JPS5936740B2 - マスク作製法 - Google Patents
マスク作製法Info
- Publication number
- JPS5936740B2 JPS5936740B2 JP49112154A JP11215474A JPS5936740B2 JP S5936740 B2 JPS5936740 B2 JP S5936740B2 JP 49112154 A JP49112154 A JP 49112154A JP 11215474 A JP11215474 A JP 11215474A JP S5936740 B2 JPS5936740 B2 JP S5936740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- original optical
- pitch
- optical mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細パターン特にストライプ状の微細パター
ンを有する光学的なマスクの作製法に関する。
ンを有する光学的なマスクの作製法に関する。
例えば蓄積管のターゲットに於ては、第１図に示すよう
に管体のフェースプレート１の内面に例えばシリコン５
１層より成る電極２を配し、その表面を酸化させて形成
したＳｉＯ２より成る絶縁体層３を形成し、この絶縁体
層３をフォトエッチングによつて電極２の一部が露出す
るようにストライプ状（ビーム走査線方向と交わる方向
に平行に延長される）に形成して構成されるものがある
。
に管体のフェースプレート１の内面に例えばシリコン５
１層より成る電極２を配し、その表面を酸化させて形成
したＳｉＯ２より成る絶縁体層３を形成し、この絶縁体
層３をフォトエッチングによつて電極２の一部が露出す
るようにストライプ状（ビーム走査線方向と交わる方向
に平行に延長される）に形成して構成されるものがある
。
又、図示せざるも、フェースプレートの内面に全面的に
被着された導電層よりなるターゲット電極上に全面的に
ＳｉＯ２の如き絶縁層を介してビーム走査線方向に交わ
る方向に平行に延長する複数のストライプ状電極を櫛歯
状に形成した第１及び第２の電極群を被着して構成され
るターゲットもある。かかるストライプ状の絶縁体層３
又はストライプ状の電極群はいずれもフォトエッチング
技術を用いて形成するものであるが、そのストライプの
線巾及びピッチが極めて微細であるため、即ち１例とし
てストライプの線巾が５μ、ピッチが１０μと極めて細
かく、為に之をフォトエッチングによつて形成する際の
フォトマスクの作製は困難を極めている。
被着された導電層よりなるターゲット電極上に全面的に
ＳｉＯ２の如き絶縁層を介してビーム走査線方向に交わ
る方向に平行に延長する複数のストライプ状電極を櫛歯
状に形成した第１及び第２の電極群を被着して構成され
るターゲットもある。かかるストライプ状の絶縁体層３
又はストライプ状の電極群はいずれもフォトエッチング
技術を用いて形成するものであるが、そのストライプの
線巾及びピッチが極めて微細であるため、即ち１例とし
てストライプの線巾が５μ、ピッチが１０μと極めて細
かく、為に之をフォトエッチングによつて形成する際の
フォトマスクの作製は困難を極めている。
一方、ストライプパターンのマスクの作製法として、例
えば第１図に示す反復露光装置４を利用した作製法が提
案されている。
えば第１図に示す反復露光装置４を利用した作製法が提
案されている。
これは、ストライプパターンが微細な場合、原図を高倍
率（１０００〜２０００倍）で作成し、この原図から縮
写して第２図に示すような数本〜数十本のストライプ状
の光透過部６〔Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ〕を有する原光学マスク
（マスターレテイクル）５を設ける。この原光学マスク
５を第１図の装置４に固定し、又原光学マスク５に対向
して配されたテーブルＴ上に写真乾板８を載置し、写真
乾板８を第３図の原光学マスク５の光透過部６の長手方
向即ちＸ方向に一軸連続移動させその間はシャッター９
を開放にして光量を一定にしたランプ１０より露光を与
える。１１はレンズである。
率（１０００〜２０００倍）で作成し、この原図から縮
写して第２図に示すような数本〜数十本のストライプ状
の光透過部６〔Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ〕を有する原光学マスク
（マスターレテイクル）５を設ける。この原光学マスク
５を第１図の装置４に固定し、又原光学マスク５に対向
して配されたテーブルＴ上に写真乾板８を載置し、写真
乾板８を第３図の原光学マスク５の光透過部６の長手方
向即ちＸ方向に一軸連続移動させその間はシャッター９
を開放にして光量を一定にしたランプ１０より露光を与
える。１１はレンズである。
次にＸ方向の一軸露光が終る毎に、写真乾板８を原光学
マスク５の光透過部６の延長方向と直交する方向即ちＹ
方向に原光学マスク５の寸法（光透過部６の全体の巾ａ
に相当）づつ移動し再びＸ方向の露光を行う。（第４図
参照）全露光工程が終つた後現像処理すれば多数のスト
ライプ状の光透過部及び遮光部からなるパターンのマス
クが得られる。然るに、この場合原光学マスク５を相対
的にＹ方向に移動して露光したときの継目部分で生ずる
パターンの不一致を防止するために、原光学マスク５と
しては第３図に示すように中間の光透過部６〔Ｂ、Ｃ〕
の線巾を１１としたとき、上下端の光透過部６〔Ａ，Ｄ
〕の線巾１２を１／２１，＋α（αは継目部分でのオー
バラツプ分、蓄積管ターゲツトの場合１，二５μ，α＝
１μ）として構成される。
マスク５の光透過部６の延長方向と直交する方向即ちＹ
方向に原光学マスク５の寸法（光透過部６の全体の巾ａ
に相当）づつ移動し再びＸ方向の露光を行う。（第４図
参照）全露光工程が終つた後現像処理すれば多数のスト
ライプ状の光透過部及び遮光部からなるパターンのマス
クが得られる。然るに、この場合原光学マスク５を相対
的にＹ方向に移動して露光したときの継目部分で生ずる
パターンの不一致を防止するために、原光学マスク５と
しては第３図に示すように中間の光透過部６〔Ｂ、Ｃ〕
の線巾を１１としたとき、上下端の光透過部６〔Ａ，Ｄ
〕の線巾１２を１／２１，＋α（αは継目部分でのオー
バラツプ分、蓄積管ターゲツトの場合１，二５μ，α＝
１μ）として構成される。
これが為に第４図に示すように写真乾板８の露光部１２
の継目部分１２ａにおいては露光されるべき線巾１，に
於て１／２１，＋αの巾で２回露光され露光量が多くな
ることによつて線巾の寸法変化が起きる。この線巾の変
化はピツチむらとなつて現われ，このような露光によつ
て作製したマスクを用いて例えば蓄積管のターゲツトを
形成しテレビ画像を得たとき、継目部分が縞状になつて
現われ画質が劣下する。本発明は、斯る点に鑑み第２図
の反復露光装置４を利用するも露光むらによる線巾変化
の全く生じないストライプパターンのマスク作製法を提
供するものである。
の継目部分１２ａにおいては露光されるべき線巾１，に
於て１／２１，＋αの巾で２回露光され露光量が多くな
ることによつて線巾の寸法変化が起きる。この線巾の変
化はピツチむらとなつて現われ，このような露光によつ
て作製したマスクを用いて例えば蓄積管のターゲツトを
形成しテレビ画像を得たとき、継目部分が縞状になつて
現われ画質が劣下する。本発明は、斯る点に鑑み第２図
の反復露光装置４を利用するも露光むらによる線巾変化
の全く生じないストライプパターンのマスク作製法を提
供するものである。
本発明は、先づ第５図に示す如く互に等しい線巾１，を
有する複数本、本例では３本の光透過部１３〔Ａ，Ｂ，
Ｃ〕を等しいピツチで配夕１ルて成る原光学マスク１４
を設ける。
有する複数本、本例では３本の光透過部１３〔Ａ，Ｂ，
Ｃ〕を等しいピツチで配夕１ルて成る原光学マスク１４
を設ける。
この原光学マスク１４を第２図の反復露光装置４に固定
すると共に之と対向するテーブル７上に最終的にマスク
となる被露光体例えば写真乾板８を載置する。次いで例
えば長いストライプパターンであれば写真乾板をＸ方向
に一軸連続移動させ、その間シヤツタを開放させて露光
する。次にＸ方向の露光が終つた毎に写真乾板８をＹ方
向にある条件の送りピツチで移動し再びＸ方向の露光を
行い，この操作を繰返す。即ちこの送リピツチは，原光
学マスク１４の光透過部６のピツチＰを基準とする所定
ピツチをもつて、即ち本例においては第６図の点線（原
光学マスク１４に相当）にて示すように１ピツチづつと
する。なお、この送リピツチは光透過部６の全巾ａより
小なる所定ピツチに選定される。従つてＹ方向に関して
は第６図に示すように夫々同一露光部１２に於て複数回
、即ち本例では光透過部Ａ，Ｂ，Ｃを通して３回の多重
露光を行うようになす。全露光工程が終つた後、現像す
れば第６図の露光部１２が光透過部として成る目的のマ
スクが得られる。
すると共に之と対向するテーブル７上に最終的にマスク
となる被露光体例えば写真乾板８を載置する。次いで例
えば長いストライプパターンであれば写真乾板をＸ方向
に一軸連続移動させ、その間シヤツタを開放させて露光
する。次にＸ方向の露光が終つた毎に写真乾板８をＹ方
向にある条件の送りピツチで移動し再びＸ方向の露光を
行い，この操作を繰返す。即ちこの送リピツチは，原光
学マスク１４の光透過部６のピツチＰを基準とする所定
ピツチをもつて、即ち本例においては第６図の点線（原
光学マスク１４に相当）にて示すように１ピツチづつと
する。なお、この送リピツチは光透過部６の全巾ａより
小なる所定ピツチに選定される。従つてＹ方向に関して
は第６図に示すように夫々同一露光部１２に於て複数回
、即ち本例では光透過部Ａ，Ｂ，Ｃを通して３回の多重
露光を行うようになす。全露光工程が終つた後、現像す
れば第６図の露光部１２が光透過部として成る目的のマ
スクが得られる。
なお、このようにして得たマスクをマスターマスクとし
て、周知の技術（例えばフオトエツチング技術、等）を
用いてさらに同一パターンのマスクを作製することもで
きる。上述せる本発明によれば、乾板８と原光学マスク
１４とを相対的に移動させて順次所定パターンに露光す
る場合、全露光部に対し全て同一回数の多重露光が行な
われることによつて全露光部に対し各部平均した露光量
を与えることが出来、露光むらを解消して全面にわたつ
て均一な線巾を有するストライプ群が得られる。
て、周知の技術（例えばフオトエツチング技術、等）を
用いてさらに同一パターンのマスクを作製することもで
きる。上述せる本発明によれば、乾板８と原光学マスク
１４とを相対的に移動させて順次所定パターンに露光す
る場合、全露光部に対し全て同一回数の多重露光が行な
われることによつて全露光部に対し各部平均した露光量
を与えることが出来、露光むらを解消して全面にわたつ
て均一な線巾を有するストライプ群が得られる。
なお露光開始と露光終了とにおいて多重露光が行なわれ
ない部分が生ずるも、この部分は不要部分として有効領
域から削除すればよい。このような多重露光を経て微細
なストライプパターンのマスクを作製したところ、露光
むらによる周期的な線巾変化は全く発生せず、良好なマ
スクが得られるを認めた。
ない部分が生ずるも、この部分は不要部分として有効領
域から削除すればよい。このような多重露光を経て微細
なストライプパターンのマスクを作製したところ、露光
むらによる周期的な線巾変化は全く発生せず、良好なマ
スクが得られるを認めた。
従つて、本発明によるマスク作製法は、例えば蓄積管の
ターゲツトの形成用マスクの作成に適用できる他、同様
のストライプパターンを必要とする各種のマスクの作製
に適用して好適ならしめるものである。
ターゲツトの形成用マスクの作成に適用できる他、同様
のストライプパターンを必要とする各種のマスクの作製
に適用して好適ならしめるものである。
第１図は本発明の説明に供する蓄積管のターゲツトの一
例を示す断面図、第２図は本発明の説明に供する反復露
光装置の一例を示す配置図、第３図は従来のマスク作製
法で用いた原光学マスクを示す平面図、第４図は従来の
マスク作製法による露光状態を示す平面図、第５図は本
発明に用いられる原光学マスクの平面図、第６図は本発
明のマスク作製法による露光状態を示す平面図である。 ４は反復露光装置、７はテーブル、８は写真乾板、９は
シヤツタ、１０はランプ、１３〔Ａ，Ｂ，Ｃ〕はストラ
イプ状の光透過部、１４は原光学マスク、１２は露光部
分である。
例を示す断面図、第２図は本発明の説明に供する反復露
光装置の一例を示す配置図、第３図は従来のマスク作製
法で用いた原光学マスクを示す平面図、第４図は従来の
マスク作製法による露光状態を示す平面図、第５図は本
発明に用いられる原光学マスクの平面図、第６図は本発
明のマスク作製法による露光状態を示す平面図である。 ４は反復露光装置、７はテーブル、８は写真乾板、９は
シヤツタ、１０はランプ、１３〔Ａ，Ｂ，Ｃ〕はストラ
イプ状の光透過部、１４は原光学マスク、１２は露光部
分である。
Claims (1)
- １ 複数の光透過部を互に等しいピッチで配列して成る
原光学マスクと最終的にマスクとなる被露光体とを互に
対向し、原光学マスクと被露光体とを上記ピッチを基準
とする所定ピッチをもつて相対的に移動して同一露光部
を多重露光せしめるようにして成るマスク作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49112154A JPS5936740B2 (ja) | 1974-09-27 | 1974-09-27 | マスク作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49112154A JPS5936740B2 (ja) | 1974-09-27 | 1974-09-27 | マスク作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5138878A JPS5138878A (ja) | 1976-03-31 |
| JPS5936740B2 true JPS5936740B2 (ja) | 1984-09-05 |
Family
ID=14579575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49112154A Expired JPS5936740B2 (ja) | 1974-09-27 | 1974-09-27 | マスク作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936740B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198861A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-02 | Hoya Corp | レテイクル |
-
1974
- 1974-09-27 JP JP49112154A patent/JPS5936740B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5138878A (ja) | 1976-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4021239A (en) | Method of exposing parallel stripe-like areas on photosensitive member | |
| US4159177A (en) | Color display tube, method of manufacturing such a display tube having a shadow mask, and reproduction mask for use in such a method | |
| JPS5936740B2 (ja) | マスク作製法 | |
| US5338627A (en) | Method for manufacturing rotary screen | |
| JPH0555102A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN113050386B (zh) | 数字曝光方法、电子元器件基板及其制备方法 | |
| EP0146226B1 (en) | Methods of and apparatus for applying stripe-patterned fluorescent films to screen portions of colour cathode ray tubes | |
| US3698903A (en) | Method of making a graded photo-printing master | |
| JP4447238B2 (ja) | パターン描画方法及びフォトマスクの製造方法 | |
| JPS62166520A (ja) | 微細パタ−ンのパタ−ニング法 | |
| JPS6231854A (ja) | 液晶表示電極基板の製造方法 | |
| JPS621246B2 (ja) | ||
| SU1391508A3 (ru) | Способ фотографического нанесени структуры экрана электронно-лучевой трубки | |
| JPS6145342B2 (ja) | ||
| JPS60127640A (ja) | シヤドウマスク形カラ−ブラウン管及びその製造方法 | |
| JPS6358825A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US4211477A (en) | Light exposing prism system for use in forming phosphor plane of color picture tube | |
| JPH04248520A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| GB1562093A (en) | Light intesity distribution correcting filter and manufacturing mehtod of the same | |
| JPS5815785B2 (ja) | シヤドウマスクセイサクヨウゲンバンノ セイゾウホウホウ | |
| JPH02218115A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000306818A (ja) | ストライプ状パターンの露光方法 | |
| JPS5877229A (ja) | パタ−ン転写用マスクおよびその製造方法 | |
| KR19990024798A (ko) | Vsb 방식을 이용한 반도체 소자의 노광방법 | |
| DE2325595A1 (de) | Speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung |