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JPS598907B2 - magnetic bubble storage device - Google Patents
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JPS598907B2 - magnetic bubble storage device - Google Patents

magnetic bubble storage device

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Publication number
JPS598907B2
JPS598907B2 JP16318078A JP16318078A JPS598907B2 JP S598907 B2 JPS598907 B2 JP S598907B2 JP 16318078 A JP16318078 A JP 16318078A JP 16318078 A JP16318078 A JP 16318078A JP S598907 B2 JPS598907 B2 JP S598907B2
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magnetic field
bubble
magnetic
pattern
bubbles
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武泰 柳瀬
尚武 折原
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルを発生させ所要の書き込み情報バ
ブルを記憶ループヘ転送する磁気バブル情報書き込み装
置に関し、ニュークリエーションされた磁気バブルを正
確に書き込むことのできる装置を実現するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble information writing device that generates magnetic bubbles and transfers required write information bubbles to a storage loop, and provides a device that can accurately write nucleated magnetic bubbles. It is something.

5 磁気バブル記憶装置は、情報の1、0を磁気バブル
の有無で表現し、磁気バブルを順次転送するループ状の
転送路でシフトレジスタを形成して。
5. A magnetic bubble storage device expresses information 1 and 0 by the presence or absence of magnetic bubbles, and forms a shift register with a loop-shaped transfer path that sequentially transfers the magnetic bubbles.

その中に磁気バブルを送入し情報として記憶させるもの
である。磁気バブルを転送するには、磁性10ガーネッ
ト等の磁性薄板上に、Tバーやシエプロン、Y−Y1ハ
ーフディスク等のパーマロイ転送パターンを形成し、磁
性薄板と垂直方向の静磁界の下で、磁性薄板面内に平行
な回転磁界を与えて、転送パターンを磁化し、転送する
。一方、バブル15磁区の発生方式には、種バブルを分
割するものと、ニュークリエーションさせるものとがあ
るが、本発明は後者のニュークリエーション式の発生器
でバブルを発生させ、書き込む方式を対象としている。
ところが、ニュークリエーション式の発生器20では、
漂遊バブルによる誤動作のおそれがあり、情報書き込み
の信頼性を妨げている。第1図が従来のニュークリエー
ション式の発生器Gであり、パーマロイ等でできた変形
ハーフディスク形パターン11・・・から成る磁気バブ
ル転送25路1に、ヘアピン状の制御導体パターン2が
形成されており、回転磁界HRの方向に同期したパルス
電流iを旅して、局部的に強い逆方向磁界を作ることに
より、制御導体2のヘアピン部内にバブル磁区B1を発
生させる。
A magnetic bubble is sent into it and stored as information. To transfer magnetic bubbles, a permalloy transfer pattern such as a T-bar, aperon, or a Y-Y1 half disk is formed on a magnetic thin plate such as magnetic 10 garnet, and the magnetic bubble is transferred under a static magnetic field perpendicular to the magnetic thin plate. A rotating magnetic field parallel to the plane of the thin plate is applied to magnetize and transfer the transfer pattern. On the other hand, there are two methods for generating bubble 15 magnetic domains: one that divides a seed bubble and one that performs nucleation. There is.
However, in the Nu Creation type generator 20,
There is a risk of malfunction due to stray bubbles, which impedes the reliability of information writing. FIG. 1 shows a conventional NuCreation type generator G, in which a hairpin-shaped control conductor pattern 2 is formed on a magnetic bubble transfer path 25 consisting of a modified half-disc pattern 11 made of permalloy or the like. A bubble magnetic domain B1 is generated in the hairpin portion of the control conductor 2 by passing a pulse current i synchronized with the direction of the rotating magnetic field HR and creating a locally strong reverse magnetic field.

発生した磁気バブルは30回転磁界によつて、矢印方向
(図上左方)へB2・・・のように転送される。このよ
うにして、バイアス磁界および回転磁界HRの作用して
いる下で。情報の「1」・ 「o」に対応して、制御導
体パターン2へのジェネレータ電流iを「ON」 ・3
5「OFF」することにより、磁気バブル情報が書き込
まれる。ところがこのようなニュークリエーション式の
磁気バプル発生・書き込み装置では、バイアス磁界やジ
エネレータ電流の動作マージン領域臨界値付近において
、誤動作が発生しやすい。
The generated magnetic bubbles are transferred in the direction of the arrow (to the left in the figure) as B2... by the 30-rotation magnetic field. Thus, under the action of a bias magnetic field and a rotating magnetic field HR. In response to the information “1” and “o”, the generator current i to the control conductor pattern 2 is “ON”・3
5 "OFF", magnetic bubble information is written. However, in such a nucleation-type magnetic bubble generation/writing device, malfunctions are likely to occur near the critical values of the operating margin region of the bias magnetic field and the generator current.

即ち、制御導体2内に不必要なバブルが余分に発生し、
それらが反発し合つて転送路の空位置に混人する等、書
き込みの誤動作を引き起こす。このために、磁気バブル
情報書き込み装置のバイアス磁界マージン、ジエネレー
タ電流およびチツプ温度のマージンが非常に狭くなつて
いる。第2図は、バブル発生器が正常動作するのに要す
る、回転磁界HRに対するバイアス磁界HRのマージン
を示すもので、発生器における誤動作は下限値D付近に
おいて生じやすい。第3図は、磁気バブルチツプ温度に
対するジエネレータ電流値のマージンを示すもので、チ
ツプ温度を広範囲まで保障しようとすると、破線で示す
ようにジエネレータ電流値が制限される。特に高温にな
るにつれて上限値が極端に下がるので、放熱等熱設計の
負担が大きくなる。本発明は、磁気バブルの発生書き込
み装置における動作マージン臨界付近における誤動作を
防止し、例えば鎖線で示すようにジエネレータ電流の上
限値を高くし、バイアス磁界の下限を下げて、動作特性
を改善することを目的とする。この目的を実現するため
に本発明は、制御用導体パターンによる局部磁界と、パ
ーマロイパターンに作用する回転磁界とにより磁気バブ
ルの発生,分割,消滅,進行方向の制御等を行なう磁気
バブル記憶装置において、バブル発生手段により回転磁
界の各周期毎にバブルを連続して発生させると共に該発
生手段の制御用第1導体パターンと、分割9消滅9ある
いは進行方向の制御のいずれかの手段の制御用第2導体
パターンとをそれぞれの前記第1と第2導体パターンが
作る局部磁界の方向が逆になるように直列に接続し、か
つ前記両手段の前記第1と第2導体パターンを同一バブ
ル転送路上に配置すると共に、該転送路には回転磁界方
向に対する配置が90度以上異なる少なくとも2個のパ
ーマロイパターンを各々前記第1と第2導体パターンに
対向させて配置したことを特徴とする磁気バブル記憶装
置を提案するものである。
That is, unnecessary bubbles are generated in the control conductor 2,
They repel each other and cause write errors such as crowding of empty positions on the transfer path. For this reason, the bias magnetic field margin, generator current, and chip temperature margin of the magnetic bubble information writing device are extremely narrow. FIG. 2 shows the margin of the bias magnetic field HR relative to the rotating magnetic field HR required for the bubble generator to operate normally, and malfunctions in the generator tend to occur near the lower limit value D. FIG. 3 shows the margin of the generator current value with respect to the magnetic bubble chip temperature. If the chip temperature is to be guaranteed over a wide range, the generator current value is limited as shown by the broken line. In particular, as the temperature increases, the upper limit value drops dramatically, which increases the burden of thermal design such as heat radiation. The present invention prevents malfunctions near critical operating margins in magnetic bubble generation writing devices, and improves operating characteristics by increasing the upper limit of the generator current and lowering the lower limit of the bias magnetic field, for example, as shown by the chain line. With the goal. In order to achieve this object, the present invention provides a magnetic bubble storage device that generates, splits, extinguishes, and controls the traveling direction of magnetic bubbles using a local magnetic field generated by a control conductor pattern and a rotating magnetic field that acts on a permalloy pattern. , the bubble generating means continuously generates bubbles for each cycle of the rotating magnetic field, and a first conductor pattern for controlling the generating means, and a first conductor pattern for controlling either the division 9 annihilation 9 or the control of the traveling direction. two conductor patterns are connected in series so that the directions of local magnetic fields generated by the first and second conductor patterns are opposite, and the first and second conductor patterns of both means are connected on the same bubble transfer path. , and at least two permalloy patterns whose positions differ by 90 degrees or more with respect to the direction of the rotating magnetic field are arranged in the transfer path so as to face the first and second conductor patterns, respectively. This paper proposes a device.

次に本発明の詳細を図示実施例に基づいて説明する。第
4図は第一実施例である。
Next, details of the present invention will be explained based on illustrated embodiments. FIG. 4 shows the first embodiment.

転送パターン11・・・・・・の例からなる転送路1の
−端に、バブル発生器Gを設け、発生器Gはバブル発生
用の制御導体パターン2を備えており、この導体のルー
プ内に磁気バブルをニユークリエーシヨンさせる点は、
第1図と同じである。
A bubble generator G is provided at the negative end of a transfer path 1 consisting of an example of a transfer pattern 11, and the generator G is provided with a control conductor pattern 2 for generating bubbles. The point that causes the new creation of magnetic bubbles is
Same as Figure 1.

転送路1の他端、即ちバブル転送方向の先端は、書き込
み情報転送路を介して記憶ループへ接続される。例えば
、メイジヤ/マイナループ構成であれば、メイジャルー
プを経てマイナループへ接続される。転送路1の途中に
は、トランスフアゲートTが形成してある。3はトラン
スフアゲートを構成する制御導体パターンであり,その
一端は別の転送路4と重なつている。
The other end of the transfer path 1, ie, the tip in the bubble transfer direction, is connected to the storage loop via the write information transfer path. For example, in the case of a major/minor loop configuration, it is connected to the minor loop via the major loop. A transfer gate T is formed in the middle of the transfer path 1. Reference numeral 3 denotes a control conductor pattern constituting a transfer gate, one end of which overlaps another transfer path 4.

また制御導体パターン2と、制御導体パターン3とは電
流1により、発生する磁界の向きが逆になるように直列
に接続してある。
Further, the control conductor pattern 2 and the control conductor pattern 3 are connected in series so that the directions of the magnetic fields generated by the current 1 are opposite to each other.

さらに、発生器Gを構成するパーマロイパターン11と
、トランスフアゲートTを構成するパーマロイパターン
11とは、回転磁界HRの方向に対する配置が180度
相違するように配置されている。
Further, the permalloy pattern 11 that constitutes the generator G and the permalloy pattern 11 that constitutes the transfer gate T are arranged so that their positions with respect to the direction of the rotating magnetic field HR differ by 180 degrees.

また転送路4も転送パターン11・・・の剛・ら成り、
その先端は図示されていないガードレールへ接続される
The transfer path 4 also consists of a rigid transfer pattern 11...
Its tip is connected to a guardrail (not shown).

トランスフアゲートTに所定の制御信号(電流1)が流
れると、転送路1中のパターン11′上の磁気バブルB
7が、制御導体パターン3で引つ張られ、転送路4へト
ランスフアされる。動作を述べると、発生器Gでは、従
来と違つて毎ビツト連続して磁気バブルを発生させ、回
転磁界によつてB1・B2・・・と順次転送される。
When a predetermined control signal (current 1) flows through the transfer gate T, the magnetic bubble B on the pattern 11' in the transfer path 1
7 is pulled by the control conductor pattern 3 and transferred to the transfer path 4. In operation, generator G generates magnetic bubbles continuously for each bit, unlike the conventional ones, and the bits are sequentially transferred as B1, B2, . . . by a rotating magnetic field.

この場合、制御導体パターン2,3が直列接続されてい
るため、これら制御導体パターン2,3に電流1を流す
タイミングは回転磁界HRの一周期に2回設定されてい
る。即ち回転磁界の方向がO度(図では下向)と180
度(図では上向)のときが電流1を流すタイミングであ
る。しかし,発生器GとトランスフアゲートTのパーマ
ロイパターンの配置は180度異なり、回転磁界HRの
方向が0度のときに流れる電流1により生ずる局部磁界
は発生器Gにのみ作用し、また回転磁界HRの方向が1
80度のときに流れる電流1により生ずる局部磁界はト
ランスフアゲートTにのみ作用する。
In this case, since the control conductor patterns 2 and 3 are connected in series, the timing at which the current 1 flows through these control conductor patterns 2 and 3 is set twice in one cycle of the rotating magnetic field HR. In other words, the direction of the rotating magnetic field is 0 degrees (downward in the figure) and 180 degrees.
The timing at which the current 1 is applied is when the current 1 is at a certain angle (in the upward direction in the figure). However, the arrangement of the permalloy patterns of the generator G and the transfer gate T is 180 degrees different, and the local magnetic field generated by the current 1 flowing when the direction of the rotating magnetic field HR is 0 degrees acts only on the generator G, and the rotating magnetic field HR direction is 1
The local magnetic field generated by the current 1 flowing at 80 degrees acts only on the transfer gate T.

なお、発生器Gには毎ビツト連続してバブルを発生させ
るため、回転磁界HRの方向が0度のときは、その都度
電流iが流されるが、回転磁界HRの方向が180度の
ときは後述するように、バブルを送出するか否かに応じ
て電流iが流される。
In addition, since the generator G generates bubbles continuously for each bit, when the direction of the rotating magnetic field HR is 0 degrees, a current i is passed each time, but when the direction of the rotating magnetic field HR is 180 degrees, As will be described later, a current i is applied depending on whether or not to send out a bubble.

トランスフアゲートTにおいて電流iが流れると、転送
パターン11′上の磁気バブルBTは、ガードレール側
の転送路4へトランスフアされ、回転磁界によつてB8
・BIOのように転送され、ガードレールへ送られる。
そして電流iは、書き込み情報とならない不要バプルが
、トランスフアゲート位置に来たときのみ通電する。こ
のため不要バプルは、B8・BIOのようにガードレー
ルへ捨てられ、必要な情報バプルだけがB9・ Bll
のように書き込み情報転送路5上を転送され、記憶ルー
プへ送られる。したがつてこの構成によれば、バプル発
生器Gでは毎ビツトバブルを発生させて、該発生器Gと
トランスフアゲートT間の転送路パターンには,すべて
バプルを供給し、この中から不要バプルを除去して必要
な情報バプルだけを書き込む。
When the current i flows in the transfer gate T, the magnetic bubble BT on the transfer pattern 11' is transferred to the transfer path 4 on the guardrail side, and the rotating magnetic field causes the magnetic bubble BT to be transferred to the transfer path 4 on the guardrail side.
・Transferred like BIO and sent to guardrail.
The current i is applied only when an unnecessary bubble that does not constitute write information comes to the transfer gate position. For this reason, unnecessary bubbles are discarded to the guardrail like B8/BIO, and only necessary information bubbles are discarded to B9/Bll.
The data is transferred on the write information transfer path 5 as shown in FIG. 5 and sent to the storage loop. Therefore, according to this configuration, the bubble generator G generates a bubble every bit, supplies all bubbles to the transfer path pattern between the generator G and the transfer gate T, and removes unnecessary bubbles from the bubbles. and write only the necessary information bubbles.

このため、発生器Gで不必要なバプルが発生したわして
も、発生器付近には空きパターンが無く、不要バプルが
侵人する余地が無い。しかも、スイツチング作用をする
トランスフアゲート部付近まで不要バブルの影響が及ぶ
おそれが無いので、書き込みの誤動作が発生することは
無く、信頼性が著しく向上する。特に、これによつて低
温・低バイアス側での誤動作が解消されることにより、
第2図および第3図の鎖線に示すように、バイアス磁界
マージンの下限が下がク、チツプ温の高温側におけるジ
エネレータ電流値の上限が上がることになク動作マージ
ンが拡大される。第5図は、第4図のトランスフアゲー
トの代わに分割器を設けた本発明の第二実施例rある。
Therefore, even if unnecessary bubbles are generated in the generator G, there is no empty pattern near the generator, and there is no room for unnecessary bubbles to invade. Furthermore, since there is no possibility that the influence of unnecessary bubbles will reach the vicinity of the transfer gate section which performs the switching action, there will be no write malfunctions, and reliability will be significantly improved. In particular, this eliminates malfunctions at low temperatures and low bias.
As shown by the chain lines in FIGS. 2 and 3, the lower limit of the bias magnetic field margin is lowered, and the upper limit of the generator current value on the high temperature side of the chip is raised, thereby expanding the operating margin. FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention in which a divider is provided in place of the transfer gate of FIG.

Rは分割器を示し.6は分割器Rの制御導体パターンを
示す他は、全て第4図と同様であり、また発生器Gの動
作や制御導体パターンに流す電流i等についても電流を
流すタイミングが若干異なる他は第4図とほぼ同じであ
る。従つて以下には分割器Rの動作について説明する。
R indicates a divider. 6 shows the control conductor pattern of the divider R, and everything else is the same as in FIG. It is almost the same as Figure 4. The operation of divider R will therefore be explained below.

分割器Rにおいて電流iが流れると、転送パターン11
′上の磁気バプルBTは、分割され一方は書き込み情報
転送路5へ、回転磁界によつてB9・BIOのように転
送され、他方はB9・BIOのようにガードレール側の
転送路4へ送られる。
When current i flows in divider R, transfer pattern 11
'The magnetic bubble BT on the top is divided and one side is transferred to the write information transfer path 5 like B9・BIO by the rotating magnetic field, and the other side is sent like B9・BIO to the transfer path 4 on the guardrail side. .

そして電流iは、書き込み情報となる必要なバプルが、
分割器R位置に来たときのみ通電する。このため必要な
情報バブルだけがB9・ Bllのように転送路5上を
転送され、書き込み情報転送路で記憶ループへ送られる
。尚、電流iが流されないときは、バプルは全て転送路
4へ送られる。
And the current i is the necessary bubble that becomes the write information,
Power is applied only when the divider reaches the R position. For this reason, only the necessary information bubbles are transferred on the transfer path 5 like B9 and Bll, and sent to the storage loop via the write information transfer path. Note that when the current i is not applied, all bubbles are sent to the transfer path 4.

第6図は第4図のトランスフアゲートの代クに消滅器を
設けた本発明の第三実施例である。
FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention in which an annihilator is provided in place of the transfer gate shown in FIG.

Aは消滅器を示し、7は消滅器Aの制御導体パターンを
示す他は全て第4図と同じであり、また発生器Gの動作
や制御導体パターンに流す電流i等についても電流を流
すタイミングが若干異なる他は第4図とほぼ同じである
。従つて以下には消滅器Aの動作について説明する。
A indicates the annihilator, and 7 indicates the control conductor pattern of the annihilator A. Other than that, everything else is the same as in Fig. 4. Also, the operation of the generator G, the current i, etc. to be passed through the control conductor pattern, etc., and the timing of passing the current. It is almost the same as Fig. 4, except that it is slightly different. Therefore, the operation of the annihilator A will be explained below.

消滅器Aの制御導体パターンTに電流iが流れると、転
送パターン11′上の磁気バプルBTは消滅させられ、
書き込み情報転送路5には転送されない。
When a current i flows through the control conductor pattern T of the extinguisher A, the magnetic bubble BT on the transfer pattern 11' is extinguished,
It is not transferred to the write information transfer path 5.

また転送パターン11′上に磁気バブルが到達したとき
制御導体パターンTに電流iが流されないと、回転磁界
HRVCよりB9・Bllのように書き込み情報転送路
5に転送される。以上のように本発明では、発生器で連
続してバプルを発生させることにより温度特性を改善す
るとともに分割器等の制御回路が増えたにもかかわらず
.制御導体パターンを直列接続することにより、端子の
数の増加を押えることができ.チツプサイズも従来通わ
に押えることができる。
Furthermore, when the magnetic bubble reaches the transfer pattern 11', if the current i is not applied to the control conductor pattern T, the magnetic bubble is transferred to the write information transfer path 5 as B9.Bll by the rotating magnetic field HRVC. As described above, in the present invention, the temperature characteristics are improved by continuously generating bubbles in the generator, and even though the number of control circuits such as a divider is increased. By connecting the control conductor patterns in series, the increase in the number of terminals can be suppressed. The chip size can also be reduced to the conventional size.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の磁気バプル発生器のパターンを示す図、
第2図は回転磁界に対するバイアス磁界のマージンを示
すグラフ、第3図は磁気バプルチツプ温に対するジェネ
レータ電流のマージンを示すグラフである。
Figure 1 is a diagram showing the pattern of a conventional magnetic bubble generator;
FIG. 2 is a graph showing the margin of the bias magnetic field with respect to the rotating magnetic field, and FIG. 3 is a graph showing the margin of the generator current with respect to the magnetic bubble chip temperature.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 制御用導体パターンによる局部磁界と、パーマロイ
パターンに作用する回転磁界とにより磁気バブルの発生
、分割、消滅、進行方向の制御等を行なう磁気バブル記
憶装置において、バブル発生手段により回転磁界の各周
期毎にバブルを連続して発生させると共に該発生手段の
制御用第1導体パターンと、分割、消滅、あるいは進行
方向の制御のいずれかの手段の制御用第2導体パターン
とをそれぞれの前記第1と第2導体パターンが作る局部
磁界の方向が逆になるように直列に接続し、かつ前記両
手段の前記第1と第2導体パターンを同一バブル転送路
上に配置すると共に、該転送路には回転磁界方向に対す
る配置が90度以上異なる少なくとも2個のパーマロイ
パターンを各々前記第1と第2導体パターンに対向させ
て配置したことを特徴とする磁気バブル記憶装置。
1. In a magnetic bubble storage device that generates, divides, extinguishes, and controls the traveling direction of magnetic bubbles using a local magnetic field generated by a control conductor pattern and a rotating magnetic field acting on a permalloy pattern, each period of the rotating magnetic field is controlled by a bubble generating means. The first conductor pattern for controlling the generating means and the second conductor pattern for controlling the means for dividing, extinguishing, or controlling the direction of movement are continuously generated in each of the first conductor patterns. and a second conductor pattern are connected in series so that the directions of local magnetic fields generated by the means are opposite, and the first and second conductor patterns of both means are arranged on the same bubble transfer path, and the transfer path includes: A magnetic bubble storage device characterized in that at least two permalloy patterns whose positions differ by 90 degrees or more with respect to the direction of a rotating magnetic field are arranged to face the first and second conductor patterns, respectively.
JP16318078A 1978-12-26 1978-12-26 magnetic bubble storage device Expired JPS598907B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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