JPS5928883B2 - ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路 - Google Patents
ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路Info
- Publication number
- JPS5928883B2 JPS5928883B2 JP3101776A JP3101776A JPS5928883B2 JP S5928883 B2 JPS5928883 B2 JP S5928883B2 JP 3101776 A JP3101776 A JP 3101776A JP 3101776 A JP3101776 A JP 3101776A JP S5928883 B2 JPS5928883 B2 JP S5928883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- barium
- bnn
- sodium niobate
- bnt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 14
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N sodium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Na+].[O-][Nb](=O)=O UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 2
- PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ba] Chemical compound [Na].[Ba] PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
近年、タンタル酸リシウムやニオブ酸リシウム単結晶を
用いた光導波路や光変調等の能動機能を有する光導波路
用素子の開発が盛んになつている。
用いた光導波路や光変調等の能動機能を有する光導波路
用素子の開発が盛んになつている。
光導波路は基板上に高屈折率を有する単結晶の層を形成
することにより実現でき、これらの作成法として、スパ
ッタ法、液相エピタキシャル法、電界拡散法、逆拡散法
等が試みられている。特にタンタル酸リシウムを基板と
したニオブ゛酸リシウム単結晶からなる光導波路の開発
が最もよくなされており、高品質のものが得られている
。しかしながら、ニオブ酸リシウムはレーザ光の照射に
より局所的な屈折率変化を生じ易く、（光損傷と呼ばれ
ている）実用上障害となつている。本発明の目的はこの
ような欠点を除去し、光損傷の生じない新規な光導波路
を提供することにある。
することにより実現でき、これらの作成法として、スパ
ッタ法、液相エピタキシャル法、電界拡散法、逆拡散法
等が試みられている。特にタンタル酸リシウムを基板と
したニオブ゛酸リシウム単結晶からなる光導波路の開発
が最もよくなされており、高品質のものが得られている
。しかしながら、ニオブ酸リシウムはレーザ光の照射に
より局所的な屈折率変化を生じ易く、（光損傷と呼ばれ
ている）実用上障害となつている。本発明の目的はこの
ような欠点を除去し、光損傷の生じない新規な光導波路
を提供することにある。
以下実施例により詳細に説明する。ニオブ酸バリウム・
ナトリウム（Ｂａ２ＮａＮｂ５０１５、以下ＢＮＮと略
す）単結晶は光損傷を生じない物質として知られている
。したがつてＢＮＮを光導波路として用いることは容易
に考えつくことである。しかしながら、基板として何を
用いるかが最大の問題となる。本発明者らは基板として
、ＢＮＮより屈折率が小さく、かつ格子定数の不整合が
小さい単結晶を探索した結果、ＢＮＮと同型のタンタル
酸バリウム・ナトリウム（Ｂａ２ＮａＴａ５Ｏ１５、以
下ＢＮＴと略す）が最適であることを見出した。ＢＮＴ
は窒素雰囲気中でイリジウムるつぼを用いて、約１８０
０℃で引上法により育成した。ＢＮＴはキューリ温度が
３８にであり、室温では正方晶系に属し、格子定数はａ
■１７．７６３Λ、ｃ＝３．９２５Λであつた。一方
、ＢＮＮは室温では斜方晶系であり、格子定数はａ＝１
７．６２６λ、ｂ＝１７．５９２λ、ｃ＝３．９９５λ
であり、ａ軸方向の格子定数の差は０．７％程度で、格
子不整合はほとんど問題にならないといえる。また更に
重要な定数である屈折率の値は６３２８λの波長の光に
対して、ＢＮＴはｎａ−２．１８、ｎｃ■２．０９であ
つた。一方、ＢＮＮではｎａ＝２．３２、ｎｂ＝２．２
５、ｎｃ＝２．１７であり、いずれの値もＢＮＮの方が
ＢＮＴより大きかつた。したがつてＢＮＮとＢＮＴとか
ら成る組合せは恰好の光導波路を提供するものと予想さ
れる。そこで液相エピタキシャル法を用いてＢＮＴのＣ
板上にＢＮＮ単結晶の育成を試みた。
ナトリウム（Ｂａ２ＮａＮｂ５０１５、以下ＢＮＮと略
す）単結晶は光損傷を生じない物質として知られている
。したがつてＢＮＮを光導波路として用いることは容易
に考えつくことである。しかしながら、基板として何を
用いるかが最大の問題となる。本発明者らは基板として
、ＢＮＮより屈折率が小さく、かつ格子定数の不整合が
小さい単結晶を探索した結果、ＢＮＮと同型のタンタル
酸バリウム・ナトリウム（Ｂａ２ＮａＴａ５Ｏ１５、以
下ＢＮＴと略す）が最適であることを見出した。ＢＮＴ
は窒素雰囲気中でイリジウムるつぼを用いて、約１８０
０℃で引上法により育成した。ＢＮＴはキューリ温度が
３８にであり、室温では正方晶系に属し、格子定数はａ
■１７．７６３Λ、ｃ＝３．９２５Λであつた。一方
、ＢＮＮは室温では斜方晶系であり、格子定数はａ＝１
７．６２６λ、ｂ＝１７．５９２λ、ｃ＝３．９９５λ
であり、ａ軸方向の格子定数の差は０．７％程度で、格
子不整合はほとんど問題にならないといえる。また更に
重要な定数である屈折率の値は６３２８λの波長の光に
対して、ＢＮＴはｎａ−２．１８、ｎｃ■２．０９であ
つた。一方、ＢＮＮではｎａ＝２．３２、ｎｂ＝２．２
５、ｎｃ＝２．１７であり、いずれの値もＢＮＮの方が
ＢＮＴより大きかつた。したがつてＢＮＮとＢＮＴとか
ら成る組合せは恰好の光導波路を提供するものと予想さ
れる。そこで液相エピタキシャル法を用いてＢＮＴのＣ
板上にＢＮＮ単結晶の育成を試みた。
ＢＮＴの融点は１８００℃であり、ＢＮＮのそれは１４
５０℃であるため、液相エピタキシャル法で育成するた
めには更に好都合である。本発明者らは適当なフラック
スを用いてＢＮＮの融点を更に降下せしめ育成を容易に
した。液相エピタキシャル法により、ＢＮＴ基板上に育
成されたＢＮＮは極めて良好な光導波路として動作する
ことをＨ８−Ｎｅレーザを用いて確認した。このＢＮＮ
は光損傷を示さなかつたことは勿論である。本発明は、
ＢＮＴ単結晶を基板とするＢＮＮ光導波路を提供するこ
とが主な目的であつて、製造方法を液相エピタキシャル
法に限定するものではない。
５０℃であるため、液相エピタキシャル法で育成するた
めには更に好都合である。本発明者らは適当なフラック
スを用いてＢＮＮの融点を更に降下せしめ育成を容易に
した。液相エピタキシャル法により、ＢＮＴ基板上に育
成されたＢＮＮは極めて良好な光導波路として動作する
ことをＨ８−Ｎｅレーザを用いて確認した。このＢＮＮ
は光損傷を示さなかつたことは勿論である。本発明は、
ＢＮＴ単結晶を基板とするＢＮＮ光導波路を提供するこ
とが主な目的であつて、製造方法を液相エピタキシャル
法に限定するものではない。
Claims (1)
- １ タンタル酸バリウム・ナトリウム単結晶を基板とす
ることを特徴とするニオブ酸バリウム・ナトリウム光導
波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101776A JPS5928883B2 (ja) | 1976-03-22 | 1976-03-22 | ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101776A JPS5928883B2 (ja) | 1976-03-22 | 1976-03-22 | ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52114342A JPS52114342A (en) | 1977-09-26 |
| JPS5928883B2 true JPS5928883B2 (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=12319757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3101776A Expired JPS5928883B2 (ja) | 1976-03-22 | 1976-03-22 | ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928883B2 (ja) |
-
1976
- 1976-03-22 JP JP3101776A patent/JPS5928883B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52114342A (en) | 1977-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3810688A (en) | Optical waveguiding devices using monocrystalline materials of the sillenite family of bismuth oxides | |
| US5315432A (en) | Thin film of lithium niobate single crystal | |
| JPS604962B2 (ja) | 光導波装置 | |
| CN108683072B (zh) | 一种提高sbo深紫外倍频激光输出效率的方法 | |
| JP2000066050A (ja) | 光導波路部品の製造方法及び光導波路部品 | |
| Kawaguchi et al. | Liquid-phase epitaxial growth of Zn-doped LiNbO3 thin films and optical damage resistance for second-harmonic generation | |
| US5347608A (en) | Optical waveguide and optical waveguide device | |
| JPS5928883B2 (ja) | ニオブ酸バリウム・ナトリウム光導波路 | |
| JPH0517295A (ja) | ドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜 | |
| EP1224492B1 (en) | Titanium-indiffusion waveguides | |
| JP2760172B2 (ja) | 導波路型非線形光学デバイス | |
| JPH07267792A (ja) | 電気光学品 | |
| JP2965644B2 (ja) | 波長変換光学素子の製造方法 | |
| JP2860800B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| KR100439960B1 (ko) | 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 | |
| JP2966600B2 (ja) | 非線形光学材料 | |
| JP2838803B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS6032843B2 (ja) | タンタル酸リシウム光導波路の形成方法 | |
| JP2636481B2 (ja) | 非線形光学材料の育成方法 | |
| JP3121361B2 (ja) | Ｔｉ含有ニオブ酸リチウム薄膜及びその製造方法 | |
| JPS63274694A (ja) | 高品質チタンサフアイヤ単結晶の製造方法 | |
| JPH0545689A (ja) | 導波路型非線形光学デバイス | |
| JPH0794820A (ja) | 単結晶薄膜および固体レーザ素子 | |
| JPH0710695A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法 | |
| JP2849221B2 (ja) | チャンネル型導波路を有する光デバイスとその製造方法 |