JPS5938652B2 - 静電容量値の変化検出型再生素子の再生針 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 情報信号と対応するピットが配列されることによつて形
成された記録跡を有する情報記録媒体円盤（ディスク）
における記録跡上に再生素子（ピックアップ）の再生針
を摺接し、記録跡中の情報信号の状態に従つて生じる静
電容量値の変化を電気量の変化として検出することによ
り、ディスクに高密度で記録されている情報信号を再生
するようにしたいわゆる静電容量値の変化検出型の情報
記録再生方式は、ディスクにおける記録跡中における記
録跡中の情報信号の読取りが、再生針に設けた電極によ
り静電容量値の変化の検出によつて行なわれるから、前
記した再生針に設ける電極の厚さ寸法を情報信号と対応
するピットの長さ（記録跡が延びている方向におけるピ
ットの大きさ）寸法に比べて充分に小さくして分解能を
高めることができ、したがつて、ディスクの回転数を低
くしても情報信号の記録再生が可能となるという特長を
有する他に、多くの利点を有していることから、その実
用化研究が推進されて来ている。

ところで、静電容量値の変化検出型の情報記録再生方式
では、電極部が設けられている再生針をディスク上に摺
接させながら記録情報の検出を行なうようにしているこ
とは既述のとおりであるが、ディスクは誘電体物質を主
体にして作られており、また、ディスクと摺接した状態
で使用される再生針も、耐摩耗性を有する高硬度材料の
誘電体物質、例えば、サファイア、ダイヤモンドなどを
用いて再生針本体が作られているからディスクから情報
信号の再生を行なうために、高速回転するディスク面上
に再生針を摺接させた場合には、ディスク面及び再生針
本体に静電荷が蓄積して行く。そして前記の静電荷が再
生針本体に設けられている電極部に放電すると、微細な
形状寸法を有する電極部が放電により溶解飛散されてし
まうようなことも起こる。本発明は、静電容量値の変化
検出型再生素子の再生針における再生針本体に信号検出
用の電極部の他に、ディスクや再生針本体に生じた静電
荷を放電させるための電極部をも設けた再生針を提供し
て、上述した問題点を解決したものであり、以下、本発
明の再生針の具体的な内容を添付図面を参照しながら詳
細に説明する。

第１図乃至第４図は本発明の静電容量値の変化検出型再
生素子の再生針の各異なる実施態様のものを摺接面側か
らみた平面図であり、第１図乃至第４図において、１は
耐摩耗性を有する高硬度材料、例えば、ダイヤモンド、
サファイアなどで作られた再生針本体の底部に形成され
た摺接面、２は再生針本体の電極付着形成面上に付着さ
れている導電性物質の薄膜よりなる信号検出用の電極部
であり、図面中には摺接面１の端部に現われる電極端部
が示されている。

また、各図中において３はデイスク及び再生針本体に生
じた静電荷を放電させるための放電用の電極部である。

第１図乃至第３図示の構成例のものにおいて、前記した
信号検出用の電極部２と放電用の電極部３とは、周知の
適当な手段の適用によつて、導電件物質の所定パターン
の薄膜を再生針本体上に付着させることによつて構成さ
れたものであり、また、第４図示の構成例のものにおけ
る信号検出用の電極部２と放電用の電極部３とは、再生
針本体の電極付着形成面上に付着形成させた高抵抗物質
層１の両側端部付近の高抵抗物質を、酸化、還元、元素
ドーピング、イオン注入などの処理手段の適用により導
電物質に変化させることによつて形成されたものであり
、また、第４図中のＰは例えばアルミナを蒸着あるいは
スパツタリングするなどして得た保護層であり、この保
護層Ｐは、高抵抗物質層１の両側端部を導電性化するた
めの処理工程時に、必要な部分以外の高抵抗物質層が導
電性されることを有効に防止する。前記した高抵抗物質
層の構成物質としては、それが酸化、あるいは還元され
たり、それに、元闘素ドーピング―またはイオン注入な
どが行なわれたりした時に、高抵抗物質が導電注を有す
る状態に変化されるような絶縁物や半導体の内から適当
なものが選択使用されるのである。例えば、高抵抗物質
層１の構成物質として絶縁物である酸化第ｃｌ錫が使用
された時は、高抵抗物質層をそれの両側端部から酸化処
理を行なつて、高抵控物質層の両側端部に導電性を有す
る酸化第２錫よりなる電極部を構成させたり、あるいは
高抵抗物質層をそれの両端部から還元処理を行なつて、
高抵抗物質５層の両側端部に導電性を有する金属錫より
なる電極部２，３を構成させることができるのである。
また、前記した高抵抗物質層１の構成物質としては酸化
チタンや酸化ハフニウムを用いてもよく、その場合には
高抵抗物質層１の両側端部から還元４処理を行なうこと
により、高抵抗物質層の両側端部に導電性を有する電極
部２，３を形成させることができる。なお、高抵抗部質
層１の構成物質として酸化ハフニウムが用いられていた
場合には、高抵抗物質層１の両側端部を還元処理した後
に、炭化処理を行なつて、高抵抗物質層の両側端部に導
電性物質である炭化ハフニウムによる電極部が構成され
るようにするとよく、また、再生針本体の構成材料がダ
イヤモンドであつた場合には、ダイヤモンド自体が高抵
抗物質層となつているから、再生針に対する研磨工程の
終了後に、大気中、あるいは安定な定量酸素雰囲気中に
おいて、再生針の所望の個所に強力なレーザ光を照射し
、その部分のダイヤモンドの構成元素の炭素を導電性炭
素層に変換させるようにするとよい。第１図乃至第４図
中における矢印４は、再生針に対するデイスク面の進行
方向を示したものであり、放電用の電極３は再生針にお
ける導入側に設けられているのである。

接地されている放電用の電極３は、それに対する放電が
確実に行なわれるように、信号検出用の電極２に比べて
電気抵抗値が低いものとなされていることが望ましい。
また、接地されている放電用の電極部３に放電が確実に
行なわれようにするために、第３図示の構成例のように
、摺接面の周縁部に設けた電極５によつて信号検出用の
電極部２と放電用の電極部３とが接続されるようになさ
れてもよい。この場合の電極５は、信号検出用の電極部
２による信号の検出作用が電極５を設けたことによつて
悪影響を受けることがないように充分に高い抵抗値のも
のとなされることが必要である。以上、詳細に説明した
ところから明らかなように、本発明の再生針では、再生
針本体に設けられた信号検出用の電極部の近くに、放電
用の電極部を設けたことにより、再生動作時にデイスク
面や再生針本体に蓄積された静電荷が放電用の電極部に
良好に放電されるために、放電が起きても信号検出用の
電極部が破壊されるようなことは生じないのであり、本
発明によれば従来の問題点が良好に解消されるのである
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明の再生針の各異なる実施態様
のものの摺接面側からの平面図である。 １・・・・・・摺接面、２・・・・・・信号検出用の電
極部、３・・・・・・放電用の電極音臥 ５・・・・・
・電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 情報信号と対応するピットが配列されることによつ
   て形成された記録跡を有する情報記録媒体円盤における
   記録跡に摺接して、前記の記録跡中の情報信号を静電容
   量値の変化に応じた電気量の変化として取出しうるよう
   な電極部を備えている静電容量値の変化検出型再生素子
   の再生針において、再生針本体に情報信号検出用の電極
   部の他に、情報記録媒体円盤や再生針本体に生じた静電
   荷を放電させるための電極部をも設けてなる静電容量値
   の変化検出型再生素子の再生針。