパー
セントを縦軸に薄膜の電気抵抗をとつた第2図のグラフ
に示す。
が1%未満では実測抵抗値はグラフに示した曲線に対し
てかなりのばらつきを示した。一方、五酸化タンタルの
重量パーセントが10%を超えると、抵抗値は同様に曲
線に対してかなりのばらつきを示した。しかしながら、
同重量パーセントが1ないし10%の範囲Sでは、プロ
ット値はほとんど同曲線上に位置しており、ばらつきは
見られなかつた。この事実は、与えられた電気抵抗値を
もつ薄膜を、五酸化タンタルの重量パーセントを予め選
択することによつて得ることができることを意味する。
そして、範囲s内では、他の数値範囲におけるよりも薄
膜の抵抗値はかなり低く、ほぼ6重量パーセント付近で
最低値をとる。周知のように、スパッタリングはアルゴ
ンガス等の不活性ガスの低圧雰囲気中に試料および陰極
としてのターゲットを位置させて行なう。実験によれば
、雰囲気ガスとしてアルゴンArを用い、これに対し酸
素ガス02を適当量加えた場合に好ましい結果が得られ
ることが判明した。その結果を、横軸に酸素分圧のパー
セントを縦軸に薄膜の電気抵抗をとつた第2図のグラフ
に示す。
このグラフから明らかなように、アルゴンと酸素の混合
気の全圧に対して酸素の分圧が0.1ないし10%であ
る範囲T内では低い抵抗値が得られ、特に4(fl)の
近傍では最も低い値が得られる。よつて、第1図および
第2図における最低抵抗値附近の重量パーセントおよび
分圧パーセントを採用することによつて最も低い抵抗値
の導電膜が得られることになる。なお、酸素分圧につい
ては、スパツタリングに際しての成膜速度によつて多少
変化が生じ、特に成膜速度が小さい場合には酸素の添加
に代えて装置内に存在するH2Oが酸素を添加したと同
じ結果をまねいて同様な効果をもたらす。
気の全圧に対して酸素の分圧が0.1ないし10%であ
る範囲T内では低い抵抗値が得られ、特に4(fl)の
近傍では最も低い値が得られる。よつて、第1図および
第2図における最低抵抗値附近の重量パーセントおよび
分圧パーセントを採用することによつて最も低い抵抗値
の導電膜が得られることになる。なお、酸素分圧につい
ては、スパツタリングに際しての成膜速度によつて多少
変化が生じ、特に成膜速度が小さい場合には酸素の添加
に代えて装置内に存在するH2Oが酸素を添加したと同
じ結果をまねいて同様な効果をもたらす。
したがつて、本発明の方法によれば、従来、実用化が困
難と考えられていた二酸化チタンによる耐蝕性透明導電
膜を希望の抵抗値をもつように形成でき、製品は抵抗値
が低く、良好な耐蝕性透明導電膜を具えるなどの優れた
効果が得られる。
難と考えられていた二酸化チタンによる耐蝕性透明導電
膜を希望の抵抗値をもつように形成でき、製品は抵抗値
が低く、良好な耐蝕性透明導電膜を具えるなどの優れた
効果が得られる。
第1図は、ターゲツト材料への五酸化タンタルの添加量
と導電膜の抵抗値との関係を示す特性線図、第2図は、
雰囲気ガスへの酸素の添加量と導電膜抵抗値の関係を示
す特性線図であり、いずれも膜厚1000λにおける実
測値のプロツトによつて得られた曲線を示す。
と導電膜の抵抗値との関係を示す特性線図、第2図は、
雰囲気ガスへの酸素の添加量と導電膜抵抗値の関係を示
す特性線図であり、いずれも膜厚1000λにおける実
測値のプロツトによつて得られた曲線を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 二酸化チタン(TiO_2)に1ないし10重量パ
ーセントの五酸化タンタル(Ta_2O_5)を添加し
た材料をターゲットとしてスパツタリングにより成膜す
ることよりなる耐蝕性透明導電膜形成方法。 2 アルゴンガス中に0.1ないし10%の分圧をもつ
ように酸素ガスを添加した雰囲気中でスパツタリングを
行なうことよりなる特許請求の範囲第1項記載の耐蝕性
透明導電膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12431678A JPS5923404B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 耐蝕性透明導電膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12431678A JPS5923404B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 耐蝕性透明導電膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5550221A JPS5550221A (en) | 1980-04-11 |
| JPS5923404B2 true JPS5923404B2 (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=14882304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12431678A Expired JPS5923404B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 耐蝕性透明導電膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923404B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6145645U (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | 臼井国際産業株式会社 | ト−シヨナル・バイブレ−シヨンダンパ− |
| JPH0160054U (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | ||
| JPH0519700U (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-12 | 株式会社フコク | ダンパ |
| US7214295B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-05-08 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Method for tantalum pentoxide moisture barrier in film resistors |
| JP5173512B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-04-03 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 導電体およびその製造方法 |
-
1978
- 1978-10-09 JP JP12431678A patent/JPS5923404B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5550221A (en) | 1980-04-11 |
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