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JPS5931769B2 - Manufacturing method of thin film magnetic head - Google Patents
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JPS5931769B2 - Manufacturing method of thin film magnetic head - Google Patents

Manufacturing method of thin film magnetic head

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Publication number
JPS5931769B2
JPS5931769B2 JP9320377A JP9320377A JPS5931769B2 JP S5931769 B2 JPS5931769 B2 JP S5931769B2 JP 9320377 A JP9320377 A JP 9320377A JP 9320377 A JP9320377 A JP 9320377A JP S5931769 B2 JPS5931769 B2 JP S5931769B2
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JP
Japan
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substrate
magnetic head
groove
thin film
film magnetic
Prior art date
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Application number
JP9320377A
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Inventor
登 野村
謙二 金井
伸征 紙中
紀台 能智
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造法に関するもので、磁
気ヘッドとしての効率が良く良好な記録特性が得られる
薄膜磁気ヘッドを効果的に製造する方法を提供するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a thin film magnetic head, and provides a method for effectively manufacturing a thin film magnetic head that is efficient as a magnetic head and provides good recording characteristics. be.

第1図に、従来のバイアスライン付の一巻型薄膜磁気ヘ
ッドの断面の一例を示す。
FIG. 1 shows an example of a cross section of a conventional one-turn type thin film magnetic head with a bias line.

このような磁気ヘッドでは、磁気ヘッドの磁気回路の一
部を形成する強磁性体基板101上に導電性のよい金属
を蒸着、電着、スパッター等の方法を用いて付着させて
、金属層を形成し、フォトエッチング技術を用いて蝕刻
することにより、必要なパターンを形成する。このよう
に形成された導電体層104はバイアスコイルに、同1
03は信号用コイルにそれぞれ用いられる。また、絶縁
体層105を介して導電体層103、104の一部分を
覆うように、パーマロイ等の上部磁性体層102を、蒸
着、電着、スパッター等の方法、およびフォトエッチン
グ技術を用いて形成して磁気ヘッドを構成する。この薄
膜磁気ヘッドにおいて、強磁性体基板101と上部磁性
体102とは、導電体層104、103間のところで接
近する。そのため、信号用コイル103に流した電流に
よつて発生した磁束は、ほとんどこの部分106で、強
磁性体基板101、上部磁性体102間で漏洩してしま
い記録媒体との接触面10T−−の到達量が少なくなる
。このため、この構成のヘッドにおいては、信号記録時
の効率が悪く、信号用コイルに大電流を流さなければ、
記録が困難である。この問題を解決する一手段として、
第2図に示す構成のものが考えられる。
In such a magnetic head, a metal layer is formed by depositing a highly conductive metal on a ferromagnetic substrate 101 that forms part of the magnetic circuit of the magnetic head using a method such as vapor deposition, electrodeposition, or sputtering. A necessary pattern is formed by forming and etching using a photo-etching technique. The conductor layer 104 formed in this way is used as a bias coil.
03 is used for each signal coil. Further, an upper magnetic layer 102 made of permalloy or the like is formed using methods such as vapor deposition, electrodeposition, sputtering, and photo-etching technology so as to partially cover the conductive layers 103 and 104 via the insulating layer 105. to configure a magnetic head. In this thin film magnetic head, the ferromagnetic substrate 101 and the upper magnetic body 102 approach each other between the conductive layers 104 and 103. Therefore, most of the magnetic flux generated by the current flowing through the signal coil 103 leaks between the ferromagnetic substrate 101 and the upper magnetic body 102 at this portion 106, and the contact surface 10T with the recording medium is leaked. The amount reached will decrease. For this reason, in a head with this configuration, the efficiency during signal recording is poor, and unless a large current is passed through the signal coil,
Difficult to record. As a way to solve this problem,
A configuration shown in FIG. 2 can be considered.

すなわち、第1図の構成と特に異なる点は、強磁性体基
板101の前面に凹溝108を設け、この凹溝108に
非磁性絶縁性物質109を充填せしめ、この物質層10
9上に導電体104、103を配設せしめるものである
That is, the main difference from the configuration shown in FIG.
Conductors 104 and 103 are disposed on top of the conductor 9 .

かかる構成によれば、前述の導電体層104と103の
間の部分106での磁束の漏洩はなくなるものである。
According to this configuration, leakage of magnetic flux at the portion 106 between the conductor layers 104 and 103 described above is eliminated.

本発明は、かかる構成における強磁性体基板101の凹
溝108の形成に関するものである。
The present invention relates to the formation of the grooves 108 in the ferromagnetic substrate 101 in such a configuration.

基板101に溝108を設けるには、第3図aに示すよ
うな、鏡面研摩されているフエライト等の磁性体基板1
に、レジストを均一に塗布し露光現像する事により、レ
ジストマスク12を得る(第3図b)。比較的比抵抗の
大きなNi−Znフエライトでは硫酸系の電解エツチン
グ液でエツチする事ができる。エツチングが済むと、レ
ジストを除去した後(第3図c)、電解エツチングによ
つて形成した溝13上に、フエライト等の磁性体基板1
と熱膨張係数の等しいガラス等の非磁性絶縁性物質14
を置き(第3図d)、加熱して溝13中に非磁性絶縁性
物質14を充填する(第3図e)この基板11を再度ラ
ツピング処理して、非磁性絶縁性物質14と磁性体基板
とが面一になるように、平面15を形成する(第3図f
)。このとき工程aの基板1のラツプ面と、平面15と
は、ほぼ平行になるように研摩する。このように形成し
た強磁性体基板101上に、第2図に示すように、アル
ミニウム、金、銅等の非磁性導電体層を、蒸着、電着、
スパツタ一等の方法を用いて被着し、それをフオトエツ
チングやスパツタエツチング等の方法を用いて選択的に
除去して、バイアス用コイル104と信号用コイル10
3を形成する。
To provide the grooves 108 in the substrate 101, a mirror-polished magnetic substrate 1 made of ferrite or the like is used as shown in FIG. 3a.
Then, a resist is uniformly applied and exposed and developed to obtain a resist mask 12 (FIG. 3b). Ni--Zn ferrite, which has a relatively high resistivity, can be etched with a sulfuric acid-based electrolytic etching solution. After the etching is completed, the resist is removed (FIG. 3c), and a magnetic substrate 1 such as ferrite is placed on the groove 13 formed by electrolytic etching.
Non-magnetic insulating material 14 such as glass with the same coefficient of thermal expansion as
(FIG. 3 d) and heated to fill the grooves 13 with the non-magnetic insulating material 14 (FIG. 3 e) This substrate 11 is wrapped again to separate the non-magnetic insulating material 14 and the magnetic material. A plane 15 is formed so that it is flush with the substrate (FIG. 3 f)
). At this time, the lap surface of the substrate 1 in step a and the flat surface 15 are polished so as to be substantially parallel to each other. On the ferromagnetic substrate 101 thus formed, as shown in FIG. 2, a non-magnetic conductive layer of aluminum, gold, copper, etc.
The bias coil 104 and the signal coil 10 are deposited using a method such as sputtering and selectively removed using a method such as photo etching or sputter etching.
form 3.

この両コイル104,103は、上述したようにして溝
に非磁性絶縁性物質を充填して形成したモールド層10
9の上にほぼ位置するよう形成する。次に両コイル10
4,103を電気的に絶縁し、かつ、ギヤツプGを形成
するために、SiO.SiO2等の絶縁体層105を、
蒸着、スパツタ一等の方法を用いて形成する。このよう
にして絶縁された両コイル104,103の一部分を覆
い、ギヤツプGに至る、パーマロイ等の磁性体層102
を、蒸着、電着、スパツタ一等の方法を用ぃて被覆し、
フォトエツチング等の方法を用いて必要な形状に蝕刻す
る。最後に形成された磁気ヘツドを保護するための保護
層111を、蒸着スパツタ一等の方法を用いて形成する
。次にこのように形成された磁気ヘツドの溝加工工程に
おける問題点につ.いて説明する。
Both coils 104 and 103 are formed using a molded layer 10 formed by filling the groove with a non-magnetic insulating material as described above.
It is formed so that it is located almost above 9. Next, both coils 10
4, 103 and to form a gap G, SiO. An insulator layer 105 such as SiO2,
It is formed using a method such as vapor deposition or sputtering. A magnetic layer 102 made of permalloy or the like covers a part of both coils 104 and 103 insulated in this way and reaches the gap G.
is coated using a method such as vapor deposition, electrodeposition, or sputtering,
It is etched into the required shape using a method such as photo etching. Finally, a protective layer 111 for protecting the formed magnetic head is formed using a method such as vapor deposition sputtering. Next, we will discuss the problems in the groove machining process for the magnetic head formed in this way. I will explain.

ラツピング仕上げの第3図fの完了段階において要求さ
れる基板の性質は(1)溝の巾1が一定である事 (2)溝のピツチtが一定である事 ′ フ である。
The characteristics of the substrate required at the completion stage of wrapping finishing as shown in FIG.

このとき、溝の巾及び溝のピッチの仕上り精度は数ミク
ロン以下でなければならない。以上のような条件に対し
て、現在の製造工程では基板の板厚のばらつき、ねじれ
、うねりなどが直接、仕上り状態に影響を与える。先ず
、第3図aにおいては、鏡面研摩された基板1は20m
m角の基板内で板厚が±10ミクロン程度ばらつきをも
ち、鏡面研摩工程の10ツト内における基板間での平均
板厚も±5ミクロン程度ばらつきがある。
At this time, the finishing accuracy of the groove width and groove pitch must be several microns or less. Under the above conditions, in the current manufacturing process, variations in board thickness, twisting, waviness, etc. directly affect the finished state. First, in FIG. 3a, the mirror-polished substrate 1 is 20 m long.
The plate thickness varies by about ±10 microns within an m square substrate, and the average plate thickness among the substrates within 10 spots of the mirror polishing process also varies by about ±5 microns.

また、基板のねじれ、うねりも±5ミクロン程度のばら
つきがある。次にこの基板1を第3図cの工程でエツチ
ングし、eの工程でガラスモールドすると、基板のねじ
れ、うねりが±10ミクロンと大きくなる。
Further, the twist and waviness of the substrate also vary by about ±5 microns. Next, when this substrate 1 is etched in the step shown in FIG.

また工程fで基板1をラツプ定盤に貼付ける場合、貼付
けによる基板のねじれや平行度が基板内で±3ミクロン
は悪くなる。また、ラツプ定盤も±2ミクロンのうねり
があり、全工程で、ラツプ定盤と基板上のラツプ面は±
30ミクロンの平行度誤差がある。この平行度誤差は、
ラツヒソグによりラツプ定盤とラツプ面はほぼ平行とな
ることによつて、基板内での溝の深さのばらつきが±2
5ミクロンあり、また、基板間においては溝深さが±3
0ミクロンもばらつく事になる。必要とされる溝深さは
、5ミクロン以上あれば導電体層間の窪み106を通し
ての、磁束の漏洩は無視できるので、前述の平行度誤差
をいかに少なくするかが問題点となる。一般に、エツチ
ングにおいてはエツチング端面の傾斜角は、プラズマエ
ツチングやスパツタエツチング等の方法を用いないかぎ
り電解エツチングでは60の前後が最大と考えられる。
In addition, when the substrate 1 is attached to the lap surface plate in step f, the twist and parallelism of the substrate due to attachment deteriorate by ±3 microns within the substrate. In addition, the lap surface plate also has an undulation of ±2 microns, and during the entire process, the lap surface on the lap surface plate and the substrate is ±2 microns.
There is a parallelism error of 30 microns. This parallelism error is
Since the lap surface plate and the lap surface are almost parallel with each other due to the latching, the variation in groove depth within the board is reduced by ±2.
5 microns, and the groove depth between the substrates is ±3
It will vary by as much as 0 micron. If the required groove depth is 5 microns or more, leakage of magnetic flux through the recess 106 between the conductive layers can be ignored, so the problem is how to reduce the above-mentioned parallelism error. Generally, in etching, the maximum inclination angle of the etched end face is considered to be around 60° in electrolytic etching unless a method such as plasma etching or sputter etching is used.

このエツチング端面の傾斜があるために、溝深さのばら
つきが30ミクロンあると、溝の巾が±17ミクロンば
らつき、溝のピツチも±17ミクロンずれる。このよう
な大きなばらつきは、次の工程である導電体層のフオト
エツチング工程で許容する事ができない。本発明におい
ては、上記の溝の巾及び溝のピツチのばらつきを、基板
の材料を選択する事によつて改善しようとするものであ
る。第4図は、本発明による材料選択によつて形成した
溝の断面図を示す。
Due to the slope of the etched end face, if the groove depth varies by 30 microns, the groove width varies by ±17 microns and the groove pitch also shifts by ±17 microns. Such large variations cannot be tolerated in the next step, which is the photo-etching step of the conductor layer. The present invention attempts to improve the above-mentioned variations in groove width and groove pitch by selecting the material of the substrate. FIG. 4 shows a cross-sectional view of a groove formed by material selection according to the invention.

この基板21は比抵抗が104Ω?であるNiZnフエ
ライトであり、この場合の電解エツチングの断面である
。第4図に示すように、レジスト22の開口部23の端
部25を中心とする円弧が、ほぼエツチング断面の形状
と一致するようになる。このようにエツチング断面がほ
ぼ円弧になると、この円弧と基板表面とのなす角は、ほ
ぼ90度となり、研摩により基板の溝深さが±30ミク
ロンぱらついたとしても、これを吸収する事ができる。
すなわち、溝の深さをcとすると、ばらつきによる溝巾
の変化はC(1ーJ1−(÷)2)(ただし、Δはばら
つき)と書ける、今溝深さCを100ミクロン、ばらつ
きを30ミクロンとすると、溝巾の変化は±4.6と、
一般のエツチングの場合と比較して、ばらつきは−にな
る。すなわち、エツチング溝断面の形状が円弧に近ずく
と、溝深さのばらつきによる、溝巾及び溝ピツチのばら
つきは吸収できる。電解エツチング溝の断面の形状が円
弧に近ずくのは基板の比抵抗に関連しており、第5図に
示すように比抵抗が数Ω礪のMnZnフエライトでは、
60度前後のエツチング端面の傾斜をしているが20c
TnΩでは略80端となり104Ω?になるとほぼ円弧
となる。
Does this board 21 have a specific resistance of 104Ω? This is NiZn ferrite, and this is a cross section of electrolytic etching in this case. As shown in FIG. 4, the arc centered on the end 25 of the opening 23 of the resist 22 almost matches the shape of the etched cross section. When the etched cross section becomes a nearly circular arc in this way, the angle between this circular arc and the substrate surface is approximately 90 degrees, and even if the groove depth of the substrate fluctuates by ±30 microns due to polishing, this can be absorbed. .
In other words, if the depth of the groove is c, the change in groove width due to variation can be written as C(1-J1-(÷)2) (where Δ is variation).Now, if the groove depth C is 100 microns, and the variation is If it is 30 microns, the change in groove width is ±4.6.
The variation is - compared to the case of general etching. That is, when the cross-sectional shape of the etched groove approaches a circular arc, variations in groove width and groove pitch due to variations in groove depth can be absorbed. The fact that the cross-sectional shape of the electrolytically etched groove approaches a circular arc is related to the specific resistance of the substrate, and as shown in Figure 5, in MnZn ferrite with a specific resistance of several Ω,
The etched end face is inclined at around 60 degrees, but it is 20c.
TnΩ is approximately 80 ends and 104Ω? It becomes almost an arc.

また、108Ω?以上になると、電解エツチングに必要
な電流を得るためには、大きな電圧が必要となり、レジ
スト12の絶縁破壊が生じ実用にならない。エツチング
端面の基板表面とのなす角が80い以上になると、研摩
量による溝巾および溝ピツチの変化も小さくなり、前述
のばらつきを充分吸収できるものである。このように、
比抵抗が20Ω?から107Ω?の間に強磁性フエライ
ト基板12に電界エツチングにより溝を形成した後に基
板上面を研摩する方法を採用することにより、強磁性フ
エライト基板に若干のばらつきがあつても第3図fの完
了段階において要求される前述の(1)(2)の性質を
満足することができる。
Also, 108Ω? In this case, a large voltage is required to obtain the current necessary for electrolytic etching, which causes dielectric breakdown of the resist 12, making it impractical. When the angle between the etched end face and the substrate surface is 80 or more, the change in groove width and groove pitch due to the amount of polishing becomes small, and the above-mentioned variations can be sufficiently absorbed. in this way,
Is the specific resistance 20Ω? From 107Ω? By adopting a method in which grooves are formed in the ferromagnetic ferrite substrate 12 by electric field etching during the process and then the top surface of the substrate is polished, even if there are slight variations in the ferromagnetic ferrite substrate, the requirements can be met at the completion stage shown in Figure 3 f. The above properties (1) and (2) can be satisfied.

第6図は、本発明により形成された溝を利用した薄膜磁
気ヘツドの他の実施例の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of another embodiment of a thin film magnetic head utilizing grooves formed according to the present invention.

第2図の実施例と第6図の実施例の相違点は、第2図に
おいては、バイアス用コイルとして用いられる導電体層
104と信号用コイルとして用いられる導電体層103
がともに溝を埋めているガラス等の絶縁体層108の上
に形成されているのにいられる導電体層104が、強磁
性体基板101に設けられた溝中に形成され、ガラス等
の絶縁体層108の下に埋設され、信号用コイルに用い
られている導電体層103は、前記の溝状に位置するよ
うに配置されている事である。その他は、第2図の実施
例と同様に、SiOやSiO2等の絶縁体層105を介
して、パーマロイ等の強磁性体層102を被着し、ギヤ
ツプ部Gを形成している。この上に、保護層109を形
成し、ガラス等の摺動用の基板110を樹脂などの接着
層111で接着している。第6図のようにバイアス用コ
イルに用いる導電体層104を溝中に埋設すると、コイ
ル断面積は第2図の場合と比較して、100倍も大きく
する事ができる。
The difference between the embodiment in FIG. 2 and the embodiment in FIG. 6 is that in FIG. 2, a conductive layer 104 used as a bias coil and a conductive layer 103 used as a signal coil are used.
A conductive layer 104 is formed in the groove provided in the ferromagnetic substrate 101, and a conductive layer 104 is formed on an insulating layer 108 made of glass or the like that fills the groove. The conductive layer 103 buried under the body layer 108 and used for the signal coil is arranged in the groove shape described above. Otherwise, as in the embodiment shown in FIG. 2, a ferromagnetic layer 102 such as permalloy is deposited via an insulating layer 105 such as SiO or SiO2 to form a gap portion G. A protective layer 109 is formed thereon, and a sliding substrate 110 made of glass or the like is bonded with an adhesive layer 111 made of resin or the like. When the conductor layer 104 used for the bias coil is buried in the groove as shown in FIG. 6, the cross-sectional area of the coil can be made 100 times larger than that shown in FIG.

すなわち、たとえば、巾約6mm(−インチ)のオーデ
イオ用磁気テープを記録するための多素子磁気ヘツドに
用いられるバイアス用導電体層の形状は、第2図の場合
、巾20μn、膜厚1μm、長さ10mT,となり、導
電体層の材料をAl..Au..Cu等とすると、比抵
抗は2μΩ確程度であるので、バイアス用導電体層の抵
抗値は10Ω前後となる。一方バイアス電流は1A前後
必要であるので、バイアス用導電体層で消費される電力
は数wとなり、導電体層はジユール熱を発生するように
なる。第6図の場合では、バイアス用導体層104の素
子断面積は30×200μイと大きくとれるので、導電
体層の抵抗値は0.1Ω以下となる。よつて、バイアス
用導電体層での消費電力も小さく、バイアス電流を流し
ても、発熱する事はない。この実施例についても、前記
の基板面とラツプ定盤との平行度誤差の議論が成り立つ
。しかし、この実施例の場合には、溝中に導電体層が埋
込れているため、前記の第2図の実施例よりも平行度誤
差による影響を受け易く、基板の板厚誤差、ねじれ、う
ねりなどを小さくしなければならない。また、特に、比
抵抗が102Ω?以下の基板を用いると、第2図や第6
図に示したように、基板上に直接、バイアス用導電体層
や信号用導電体層を形成すると、両コイルの電極取出し
部分は基板上に直接付着する事になるので、複数チヤン
ネルを同一基板に持つ薄膜磁気ヘツドでは、各チヤンネ
ル間で信号が混信したりするので、第2図の場合には、
基板101上に絶縁層を被着した後、導電体層を形成し
なければならない。
That is, for example, the shape of a bias conductive layer used in a multi-element magnetic head for recording an audio magnetic tape with a width of about 6 mm (-inch) is, in the case of FIG. 2, a width of 20 μm, a film thickness of 1 μm, The length is 10 mT, and the material of the conductor layer is Al. .. Au. .. If Cu or the like is used, the specific resistance is about 2 μΩ, so the resistance value of the bias conductor layer is about 10Ω. On the other hand, since a bias current of about 1 A is required, the power consumed by the bias conductor layer is several watts, and the conductor layer generates Joule heat. In the case of FIG. 6, the device cross-sectional area of the bias conductor layer 104 can be set to be as large as 30×200μ, so that the resistance value of the conductor layer is 0.1Ω or less. Therefore, power consumption in the bias conductor layer is small, and no heat is generated even when a bias current is passed. In this embodiment as well, the above discussion regarding the parallelism error between the substrate surface and the lap surface plate holds true. However, in the case of this embodiment, since the conductor layer is embedded in the groove, it is more susceptible to parallelism errors than the embodiment shown in FIG. , waviness, etc. must be reduced. Also, in particular, the specific resistance is 102Ω? If you use the following board, it will be possible to
As shown in the figure, if the bias conductor layer and signal conductor layer are formed directly on the substrate, the electrode extraction parts of both coils will be directly attached to the substrate, so multiple channels can be connected to the same substrate. In the case of a thin-film magnetic head held in
After depositing the insulating layer on the substrate 101, a conductive layer must be formed.

また、第6図の場合にも同様に基板101の上に絶縁層
を被着しなければならない。しかし、基板の比抵抗が1
03Ω?以上になると、各チヤンネル間の混信等がなく
なり、基板土に絶縁層を付けずに、直接導電体層を被着
しても問題なくなる。以上のように、本発明の薄膜磁気
ヘツドの製造法においては、薄膜磁気ヘツドの磁気コア
を形成する強磁性フエライト基板に所定Q形状の溝を加
工するに際し、その強磁性フエライト基板の比抵抗を2
02Ω?−107Ω?に設定して電解エツチングにより
行うものであり、プラズマエツチングやスパツタエツチ
ングに比べ、作業能率のよいものであり、また、エツチ
ングにより加工された溝の端部が略直角となるので強磁
性体基板に若干の厚み変化等があつても、研摩量の差異
により、溝の巾およびピツチの変化も小さくなるもので
ある。
Also, in the case of FIG. 6, an insulating layer must be deposited on the substrate 101 as well. However, the resistivity of the substrate is 1
03Ω? In this case, there will be no interference between the channels, and there will be no problem even if the conductor layer is directly applied to the substrate without an insulating layer. As described above, in the method for manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, when forming a predetermined Q-shaped groove in a ferromagnetic ferrite substrate that forms the magnetic core of the thin film magnetic head, the specific resistance of the ferromagnetic ferrite substrate is 2
02Ω? -107Ω? This method is performed by electrolytic etching with a setting of Even if there is a slight change in the thickness of the groove, the difference in the amount of polishing will reduce the change in the width and pitch of the groove.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の薄膜磁気ヘツドの一構成を示す要部断面
図、第2図は本発明により製造された薄薄磁気ヘツドの
一実施例を示す要部断面図、第3図は本発明による基板
の製造工程を示す断面図、第4図は本発明を説明するた
めの要部断面図、第5図は基板の比抵抗とエツチング端
の角度の関係を示す図、第6図は本発明により製造され
た薄膜磁気ヘツドの他の実施例を示す要部断面図である
。 1,101・・・・・・強磁性体基板、12,22・・
・・・・レジスト、13,108・・・・・・凹溝、1
4,109・・・・非磁性絶縁性物質。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing one configuration of a conventional thin-film magnetic head, FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing an embodiment of a thin magnetic head manufactured according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part for explaining the present invention, FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the resistivity of the substrate and the angle of the etched edge, and FIG. FIG. 7 is a sectional view of a main part showing another embodiment of a thin film magnetic head manufactured according to the invention. 1,101...Ferromagnetic substrate, 12,22...
...Resist, 13,108...Concave groove, 1
4,109...Nonmagnetic insulating material.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 少なくとも表面が電解エッチング処理されている凹
溝を有する、比抵抗が20〜10^7Ωcmの強磁性フ
ェライト基板の前記凹溝に非磁性体を充填し、しかる後
にその上面を研摩し、その強磁性フェライト基板を磁気
コアの一部とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 2 強磁性フェライト基板に設けられた凹溝に充填され
る非磁性体を非磁性絶縁体としたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
[Scope of Claims] 1. Filling the grooves of a ferromagnetic ferrite substrate with a specific resistance of 20 to 10^7 Ωcm and having grooves whose surface has been electrolytically etched at least with a non-magnetic material, and then filling the grooves with a non-magnetic material on the upper surface thereof. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: polishing a ferromagnetic ferrite substrate, and using the ferromagnetic ferrite substrate as part of a magnetic core. 2. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 1, wherein the nonmagnetic material filled in the groove provided in the ferromagnetic ferrite substrate is a nonmagnetic insulator.
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