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JPS596504B2 - Semiconductor devices and masks for semiconductor device production - Google Patents
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JPS596504B2 - Semiconductor devices and masks for semiconductor device production - Google Patents

Semiconductor devices and masks for semiconductor device production

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Publication number
JPS596504B2
JPS596504B2 JP52005126A JP512677A JPS596504B2 JP S596504 B2 JPS596504 B2 JP S596504B2 JP 52005126 A JP52005126 A JP 52005126A JP 512677 A JP512677 A JP 512677A JP S596504 B2 JPS596504 B2 JP S596504B2
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Japan
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dimensional matrix
semiconductor device
mask
wafer
manufacturing
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泰昌 松田
一二 山田
智 嶋田
元久 西原
守 井上
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Hitachi Ltd
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子ならびに半導体素子製作用マスク
特に、チツプをウエハから切り出した位置を確認可能な
半導体素子、ならびに、この種半導体素子の製作に用い
る半導体製作用マスクに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device and a mask for semiconductor device manufacturing, and particularly to a semiconductor device that allows confirmation of the position where a chip is cut out from a wafer, and a semiconductor manufacturing mask used for manufacturing this type of semiconductor device. It is something.

半導体素子は、一枚のウエハ上で製作上必要な各工程が
実施され、全工程が終つた後に、百個以上のチツプに分
離される。
Semiconductor devices are manufactured by performing various manufacturing steps on a single wafer, and after all steps are completed, they are separated into over 100 chips.

そして、半導体素子の製作工程中には、ウエハ全体に均
一な条件を確保することが非常に困難な作業が多く、谷
素子間の特性のバラツキを押えることが非常に大きな技
術的課題となつている。このことは新しい素子を開発す
る場合、あるいは、原価低減などの目的で大きなウエハ
から多数の素子を切り出す場合Qこは、特に重大な問題
となつている。例えば、第1図は最も単純化した半導体
ひずみ素子を示すもので、この素子1は、シリコン基板
の表面に0.5〜1μの薄い二酸化硅素(SiO2)よ
りなる酸化絶縁膜がもうけられ、素子中央部のSiO,
膜裏面に拡散等により作成された不純物濃度の高い半導
体ゲージ2が形成されており、その両端のコンタクト部
3の部分はSiO2膜が部分的に孔あけされており、そ
の孔を通して蒸着などの方法で形成された電極パツド4
と電気的な導通がとられている。
During the manufacturing process of semiconductor devices, it is often extremely difficult to ensure uniform conditions across the wafer, and suppressing variations in characteristics between valley devices has become a huge technical challenge. There is. This becomes a particularly serious problem when developing new devices or cutting out a large number of devices from a large wafer for the purpose of cost reduction. For example, FIG. 1 shows the simplest semiconductor strain element. This element 1 has a thin oxide insulating film made of silicon dioxide (SiO2) with a thickness of 0.5 to 1 μm formed on the surface of a silicon substrate. SiO in the center,
A semiconductor gauge 2 with a high impurity concentration created by diffusion etc. is formed on the back surface of the film, and a hole is partially formed in the SiO2 film at the contact portion 3 at both ends of the gauge 2. Electrode pad 4 formed of
Electrical continuity is established.

このような半導体ひずみ素子の処理、製作プロセスにお
ける条件のバラツキなどは、半導体ひずみ素子のゲージ
抵抗のバラツキ、コンタクト部における有極性、ゲージ
間の、例えば、p−n接合による絶縁の破壊などの諸問
題の原因となり、また、使用するガラスマスクの精度な
どは、直接谷層の位置ずれ、コンタクト抵抗、ゲージ抵
抗のバラツキなどの原因となる。従つて、これらの半導
体ひずみ素子の特性不良の原因を究明し、また品質を十
分に管理してゆくためには、各素子のウエハ状態におけ
る位置と素子の特性との相関を知ることが必要となる。
このため、ウエハから切り出すチツプの数が少ない場合
には、チツプにウエハ上の位置を示す番号を表示する試
みもなされている。
Such variations in conditions in the processing and manufacturing process of semiconductor strain elements are caused by various factors such as variations in gauge resistance of semiconductor strain elements, polarity in contact parts, breakdown of insulation between gauges due to p-n junctions, etc. In addition, the accuracy of the glass mask used directly causes positional deviation of the valley layer, variation in contact resistance, gauge resistance, etc. Therefore, in order to investigate the causes of poor characteristics of these semiconductor strain elements and to adequately control their quality, it is necessary to know the correlation between the position of each element in the wafer state and the characteristics of the element. Become.
For this reason, when the number of chips cut out from a wafer is small, attempts have been made to display numbers on the chips indicating their positions on the wafer.

ここで、一枚のウエハから多数の半導体素子を作成する
工程を考えて見ると、この工程では、所謂、ガラスマス
クが用いられる。ガラスマスクは、始めに、1つの半導
体素子の作成に必要なパターンの拡大図をつくり、これ
を写真などの方法を用いて縮少し、高精度な縮少パター
ンを作成し、このパターンをガラス上にりヒーターでマ
トリツクス状にくり返し印刷し作成される。従つて、谷
素子は全く同一のパターンとなる。このガラスマスクを
用い半導体処理を行ない、谷素子をチツプ状に切り出し
た場合には、谷素子を区別できるものはなにもない。従
つて、このようなガラスマスクを使用する場合に、各素
子を区別する記号をマスクに入れる必要がある場合には
、りヒーターでマトリツクスを作成した後に、ガラスマ
スク上の各素子に番号を追加印刷していた。第1図の5
は素子番号を示すもので、この番号をウエハ内のチツプ
の位置に対応づけをしておけば、この素子のウエハから
の切り出し位置を知ることが可能である。しかし、この
方法は、りヒーターでマトリックスを作成した後行なわ
れるものであるため、その作業は極めて困難であり、数
字2桁の表示が限界であつて、実用性はなく、数字3桁
になると殆んど実用不可能である。
Now, when considering the process of producing a large number of semiconductor elements from one wafer, a so-called glass mask is used in this process. To create a glass mask, first create an enlarged view of the pattern required to create one semiconductor element, then reduce this using methods such as photography to create a highly accurate reduced pattern, and then print this pattern on glass. It is created by repeatedly printing in a matrix using a glue heater. Therefore, the valley elements have exactly the same pattern. When semiconductor processing is performed using this glass mask and the valley elements are cut into chips, there is nothing to distinguish the valley elements. Therefore, when using such a glass mask, if you need to put a symbol on the mask to distinguish each element, add a number to each element on the glass mask after creating the matrix with the heater. It was printing. 5 in Figure 1
indicates the element number, and by associating this number with the position of the chip within the wafer, it is possible to know the position at which this element is cut out from the wafer. However, since this method is carried out after creating a matrix using a heater, the work is extremely difficult, and the display is limited to two-digit numbers, which is not practical. It is almost impractical.

しかし、実用上の一枚のウニハからのチツプの切出し数
は百以上になることも多く、そのため、ウエハ上のチツ
プ位置を確認するためには、多数の素子の中の代表的位
置にあるものをサンプリングして、その数枚のチツプを
混合しないようチツプ番号を記入した特別の治具に入れ
分割管理する方法などで管理が行なわれていた。従つて
、全数管理はもとより、サンプリング方式においても、
その処理工程で多大の余計な時間と労力を消費しており
、半導体素子の品質管理を完全に行なうことができず、
作業性も悪かつた。本発明の目的は、半導体素子のウエ
ハから切り出した位置の読取りが容易で、製作の容易な
半導体素子及びこの半導体素子の製作に用いる半導体素
子製作用マスクを提供することにあり、第1の発明の半
導体素子はウエハを基盤目状に切断して得られる個々の
チツプの面状に、これらチツプの前記ウエハ上の切り出
し位置の表示を有する半導体素子において、前記表示が
前記個々のチツプ上に形成された前記基盤目を表わす2
次元マトリツクス又は該2次元マトリツクスを複数個に
分割した1次元マトリツクスよりなるチツプ切り出し位
置表示欄と、それぞれのチツプの該チツプ切り出し位置
表示欄のマトリツクス中の前記ウエハ上の切り出し位置
に該当する部分を表示する1又は2個のマークとからな
つていることを特徴とし、第2の発明の半導体素子製作
用マスクは、一枚のウエハを基盤目状に切断して得られ
る個々のチツプの面上に、これらチツプの前記ウエハ上
の切り出し位置の表示を有する半導体素子の製作に使用
されるマスクにおいて、該マスクが、前記個々のチツプ
上に、前記基盤目を表わす2次元マトリツクス又は該2
次元マトリツクスを複数個に分割した1次元マトリツク
スよりなるチツプ切り出し位置表示欄を形成するための
パターンを有することを特徴とするものである。
However, in practice, the number of chips cut out from a single wafer is often more than 100, so in order to confirm the chip position on the wafer, it is necessary to find a chip at a representative position among the many elements. Management was carried out by sampling the chips and placing them in special jigs with chip numbers written on them to prevent them from being mixed together. Therefore, not only total number control but also sampling method,
The processing process consumes a great deal of extra time and effort, making it impossible to completely control the quality of semiconductor devices.
Workability was also poor. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor element that is easy to manufacture and whose position cut out from a wafer can be easily read, and a mask for manufacturing a semiconductor element used for manufacturing this semiconductor element. The semiconductor device has an indication of the cutting position of the chips on the wafer on the surface of each chip obtained by cutting a wafer into the shape of a substrate, and the indication is formed on the individual chip. 2 representing the base order
A chip cutting position display column consisting of a dimensional matrix or a one-dimensional matrix obtained by dividing the two-dimensional matrix into a plurality of pieces, and a portion of the matrix corresponding to the cutting position on the wafer in the chip cutting position display column of each chip. The mask for manufacturing semiconductor devices according to the second invention is characterized in that it consists of one or two marks to be displayed, and the mask for manufacturing semiconductor devices according to the second invention is characterized in that it consists of one or two marks to be displayed. In a mask used for manufacturing a semiconductor device having an indication of the cutting position of the chip on the wafer, the mask has a two-dimensional matrix representing the substrate pattern or the two-dimensional matrix on the individual chip.
This device is characterized by having a pattern for forming a chip cutting position display column made of a one-dimensional matrix obtained by dividing a dimensional matrix into a plurality of pieces.

以下、実施例を図面によつて説明する。Examples will be described below with reference to the drawings.

第2図は本発明の半導体素子のL実施例を示すもので、
第1図と同様に、最も単純化した半導体ひずみ素子を示
すもので、第1図と異なるところは、素子1の表面に第
1図の数字5の代りにチツプ切り出し位置表示欄6を有
し、この中にマーク7が表示されている点である。
FIG. 2 shows an L embodiment of the semiconductor device of the present invention.
Similar to FIG. 1, this shows the simplest semiconductor strain element; the difference from FIG. , in which mark 7 is displayed.

向、この場合はマーク表示欄6を素子の表面に設けた例
を示したが素子の裏面にもうけてもよい。第3図はこの
半導体ひずみ素子作成の際用いられるガラスマスク8を
示すもので13行13列で、169個の素子形成に用い
られるものであるが、第2図のマーク表示欄6はこのガ
ラスマスク8と同一の配列9をもつマトリツクスより形
成されている。従つて、マーク表示欄6のマーク7をウ
エハ上のチツプ位置に対応づけておけば、このマーク7
を見るだけでその素子のウエハからの切り出し位置を知
ることができる。このマーク表示欄6は半導体ひずみ素
子のパターンと同様にりヒーターで印刷することができ
るので、その後、リピートパターンの各素子のマーク表
示欄6を塗りつぶすか、あるいは適当なマークをつける
ことによつて素子作成用のガラスマスクを作成すること
ができる。この場合には、ノ数字を記入するのと異なり
、単にマークを記入するだけであり、かつ、一点の記入
のみでウエハ上のチツプ切出し位置が表示できるので、
2桁のみならず3桁の表示も可能であり、かつ、マーク
表示欄6がウエハ上のチツプ配列と同一となつているの
で、マーク1の記入も容易である。
In this case, an example is shown in which the mark display field 6 is provided on the front surface of the element, but it may also be provided on the back surface of the element. FIG. 3 shows a glass mask 8 used in producing this semiconductor strain element, which has 13 rows and 13 columns and is used to form 169 elements, and the mark display column 6 in FIG. It is formed of a matrix having the same arrangement 9 as the mask 8. Therefore, if the mark 7 in the mark display column 6 is associated with the chip position on the wafer, this mark 7
Just by looking at the wafer, you can tell where the device will be cut out from the wafer. This mark display field 6 can be printed with a heater in the same way as the pattern of the semiconductor strain element, so after that, by filling out the mark display field 6 of each element of the repeat pattern or adding an appropriate mark. Glass masks for device creation can be created. In this case, unlike writing numbers, you only have to write a mark, and the chip cutting position on the wafer can be indicated by writing only one point.
It is possible to display not only two digits but also three digits, and since the mark display column 6 is the same as the chip arrangement on the wafer, it is easy to write the mark 1.

また、個個のチツプに対するマークの記入は点の記入の
みによつて行なわれるので、使用されるマーク記入用の
マスクの製作は第1図に示すような数字を用いる場合の
マスクにくらべて非常に簡単である。従つて、このよう
なマーク表示欄を有する半導体素子は、谷素子をバラバ
ラにする場合にも、番号をつけた治具に入れる必要はな
く、チツプ切断、洗浄、エツチング、抵抗値測定、接着
など全ての工程における労力と時間を大巾に短縮でき、
作業性が向上できる。マーク表示欄6は、行あるいは列
の数が非常に多い場合、あるいは巾が狭い場合で、マー
ク7の位置の読み取りが容易でない場合には、例えば、
第4図に示すように、行あるいは列の各々、あるいは適
当な個所に、それらの番号10,11等を付けるとよい
In addition, since marks are written on individual chips only by marking dots, the manufacturing of the masks used for marking marks is much more difficult than in the case of using numbers as shown in Figure 1. It's easy to do. Therefore, semiconductor devices with such a mark display field do not need to be placed in a numbered jig even when the valley devices are taken apart, and can be used for chip cutting, cleaning, etching, resistance measurement, gluing, etc. Labor and time in all processes can be greatly reduced,
Work efficiency can be improved. If the mark display field 6 has a very large number of rows or columns, or if the width is narrow and it is not easy to read the position of the mark 7, for example,
As shown in FIG. 4, numbers 10, 11, etc. may be attached to each row or column, or at an appropriate location.

第4図の例には図の左上部を基準点0とし2次元マトリ
ツクスの行、列に基準点0から5又は10目盛り目であ
ることを示す記号5,10が付してある状態が示してあ
る。また、マーク表示欄は、基盤目状のみならず、例え
ば、第5図に示す如く、丸枠12を配列せしめた配列の
ようにウエハ上のチツプの配列に近似する配列でもよく
、素子形状又はその他の状況に応じて適切な形状を選択
すればよい。
The example in Figure 4 shows a state in which the upper left of the figure is the reference point 0, and the rows and columns of the two-dimensional matrix are marked with symbols 5 and 10 indicating that they are at 5 or 10 scales from the reference point 0. There is. In addition, the mark display column may be arranged not only in the substrate pattern but also in an arrangement similar to the arrangement of chips on a wafer, such as the arrangement of round frames 12 as shown in FIG. An appropriate shape may be selected depending on other circumstances.

第6図は、他の実施例を示すもので、第2図に示した半
導体ひずみ素子のように、素子内に基盤目状のマーク表
示欄をも一うけるスペースがない場合に適した構成を示
すもので、素子内が回路部13によつて埋められ2次元
マトリツクスのスペースがない場合であつて、回路部1
3の外側にそれぞれ1次示マトリツクスよりなるマーク
表示欄14及び15をもうけたものである。
FIG. 6 shows another embodiment, which is suitable for cases where there is no space in the device for displaying marks in the form of substrate grids, as in the case of the semiconductor strain device shown in FIG. This is a case where the inside of the element is filled with the circuit section 13 and there is no space for the two-dimensional matrix, and the circuit section 1
3, mark display fields 14 and 15 each consisting of a primary display matrix are provided.

この1次元マトリツクス14及び15を2次元マトリツ
クスの行及び列マトリツクスに対応せしめれば、2次元
マトリツクス上の位置を、2個の1次元マトリツクスの
それぞれに記入された2個のマーク16及び17で表示
することができる。第7図は、さらに他の実施例を示す
もので、例えば、同図イに示す3行3列のマトリツクス
を同図口,への如く、行、列で分けて直列にしたもの、
或いは、同図二,ホの如く、行、列に分けて一定の間隔
をもつて配列したものを用いることもできる。
If these one-dimensional matrices 14 and 15 are made to correspond to the row and column matrices of a two-dimensional matrix, the position on the two-dimensional matrix can be determined by two marks 16 and 17 written in each of the two one-dimensional matrices. can be displayed. FIG. 7 shows still another embodiment. For example, the matrix of 3 rows and 3 columns shown in A of the figure is divided into rows and columns and arranged in series as shown in A of the figure.
Alternatively, as shown in FIG. 2, E, it is also possible to use a device arranged in rows and columns at regular intervals.

この場合には、同図に見られる如く、行あるいは列を表
示する文字または番号等を補助番号として付記すると判
別が容易となる。向、マーク表示欄は、一般の半導体素
子を作成する場合、チツプ表面にSiO2などの酸化絶
縁膜を形成し、その上にアルミニウム(Al)などの電
極パツドを蒸着などの方法により形成する場合が多いこ
と、また、電極パツドの方が、酸化絶縁膜等よりも境界
線が肉眼や光学顕微鏡で判別が容易である点から、これ
らの実施例では、マーク表示欄及びマークは電極パツド
と同一材料により形成した。
In this case, as shown in the figure, if characters or numbers indicating rows or columns are added as auxiliary numbers, identification becomes easier. The direction and mark display column indicates that when creating a general semiconductor device, an oxide insulating film such as SiO2 is formed on the chip surface, and electrode pads such as aluminum (Al) are formed on it by a method such as vapor deposition. In these examples, the mark display column and the mark are made of the same material as the electrode pad, since the boundary line of the electrode pad is easier to distinguish with the naked eye or with an optical microscope than that of an oxide insulating film, etc. It was formed by

従つて、特に新しいプロセスの追加を必要としない。な
お、この半導体製作用に用いられるマスクには、上述の
各種マーク表示欄を形成するためのパターンを有するも
のであることは言う迄もなく、また、ガラスマスクのみ
ならず、他の材料を用いたマスクを用いることもでき、
同様に所期の目的を達成することができる。
Therefore, there is no need to add a new process. It goes without saying that the masks used for semiconductor manufacturing have patterns for forming the various mark display fields mentioned above, and not only glass masks but also other materials can be used. You can also use a mask with
Similarly, the desired objective can be achieved.

以上の如く、本発明半導体素子は一枚のウエハ内のチツ
プの数が非常に多い場合にも、確実に素子のウエハ上の
位置を確認でき、従つて、半導体素子の特性不良の原因
究明あるいは品質管理上の労力と時間を大巾に節約可能
であり、かつ、本発明半導体素子製作用マスクは、この
ような半導体素子の製作を可能とするものであり、半導
体素子製造に広く応用できるもので、工業的効果の大な
るものである。
As described above, the semiconductor device of the present invention makes it possible to reliably confirm the position of the device on the wafer even when the number of chips on one wafer is very large. The mask for manufacturing semiconductor devices of the present invention can save a large amount of labor and time for quality control, and also enables the manufacturing of such semiconductor devices, and can be widely applied to the manufacturing of semiconductor devices. This has great industrial effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の半導体素子の一例の平面図、第2図は本
発明半導体素子の一実施例の平面図、第3図は半導体素
子製造用ガラスマスクの平面図、第4図は本発明半導体
素子の他の実施例の要部説明図、第5図、第6図はそれ
ぞれ同じく他の実施例の要部説明図、第7図は同じく他
の実施例の要部の構成方法を示す説明図である。 符号の説明、1・・・・・・半導体素子、6・・・・・
・マーク表示欄、7・・・・・・マーク。
FIG. 1 is a plan view of an example of a conventional semiconductor device, FIG. 2 is a plan view of an embodiment of the semiconductor device of the present invention, FIG. 3 is a plan view of a glass mask for manufacturing semiconductor devices, and FIG. 4 is a plan view of the present invention. FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams of the main parts of other embodiments of the semiconductor device, respectively, and FIG. 7 is a diagram showing the construction method of the main parts of the other embodiments. It is an explanatory diagram. Explanation of symbols, 1... Semiconductor element, 6...
・Mark display column, 7... Mark.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一枚のウェハを碁盤目状に切断して得られる個々の
チップの面状に、これらチップの前記ウェハ上の切り出
し位置の表示を有する半導体素子において、前記表示が
前記個々のチップ上に形成された前記碁盤目を表わす2
次元マトリックス又は該2次元マトリックスを複数個に
分割した1次元マトリックスよりなるチップ切り出し位
置表示欄と、それぞれのチップの該チップ切り出し位置
表示欄のマトリックス中の前記ウェハ上の切り出し位置
を表示する1又は2個のマークとからなることを特徴と
する半導体素子。 2 前記2次元マトリックスが前記ウェハ上のチップの
配列と同一の配列よりなる特許請求の範囲第1項記載の
半導体素子。 3 前記1次元マトリックスが、2次元マトリックスを
分割した行、列マトリックスで、前記チップの外周辺に
設けられている特許請求の範囲第1項記載の半導体素子
。 4 前記2次元マトリックス又は前記1次元マトリック
スが、それぞれの行、列に基準点からの順位を示す記号
を有している特許請求の範囲第1項記載の半導体素子。 5 前記2次元マトリックス又は前記1次元マトリック
スが前記半導体素子の電極と同一方法で形成されている
特許請求の範囲第1項から第4項までの何れか一項記載
の半導体素子。 6 一枚のウェハを碁盤目状に切断して得られる個々の
チップの面状に、これらチップの前記ウェハ上の切り出
し位置の表示を有する半導体素子の製作に使用されるマ
スクにおいて、該マスクが、前記個々のチップ上に前記
碁盤目を表わす2次元マトリックス又は該2次元マトリ
ックスを複数個に分割した1次元マトリックスよりなる
チップ切り出し位置表示欄を形成するためのパターンを
有することを特徴とする半導体素子製作用マスク。 7 前記2次元マトリックスが、前記ウェハ上のチップ
の配列と同一の配列よりなる特許請求の範囲第6項記載
の半導体素子製作用マスク。 8 前記1次元マトリックスが、2次元マトリックスを
分割した行、列マトリックスで、前記チップの外周辺に
設けられている特許請求の範囲第6項記載の半導体素子
製作用マスク。 9 前記2次元マトリックス又は前記1次元マトリック
スが、それぞれの行、列に基準点からの順序を示す記号
を有している特許請求の範囲第6項記載の半導体素子製
作用マスク。 10 前記パターンが、前記半導体素子の電極製作用の
パターンと同一マスク上に形成されている特許請求の範
囲第6項から第9項までの何れか一項記載の半導体素子
製作用マスク。 11 前記マスクが、ガラスマスクである特許請求の範
囲第6項から第10項までの何れか一項記載の半導体素
子製作用マスク。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor device having, on the surface of each chip obtained by cutting a single wafer in a grid pattern, indications of the cutting positions of these chips on the wafer, wherein the indication is 2 representing the grid pattern formed on each chip.
A chip cutting position display column consisting of a dimensional matrix or a one-dimensional matrix obtained by dividing the two-dimensional matrix into a plurality of pieces; A semiconductor device characterized by comprising two marks. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the two-dimensional matrix has the same arrangement as the arrangement of chips on the wafer. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the one-dimensional matrix is a row and column matrix obtained by dividing a two-dimensional matrix, and is provided around the outer periphery of the chip. 4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the two-dimensional matrix or the one-dimensional matrix has a symbol indicating a ranking from a reference point in each row and column. 5. The semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the two-dimensional matrix or the one-dimensional matrix is formed by the same method as the electrodes of the semiconductor device. 6. A mask used for manufacturing a semiconductor device in which the surface of each chip obtained by cutting a single wafer into a grid pattern indicates the cutting positions of the chips on the wafer. , a semiconductor characterized in that it has a pattern on each of the chips for forming a chip cutting position display field consisting of a two-dimensional matrix representing the grid or a one-dimensional matrix obtained by dividing the two-dimensional matrix into a plurality of pieces. Mask for element production. 7. The mask for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the two-dimensional matrix has the same arrangement as the arrangement of chips on the wafer. 8. The mask for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the one-dimensional matrix is a row and column matrix obtained by dividing a two-dimensional matrix, and is provided around the outer periphery of the chip. 9. The mask for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the two-dimensional matrix or the one-dimensional matrix has symbols indicating the order from the reference point in each row and column. 10. The mask for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 6 to 9, wherein the pattern is formed on the same mask as a pattern for manufacturing an electrode of the semiconductor device. 11. A mask for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 6 to 10, wherein the mask is a glass mask.
JP52005126A 1977-01-19 1977-01-19 Semiconductor devices and masks for semiconductor device production Expired JPS596504B2 (en)

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JPS5390763A JPS5390763A (en) 1978-08-09
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JPS57115860A (en) * 1981-01-10 1982-07-19 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory device
JPS58182262A (en) * 1982-04-19 1983-10-25 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPS5981877A (en) * 1982-10-30 1984-05-11 日新電機株式会社 Conductor connecting device

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