JPS5944779B2 - 自動ダイボンダの突上げコレツト - Google Patents
自動ダイボンダの突上げコレツトInfo
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- JPS5944779B2 JPS5944779B2 JP55090115A JP9011580A JPS5944779B2 JP S5944779 B2 JPS5944779 B2 JP S5944779B2 JP 55090115 A JP55090115 A JP 55090115A JP 9011580 A JP9011580 A JP 9011580A JP S5944779 B2 JPS5944779 B2 JP S5944779B2
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- Japan
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- collet
- semiconductor chip
- automatic die
- die bonder
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
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- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の組立てに使用される自動ダイボ
ンダの突上げコレットに関するものである。
ンダの突上げコレットに関するものである。
近年半導体装置の組立て工程における自動化の進展には
著しいものがあるが、その中でも、半導体チップを半導
体装置用フレームに接続する自動ダイボンダは最も重要
な装置の一つである。
著しいものがあるが、その中でも、半導体チップを半導
体装置用フレームに接続する自動ダイボンダは最も重要
な装置の一つである。
従来この種の装置として第１図に示すようなものが用い
られていた。同図においてアーム１に装着されたヘッド
２は、水平方向の往復および上下動が可能であり、その
下面に吸着コレット３を備えている。吸着コレット３は
吸気用の細孔を有しており、真空ホース４を通じて図示
しない真空排気装置に接続されている。ヘッド２の下面
には吸着コレット３と並んで受光器５が設けられている
。ヘッド２の水平動の径路の下方には突上げコレット６
が装着されている。この突上げコレット６は投光器を内
蔵し、その光は該突上げコレット６の先端から上方に投
ぜられる。このような自動ダイボンダによつてダイボン
ディングを行なう場合、第２図に示すようにヘッド２の
水平径路の下方にヒータＴを内蔵したプラテン８を置き
、この上に半導体装置用フレーム９を載置する。
られていた。同図においてアーム１に装着されたヘッド
２は、水平方向の往復および上下動が可能であり、その
下面に吸着コレット３を備えている。吸着コレット３は
吸気用の細孔を有しており、真空ホース４を通じて図示
しない真空排気装置に接続されている。ヘッド２の下面
には吸着コレット３と並んで受光器５が設けられている
。ヘッド２の水平動の径路の下方には突上げコレット６
が装着されている。この突上げコレット６は投光器を内
蔵し、その光は該突上げコレット６の先端から上方に投
ぜられる。このような自動ダイボンダによつてダイボン
ディングを行なう場合、第２図に示すようにヘッド２の
水平径路の下方にヒータＴを内蔵したプラテン８を置き
、この上に半導体装置用フレーム９を載置する。
他方、突上げコレット６の上方には接着シート１０に貼
付けられた半導体チップ１１が配置される。この半導体
チップ１１が貼付けられた接着シート１０は水平面内で
の移動が自由であり、図示しない監視カメラによる検出
結果に基づいて選択された良品の半導体チップ１１を突
上げコレット６の上に位置合わせする。ここでヘッド２
が水平移動して該半導体チップ１１の上方に達すると、
第３図に示すように下から突上げコレット６が上昇して
半導体チップ１１を突上げ、接着テープ１０から剥がす
。この時同時にヘッド２が下降し、吸着コレット３によ
り半導体チップ１１を吸着保持する。半導体チップ１１
を保持したヘッド２は先の径路を逆に移動して第４図に
示すように半導体装置用フレーム９の金メッキ等が施さ
れた接続個所に半導体チップ１１を圧着する。該フレー
ム９はヒータＴによつて加熱されているため、半導体チ
ップ１１は該フレーム９に溶着され、ボンディングが完
了する。上述したボンディング工程において、ヘッド２
が半導体チップ１１を吸着に向かう往路においては、受
光器５が吸着コレツト３に先行して半導体チツプ１１の
上方を通過するが、この時、目的の半導体チツプ１１が
突上げコレツト６の上に位置していれば、投光器１２の
光は該半導体チツプ１２にさえぎられて受光器５に達す
ることはない。しかるに第３図のように半導体チツプ１
１を吸着したヘツド２が、該半導体チツプ１１を保持し
たまま半導体装置用フレーム９に向つて戻る復路におい
ては、受光器５は吸着コレット３の後を追う形となるた
めに、吸着コレツト３が半導体チツブ１１を正しく吸着
してピツクアツプした場合には、突上げコレツト６の上
方を通過する際に投光器１２の光が受光器５によつてキ
ヤツチされる。このように突上げコレツト６に投光器１
２を設け、その光が、ヘツド２の往路においては受光器
５に入射することなく、かつ復路においては入射するこ
とにより、半導体チツプ１１が正常にピツクアツプされ
たことが判断されるようになつている。この突上げコレ
ツト６は第５図に示すように先端が細くなつた円筒状の
保持台６ａと、その先端に嵌込まれた突上げ部６ｂとに
よつて構成される。この突上げ部６ｂは透光性を有し、
その径は先端に向かつて小さくなり、先端に小面積の突
上げ面６ｃが設けられている。ここで、この突上げ部６
ｂのうち実際に光を通すのは平たんな突上げ面６ｃの範
囲のみであり、テーパ部は加工による表面の凹凸が激し
くて事実上光を通さない。従つて、受光器５によつて検
出されるに汁分な光を通すために突上げ平面６ｃの寸法
として最低０．３〜０．４１１の直径が必要である。し
かしながら、この突上げ面６ｃの寸法が大きいと、第６
図に示すように突上げコレツト６が、接着テーブ１０を
介して半導体チツプ１１を突上げる際に該半導体チツブ
１１と広い面積で接触するために、半導体チツプ１１が
接着テープ１０から剥がれにくくなる。このため該半導
体素子１１が吸着コレツトによつてピツクアツプされ損
なつたり、正常な位”置からずれたり傾いたりした状態
でビツクアツプされる欠点が生じた。この発明の目的は
、ピツクアツプミスやチツプ位置ずれ、角度ずれ等をな
くした自動ダイボンダの突上げコレツトを提供すること
にある。
付けられた半導体チップ１１が配置される。この半導体
チップ１１が貼付けられた接着シート１０は水平面内で
の移動が自由であり、図示しない監視カメラによる検出
結果に基づいて選択された良品の半導体チップ１１を突
上げコレット６の上に位置合わせする。ここでヘッド２
が水平移動して該半導体チップ１１の上方に達すると、
第３図に示すように下から突上げコレット６が上昇して
半導体チップ１１を突上げ、接着テープ１０から剥がす
。この時同時にヘッド２が下降し、吸着コレット３によ
り半導体チップ１１を吸着保持する。半導体チップ１１
を保持したヘッド２は先の径路を逆に移動して第４図に
示すように半導体装置用フレーム９の金メッキ等が施さ
れた接続個所に半導体チップ１１を圧着する。該フレー
ム９はヒータＴによつて加熱されているため、半導体チ
ップ１１は該フレーム９に溶着され、ボンディングが完
了する。上述したボンディング工程において、ヘッド２
が半導体チップ１１を吸着に向かう往路においては、受
光器５が吸着コレツト３に先行して半導体チツプ１１の
上方を通過するが、この時、目的の半導体チツプ１１が
突上げコレツト６の上に位置していれば、投光器１２の
光は該半導体チツプ１２にさえぎられて受光器５に達す
ることはない。しかるに第３図のように半導体チツプ１
１を吸着したヘツド２が、該半導体チツプ１１を保持し
たまま半導体装置用フレーム９に向つて戻る復路におい
ては、受光器５は吸着コレット３の後を追う形となるた
めに、吸着コレツト３が半導体チツブ１１を正しく吸着
してピツクアツプした場合には、突上げコレツト６の上
方を通過する際に投光器１２の光が受光器５によつてキ
ヤツチされる。このように突上げコレツト６に投光器１
２を設け、その光が、ヘツド２の往路においては受光器
５に入射することなく、かつ復路においては入射するこ
とにより、半導体チツプ１１が正常にピツクアツプされ
たことが判断されるようになつている。この突上げコレ
ツト６は第５図に示すように先端が細くなつた円筒状の
保持台６ａと、その先端に嵌込まれた突上げ部６ｂとに
よつて構成される。この突上げ部６ｂは透光性を有し、
その径は先端に向かつて小さくなり、先端に小面積の突
上げ面６ｃが設けられている。ここで、この突上げ部６
ｂのうち実際に光を通すのは平たんな突上げ面６ｃの範
囲のみであり、テーパ部は加工による表面の凹凸が激し
くて事実上光を通さない。従つて、受光器５によつて検
出されるに汁分な光を通すために突上げ平面６ｃの寸法
として最低０．３〜０．４１１の直径が必要である。し
かしながら、この突上げ面６ｃの寸法が大きいと、第６
図に示すように突上げコレツト６が、接着テーブ１０を
介して半導体チツプ１１を突上げる際に該半導体チツブ
１１と広い面積で接触するために、半導体チツプ１１が
接着テープ１０から剥がれにくくなる。このため該半導
体素子１１が吸着コレツトによつてピツクアツプされ損
なつたり、正常な位”置からずれたり傾いたりした状態
でビツクアツプされる欠点が生じた。この発明の目的は
、ピツクアツプミスやチツプ位置ずれ、角度ずれ等をな
くした自動ダイボンダの突上げコレツトを提供すること
にある。
このような目的を達成するために、この発明による自動
ダイボンダの突上げコレツトは、チツプ有無検出用の光
の径路となる部分を半導体チツプを突上げる部分とは別
個に設けたことにより、受光器に感知されるに十分な光
量を確保しつつ、該突上げ面の面積を十分に小さくして
突上げ効果を高めたものである。
ダイボンダの突上げコレツトは、チツプ有無検出用の光
の径路となる部分を半導体チツプを突上げる部分とは別
個に設けたことにより、受光器に感知されるに十分な光
量を確保しつつ、該突上げ面の面積を十分に小さくして
突上げ効果を高めたものである。
以下図面を用いてこの発明による自動ダイボンダの突上
げコレツトを詳細に説明する。第７図は、この発明によ
る自動ダイボンダの突上げコレツトの一実施例を示す断
面図である。
げコレツトを詳細に説明する。第７図は、この発明によ
る自動ダイボンダの突上げコレツトの一実施例を示す断
面図である。
同図において突上げコレツト１３は円筒部材１３ａおよ
びその先端に突出した突上げ部材１３ｂによつて構成さ
れ、該円筒部材１３ａの内部空間には投光器１２を有し
ている。この突上げコレツト１３は、第１図に示す突上
げコレツト６と同様に同図に示すような自動ダイボンダ
の一部として使用される。上述した突上げ部材１３ｂは
先端に向かつて細くテーパ加工が施され、その最先端面
は直径０．１ｍ１の微小な突上げ面１３ｃを構成してい
る。この突上げ面１３ｃの近傍のテーパ面から円筒部材
１３ａの内部空間まで、突上げ部材１３ｂを貫通して細
孔１４が突上げ方向に沿つて延在している。以下、上記
構成による自動ダイボンダの突上げコレツトを用いてダ
イボンデイングする場合について詳細に説明する。先ず
、第２図に示すと同様にボンデイングの対象となる半導
体装置用フレーム９と半導体チツプ１１とを配置する。
びその先端に突出した突上げ部材１３ｂによつて構成さ
れ、該円筒部材１３ａの内部空間には投光器１２を有し
ている。この突上げコレツト１３は、第１図に示す突上
げコレツト６と同様に同図に示すような自動ダイボンダ
の一部として使用される。上述した突上げ部材１３ｂは
先端に向かつて細くテーパ加工が施され、その最先端面
は直径０．１ｍ１の微小な突上げ面１３ｃを構成してい
る。この突上げ面１３ｃの近傍のテーパ面から円筒部材
１３ａの内部空間まで、突上げ部材１３ｂを貫通して細
孔１４が突上げ方向に沿つて延在している。以下、上記
構成による自動ダイボンダの突上げコレツトを用いてダ
イボンデイングする場合について詳細に説明する。先ず
、第２図に示すと同様にボンデイングの対象となる半導
体装置用フレーム９と半導体チツプ１１とを配置する。
ヘツド２が目的の半導体チツブ１１まで水平移動すると
、第８図に示すように下から突上げコレツト１３が上昇
して半導体チツプ１１を突上げ、接着テーブ１０から貼
がす。この時、第３図に示すと同様にヘツド２が下降し
、吸着コレツト３の下端に該半導体チツプ１１を吸着す
る。次いでヘツド２は半導体チツブ１１を吸着保持した
まま半導体装置用フレーム９に向かつて戻り、運んで来
た半導体チツプ１１を該半導体装置用フレーム９の所望
個所に溶着させる。この時も、半導体チツブ１１が確実
に吸着されかつ搬送されたかの判断は、投光器１２の発
する光がヘツド２の往路においては受光器５によつて受
光されずかつ復路においては受光されることによつて行
なわれる。この場合、投光器１３から発せられる光は突
上げ部材１３ｂを貫通する細孔１４を通して上方に投ぜ
られる。従つて、従来この光を突上げ面から得ていた場
合のように十分な光量を得るために突上げ面を大きくす
る必要がないために、突上げ面１３ｃはその直径が０．
１ｍｍと非常に゛小さく形成されている。この結果、突
上げコレツト１３が半導体チツプ１１を突上げた時に、
該突上げコレツト１３と半導体チツプ１１を貼り付けて
いる接着シート１０とは極く小さな面積で接触する。従
つて半導体チツプ１１と接着シート１０との接触面積も
小さくなるため、吸着コレツト３によつて吸引された時
に容易に剥れて該吸着コレツト３に吸着される。このよ
うに突上げコレツトによ．る突上げ効果が増大する結果
、ピツクアツプミスやチツプの位置ずれ、角度ずれ等の
機会が減少する。以上説明したようにこの発明による自
動ダイボンダの突上げコレツトによれば、半導体チツプ
が吸着コレツトによつて正常にピツクアツプされたかを
判断するのに必要なチツプ有無検出用の光を投する径路
として、半導体チツプを突上げる先端部からずらした位
置に細孔を設けたことにより、検出用の光量を減少させ
ることなしに、従来０．３〜０．４ｍｍ必要であつた突
上げ面の寸法を０．１ｍｍ以下と小さくすることができ
る。
、第８図に示すように下から突上げコレツト１３が上昇
して半導体チツプ１１を突上げ、接着テーブ１０から貼
がす。この時、第３図に示すと同様にヘツド２が下降し
、吸着コレツト３の下端に該半導体チツプ１１を吸着す
る。次いでヘツド２は半導体チツブ１１を吸着保持した
まま半導体装置用フレーム９に向かつて戻り、運んで来
た半導体チツプ１１を該半導体装置用フレーム９の所望
個所に溶着させる。この時も、半導体チツブ１１が確実
に吸着されかつ搬送されたかの判断は、投光器１２の発
する光がヘツド２の往路においては受光器５によつて受
光されずかつ復路においては受光されることによつて行
なわれる。この場合、投光器１３から発せられる光は突
上げ部材１３ｂを貫通する細孔１４を通して上方に投ぜ
られる。従つて、従来この光を突上げ面から得ていた場
合のように十分な光量を得るために突上げ面を大きくす
る必要がないために、突上げ面１３ｃはその直径が０．
１ｍｍと非常に゛小さく形成されている。この結果、突
上げコレツト１３が半導体チツプ１１を突上げた時に、
該突上げコレツト１３と半導体チツプ１１を貼り付けて
いる接着シート１０とは極く小さな面積で接触する。従
つて半導体チツプ１１と接着シート１０との接触面積も
小さくなるため、吸着コレツト３によつて吸引された時
に容易に剥れて該吸着コレツト３に吸着される。このよ
うに突上げコレツトによ．る突上げ効果が増大する結果
、ピツクアツプミスやチツプの位置ずれ、角度ずれ等の
機会が減少する。以上説明したようにこの発明による自
動ダイボンダの突上げコレツトによれば、半導体チツプ
が吸着コレツトによつて正常にピツクアツプされたかを
判断するのに必要なチツプ有無検出用の光を投する径路
として、半導体チツプを突上げる先端部からずらした位
置に細孔を設けたことにより、検出用の光量を減少させ
ることなしに、従来０．３〜０．４ｍｍ必要であつた突
上げ面の寸法を０．１ｍｍ以下と小さくすることができ
る。
従つて、接着テープに貼られた半導体チツプを該接着テ
ーブを介して突上げた時の接触面積が小さくなるため半
導体チツプを突上げて接着テープから剥がす効果が増大
する。この結果、吸着コレツトは容易に半導体チツプを
吸着し、ピツクアツプミスや、チツプ位置ずれ、角度ず
れ等のトラブルを減少させることができる効果を有する
ーブを介して突上げた時の接触面積が小さくなるため半
導体チツプを突上げて接着テープから剥がす効果が増大
する。この結果、吸着コレツトは容易に半導体チツプを
吸着し、ピツクアツプミスや、チツプ位置ずれ、角度ず
れ等のトラブルを減少させることができる効果を有する
第１図は従来の自動ダイボンダの一例を示すｒ視図、第
２図ないし第４図は第１図の要部を示１正面図、第５図
および第６図は従来の自動ダイボンダの突上げコレツト
の一例を示す断面図およびその突上げ動作を示す一部断
面図、第７図および第８図はこの発明による自動ダイボ
ンダの突上げコレツトの一実施例を示す断面図およびそ
の突上げ動作を示す一部断面図である。 １１・・・・・・半導体チツプ、１２・・・・・・投光
器、１３・・・・・・突上げコレツト、１３ａ・・・・
・・円筒部材、１３ｂ・・・・・・突上げ部材、１３ｃ
・・・・・・突上げ面、１４・・・・・・細孔。
２図ないし第４図は第１図の要部を示１正面図、第５図
および第６図は従来の自動ダイボンダの突上げコレツト
の一例を示す断面図およびその突上げ動作を示す一部断
面図、第７図および第８図はこの発明による自動ダイボ
ンダの突上げコレツトの一実施例を示す断面図およびそ
の突上げ動作を示す一部断面図である。 １１・・・・・・半導体チツプ、１２・・・・・・投光
器、１３・・・・・・突上げコレツト、１３ａ・・・・
・・円筒部材、１３ｂ・・・・・・突上げ部材、１３ｃ
・・・・・・突上げ面、１４・・・・・・細孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内部空間に投光器を収容した中空部材と、該中空部
材から外部に突出した突上げ部材と、該突上げ部材の先
端に位置する小面積の突上げ面と、該突上げ面の近傍か
ら該中空部材の内部空間に至る細孔とを備え、該細孔は
該突上げ面が半導体チップを突上げる突上げ方向にほぼ
平行に延在していることを特徴とする自動ダイボンダの
突上げコレット。 ２ 突上げ面の寸法は０．１ｍｍ以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の自動ダイボンダの突
上げコレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55090115A JPS5944779B2 (ja) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | 自動ダイボンダの突上げコレツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55090115A JPS5944779B2 (ja) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | 自動ダイボンダの突上げコレツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715431A JPS5715431A (en) | 1982-01-26 |
| JPS5944779B2 true JPS5944779B2 (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13989508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55090115A Expired JPS5944779B2 (ja) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | 自動ダイボンダの突上げコレツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944779B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100346482B1 (ko) * | 1994-12-03 | 2002-11-23 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 다이본딩의이젝팅장치 |
| US6889427B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-05-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Process for disengaging semiconductor die from an adhesive film |
-
1980
- 1980-06-30 JP JP55090115A patent/JPS5944779B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715431A (en) | 1982-01-26 |
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