JPS597353B2 - ガスプラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工装置 - Google Patents
ガスプラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工装置Info
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- JPS597353B2 JPS597353B2 JP6412178A JP6412178A JPS597353B2 JP S597353 B2 JPS597353 B2 JP S597353B2 JP 6412178 A JP6412178 A JP 6412178A JP 6412178 A JP6412178 A JP 6412178A JP S597353 B2 JPS597353 B2 JP S597353B2
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Landscapes
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガスプラズマを利用したエッチング及びデポ
ジション等の加工装置に関する。
ジション等の加工装置に関する。
ＬＳＩ製造プロセスにおいては、ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ
４膜、Ａｌ膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜などの微細加工が写真
製版技術を用いて行われ、その技術はＬＳＩを高密度化
する上で、きわめて重要な技術となつている。
４膜、Ａｌ膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜などの微細加工が写真
製版技術を用いて行われ、その技術はＬＳＩを高密度化
する上で、きわめて重要な技術となつている。
これらの膜の微細加工は、ウェハ上に形成されているホ
トレジスト膜のパターンをマスクとして、選択的にエッ
チングすることにより行われる。このエッチング技術の
主流は従来、液体化学薬品を用いたウェットエッチング
であつたが加工精度、作業の安全性、廃液処理などの問
題があり、ガスプラズマを用いるプラズマエッチング技
術の開発が活発に行われ、すでに一部の技術は実用化し
ている。また、上記ガスプラズマを用いるエッチング技
術が、デポジション技術に適用することが行われている
。最近、オンアルミ上のパッシベーション膜としてプラ
ズマＣＶＤによるＳｉ３Ｎ４膜が注目されている。本方
法によつて形成された膜は３５０℃以上の低温で堆積さ
れ、しかも湿気やアルカリに対してブロックする効果を
持つているので、この膜を使用したデバイスは安価なプ
ラスチックパッケージでも十分高信頼性を持つているも
のである。Ｎ２またはＯ２をＣＤＥ（ケミカルドライエ
ッチング技術）と同じくマイクロ波で活性化し、輸送し
、堆積室に導入すると同時に、堆積室にＳｉＨ４（Ｎ２
ベース）が活性化されずなまで導入されると加熱された
Ｓｉウェハ上にＳｉ３Ｎ４またはＳｉＯ２膜が堆積され
ることが分つている。プラズマを利用したエッチング及
びデポジション等の加工装置としては、同軸静電型と平
行平板型と、誘導コイル型とが存する。
トレジスト膜のパターンをマスクとして、選択的にエッ
チングすることにより行われる。このエッチング技術の
主流は従来、液体化学薬品を用いたウェットエッチング
であつたが加工精度、作業の安全性、廃液処理などの問
題があり、ガスプラズマを用いるプラズマエッチング技
術の開発が活発に行われ、すでに一部の技術は実用化し
ている。また、上記ガスプラズマを用いるエッチング技
術が、デポジション技術に適用することが行われている
。最近、オンアルミ上のパッシベーション膜としてプラ
ズマＣＶＤによるＳｉ３Ｎ４膜が注目されている。本方
法によつて形成された膜は３５０℃以上の低温で堆積さ
れ、しかも湿気やアルカリに対してブロックする効果を
持つているので、この膜を使用したデバイスは安価なプ
ラスチックパッケージでも十分高信頼性を持つているも
のである。Ｎ２またはＯ２をＣＤＥ（ケミカルドライエ
ッチング技術）と同じくマイクロ波で活性化し、輸送し
、堆積室に導入すると同時に、堆積室にＳｉＨ４（Ｎ２
ベース）が活性化されずなまで導入されると加熱された
Ｓｉウェハ上にＳｉ３Ｎ４またはＳｉＯ２膜が堆積され
ることが分つている。プラズマを利用したエッチング及
びデポジション等の加工装置としては、同軸静電型と平
行平板型と、誘導コイル型とが存する。
上記装置は、ガスプラズマの雰囲気の中に試料を配置し
ている。
ている。
そして、ガスプラズマを発生したときに、ガスプラズマ
の均一性がある分布を有している。そのため、ウェハー
のエッチングあるいはデポジションは、上記ガスプラズ
マのユニフオミテイに影響を受け、加工仕上げにバラツ
キが生じるという不都合が生じた。また、試料の大量加
工処理を行うことができないという欠陥を有していた。
本発明は、上記欠陥を除去することを目的とするもので
ある。
の均一性がある分布を有している。そのため、ウェハー
のエッチングあるいはデポジションは、上記ガスプラズ
マのユニフオミテイに影響を受け、加工仕上げにバラツ
キが生じるという不都合が生じた。また、試料の大量加
工処理を行うことができないという欠陥を有していた。
本発明は、上記欠陥を除去することを目的とするもので
ある。
以下に本発明の構成を添付図面に示す実施例に付き詳細
に説明する。
に説明する。
１、２は、縦型に配設された二基の石英製等のチューブ
であり、これの内部即ちガスチャンバーに、円盤状のア
ノード電極板３と、円盤状のカソード電極板４が、交互
に、適宜の間隔を存して多数板平行に配列されている。
であり、これの内部即ちガスチャンバーに、円盤状のア
ノード電極板３と、円盤状のカソード電極板４が、交互
に、適宜の間隔を存して多数板平行に配列されている。
前記電極板３，４は、絶縁体から成る支持具５，６によ
つて、連結支持されている。前記アノード電極板３の各
々は、共通導体７に接続し、前記カソード電極４の各々
は、共通導体８に接続している。９はヒーター、１０は
ガスコントロールユニツト、１１，１２はガス切換えバ
ルブ、１３，１４は主バルブ、１５はトラツプ、１６は
ルーツプロア、１７は真空ポンプであり、これらは、図
示の如く配管されている。
つて、連結支持されている。前記アノード電極板３の各
々は、共通導体７に接続し、前記カソード電極４の各々
は、共通導体８に接続している。９はヒーター、１０は
ガスコントロールユニツト、１１，１２はガス切換えバ
ルブ、１３，１４は主バルブ、１５はトラツプ、１６は
ルーツプロア、１７は真空ポンプであり、これらは、図
示の如く配管されている。
１８は、ジエネレータ、１９は切換スイツチであり、こ
れの一方の端子は、前記導体７に接続し、他方の端子は
、前記導体８に接続している。
れの一方の端子は、前記導体７に接続し、他方の端子は
、前記導体８に接続している。
２０は、前記アノード電極板３とカソード電極板４との
間に配置されたシリコンウエハ一等の試料である。
間に配置されたシリコンウエハ一等の試料である。
２２は真空計、２３は、温度調節計である。
上記した構成において、ガスコントロールユニツト１０
から、チユーブ１，２内にＣＦ４などのガスを導入し、
電極板３，４にジエネレータ一１８から高周波電力を印
加すると、電極３，４間にガスプラズマが発生し、試料
のエツチング、又はデポジシヨン処理が行われる。尚、
デポジシヨン処理の場合には、第３図イに示す如く、ア
ノード電極板３とカソード電極板４との間に試料２０を
配置するだけで良いが、エツチング処理の場合には、第
３図口に示す如く試料２０の上下位置に、インシユレー
タ２１，２２を配置し、電極板３，４に穴を設ける必要
が存する。
から、チユーブ１，２内にＣＦ４などのガスを導入し、
電極板３，４にジエネレータ一１８から高周波電力を印
加すると、電極３，４間にガスプラズマが発生し、試料
のエツチング、又はデポジシヨン処理が行われる。尚、
デポジシヨン処理の場合には、第３図イに示す如く、ア
ノード電極板３とカソード電極板４との間に試料２０を
配置するだけで良いが、エツチング処理の場合には、第
３図口に示す如く試料２０の上下位置に、インシユレー
タ２１，２２を配置し、電極板３，４に穴を設ける必要
が存する。
本発明は上述した如く構成したので、次の如き効果が存
する。（１）アノード電極板とカソード電極板が平行に
対向しているので、ガスプラズマの均一性が良好であり
、試料の処理に偏向が生じない。
する。（１）アノード電極板とカソード電極板が平行に
対向しているので、ガスプラズマの均一性が良好であり
、試料の処理に偏向が生じない。
（２）試料の大量処理が可能となる。
従来では、プラズマのユニフオミティを得るために、例
えば１００ｍｍ径のウエハ一を１０乃至１５枚処理する
ものが通常である。
えば１００ｍｍ径のウエハ一を１０乃至１５枚処理する
ものが通常である。
しかるに本装置によれば、１００枚程度を処理すること
が可能となるものである。
が可能となるものである。
図は、本装置の好適な実施例を示し、第１図は全体正面
説明図、第２図は要部の外観図、第３図は説明図である
。
説明図、第２図は要部の外観図、第３図は説明図である
。
Claims (1)
- １ 多数枚のアノード電極板３とカソード電極板４を、
交互に、且つ平行に適宜の間隔を存して配列し、この多
段構造の電極板を、ガスチャンバー内に配置するととも
に、前記アノード電極板３とカソード電極板４との間に
試料を配置するように構成したことを特徴とするガスプ
ラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412178A JPS597353B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | ガスプラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412178A JPS597353B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | ガスプラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54155137A JPS54155137A (en) | 1979-12-06 |
| JPS597353B2 true JPS597353B2 (ja) | 1984-02-17 |
Family
ID=13248909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6412178A Expired JPS597353B2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | ガスプラズマを利用したエッチング及びデポジション等の加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597353B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6328871A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ処理装置 |
-
1978
- 1978-05-29 JP JP6412178A patent/JPS597353B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54155137A (en) | 1979-12-06 |
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