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JPS5923404B2 - 耐蝕性透明導電膜形成方法 - Google Patents
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JPS5923404B2 - 耐蝕性透明導電膜形成方法 - Google Patents

耐蝕性透明導電膜形成方法

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Publication number
JPS5923404B2
JPS5923404B2 JP12431678A JP12431678A JPS5923404B2 JP S5923404 B2 JPS5923404 B2 JP S5923404B2 JP 12431678 A JP12431678 A JP 12431678A JP 12431678 A JP12431678 A JP 12431678A JP S5923404 B2 JPS5923404 B2 JP S5923404B2
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JP
Japan
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conductive film
corrosion
transparent conductive
resistant transparent
film formation
Prior art date
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Expired
Application number
JP12431678A
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JPS5550221A (en
Inventor
昇 栗山
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Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、耐蝕性の透明導電膜を形成する方法に関する
例えば液晶表示装置に用いる透明なガラスまたはプラス
チックプレートの表面に透明で耐蝕性のある導電膜を形
成する必要がある場合、従来は、酸化インジウム、酸化
錫等の金属をスパッタリングにより透明なプレート上に
付着させていた。
ところで、上記酸化インジウムや酸化錫よりも二酸化チ
タンTi02を使用する方が、耐蝕性も高く望ましいと
考えられてきたが、二酸化チタンは1000λの膜で約
50〜100にΩ/d以上の高い抵抗値をもつことと、
再元性が悪く、さらに抵抗値のばらつきも大きいなどの
点から、実用化は困難とされてきた。本発明は、この問
題を解決し、二酸化チタンを使用しながら抵抗値が低く
、かつそのばらつきも少い耐蝕性透明導電膜を得る方法
を提供することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、二酸化チタンTiO2、
に、1〜10重量パーセントの五酸化タンタルTa05
を加えた材料をターゲットとしてスパッタリングするこ
とにより達成される。
二酸化チタンTiO2に種々の重量パーセントの五酸化
タンタルTaO5を加えた材料をターゲットとして厚さ
1000λの導電膜を形成した場合における導電膜の電
気抵抗値を測定し、これをプロットして曲線で結んだグ
ラフを第1図に示す。
このグラフにおいて、五酸化タンタルの重量パーセント
が1%未満では実測抵抗値はグラフに示した曲線に対し
てかなりのばらつきを示した。一方、五酸化タンタルの
重量パーセントが10%を超えると、抵抗値は同様に曲
線に対してかなりのばらつきを示した。しかしながら、
同重量パーセントが1ないし10%の範囲Sでは、プロ
ット値はほとんど同曲線上に位置しており、ばらつきは
見られなかつた。この事実は、与えられた電気抵抗値を
もつ薄膜を、五酸化タンタルの重量パーセントを予め選
択することによつて得ることができることを意味する。
そして、範囲s内では、他の数値範囲におけるよりも薄
膜の抵抗値はかなり低く、ほぼ6重量パーセント付近で
最低値をとる。周知のように、スパッタリングはアルゴ
ンガス等の不活性ガスの低圧雰囲気中に試料および陰極
としてのターゲットを位置させて行なう。実験によれば
、雰囲気ガスとしてアルゴンArを用い、これに対し酸
素ガス02を適当量加えた場合に好ましい結果が得られ
ることが判明した。その結果を、横軸に酸素分圧のパー
セントを縦軸に薄膜の電気抵抗をとつた第2図のグラフ
に示す。
このグラフから明らかなように、アルゴンと酸素の混合
気の全圧に対して酸素の分圧が0.1ないし10%であ
る範囲T内では低い抵抗値が得られ、特に4(fl)の
近傍では最も低い値が得られる。よつて、第1図および
第2図における最低抵抗値附近の重量パーセントおよび
分圧パーセントを採用することによつて最も低い抵抗値
の導電膜が得られることになる。なお、酸素分圧につい
ては、スパツタリングに際しての成膜速度によつて多少
変化が生じ、特に成膜速度が小さい場合には酸素の添加
に代えて装置内に存在するH2Oが酸素を添加したと同
じ結果をまねいて同様な効果をもたらす。
したがつて、本発明の方法によれば、従来、実用化が困
難と考えられていた二酸化チタンによる耐蝕性透明導電
膜を希望の抵抗値をもつように形成でき、製品は抵抗値
が低く、良好な耐蝕性透明導電膜を具えるなどの優れた
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ターゲツト材料への五酸化タンタルの添加量
と導電膜の抵抗値との関係を示す特性線図、第2図は、
雰囲気ガスへの酸素の添加量と導電膜抵抗値の関係を示
す特性線図であり、いずれも膜厚1000λにおける実
測値のプロツトによつて得られた曲線を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 二酸化チタン(TiO_2)に1ないし10重量パ
    ーセントの五酸化タンタル(Ta_2O_5)を添加し
    た材料をターゲットとしてスパツタリングにより成膜す
    ることよりなる耐蝕性透明導電膜形成方法。 2 アルゴンガス中に0.1ないし10%の分圧をもつ
    ように酸素ガスを添加した雰囲気中でスパツタリングを
    行なうことよりなる特許請求の範囲第1項記載の耐蝕性
    透明導電膜形成方法。
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JPS6145645U (ja) * 1984-08-30 1986-03-26 臼井国際産業株式会社 ト−シヨナル・バイブレ−シヨンダンパ−
JPH0160054U (ja) * 1987-10-12 1989-04-17
JPH0519700U (ja) * 1991-08-28 1993-03-12 株式会社フコク ダンパ
US7214295B2 (en) * 2001-04-09 2007-05-08 Vishay Dale Electronics, Inc. Method for tantalum pentoxide moisture barrier in film resistors
JP5173512B2 (ja) * 2008-03-25 2013-04-03 財団法人神奈川科学技術アカデミー 導電体およびその製造方法

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