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JPS596060B2 - 半導体装置の検査方式 - Google Patents
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JPS596060B2 - 半導体装置の検査方式 - Google Patents

半導体装置の検査方式

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JPS596060B2
JPS596060B2 JP54019313A JP1931379A JPS596060B2 JP S596060 B2 JPS596060 B2 JP S596060B2 JP 54019313 A JP54019313 A JP 54019313A JP 1931379 A JP1931379 A JP 1931379A JP S596060 B2 JPS596060 B2 JP S596060B2
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JP
Japan
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wire
bonding
lead
semiconductor
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JP54019313A
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清之 多田
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Sharp Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造過程における半導体チップの
特性検査方式に関するものである。
所定の工程を得て製造された半導体装置は、最終的に所
望の特性が得られるか否かが検査され、その検査結果に
よつて良、不良が決定されている。この種の検査工程は
従来の半導体装置製造においては、半導体チップとリー
ドフレームとの間のワイヤボンディングが完了してから
なされていた。一方半導体チップとリードフレームをワ
イヤボンディングする場合、リード上に塔載された半導
体チップ電極にまずワイヤの一端をボンディングして第
１ボンディングとし、その後リードフレーム或いはワイ
ヤを供給するキヤピラリイのいずれかを相対的に移動さ
せて、同ワイヤの他端がボンディングされるべき領域ま
で位置調整し、位置調整後にワイヤ他端を他方のリード
にボンディングして第２ボンディングとし、半導体チッ
プとリード端子間を電気的接続する方式が採られていた
。しかも半導体チップの特性検査は上記ワイヤボンディ
ングが終了してから実行されていた。即ち従来の半導体
装置製造においてはワイヤボンディング工程及び半導体
チップの特性検査工程が夫々別途に独立した工程で行わ
れるもので、工数が多くなり作業に手間を要する欠点が
あつた。本発明は、ワイヤボンデイグ工程において、第
１ボンデ・ｌシダに続いて第２ボンディングが実行され
る際、第２ボンディングのためにキャピラリイとリード
との間に位置調整がなされる期間を利用して半導体チッ
プの特性検査を実行することにより従来に比べてより半
導体装置製造の効率を高めるものである。
次に発光ダイオードのワイヤボンディング工程を挙げて
本発明を説明する。
図に於て１はリードフレームで、金属板が打抜き加工等
によつて形成されている。
該リードフレーム１は半導体チップ２をダイボンドさせ
るリード端子１ａと、ダイボンドされた半導体チップ２
との間でワイヤ３によつて電気的接続がなされるリード
端ｌｂとが対をなし、該リード端子対は繰返しパターン
で複数対が同一金属板に一体的に設けられている。リー
ド端子１ａに半導体チップ２が導電性ペーストを介して
ダイボンドされた後、リードフレーム１はワイヤボンデ
ィング装置のリードフレーム送り機構にセットされる。
ワイヤボンディング装置のボンディング位置には、リー
ドフレーム上の半導体チップ２の映像を取り込むための
ＩＴＶカメラ４が光学系５を介して設置されている。光
学系５に設けられた光源によりボンデインク位置に搬送
されてきた半導体チツプ２が照明されてＩＴＶカメラに
取り込まれ、形成された映像信号が信号処理回路でレベ
ル判定されてチツプ上の電極位置が認識される。認識さ
れた電極位置情報はリードフレーム送り機構成いはワイ
ヤを供給するためのキャピラリイ駆動装置に与えられ、
ボンデイングのためのワイヤ先端と半導体チツプ上の電
極との位置合せがなされる。位置合せされた半導体チツ
プ２及びワイヤ３は、キヤピラリイ６を降下押圧させる
ことによつてボンデイングされ、第１ボンデイングを終
える。次に同ワイヤ３の他端をリード１ｂ側に第２ボン
デイングするためキヤピラリイ６或いはリードフレーム
１の相対的な移動が行われるが、該相対的な移動及び移
動後の位置調整期間に同時に半導体チツプ２の特性検査
が実行される。即ち上記第１ボンデイングによつて半導
体チツプ２には電圧印加のためのワイヤ３が既に接続さ
れているため、該ワイヤ３を介してリードフレーム１と
の間に電圧が印加され、半導体チツプを動作状態にして
発光出力、順方向電圧及び逆耐圧等の諸特性が検査され
、半導体チツプ２の電気的特性と共に第１ボンデイング
の良否が判定される。特に発光出力の検査においては半
導体チツプの電極認識に用いられるＩＴＶカメラ４が兼
用して用いられる。電圧印加によつて発光した半導体チ
ツプ出力はＩＴＶカメラ４に取り入れられ、光電変換さ
れて光出力に対応したレベルの電気信号に変換される。
該電気信号Ａ／Ｄ変換された後、サンプリングパルスで
定期的にサンプリングされて発光面を格子状に分割し、
発光面内の各点での発光出力情報を形成する。該発光出
力情報は予め設定されたスライスレベル或いは上記第１
ボンデイング時に半導体チツプ面から形成されたデータ
で処理して背景から区別され、該処理後の発光出力情報
について各分割された領域から得られる情報を加算処理
することによつて発光出力の総和を検出することができ
る。上記発光出力の加算値は予め輝度との相関関係を求
めておくことにより、光出力を輝度に変換させることが
できる。上記半導体チツプの検査結果は半導体チップ番
号に対応してメモリに収納され、チツプ良否の判定情報
として利用される。上記実施例はワイャボンデイングの
ための撮像装置を、チツプ発光出力の検出に兼用させる
実施例を挙げたが、撮像装置及びキヤピラリイの設置さ
れる位置関係等により兼用が適切でない場合にはチツプ
出力検出のため第２の撮像装置をボンデイング位置近傍
に別途に設置して実施することもできる。
上記半導体チツプ２の特性検査がなされている期間に、
他方のリード端子１ｂにキャピラリイ６の先端を対向さ
せる位置合せがなされ、特性検査終了後に新しく位置決
めされたキヤピラリイ６は下降押圧されてワイヤ３の他
端はリード端子１ｂに第２ボンデイングされる。
第１及び第２ボンデイングされたリードンレーム１は送
り機構によつて１ピツチ分搬送され、次のリード対にダ
イボンドされた半導体チツプがボンデイング位置にセツ
トされ、上記動作が繰返される。上記実施例は半導体チ
ツプとして発光ダイオードをワイヤボンデイングする工
程を挙げて説明したが、他の半導体チツプでも同様に本
発明を実施することができる。
以上本発明によれば第１ボンデイングの状態でワイヤを
介して半導体チツプに電流を供給し、前記半導体チツプ
を試験動作せしめて前記半導体チツプの特性検査を行な
い、該特性検査後に第２ボンデイングを施こすようにし
たので、従来の如く半導体チツプの特性検査を実行する
ための別途の工程においてリードフレームをその都度セ
ツトし直すことがなく、単一のワイヤボンデイング工程
内で半導体チツプの特性検査をも完了することができる
ので、手間が著しく省けると共に、ワイヤホンデイング
時に使われる撮像装置や他の周辺機器を半導体チツプの
特性検査に兼用することができるものである。
又半導体装置の製造工程の数を減少させて効率化を図る
ことができるものである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明を説明するための要部概略図である。 １：リードフレーム、２：半導体チツプ、３：ワイヤ、
４：ＩＴＶカメラ、６：キヤピラリイ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リード上に塔載された半導体チップにワイヤの一端
    を第１ボンディングし、次にワイヤの他端を他のリード
    に第２ボンディングして形成される半導体装置を検査す
    る為の方式であつて、前記第１ボンディングの状態でワ
    イヤを介して半導体チップに電流を供給し、前記半導体
    チップを試験動作せしめて前記半導体チップの特性検査
    を行ない、該特性検査後に前記第２ボンディングを施す
    ことを特徴とする半導体装置の検査方式。
JP54019313A 1979-02-20 1979-02-20 半導体装置の検査方式 Expired JPS596060B2 (ja)

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