JPS5924426B2 - Kanji pattern storage device - Google Patents
Kanji pattern storage deviceInfo
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- JPS5924426B2 JPS5924426B2 JP55014212A JP1421280A JPS5924426B2 JP S5924426 B2 JPS5924426 B2 JP S5924426B2 JP 55014212 A JP55014212 A JP 55014212A JP 1421280 A JP1421280 A JP 1421280A JP S5924426 B2 JPS5924426 B2 JP S5924426B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は漢字パターン記憶装置に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a kanji pattern storage device.
近年、電子計算機システムを使つた日本語処理が盛んに
なつた。In recent years, Japanese language processing using electronic computer systems has become popular.
日本語処理を行うためには漢字を含む日本文を出力する
ために、漢字パターン記憶装置を使用する。漢字のl字
は16×18、24×24または32×32ドット等の
ドットマトリクスで表現される。一例としてl文字当り
16×18のドットマトリクスを用いて3千字分の漢字
・図形記号等を表わすためには、86万4千ビットもの
記憶容量を必要とする。より大きいドットマトリクスを
用いると字形は美しくかつ見易くなるが、そのためには
より大きな記憶容量が当然必要となる。電話回線を介し
てプリンタ等の端末装置と遠方の電子計算機とを接続し
て日本文を印字させる場合には、電話回線上での伝送情
報量を少なくするため、漢字パターンを記憶を端末装置
に内蔵させることが望ましい。In order to perform Japanese processing, a kanji pattern storage device is used to output Japanese sentences including kanji. The Kanji character l is expressed by a dot matrix of 16×18, 24×24, or 32×32 dots. For example, to represent 3,000 characters of Kanji, graphic symbols, etc. using a 16×18 dot matrix per character, a storage capacity of 864,000 bits is required. Using a larger dot matrix makes the glyphs more beautiful and easier to read, but this naturally requires a larger storage capacity. When printing Japanese text by connecting a terminal device such as a printer to a remote computer via a telephone line, it is necessary to memorize the kanji patterns in the terminal device in order to reduce the amount of information transmitted over the telephone line. It is desirable to have it built-in.
現在、端末装置の価格を安くするため漢字パターン記憶
の集積回路化が進められている。集積回路技術の急速な
進歩から、近い将来、l素子内に3千字程度(100万
ビット前後)の記憶容量をもつ記憶素子が実現しよう。
このような場合に、100万ビットもの記憶容量をもつ
記憶素子の内部にきわめて少数の不良ビットの存在が許
容されると、記憶素子の歩留りは大きく向上しよう。本
発明の一つの目的は数十字程度の不良文字、すなわち数
千字程度の全記憶文字数の数%程度にあたる不良文字の
データを内蔵する大容量記憶素子の使用を許容すること
によつて大容量記憶素子の歩留りを向上し、その結果、
安価な漢字パターン記憶装置を提供することにある。Currently, integrated circuits for storing kanji patterns are being developed in order to reduce the cost of terminal devices. Due to the rapid progress of integrated circuit technology, in the near future, a memory element with a storage capacity of about 3,000 characters (approximately 1 million bits) will be realized within an l element.
In such a case, if a very small number of defective bits were allowed to exist inside a storage element with a storage capacity of one million bits, the yield of the storage element would be greatly improved. One object of the present invention is to increase the capacity by allowing the use of a large-capacity storage element that stores data of defective characters of several crosses, that is, several percent of the total number of stored characters of several thousand characters. Improving the yield of memory elements, resulting in
The object of the present invention is to provide an inexpensive kanji pattern storage device.
本発明の他の目的は、上記不良文字のデータに対応する
正しい文字データを蓄える予備の記憶素子の記憶容量を
節減して、漢字パターン記憶装置の低価格化を図ること
にある。Another object of the present invention is to reduce the cost of a kanji pattern storage device by reducing the storage capacity of a spare storage element that stores correct character data corresponding to the defective character data.
本発明の更に他の目的は、上記大容量記憶素子から続み
出した不良文字データを予備の文字データと書き換える
ための所要時間を短縮することにある。Still another object of the present invention is to shorten the time required to rewrite defective character data continued from the large-capacity storage element with spare character data.
上記の目的を達成哀る本発明によれば、漢字パターン記
憶素子、該素子内に記憶した漢字パターンの不良部分に
ついてのみ正しい部分パターンを記憶する予備の漢字パ
ターン記憶素子、不良部分を含む漢字パターンを出力す
るに際し該不良部分を前記予備の漢字パターン記憶素子
内に記憶した正しい部分パターンで置換えて出力する出
力手段を具備した漢字パターン記憶装置が提供される。According to the present invention, which achieves the above objects, there is provided a kanji pattern storage element, a spare kanji pattern storage element that stores correct partial patterns only for defective portions of kanji patterns stored in the element, and kanji patterns including the defective portions. There is provided a kanji pattern storage device comprising output means for replacing the defective part with a correct partial pattern stored in the spare kanji pattern storage element when outputting the kanji pattern.
以下本発明の更に詳細を実施例によつて説明する。第1
図は本発明の一実施例のブロック図である。1は所要量
、例えば約3千字分の記憶容量をもつ漢字パターン記憶
素子(以下、「KPM」と略称する)である。Further details of the present invention will be explained below using Examples. 1st
The figure is a block diagram of one embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a Kanji pattern memory element (hereinafter abbreviated as "KPM") having a storage capacity for the required amount, for example, about 3,000 characters.
ここで1文字は16×18ビツトのドツトマトリクスで
表わされる。KPMlとしては集線回路製造途中に使用
するホトマスクにより文字データを書込む読取り専用記
憶素子、または電気書込み形の読取り専用記憶素子など
を用いることができる。ここでKPMlは数十字分の不
良文字データを含むことが許容される。2は読み書き可
能なバツフア記憶である。Here, one character is represented by a 16 x 18 bit dot matrix. As KPM1, a read-only memory element in which character data is written using a photomask used during the manufacturing of the concentrator circuit, or an electrically written read-only memory element, etc. can be used. Here, KPM1 is allowed to include defective character data equivalent to several crosses. 2 is a buffer memory that can be read and written.
バツフア記憶2は典型的には一字ないし数百字分の記憶
容量をもつが、一般にその記憶容量はプリンタ、ブラウ
ン管デイスプレイその他の端末装置の種類によつて異な
る。3は電気書込み可能なフイールドプログラマブルロ
ジツクアレイ(以下、「FPLA」と略称する)であり
、このEPLAは内部に論理積発生部と論理和発生部と
を有している。The buffer memory 2 typically has a storage capacity for one character to several hundred characters, but the storage capacity generally varies depending on the type of printer, cathode ray tube display, or other terminal device. Reference numeral 3 denotes an electrically writable field programmable logic array (hereinafter abbreviated as "FPLA"), and this EPLA has an AND generator and an OR generator inside.
PLAについては、DR.WiIIiamN.Carr
他著゜“MOS/LSIDesignandAppIi
catiOn゛の8章その他で公知である。FPLA3
はKPMlの中に含まれる不良文字アドレスと、各不良
文字に対応して予備の漢字パターン記憶素子に蓄える正
しい文字データのアドレスを内蔵する。4は予備の漢字
パターン記憶素子(以下、「SPM]と略称する。Regarding PLA, see DR. WiIIIamN. Carr
Others ゜“MOS/LSIDesignandAppIi
It is known from chapter 8 of catiOn and others. FPLA3
contains the address of the defective character contained in KPM1 and the address of correct character data to be stored in a spare Kanji pattern storage element corresponding to each defective character. Reference numeral 4 denotes a spare Kanji pattern memory element (hereinafter abbreviated as "SPM").
)であり、具体的には電気的に書込み可能な読取り専用
記憶素子(EPROM)で購成され、数十字分の記憶容
量を有している。KPMlの不良検査並びに不良に対応
したEPLA3及びSPM4への書込みは、KPMlの
製造後にミニコンピユータ等の処理装置を使用して行う
。), and is specifically purchased as an electrically programmable read-only memory (EPROM), and has a storage capacity of several crosses. Inspection for defects in the KPM1 and writing in the EPLA3 and SPM4 in response to defects are performed using a processing device such as a minicomputer after the KPM1 is manufactured.
この処理装置はKPMのテストプログラム、KPM内の
正しいデータならびにFPLA及びSPMへの書込みプ
ログラムを蓄積したデスク等のメモリ装置を備えており
、これに、KPMlならびにPROM書込み器を介して
FPLA3及びSPM4が接続される。この処理装置は
、KPMlの文字アドレスを指定して対応の文字データ
を読取りこれを内蔵の正しい文字データと照合し、不良
文字があれば、この不良文字アドレス、対応のSPM内
先頭アドレス及び後述する不良プロツクアドレスをFP
LA3に書込み、同時に正解データをSPM4に書込む
。第1図中の5はバツフア記憶2およびSPM4その他
の読み書き等を制御する記憶制御回路である。This processing device is equipped with a memory device such as a desk that stores the KPM test program, the correct data in the KPM, and the writing programs to the FPLA and SPM. Connected. This processing device specifies the character address of KPMl, reads the corresponding character data, compares it with the built-in correct character data, and if there is a defective character, stores the defective character address, the corresponding start address in the SPM, and the following information. FP the bad block address
Write to LA3 and at the same time write correct answer data to SPM4. Reference numeral 5 in FIG. 1 is a memory control circuit for controlling reading and writing of the buffer memory 2, SPM 4, and the like.
制御回路5は後に詳しく説明するように慣用の論理素子
を組合せて作ることもできるし、プログラム内蔵のマイ
クロプロセツサを使用することもできる。6〜13は信
号線である。The control circuit 5 can be made by combining conventional logic elements, as will be explained in detail later, or can be made by using a microprocessor with a built-in program. 6 to 13 are signal lines.
信号線6へは文字アドレス信号が入力される。文字アド
レスの一例として、JIS−C6226で決められた1
4ビツトの図形文字用符号や、文字対応に0,1,2,
3・・・と割付ける12ビツト程度の2進符号等を用い
る。信号線7へはKPMlからの読取りデータが出力さ
れる。本実施例では信号線7は16ビツト幅をもつ。し
たがつて、1文字を出力するために、16ビツト幅のデ
ータが18回信号線7へ出力され、これがバツフア2へ
順次書込まれる。信号線8へは端末装置のタイミング信
号に同期して、バツフア記憶2に記憶している文字デー
タが出力される。KPMlに蓄積された正常な文字デー
タは上述した経路で信号線8に出力される。文字アドレ
ス信号はKPMlに入力されると同時に信号線6を介し
てFPLA3にも入力される。A character address signal is input to the signal line 6. As an example of a character address, 1 determined by JIS-C6226
4-bit graphic character code and 0, 1, 2,
A binary code of about 12 bits assigned as 3... is used. Read data from KPMl is output to signal line 7. In this embodiment, the signal line 7 has a width of 16 bits. Therefore, in order to output one character, 16-bit width data is output to the signal line 7 18 times, and this data is sequentially written to the buffer 2. The character data stored in the buffer memory 2 is outputted to the signal line 8 in synchronization with the timing signal of the terminal device. The normal character data stored in KPM1 is output to the signal line 8 through the above-mentioned path. The character address signal is input to KPM1 and at the same time, it is also input to FPLA3 via signal line 6.
文字アドレス信号がFPLA3に入力されると、FPL
A3は第2図に示す形式の11ビツト幅のデータを出力
する。但しFPLA3は、KPMl内の不良文字が読み
取られる時のみ有意のデータを出力する。第2図におい
てビツト0〜7はKPMl内の不良文字毎に用意された
予備の文字データのSPM4上の先頭アドレスを示し、
これは信号線9に出力される。本実施例では、KPMl
に含まれる256文字までの不良文字データをSPM4
に蓄積した予備の文字データと置き換えることができる
。但し、後述のモード部への割当とSPM4の記憶容量
いかんによつては予備切替えできる不良文字256以下
となることもある。第2図のビツト8〜10は、SPM
4に蓄積された不良文字毎の予備の文字データの状態を
識別するためのモード部であり、これは信号線10に出
力される。When a character address signal is input to FPLA3, FPL
A3 outputs 11-bit wide data in the format shown in FIG. However, FPLA3 outputs significant data only when a bad character in KPM1 is read. In FIG. 2, bits 0 to 7 indicate the start address on SPM4 of spare character data prepared for each defective character in KPM1,
This is output to signal line 9. In this example, KPMl
Defective character data of up to 256 characters included in SPM4
It can be replaced with the spare character data stored in . However, depending on the allocation to the mode section, which will be described later, and the storage capacity of the SPM4, there may be fewer than 256 defective characters that can be pre-selected. Bits 8 to 10 in Figure 2 are SPM
This is a mode section for identifying the state of spare character data for each defective character stored in the memory 4, and is output to the signal line 10.
このモード部の機能を第3図および第4図を用いて説明
する。第3図は16×18ドツトマトリクスの一例を示
す。The function of this mode section will be explained using FIGS. 3 and 4. FIG. 3 shows an example of a 16×18 dot matrix.
第3図中の1を付したセクシヨンはデータ“ビを表わし
、空白のセクシヨンはデータの“0゜゛を表わす。第3
図の例では漢字の“亜”が示されている。第1図のKP
Mlは16ビツトからなる行を単位として信号線7へ文
字データを読み出す。第3図中の14行11列の“l゛
および15行10列の“0゛は素子の製造工程で生じた
不良ビツトの存在例を示す。このような不良ビツトはプ
リンタで印字すると余計な黒点または文字の部分的な欠
けとなつて現われる。第4図は第3図に示す16×18
ドツトマトリクスを領域A乃至Fに区分したものである
。第2図のモード部のビツト8〜10は0〜7の8通り
の数値が表現できる。The sections marked with 1 in FIG. 3 represent the data "B", and the blank sections represent the data "0°". Third
In the example shown in the figure, the kanji character "A" is shown. KP in Figure 1
Ml reads character data to the signal line 7 in units of rows each consisting of 16 bits. In FIG. 3, "l" in the 14th row and 11th column and "0" in the 15th row and 10th column indicate the presence of defective bits that occur during the manufacturing process of the device. Such defective bits appear as extra black dots or partial missing characters when printed by a printer. Figure 4 is 16x18 as shown in Figure 3.
The dot matrix is divided into regions A to F. Bits 8 to 10 of the mode section in FIG. 2 can represent eight different numerical values from 0 to 7.
この0〜7の数値を第4図に示すA−Fのプロツクと例
えば以下のように対応づける。第1図の記憶制御回路5
は信号線10上に全て“O゛が出力された時、KPMl
から正常文字が出力されたと判断して特別な動作を行わ
ない。These numerical values 0 to 7 are associated with the blocks A to F shown in FIG. 4, for example, as follows. Memory control circuit 5 in FIG.
When all "O" are output on the signal line 10, KPMl
It is determined that a normal character has been output, and no special action is taken.
信号線10に1〜7が出力された時には、記憶制御回路
5はモード毎に設定されたA−Fのプローツクに相当す
る領域の文字パターンをSPM4から遂時読取り、バツ
フア記憶2の該当の記憶場所の内容を書き換えるように
動作する。信号線12へはSPM4へのアドレス信号、
信号線13にはバツフア記憶2のアドレス信号等が出力
される。SPM4からの読み出すデータ量はモードごと
に異なるので、記憶制御回路5は信号線9に出力された
SPM先頭アドレスと信号線10のモード信号とを参考
にして所要数のアドレス信号およびSPM読み取り起動
信号を発生する。記憶制御回路5はSPM4を起動し、
SPM4から読み出された予備の文字データは信号線1
1を介してバツフア記憶2へ書込まれる。この時、バツ
フア記憶2へのアドレス信号は記憶制御回路5から信号
線13を介して送られる。第3図に示す不良文字“亜”
の例ではEプロツクの64ビツトだけをSPM4に予備
として用意すればよい。第5図は第1図のバツフア記憶
2の一実施例のプロツク図であり、20は読み書き可能
なメモリ、21は書込みデータセレクタ、22は書込み
データレジスタ、23は読み書き制御回路、24はアド
レスセレクタ、25はアドレスレジスタである。When 1 to 7 are output to the signal line 10, the memory control circuit 5 reads the character pattern in the area corresponding to the A-F block set for each mode from the SPM 4, and stores the corresponding memory in the buffer memory 2. It works by rewriting the contents of the location. To the signal line 12 is an address signal to the SPM4,
Address signals of the buffer memory 2 and the like are output to the signal line 13. Since the amount of data to be read from the SPM 4 differs depending on the mode, the storage control circuit 5 refers to the SPM start address output to the signal line 9 and the mode signal on the signal line 10 and reads the required number of address signals and SPM read start signal. occurs. The storage control circuit 5 starts up the SPM4,
The preliminary character data read from SPM4 is sent to signal line 1.
1 to the buffer memory 2. At this time, an address signal to the buffer memory 2 is sent from the memory control circuit 5 via the signal line 13. Bad character “A” shown in Figure 3
In this example, only 64 bits of the E-block need to be prepared as a spare in the SPM4. FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of the buffer memory 2 in FIG. 1, in which 20 is a readable/writable memory, 21 is a write data selector, 22 is a write data register, 23 is a read/write control circuit, and 24 is an address selector. , 25 are address registers.
書込みデータセレクタ21へはKPMの読み取りデータ
(信号線7)及びSPMの読み取りデータ(信号線11
)が入力し、記憶制御回路5からのデータ選択信号(信
号線13a)によつて文字不良の有無に応じていずれか
一方のデータが選択され、書込みデータレジスタ22に
読み込まれる。記憶制御回路5からの書込みアドレス信
号及びアドレス選択信号がそれぞれ信号線13d及び1
3cを介してアドレスセレクタ24に入力し、書込みア
ドレスがアドレスレジスタ25に読み込まれる。記憶制
御回路5からの書込み指令が信号線13bを介して読み
書き制御回路23に入力し、これを受けた回路23は読
み書き可能なメモリ20に読み書き指令を発する。この
ようにしてメモリ20に書き込まれた文字データは、端
末装置からの読み取り指令(信号線15b)及び読み取
りアドレス信号(信号線15a)に従つて信号線8上に
読み出される。第6図は、第1図の記憶制御回路5の一
実帷例のプロツク図であつて、50はバツフア記憶2用
のアドレス発生・制御回路、51はモード識別回路、5
2はSPM用アドレスカウンタ、53はカウンタ歩進制
御回路、54はタイミング回路である。The write data selector 21 receives KPM read data (signal line 7) and SPM read data (signal line 11).
) is input, and one of the data is selected depending on the presence or absence of a character defect by a data selection signal (signal line 13a) from the storage control circuit 5, and is read into the write data register 22. A write address signal and an address selection signal from the storage control circuit 5 are connected to signal lines 13d and 1, respectively.
3c to the address selector 24, and the write address is read into the address register 25. A write command from the storage control circuit 5 is input to the read/write control circuit 23 via the signal line 13b, and the circuit 23 that receives this command issues a read/write command to the read/write memory 20. The character data written in the memory 20 in this manner is read onto the signal line 8 in accordance with a read command (signal line 15b) and a read address signal (signal line 15a) from the terminal device. FIG. 6 is a block diagram of an example of the memory control circuit 5 in FIG.
2 is an SPM address counter, 53 is a counter step control circuit, and 54 is a timing circuit.
モード識別回路51は信号線10上のモード信号をデコ
ードし、アドレス発生・制御回路50.カウンタ歩進制
御回路53及びタイミング回路54の動作を制御する。
信号線10上のモード信号がKPMlからの正常文字読
出しを示すオール“0゛であれば、制御回路50はKP
Mlからの正常文字をバツフア記憶2へ書込むために、
第5図で説明したデータ選択信号、アドレス選択信号、
算出した書込みアドレス信号及び書込み指令を信号線1
3を介してバツフア記憶2に出力する。信号線10上に
不良文字に関するデータが出力されると、モード識別回
路51はこれをデコードして不良文字のどのプロツクを
訂正するかを制御回路50に伝え、SPM4からの訂正
データ読取り回数をカウンタ歩進制御回路53に伝える
。制御回路50は、モード識別回路51からの情報に基
いてバツフア記憶2のアドレスを算出し、SPM用アド
レスカウンタ52に同期してバツフア記憶2へ送出する
アドレスを更新する。SPM用アドレスカウンタ52は
、信号線9上に出力されたSPM(先頭)アドレスをセ
ツトし、その後カウンタ歩進制御回路53からの信号に
同期してその内容であるアドレスを歩進する。上述した
動作を行うため、制御回路5は必要に応じて信号線14
を介して上位装置から制御信号を受ける。この場合、上
位装置は信号線6に文字アドレス信号を送出したことを
信号線14を介して制御回路5に伝え、また、不良文字
の訂正を行つている間文字アドレス信号の送出を中止す
べき旨の制御回路5からの信号を信号線14を介して受
取る。第6図に示した記憶制御回路5は、慣用の論理素
子を組合せる構成例であるが、これに代えてプログラム
内蔵のマイクロプロセツサを使用する購成とすることも
できる。The mode identification circuit 51 decodes the mode signal on the signal line 10, and the address generation/control circuit 50. The operations of the counter step control circuit 53 and the timing circuit 54 are controlled.
If the mode signal on the signal line 10 is all “0” indicating normal character reading from KPM1, the control circuit 50
To write normal characters from Ml to buffer memory 2,
The data selection signal and address selection signal explained in FIG.
The calculated write address signal and write command are sent to signal line 1.
3 to the buffer memory 2. When data related to the defective character is output on the signal line 10, the mode identification circuit 51 decodes it and tells the control circuit 50 which block of the defective character is to be corrected, and counts the number of times the corrected data is read from the SPM 4 as a counter. This is transmitted to the step control circuit 53. The control circuit 50 calculates the address of the buffer memory 2 based on the information from the mode identification circuit 51, and updates the address sent to the buffer memory 2 in synchronization with the SPM address counter 52. The SPM address counter 52 sets the SPM (start) address output on the signal line 9, and then increments the content address in synchronization with the signal from the counter increment control circuit 53. In order to perform the above-described operation, the control circuit 5 connects the signal line 14 as necessary.
Receives control signals from the host device via the . In this case, the host device should notify the control circuit 5 via the signal line 14 that the character address signal has been sent to the signal line 6, and should also stop sending the character address signal while correcting the defective character. A signal from the control circuit 5 indicating this is received via the signal line 14. Although the storage control circuit 5 shown in FIG. 6 is an example of a configuration in which conventional logic elements are combined, a microprocessor with a built-in program may be used instead.
このように本発明によれば、不良文字のl字分すべての
文字データを用意せずにすむので、SPM4の記憶容量
を少なくする利点を得る。As described above, according to the present invention, it is not necessary to prepare character data for all of the defective characters, thereby obtaining the advantage of reducing the storage capacity of the SPM 4.
なお、第2図に示すモード部4ビツト以上に多くする変
形を行うこともできるし、また、第4図に示す区分例の
他に左半分(A−Cプロツクの全体)、右半分(D−F
プロツクの全体)というように区分するなど各種の変形
を行うことができる。第7図は本発明の他の実帷例のプ
ロツク図である。It should be noted that it is possible to make a modification in which the mode part has more than 4 bits as shown in FIG. 2, and in addition to the example of division shown in FIG. -F
Various modifications can be made, such as dividing the program into sections (the entire program). FIG. 7 is a block diagram of another practical example of the present invention.
第7図中第1図と同一の参照符号を付した機能プロツク
は第1図と同一の機能プロツクである。第7図における
FPLA3″は、第1図におけるFPLA3にSPM4
を組込んだプロツクに相当し、また第7図の記憶制御回
路5″の機能は第1図の記憶制御回路5の機能とはぼ同
一である。第7図において信号線6に文字アドレス信号
が入力された時、KPMl、バツフア記憶2及び記憶制
御回路5″は、第1図の場合と同じ動作をする。In FIG. 7, function blocks with the same reference numerals as in FIG. 1 are the same function blocks as in FIG. FPLA3″ in Figure 7 is SPM4 in FPLA3 in Figure 1.
The function of the memory control circuit 5'' in FIG. 7 is almost the same as that of the memory control circuit 5 in FIG. 1. In FIG. When input, KPM1, buffer memory 2 and memory control circuit 5'' operate in the same way as in the case of FIG.
信号線6に入力された文字アドレスがKPMl内の不良
文字を指定した時には、FPLA3″は第8図に示す1
4ビツトの信号を出力する。第8図のピットO〜7は第
7図の信号線11に、第8図のビツト8〜13は第7図
の信号線20に出力される。KPMlから読み取つた文
字が正常な時には第8図に示すO〜13ビツトは全て“
゜0”を示す。この時、記憶制御回路5″は予備による
文字訂正動作をしない。ビツト8〜13の内容はO〜6
3までの値を取りうるが、第9図に示すようにこれらを
18×16ドツトマトリクスの36個のプロツクに割付
ける。すなわち、KPMl中の不良文字が読み取られた
時、FPLA3″の出力のビツト8〜13の内容は14
〜31,46〜63のうちのいずれかの値をとる。63
,62,61,60,・・・の数は、64進数の補数を
とると0,1,2,3,・・・となることに留意された
い。When the character address input to signal line 6 specifies a defective character in KPMl, FPLA3''
Outputs a 4-bit signal. Pits O-7 in FIG. 8 are output to signal line 11 in FIG. 7, and bits 8-13 in FIG. 8 are output to signal line 20 in FIG. When the characters read from KPMl are normal, all bits 0 to 13 shown in Figure 8 are “
0''. At this time, the memory control circuit 5'' does not perform a preliminary character correction operation. The contents of bits 8 to 13 are O to 6.
It can take values up to 3, and these are assigned to 36 blocks of an 18x16 dot matrix as shown in FIG. That is, when a bad character in KPMl is read, the contents of bits 8-13 of the output of FPLA3'' are 14.
-31, 46-63. 63
, 62, 61, 60, . . . become 0, 1, 2, 3, . . . when complemented in base 64.
第8図のビツトO〜7はビツト8〜13で示すプロツク
の予備の文字データを表わす。Bits O-7 in FIG. 8 represent preliminary character data for the block shown in bits 8-13.
記憶制御回路5″は信号線20に出力されるプロツク名
を参照して、信号線13にアドレス信号等を出力し、信
号線11上に出力された予備の文字データをバツフア記
憶2内の該当記憶場所に書き込む。このようにFPLA
3′は、予備の漢字パターン記憶素子と、不良文字アド
レスと該予備の漢字パターン記憶素子上の正しい文字デ
ータのアドレスとの対応関係を保存する手段とを一つの
回路素子内に包含する。また、第8図において予備の文
字データのビツト幅を任意のビツト数に設定することが
できる。第7図において、フリツプフロツプからなるレ
ジスタを内蔵するFPLA3″を用いると、入力された
一つの不良文字アドレス信号をFPLA3I内で修正し
ながら数回帰還させることにより、第8図に示す形式の
データを上記帰還の回数に等しい数だけ第7図の信号線
11および20へ出力することができる。The memory control circuit 5'' refers to the block name outputted to the signal line 20, outputs an address signal etc. to the signal line 13, and stores the spare character data outputted on the signal line 11 in the corresponding buffer memory 2. Write to the memory location. FPLA like this
3' includes in one circuit element a spare Kanji character pattern storage element and a means for storing the correspondence between a defective character address and an address of correct character data on the spare Kanji pattern storage element. Further, in FIG. 8, the bit width of the preliminary character data can be set to an arbitrary number of bits. In FIG. 7, if an FPLA3'' having a built-in register consisting of a flip-flop is used, one input defective character address signal is corrected in the FPLA3I and returned several times, thereby generating data in the format shown in FIG. A number equal to the number of feedbacks described above can be output to signal lines 11 and 20 in FIG.
すなわち、複数の不良プロツクを含む文字を複数プロツ
クの正しいデータを用いて訂正することも可能である。
以上、ドツトの集合を用いて文字を形成する場合を説明
したが、ベクトルの集合を用いて文字を形成する場合に
も本発明が適用できることは本発明の要旨から明らかで
ある。以上詳細に説明したように、不良文字に対して予
備を備えた本発明により、大容量の漢字パターン記憶素
子にある程度の不良文字の存在を許容することができる
ので、この種装置の製造上の歩留りを引き上げ低価格化
を達成することができる。That is, it is also possible to correct a character containing multiple defective blocks using correct data from the multiple blocks.
Although the case where a character is formed using a set of dots has been described above, it is clear from the gist of the present invention that the present invention can also be applied to a case where a character is formed using a set of vectors. As explained in detail above, the present invention, which has a reserve for defective characters, allows the presence of a certain amount of defective characters in a large-capacity kanji pattern storage element, which makes it difficult to manufacture this type of device. Yields can be increased and costs can be reduced.
また本発明においては、各不良文字についてその全体を
予備として記憶しないで部分パターンのみを記憶してい
るので、記憶容量の小さな低価格の装置を実現すること
ができる。さらに本発明によれば、不良文字の読出し開
始とほぼ同時(数マイクロ秒以内)に不良文字の修正動
作が開始されるので、極めて高速な動作が可能である。Furthermore, in the present invention, only a partial pattern of each defective character is stored without storing the entirety as a spare, so a low-cost device with a small storage capacity can be realized. Further, according to the present invention, since the operation for correcting a defective character is started almost simultaneously (within several microseconds) with the start of reading out the defective character, extremely high-speed operation is possible.
第1図は本発明の一実施例のプロツク図、第2図乃至第
4図は第1図の動作を説明するための概念図、第5図、
第6図はそれぞれ第1図のバツフア記憶2、記憶制御回
路5の一実施例のプロツク図、第7図は本発明の他の実
施例のプロツク図、第8図、第9図は第7図の動作を説
明するための概念図である。
1・・・・・・漢字パターン記憶素子(KPM)、2・
・・・・・バツフア記憶、3,3″・・−・・・フイー
ルドプログラマブルロジツクアレイ(FPLA)、4.
..・..予備の漢字パターン記憶素子(SPM)、5
,5″・・・・・・記憶制御回路、6〜15,20・・
・・・・信号線。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention, FIGS. 2 to 4 are conceptual diagrams for explaining the operation of FIG. 1, and FIG.
6 is a block diagram of one embodiment of the buffer memory 2 and memory control circuit 5 of FIG. 1, FIG. 7 is a block diagram of another embodiment of the present invention, and FIGS. It is a conceptual diagram for explaining the operation of the figure. 1...Kanji pattern memory element (KPM), 2.
...Buffer memory, 3,3''...Field programmable logic array (FPLA), 4.
.. ..・.. .. Spare Kanji Pattern Memory Element (SPM), 5
, 5″... Memory control circuit, 6-15, 20...
····Signal line.
Claims (1)
ターンの不良部分についてのみ正しい部分パターンを記
憶する予備の漢字パターン記憶素子、不良部分を含む漢
字パターンを出力するに際し前記予備の漢字パターン記
憶素子内に記憶した正しい部分パターンで前記不良部分
を置換えて出力する出力手段を具備したことを特徴とす
る漢字パターン記憶装置。1. A kanji pattern storage element, a spare kanji pattern storage element that stores correct partial patterns only for defective parts of the kanji pattern stored in the element, and a kanji pattern storage element that stores correct partial patterns only for defective parts of the kanji pattern stored in the element; A kanji pattern storage device comprising an output means for replacing the defective portion with a correct partial pattern stored in the kanji pattern storage device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55014212A JPS5924426B2 (en) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | Kanji pattern storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55014212A JPS5924426B2 (en) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | Kanji pattern storage device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56110980A JPS56110980A (en) | 1981-09-02 |
| JPS5924426B2 true JPS5924426B2 (en) | 1984-06-09 |
Family
ID=11854784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55014212A Expired JPS5924426B2 (en) | 1980-02-07 | 1980-02-07 | Kanji pattern storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924426B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483011A (en) * | 1990-07-24 | 1992-03-17 | Tamura:Kk | Drain pipe with water absorbing blade |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001310588A (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-06 | Pilot Ink Co Ltd | Writing implement |
-
1980
- 1980-02-07 JP JP55014212A patent/JPS5924426B2/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483011A (en) * | 1990-07-24 | 1992-03-17 | Tamura:Kk | Drain pipe with water absorbing blade |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56110980A (en) | 1981-09-02 |
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