JPS598907B2 - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents
磁気バブル記憶装置Info
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- JPS598907B2 JPS598907B2 JP16318078A JP16318078A JPS598907B2 JP S598907 B2 JPS598907 B2 JP S598907B2 JP 16318078 A JP16318078 A JP 16318078A JP 16318078 A JP16318078 A JP 16318078A JP S598907 B2 JPS598907 B2 JP S598907B2
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- bubble
- magnetic
- pattern
- bubbles
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブルを発生させ所要の書き込み情報バ
ブルを記憶ループヘ転送する磁気バブル情報書き込み装
置に関し、ニュークリエーションされた磁気バブルを正
確に書き込むことのできる装置を実現するものである。
ブルを記憶ループヘ転送する磁気バブル情報書き込み装
置に関し、ニュークリエーションされた磁気バブルを正
確に書き込むことのできる装置を実現するものである。
５ 磁気バブル記憶装置は、情報の１、０を磁気バブル
の有無で表現し、磁気バブルを順次転送するループ状の
転送路でシフトレジスタを形成して。
の有無で表現し、磁気バブルを順次転送するループ状の
転送路でシフトレジスタを形成して。
その中に磁気バブルを送入し情報として記憶させるもの
である。磁気バブルを転送するには、磁性１０ガーネッ
ト等の磁性薄板上に、Ｔバーやシエプロン、Ｙ−Ｙ１ハ
ーフディスク等のパーマロイ転送パターンを形成し、磁
性薄板と垂直方向の静磁界の下で、磁性薄板面内に平行
な回転磁界を与えて、転送パターンを磁化し、転送する
。一方、バブル１５磁区の発生方式には、種バブルを分
割するものと、ニュークリエーションさせるものとがあ
るが、本発明は後者のニュークリエーション式の発生器
でバブルを発生させ、書き込む方式を対象としている。
ところが、ニュークリエーション式の発生器２０では、
漂遊バブルによる誤動作のおそれがあり、情報書き込み
の信頼性を妨げている。第１図が従来のニュークリエー
ション式の発生器Ｇであり、パーマロイ等でできた変形
ハーフディスク形パターン１１・・・から成る磁気バブ
ル転送２５路１に、ヘアピン状の制御導体パターン２が
形成されており、回転磁界ＨＲの方向に同期したパルス
電流ｉを旅して、局部的に強い逆方向磁界を作ることに
より、制御導体２のヘアピン部内にバブル磁区Ｂ１を発
生させる。
である。磁気バブルを転送するには、磁性１０ガーネッ
ト等の磁性薄板上に、Ｔバーやシエプロン、Ｙ−Ｙ１ハ
ーフディスク等のパーマロイ転送パターンを形成し、磁
性薄板と垂直方向の静磁界の下で、磁性薄板面内に平行
な回転磁界を与えて、転送パターンを磁化し、転送する
。一方、バブル１５磁区の発生方式には、種バブルを分
割するものと、ニュークリエーションさせるものとがあ
るが、本発明は後者のニュークリエーション式の発生器
でバブルを発生させ、書き込む方式を対象としている。
ところが、ニュークリエーション式の発生器２０では、
漂遊バブルによる誤動作のおそれがあり、情報書き込み
の信頼性を妨げている。第１図が従来のニュークリエー
ション式の発生器Ｇであり、パーマロイ等でできた変形
ハーフディスク形パターン１１・・・から成る磁気バブ
ル転送２５路１に、ヘアピン状の制御導体パターン２が
形成されており、回転磁界ＨＲの方向に同期したパルス
電流ｉを旅して、局部的に強い逆方向磁界を作ることに
より、制御導体２のヘアピン部内にバブル磁区Ｂ１を発
生させる。
発生した磁気バブルは３０回転磁界によつて、矢印方向
（図上左方）へＢ２・・・のように転送される。このよ
うにして、バイアス磁界および回転磁界ＨＲの作用して
いる下で。情報の「１」・ 「ｏ」に対応して、制御導
体パターン２へのジェネレータ電流ｉを「ＯＮ」 ・３
５「ＯＦＦ」することにより、磁気バブル情報が書き込
まれる。ところがこのようなニュークリエーション式の
磁気バプル発生・書き込み装置では、バイアス磁界やジ
エネレータ電流の動作マージン領域臨界値付近において
、誤動作が発生しやすい。
（図上左方）へＢ２・・・のように転送される。このよ
うにして、バイアス磁界および回転磁界ＨＲの作用して
いる下で。情報の「１」・ 「ｏ」に対応して、制御導
体パターン２へのジェネレータ電流ｉを「ＯＮ」 ・３
５「ＯＦＦ」することにより、磁気バブル情報が書き込
まれる。ところがこのようなニュークリエーション式の
磁気バプル発生・書き込み装置では、バイアス磁界やジ
エネレータ電流の動作マージン領域臨界値付近において
、誤動作が発生しやすい。
即ち、制御導体２内に不必要なバブルが余分に発生し、
それらが反発し合つて転送路の空位置に混人する等、書
き込みの誤動作を引き起こす。このために、磁気バブル
情報書き込み装置のバイアス磁界マージン、ジエネレー
タ電流およびチツプ温度のマージンが非常に狭くなつて
いる。第２図は、バブル発生器が正常動作するのに要す
る、回転磁界ＨＲに対するバイアス磁界ＨＲのマージン
を示すもので、発生器における誤動作は下限値Ｄ付近に
おいて生じやすい。第３図は、磁気バブルチツプ温度に
対するジエネレータ電流値のマージンを示すもので、チ
ツプ温度を広範囲まで保障しようとすると、破線で示す
ようにジエネレータ電流値が制限される。特に高温にな
るにつれて上限値が極端に下がるので、放熱等熱設計の
負担が大きくなる。本発明は、磁気バブルの発生書き込
み装置における動作マージン臨界付近における誤動作を
防止し、例えば鎖線で示すようにジエネレータ電流の上
限値を高くし、バイアス磁界の下限を下げて、動作特性
を改善することを目的とする。この目的を実現するため
に本発明は、制御用導体パターンによる局部磁界と、パ
ーマロイパターンに作用する回転磁界とにより磁気バブ
ルの発生，分割，消滅，進行方向の制御等を行なう磁気
バブル記憶装置において、バブル発生手段により回転磁
界の各周期毎にバブルを連続して発生させると共に該発
生手段の制御用第１導体パターンと、分割９消滅９ある
いは進行方向の制御のいずれかの手段の制御用第２導体
パターンとをそれぞれの前記第１と第２導体パターンが
作る局部磁界の方向が逆になるように直列に接続し、か
つ前記両手段の前記第１と第２導体パターンを同一バブ
ル転送路上に配置すると共に、該転送路には回転磁界方
向に対する配置が９０度以上異なる少なくとも２個のパ
ーマロイパターンを各々前記第１と第２導体パターンに
対向させて配置したことを特徴とする磁気バブル記憶装
置を提案するものである。
それらが反発し合つて転送路の空位置に混人する等、書
き込みの誤動作を引き起こす。このために、磁気バブル
情報書き込み装置のバイアス磁界マージン、ジエネレー
タ電流およびチツプ温度のマージンが非常に狭くなつて
いる。第２図は、バブル発生器が正常動作するのに要す
る、回転磁界ＨＲに対するバイアス磁界ＨＲのマージン
を示すもので、発生器における誤動作は下限値Ｄ付近に
おいて生じやすい。第３図は、磁気バブルチツプ温度に
対するジエネレータ電流値のマージンを示すもので、チ
ツプ温度を広範囲まで保障しようとすると、破線で示す
ようにジエネレータ電流値が制限される。特に高温にな
るにつれて上限値が極端に下がるので、放熱等熱設計の
負担が大きくなる。本発明は、磁気バブルの発生書き込
み装置における動作マージン臨界付近における誤動作を
防止し、例えば鎖線で示すようにジエネレータ電流の上
限値を高くし、バイアス磁界の下限を下げて、動作特性
を改善することを目的とする。この目的を実現するため
に本発明は、制御用導体パターンによる局部磁界と、パ
ーマロイパターンに作用する回転磁界とにより磁気バブ
ルの発生，分割，消滅，進行方向の制御等を行なう磁気
バブル記憶装置において、バブル発生手段により回転磁
界の各周期毎にバブルを連続して発生させると共に該発
生手段の制御用第１導体パターンと、分割９消滅９ある
いは進行方向の制御のいずれかの手段の制御用第２導体
パターンとをそれぞれの前記第１と第２導体パターンが
作る局部磁界の方向が逆になるように直列に接続し、か
つ前記両手段の前記第１と第２導体パターンを同一バブ
ル転送路上に配置すると共に、該転送路には回転磁界方
向に対する配置が９０度以上異なる少なくとも２個のパ
ーマロイパターンを各々前記第１と第２導体パターンに
対向させて配置したことを特徴とする磁気バブル記憶装
置を提案するものである。
次に本発明の詳細を図示実施例に基づいて説明する。第
４図は第一実施例である。
４図は第一実施例である。
転送パターン１１・・・・・・の例からなる転送路１の
−端に、バブル発生器Ｇを設け、発生器Ｇはバブル発生
用の制御導体パターン２を備えており、この導体のルー
プ内に磁気バブルをニユークリエーシヨンさせる点は、
第１図と同じである。
−端に、バブル発生器Ｇを設け、発生器Ｇはバブル発生
用の制御導体パターン２を備えており、この導体のルー
プ内に磁気バブルをニユークリエーシヨンさせる点は、
第１図と同じである。
転送路１の他端、即ちバブル転送方向の先端は、書き込
み情報転送路を介して記憶ループへ接続される。例えば
、メイジヤ／マイナループ構成であれば、メイジャルー
プを経てマイナループへ接続される。転送路１の途中に
は、トランスフアゲートＴが形成してある。３はトラン
スフアゲートを構成する制御導体パターンであり，その
一端は別の転送路４と重なつている。
み情報転送路を介して記憶ループへ接続される。例えば
、メイジヤ／マイナループ構成であれば、メイジャルー
プを経てマイナループへ接続される。転送路１の途中に
は、トランスフアゲートＴが形成してある。３はトラン
スフアゲートを構成する制御導体パターンであり，その
一端は別の転送路４と重なつている。
また制御導体パターン２と、制御導体パターン３とは電
流１により、発生する磁界の向きが逆になるように直列
に接続してある。
流１により、発生する磁界の向きが逆になるように直列
に接続してある。
さらに、発生器Ｇを構成するパーマロイパターン１１と
、トランスフアゲートＴを構成するパーマロイパターン
１１とは、回転磁界ＨＲの方向に対する配置が１８０度
相違するように配置されている。
、トランスフアゲートＴを構成するパーマロイパターン
１１とは、回転磁界ＨＲの方向に対する配置が１８０度
相違するように配置されている。
また転送路４も転送パターン１１・・・の剛・ら成り、
その先端は図示されていないガードレールへ接続される
。
その先端は図示されていないガードレールへ接続される
。
トランスフアゲートＴに所定の制御信号（電流１）が流
れると、転送路１中のパターン１１′上の磁気バブルＢ
７が、制御導体パターン３で引つ張られ、転送路４へト
ランスフアされる。動作を述べると、発生器Ｇでは、従
来と違つて毎ビツト連続して磁気バブルを発生させ、回
転磁界によつてＢ１・Ｂ２・・・と順次転送される。
れると、転送路１中のパターン１１′上の磁気バブルＢ
７が、制御導体パターン３で引つ張られ、転送路４へト
ランスフアされる。動作を述べると、発生器Ｇでは、従
来と違つて毎ビツト連続して磁気バブルを発生させ、回
転磁界によつてＢ１・Ｂ２・・・と順次転送される。
この場合、制御導体パターン２，３が直列接続されてい
るため、これら制御導体パターン２，３に電流１を流す
タイミングは回転磁界ＨＲの一周期に２回設定されてい
る。即ち回転磁界の方向がＯ度（図では下向）と１８０
度（図では上向）のときが電流１を流すタイミングであ
る。しかし，発生器ＧとトランスフアゲートＴのパーマ
ロイパターンの配置は１８０度異なり、回転磁界ＨＲの
方向が０度のときに流れる電流１により生ずる局部磁界
は発生器Ｇにのみ作用し、また回転磁界ＨＲの方向が１
８０度のときに流れる電流１により生ずる局部磁界はト
ランスフアゲートＴにのみ作用する。
るため、これら制御導体パターン２，３に電流１を流す
タイミングは回転磁界ＨＲの一周期に２回設定されてい
る。即ち回転磁界の方向がＯ度（図では下向）と１８０
度（図では上向）のときが電流１を流すタイミングであ
る。しかし，発生器ＧとトランスフアゲートＴのパーマ
ロイパターンの配置は１８０度異なり、回転磁界ＨＲの
方向が０度のときに流れる電流１により生ずる局部磁界
は発生器Ｇにのみ作用し、また回転磁界ＨＲの方向が１
８０度のときに流れる電流１により生ずる局部磁界はト
ランスフアゲートＴにのみ作用する。
なお、発生器Ｇには毎ビツト連続してバブルを発生させ
るため、回転磁界ＨＲの方向が０度のときは、その都度
電流ｉが流されるが、回転磁界ＨＲの方向が１８０度の
ときは後述するように、バブルを送出するか否かに応じ
て電流ｉが流される。
るため、回転磁界ＨＲの方向が０度のときは、その都度
電流ｉが流されるが、回転磁界ＨＲの方向が１８０度の
ときは後述するように、バブルを送出するか否かに応じ
て電流ｉが流される。
トランスフアゲートＴにおいて電流ｉが流れると、転送
パターン１１′上の磁気バブルＢＴは、ガードレール側
の転送路４へトランスフアされ、回転磁界によつてＢ８
・ＢＩＯのように転送され、ガードレールへ送られる。
そして電流ｉは、書き込み情報とならない不要バプルが
、トランスフアゲート位置に来たときのみ通電する。こ
のため不要バプルは、Ｂ８・ＢＩＯのようにガードレー
ルへ捨てられ、必要な情報バプルだけがＢ９・ Ｂｌｌ
のように書き込み情報転送路５上を転送され、記憶ルー
プへ送られる。したがつてこの構成によれば、バプル発
生器Ｇでは毎ビツトバブルを発生させて、該発生器Ｇと
トランスフアゲートＴ間の転送路パターンには，すべて
バプルを供給し、この中から不要バプルを除去して必要
な情報バプルだけを書き込む。
パターン１１′上の磁気バブルＢＴは、ガードレール側
の転送路４へトランスフアされ、回転磁界によつてＢ８
・ＢＩＯのように転送され、ガードレールへ送られる。
そして電流ｉは、書き込み情報とならない不要バプルが
、トランスフアゲート位置に来たときのみ通電する。こ
のため不要バプルは、Ｂ８・ＢＩＯのようにガードレー
ルへ捨てられ、必要な情報バプルだけがＢ９・ Ｂｌｌ
のように書き込み情報転送路５上を転送され、記憶ルー
プへ送られる。したがつてこの構成によれば、バプル発
生器Ｇでは毎ビツトバブルを発生させて、該発生器Ｇと
トランスフアゲートＴ間の転送路パターンには，すべて
バプルを供給し、この中から不要バプルを除去して必要
な情報バプルだけを書き込む。
このため、発生器Ｇで不必要なバプルが発生したわして
も、発生器付近には空きパターンが無く、不要バプルが
侵人する余地が無い。しかも、スイツチング作用をする
トランスフアゲート部付近まで不要バブルの影響が及ぶ
おそれが無いので、書き込みの誤動作が発生することは
無く、信頼性が著しく向上する。特に、これによつて低
温・低バイアス側での誤動作が解消されることにより、
第２図および第３図の鎖線に示すように、バイアス磁界
マージンの下限が下がク、チツプ温の高温側におけるジ
エネレータ電流値の上限が上がることになク動作マージ
ンが拡大される。第５図は、第４図のトランスフアゲー
トの代わに分割器を設けた本発明の第二実施例ｒある。
も、発生器付近には空きパターンが無く、不要バプルが
侵人する余地が無い。しかも、スイツチング作用をする
トランスフアゲート部付近まで不要バブルの影響が及ぶ
おそれが無いので、書き込みの誤動作が発生することは
無く、信頼性が著しく向上する。特に、これによつて低
温・低バイアス側での誤動作が解消されることにより、
第２図および第３図の鎖線に示すように、バイアス磁界
マージンの下限が下がク、チツプ温の高温側におけるジ
エネレータ電流値の上限が上がることになク動作マージ
ンが拡大される。第５図は、第４図のトランスフアゲー
トの代わに分割器を設けた本発明の第二実施例ｒある。
Ｒは分割器を示し．６は分割器Ｒの制御導体パターンを
示す他は、全て第４図と同様であり、また発生器Ｇの動
作や制御導体パターンに流す電流ｉ等についても電流を
流すタイミングが若干異なる他は第４図とほぼ同じであ
る。従つて以下には分割器Ｒの動作について説明する。
示す他は、全て第４図と同様であり、また発生器Ｇの動
作や制御導体パターンに流す電流ｉ等についても電流を
流すタイミングが若干異なる他は第４図とほぼ同じであ
る。従つて以下には分割器Ｒの動作について説明する。
分割器Ｒにおいて電流ｉが流れると、転送パターン１１
′上の磁気バプルＢＴは、分割され一方は書き込み情報
転送路５へ、回転磁界によつてＢ９・ＢＩＯのように転
送され、他方はＢ９・ＢＩＯのようにガードレール側の
転送路４へ送られる。
′上の磁気バプルＢＴは、分割され一方は書き込み情報
転送路５へ、回転磁界によつてＢ９・ＢＩＯのように転
送され、他方はＢ９・ＢＩＯのようにガードレール側の
転送路４へ送られる。
そして電流ｉは、書き込み情報となる必要なバプルが、
分割器Ｒ位置に来たときのみ通電する。このため必要な
情報バブルだけがＢ９・ Ｂｌｌのように転送路５上を
転送され、書き込み情報転送路で記憶ループへ送られる
。尚、電流ｉが流されないときは、バプルは全て転送路
４へ送られる。
分割器Ｒ位置に来たときのみ通電する。このため必要な
情報バブルだけがＢ９・ Ｂｌｌのように転送路５上を
転送され、書き込み情報転送路で記憶ループへ送られる
。尚、電流ｉが流されないときは、バプルは全て転送路
４へ送られる。
第６図は第４図のトランスフアゲートの代クに消滅器を
設けた本発明の第三実施例である。
設けた本発明の第三実施例である。
Ａは消滅器を示し、７は消滅器Ａの制御導体パターンを
示す他は全て第４図と同じであり、また発生器Ｇの動作
や制御導体パターンに流す電流ｉ等についても電流を流
すタイミングが若干異なる他は第４図とほぼ同じである
。従つて以下には消滅器Ａの動作について説明する。
示す他は全て第４図と同じであり、また発生器Ｇの動作
や制御導体パターンに流す電流ｉ等についても電流を流
すタイミングが若干異なる他は第４図とほぼ同じである
。従つて以下には消滅器Ａの動作について説明する。
消滅器Ａの制御導体パターンＴに電流ｉが流れると、転
送パターン１１′上の磁気バプルＢＴは消滅させられ、
書き込み情報転送路５には転送されない。
送パターン１１′上の磁気バプルＢＴは消滅させられ、
書き込み情報転送路５には転送されない。
また転送パターン１１′上に磁気バブルが到達したとき
制御導体パターンＴに電流ｉが流されないと、回転磁界
ＨＲＶＣよりＢ９・Ｂｌｌのように書き込み情報転送路
５に転送される。以上のように本発明では、発生器で連
続してバプルを発生させることにより温度特性を改善す
るとともに分割器等の制御回路が増えたにもかかわらず
．制御導体パターンを直列接続することにより、端子の
数の増加を押えることができ．チツプサイズも従来通わ
に押えることができる。
制御導体パターンＴに電流ｉが流されないと、回転磁界
ＨＲＶＣよりＢ９・Ｂｌｌのように書き込み情報転送路
５に転送される。以上のように本発明では、発生器で連
続してバプルを発生させることにより温度特性を改善す
るとともに分割器等の制御回路が増えたにもかかわらず
．制御導体パターンを直列接続することにより、端子の
数の増加を押えることができ．チツプサイズも従来通わ
に押えることができる。
第１図は従来の磁気バプル発生器のパターンを示す図、
第２図は回転磁界に対するバイアス磁界のマージンを示
すグラフ、第３図は磁気バプルチツプ温に対するジェネ
レータ電流のマージンを示すグラフである。
第２図は回転磁界に対するバイアス磁界のマージンを示
すグラフ、第３図は磁気バプルチツプ温に対するジェネ
レータ電流のマージンを示すグラフである。
Claims (1)
- １ 制御用導体パターンによる局部磁界と、パーマロイ
パターンに作用する回転磁界とにより磁気バブルの発生
、分割、消滅、進行方向の制御等を行なう磁気バブル記
憶装置において、バブル発生手段により回転磁界の各周
期毎にバブルを連続して発生させると共に該発生手段の
制御用第１導体パターンと、分割、消滅、あるいは進行
方向の制御のいずれかの手段の制御用第２導体パターン
とをそれぞれの前記第１と第２導体パターンが作る局部
磁界の方向が逆になるように直列に接続し、かつ前記両
手段の前記第１と第２導体パターンを同一バブル転送路
上に配置すると共に、該転送路には回転磁界方向に対す
る配置が９０度以上異なる少なくとも２個のパーマロイ
パターンを各々前記第１と第２導体パターンに対向させ
て配置したことを特徴とする磁気バブル記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318078A JPS598907B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブル記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318078A JPS598907B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブル記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5589977A JPS5589977A (en) | 1980-07-08 |
| JPS598907B2 true JPS598907B2 (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15768757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16318078A Expired JPS598907B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブル記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598907B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736494A (ja) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Fujitsu Ltd | Jikibaburumemorisochi |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP16318078A patent/JPS598907B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5589977A (en) | 1980-07-08 |
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