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JPS5928074B2 - ジヨセフソン電圧標準装置 - Google Patents
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JPS5928074B2 - ジヨセフソン電圧標準装置 - Google Patents

ジヨセフソン電圧標準装置

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Publication number
JPS5928074B2
JPS5928074B2 JP55187597A JP18759780A JPS5928074B2 JP S5928074 B2 JPS5928074 B2 JP S5928074B2 JP 55187597 A JP55187597 A JP 55187597A JP 18759780 A JP18759780 A JP 18759780A JP S5928074 B2 JPS5928074 B2 JP S5928074B2
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JP
Japan
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voltage
josephson
current
standard device
constant
Prior art date
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JP55187597A
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JPS57112087A (en
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努 山下
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NAGAOKA GIJUTSU KAGAKU DAIGAKUCHO
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NAGAOKA GIJUTSU KAGAKU DAIGAKUCHO
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ジョセフソン素子に個有の特性を利用して正
確な電圧値を得るようにしたジョセフソン電圧標準装置
に関し、特に、複数個のジョセフソン素子を環状に順次
に接続してなる超伝導閉回路を用いて高い電圧領域にお
ける精密電圧標準装置が得られるようにしたものである
この種ジョセフソン電圧標準装置としては、従来、第1
図Aに示すように1個のジョセフソン素子Jに、あるい
は、第1図Bに示すように順次に直列に接続した複数個
Nのジョセフソン素子J’に、直流電流Iと高周波電流
iとを同時に供給し、供給した高周波電流iの周波数f
に比例したつぎのような11係式によつて表わされる一
定直流電圧Vが得られるようにしていた。
すなわら、Φ0 V=n・−・ f(1) 2π ここに、nは正の整数、Φ0は磁束量子=2.07×1
0−15Wbをそれぞれ表わす。
しかして、上述のように供給した高周波電流の周波数に
比例した一定直流電圧りが得られる理由としては、ジョ
セフソン素子J、J’においては、直流電流Iの増加と
ともに各素子内ボ流の位相の回転が生じ、その回転数に
比例した直流電圧が誘起するが、直流電流工に重畳して
高周波電流iを供給すると、その高周波電流の周波数に
素子内電流の位相の回転が同期する現象が生じ、したが
つて、供給した高周波電流の周波数に比例した一定直流
電圧が発生することになる。
超伝導金属層の間に薄い絶縁層を介在させた形態のジョ
セフソン素子が呈するかかる現象を利用して標準電圧値
が得られるようにしたジョセフソン電圧標準装置は、供
給した高周波電流の周波数fの安定度が10−”゛程度
まで得られるので、得られる直流電圧Vも同じく10−
12程度の安定度を得ることができ、したがつて、従来
から電圧の国家標準として用いられている。しかしなが
ら、従来のこの種ジョセフソン電圧標準装置においては
、上述した(1)式のi男係によつて得られる直流電圧
りは、供給した高周波電流の周波数fをf=1010Π
zとしても、n=1においては電圧値V=201tVと
極めて低い電圧となり、かかる電圧値VをIV程度の使
用し易い電圧値とするために、周波数fを極めて高くす
るか、あるいは、整数nを極めて大きくするかの二つの
方法が従来考えられていた。
し力化、高周波数電流の周波数fを継続して安定に極め
て高い値に保持することは高周波技術的に困難であるの
で、従来、(1)式における整数nを大きく設定し得る
ようにする方法が種々検討されて来た。しかして、第1
図Aに示したように1個のジョセフソン素子を単独で用
いた場合には、一般に、電流Jと電圧Tとの関係は、周
知のようにつぎの(a)式によつて表わされる。
ここに、VOは高周波電流1によつて発生する高周波電
圧、%はπと一πとの間の定数、Jnはベツセル関数で
あり、ψ0,f,nは前述したとおりに、それぞれ磁束
量子、高周波電流1の周波数、正の釜数である。
この(a)式において のときには時間tに関する項が零となるので、電流』は
直流電流1となり、電圧グは一定直流電圧となり、(b
)式はV=Nl7−0 −FIと表わされ、(1)式が
得られる。
上述したところに基づき、第1図Aに示したジヨセフソ
ン素子Jに周波数10GHzの高周波電流1を供給した
ときに得られる電流』と電圧ぴとの関係を実測した結果
は第2図に示すようになつた。
すなわら、1個のジ]セフソン素子を単独で用いた場合
には、(1)式における整数nを順次に大きく設定した
ときに、第2図の電流電圧特性曲線に実線で示したよう
に、整数nが大きくなるに従つて所要の一定直流電圧値
Vが得られる電流値の範囲が狭くなり、電圧標準装置と
しての動作に余裕がなくなるという難点があつた。また
、第1図Bに示したようにN個のジヨセフソン素子を直
列に接続した場合には、N個のジヨセフソン素子を互い
に直列に接続したことにより、1個のジヨセフソン素子
によつて得られる電圧値のN倍の値を有する一定直流電
圧が得られるようにする方法が種々検討されて来たが、
その場合、互いに直列に順次に接続したN個のジヨセフ
ソン素子のすべてが同じ電圧値を発生させるという保証
は全く得られず、したがつて、(1)式における整数n
の値に任意性が生ずるので、電圧標準装置として使用す
るには難点があつた。
本発明の目的は、上述した従来の欠点乃至難点を除去し
、高い電圧値の出力直流電圧を得るにも、広い電流領域
に亘り、正確かつ安定に動作し得るようにしたジヨセフ
ソン電圧標準装置を提供することにある。
すなわち、本発明ジヨセフソン電圧標準装置は、少なく
とも3個のジヨセフソン素子を環状に順次に接続してな
る超伝導性閉回路を有し、その超伝導性閉回路内の1個
の前記ジヨセフソン素子に直接に直流電流および高周波
電流を供給することにより、前記1個のジヨセフソン素
子の両端に供給した前記高周波電流の周波数に比例した
値を有する直流電圧を発生させるようにしたことを特徴
とするものである。
以下に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
まず、本発明ジヨセフソン電圧標準装置の動作原理につ
いて説明するに、第3図に示すように、1個のジヨセフ
ソン素子J1とN個のジヨセフソン素子J2とを互いに
並列に接続してなる超伝導閉回路において、それら1個
およびN個のジヨセフソン素子J1およびNXJ2の並
列接続点に直流電流と高周波電流1とを同時に供給した
場合には、ジヨセフソン素子J1およびJ2に流れる電
流の位相をそれぞれY1およびY2とすると、閉回路中
を電流が一周するとその位相はもとに戻らなければなら
ないという一般的性質に従つて、次式の関係が成立する
。すなわち、図示の超伝導閉回路における各ジヨセフソ
ン素子に流れる電流の位相は自由に回転することなく、
(2)式の条件に束縛された状態のもとに回転するので
あるから、かかる位相ロツク状態において各ジヨセフソ
ン素子J1およびJ2にそれぞれ発生する直流電圧も相
互間に一定の関係を有する状態で発生することになり、
したがつて、順次に直列に接続したN個のジヨセフソン
素子J2においても、第1図Bに示したようなN個のジ
ヨセフソン素子の直列接続回路のみに直流電流および高
周波電流を同時に供給した従来の場合のように、各ジヨ
セフソン素子に発生する直流電圧を表わす(1)式中の
整数nが任意の値をとるがために、各直列素子に同じ電
圧を安定確実には発生させ得ない、という問題は、完全
に解消されることになる。
上述のように構成した本発明による超伝導閉回路におい
ては、上述した条件の位相束縛により、単一接続のジヨ
セフソン素子に供給する電流』とそのジヨセフソン素子
に発生する電圧vとの関係は、第1図Aに示した単独の
ジヨセフソン素子につき前述した(a)式とは異なり、
つぎの(c)式によつて表わされる。
この式(c)においても、前述した(a)式におけると
同様に、のときに、第1項における時間tに関する項が
零となつて、一定直流電圧V−n−・f1が得られると
ともに、のときにも、第2項における時間tに関する項
が零となつて、一定直流電圧=NNL二・f1が得られ
る。
しかも(c)式の第2項におけるベツセル関数Jnの変
数(−ー一・?)は第1項におけるベツ1へ Mt
乙I&
1セル関数Jnの変数(一・′t/o)に比して一だ
けときに、同様に広い電流領域が得られることも確認し
た。
一方、N個直列に接続したジヨセフソン素子J2に直流
電流1の供給によつて流れる電流の位相の回転に基づい
ては、かかる場合に適用する(1)式中の整数nをNN
としたときに、整数NN−NXNに対応して(1)式に
よつて決まる直流定電圧が得られる電流値の領域は、ジ
ヨセフソン素子J1について設定した上述の整数nに対
応した広い電流領域を有する直流定電圧が発生するよう
になる。
すなわら、1個のジヨセフソン素子に流れる電流の位相
の回転が遅い範囲、したがつて、整数nが小さく、(1
)式によつて決まる直流定電圧Vが低い範囲においては
、その直流定電圧が得られる電流値の領域は広いが、ジ
ヨセフソン素子に流れる電流の位相回転が速い範囲、し
たがつて、整数nが大きく、(1)式によつて決まる直
流定電圧が高い範囲においては、その直流定電圧が得ら
れる電流値の領域が格段に狭くなること、第2図につき
前述したとおりである。一方、本発明による超伝導閉回
路においては、(2)式による位相束縛の条件のもとに
、N個直列接続のジヨセフソン素子J2に流れる電流の
位相回転は、上述したように、単一接続のジヨセフソン
素子J1に流れる電流の位相回転に比して、その1Aの
値まで遅くなり、したがつて、単一接続のジヨセフソン
素子J1に発生する直流定電圧を決める(1)式中の整
数がNXNに相当する大きい値になつて、そのジヨセフ
ソン素子J1に流れる電流の位相回転が極めて速い状態
になつたときにおいても、N個直列接続のジヨセフソン
素子J2に発生する直流定電圧を決める(1)式中の整
数値は、ジヨセフソン素子J1についての上述した整数
値NXNに対し、その1/Nの整数値nに対応した遅い
位相回転をする電流がそのジヨセフソン素子J2に流れ
るのであるから、そのジヨセフソン素子J2に発生する
直流定電圧は、整数値nに対応した広い電流領域をもつ
て発生することになる。
また、ジヨセフソン素子J2に流れる電流の位相回転は
、ジヨセフソン素子J1に流れる電流の位相回転に比し
て、その1Aの格段に遅い値となるのであるから、順次
に直列に接続したN個のジヨセフソン素子J2中におけ
る個々のジヨセフソン素子J2に発生する直流定電圧値
は、単一接続のジヨセフソン素子J1に発生する直流定
電圧値の1/Nとはなるが、N個直列接続における全電
圧値は、単一接続のジヨセフソン素子J1に発生する電
圧値に等しくなる。したがつて、本発明による超伝導閉
回路において順次に直列に接続するジヨセフソン素子の
個数Nを増大させることにより、広い動作市流領域を有
する一定の直流高電圧を高い安定度をもつて容易に発生
させることができる。
第3図に示した等価回路により上述したように動作する
超伝導閉回路からなる本発明ジヨセフソン電圧標準装置
の具体的な構成の例を第5図A,Bに示す。
図示の具体的構成は第3図に示した等価回路における各
ジヨセフソン素子Jl,J2を、いずれも、絶縁薄層を
介在させた超伝導薄膜S1およびS2により構成したも
のであり、同図Bに示すように、シリコン、ガラス等よ
りなる基板1上に例えばNb薄膜よりなる厚さ1μm程
度の超伝導グランドプレーン2を被着形成して、外部か
らの磁束や電磁波に対する遮蔽を構成し、その超伝導グ
ランドプレーン2の表面を厚さ200λ程度まで酸化し
て電気絶縁を施したうえで、その表面上に同図Aに示す
構成配置にして、例えば鉛Pb等よりなる超伝導薄膜(
S1)4を蒸着し、さらに、その超伝導薄膜(S1)4
の表面を厚さ20人程度に薄く酸化してジヨセフソン接
合構成用の絶縁薄層5を形成し、その絶縁薄層5の上に
同じく鉛Pb等よりなる超伝導薄膜(S2)6を蒸着し
て、第3図示の等価回路における各ジヨセフソン素子J
,,J2を構成する。し力化て、上側の超伝導薄膜(S
2)6は、同図Aに示した上面図から明らかなように、
各ジヨセフソン素子Jl,J2を順次に環状に接続して
超伝導閉回路を構成するように、相隣る2個の下側超伝
導薄膜(S1)4の酸化表面5およびそれら2個の下側
超伝導薄膜(S1)4の中間に露出した超伝導グランド
プレーン2の酸化表面3に沿つて連続した蒸着膜の形態
に被着形成する。しかして、各ジヨセフソン素子Jl,
J2を、例えば一辺60ttmの正方形状に構成するに
は、2素子を構成する下側超伝導薄膜(S1)4を例え
ば幅100μm、長さ120μm以上の長方形状に被着
形成するとともに、2素子を構成する上側超伝導薄膜(
S2)6を例えば幅60μm1長さ120μm以上の長
方形状に被着形成することになる。同図Aに示した構成
例においては、上述のようにして16個のジヨセフソン
素子を順次に環状に接続して超伝導閉回路を構成し、単
一接続のジヨセフソン素子J1を構成する下側超伝導薄
膜S1−0をそれぞれ図示のように延在拡張させて端極
板をそれぞれ構成し、それらの端極板に電圧端子Va,
Vbを設けて直流定電圧を取出すようにするとともに、
それらの端極板間に直流電流1を供給し、かつ、例えば
同軸給電線CCを接続して例えば20GHzの高周波電
流1を供給することにより、所期の一定値を有する直流
定電圧を安定かつ容易に発生させることができる。以上
の説明から明らかなように、本発明によれば、多数個の
ジヨセフソン素子を環状に接続して構成した超伝導閉回
路により、広い動作電流領域を有する安定な直流高電圧
を容易に発生させて、実用するに好適な高い電圧値が得
られるジヨセフソン電圧標準装置を容易に実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図A,Bは従来のジヨセフソン電圧標準装置の構成
をそれぞれ模式的に示す等価回路図、第2図は同じくそ
の動作の態様を示す特性曲線図、第3図は本発明ジヨセ
フソン電圧標準装置の動作原理を示す等価回路図、第4
図は同じくその動作の態様の例を示す特性曲線図、第5
図AおよびBは同じくその具体的構成の例をそれぞれ示
す平面図および縦断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・超伝導グランドプ
レーン、3,5・・・・・・酸化絶縁膜、4,6・・・
・・・超伝導薄膜、J,J′,Jl,J2・・・・・・
ジヨセフソン素子、・・・・・・直流電圧計、Sl,S
2,Sl−0,S2−0・・・・・・超伝導薄膜、Va
,Vb・・・・・・電圧端子、CC・・・・・・同軸給
電線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 少なくとも3個のジョセフソン素子を環状に順次に
    接続してなる超伝導性閉回路を有し、その超伝導性閉回
    路内の1個の前記ジョセフソン素子に直接に直流電流お
    よび高周波電流を供給することにより、前記1個のジョ
    セフソン素子の両端に供給した前記高周波電流の周波数
    に比例した値を有する直流電圧を発生させるようにした
    ことを特徴とするジョセフソン電圧標準装置。
JP55187597A 1980-12-29 1980-12-29 ジヨセフソン電圧標準装置 Expired JPS5928074B2 (ja)

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JPS57112087A JPS57112087A (en) 1982-07-12
JPS5928074B2 true JPS5928074B2 (ja) 1984-07-10

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JPS5928669A (ja) * 1982-08-11 1984-02-15 Tsutomu Yamashita ジヨゼフソン電圧標準装置
JP4595069B2 (ja) * 2005-06-09 2010-12-08 独立行政法人産業技術総合研究所 準平面導波路型ジョセフソン接合アレー構造体、それを用いたデジタル−アナログ変換器、プログラマブルジョセフソン電圧標準用接合アレー、ジョセフソン電圧標準用チップ、ジョセフソン電圧発生装置

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