JPS598968B2 - レベル判別回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 レベル判別回路として例えば第１図に示すような差動ア
ンプタイプのものがある。

すなわち、トランジスタＱ１，Ｑ２のエミツタが定電流
源Ｘ１に接続されて電圧比較用の差動アンプＡ１が構成
されると共に、トランジスタＱ１のベースに抵抗器Ｒ１
，Ｒ２によりバイアス電圧が供給さ札 トランジスタＱ
２のベースに分圧用抵抗器Ｒ３， Ｒ，によリスレツシ
ョールド電圧（基準電圧）Ｖｂが供給され、またトラン
ジスタＱ２のコレクタから出力端子Ｔ１が引き出される
。

そして前段の回路Ａ２からレベル判別されるべき信号Ｖ
ａがトランジスタＱ１のベースに供給される。

なお、Ｓｇは信号源、ｒは出力インピーダンスである。

トコろが、このレベル判別回路をＩＣ化した場合、抵抗
器Ｒ１〜Ｒ４の相対値は±５％程度しかばらつかないが
、絶対値は±２０％程度ばらつくので、このばらつきに
より入力信号Ｖａに対するレベル判別のスレツショール
ドレベルが大きくばらついてしまう。

すなわち、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対値にばらつきがない
場合には、第２図Ａに実線で示すように、入力信号Ｖａ
のレベルがスレツショールド電圧ｖｂよりも高いとき、
トランジスタＱ２がオフとなり、低いときオンとなるの
で、端子Ｔ１には第２図Ｂに実線で示すような出力信号
Ｅｂが取り出される。

ところが、 Ｅａ：信号源Ｓｇの出力レベル Ｖａ：｝ランジスタＱ１の入力レベル とすれば、 ナノで、抵抗器Ｒｌ Ｊ Ｒ２の絶対値がばらついて例
えば大きくなると、第２図Ａに破線で示すように、入力
信号Ｖａの振幅は大きくなる。

ただし、抵抗器Ｒｌ ｔ Ｒ２の相対値はあまりばらつ
かないので、入力信号Ｖａの直流レベルはほとんど変化
しない。

また抵抗器Ｒ３， Ｒ４の相対値もあまりばらつかない
ので、スレッショールド電圧ｖｂもほとんど変化しない
。

従ってこの場合には、端子Ｔ１に得られる出力信号Ｅｂ
は、第２図Ｂに破線で示すようになり、すなわち、入力
信号Ｖａに対するみかけのスレッショールドレベルが変
化してしまう。

本発明は、このような点にかんがみ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２
の絶対値がばらついて入力インピーダンスがばらついて
も、入力信号に対するみかけのスレツショールドレベル
が変化しないようにしようとするものである。

このため本発明においては、例えば第３図に示すように
、このレベル判別回路をＩＣ化した場合、抵抗器瓜に抵
抗器Ｒ５を端子Ｔ４を通じて外付けにより並列接続する
。

このような構成によれば、スレツショールド電圧ｖｂは
、次式で示される。

従って抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対値にばらつきがない場合
、簡単のため、 Ｒ３＝ Ｒ， ＝ Ｒ５＝ Ｒ とすれば、 Ｗｂ二０．３ ３３Ｖｃｃ となる。

これに対し、抵抗器Ｒ３〜Ｒ，の絶対値にばらつきがあ
った場合には、スレツショールド電圧ｖｂは、次のよう
に変化する。

ただし、抵抗器Ｒ５は外付け抵抗器であるから、その絶
対値のばらつきは±５％以内に抑えることができる。

すなわち、抵抗器Ｒ３ ｊ Ｒ４の絶対値が大きい方向
にばらついた場合（ ！ ｔ ｆ！の場合）には、抵抗
器Ｒ，の絶対値のばらつきにかかわらず、スレツショー
ルド電圧ｖｂは、標準値０．３３３Ｖｃｃ よりも低く
なる。

また抵抗器Ｒ３ Ｊ Ｒ４の絶対値が小さい方向にばら
ついた場合（ ｉｉｉ ， ｉＶの場合）には、抵抗器
Ｒ５の絶対値のばらつきにかかわらず、スレツショール
ド電圧ｖｂは、標準値０．３３３Ｖｃｃ よりも高くな
る。

従って抵抗器Ｒ，〜Ｒ４の絶対値が大きい方向にばらつ
いた場合には、第４図Ａに破線で示すように、入力信号
Ｖａの振幅が大きくなるが、これと同時に、スレツショ
ールド電圧ｖｂが破線で示すように低くなるので、出力
信号Ｅｂは、第４図Ｂに示すように抵抗器Ｒ０〜Ｒ４の
絶対値にばらつきがない場合と同様になる。

また抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対値が小さい方向にばらつい
た場合には、入力信号Ｖａの振幅が小さくなるが、これ
と同時にスレツショールド電圧ｖｂが高くなるので、や
はり抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対値にばらつきがない場合と
同様になる。

すなわち、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対仙がばらついても、
これに対応してスレツショールド電圧ｖｂが変化するの
で、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の絶対値のばらつきによる出力信
号Ｅｂの変化が補正される。

こうして本発明によれば、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の紹対値が
ばらついても、入力信号に対するみかけＣスレツショー
ルドレベルの変化を補正でき、常に一定の出力信号を得
ることができる。

しかもそＣ補正は、たった１本の抵抗器Ｒ，を外付けす
るだけでよく、簡単であり安価でもある。

なお上述においては、抵抗器Ｒ１，Ｒ２によりトランジ
スタＱ１にベースバイアス電圧が供給さねている場合で
あるが、前段の回路Ａ１からベースバイアス電圧が供給
されている場合にも、本発哄を適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の接続図、第２図はその説明Ｃための図
、第３図は本発明の一例の接続図、第４図はその説明の
ための図である。 Ａ０は前段の回路、Ｘ１は定電流源、Ｔ１は出力端子で
ある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電圧比較されるべき入力電圧が供給されるレベル判
   別素子と、このレベル判別素子にレベル判別の基準電圧
   を供給する分圧用抵抗器とを共通のＩＣの中に形成する
   と共に、上記分圧用抵抗器の分圧点から上記ＩＣの外に
   外部端子を引き出し、この外部端子に、上記分圧用抵抗
   器の絶対値のばらつきに比べて小さな絶対値のばらつき
   を有する外付けの補正用抵抗器を、上記分圧用抵抗器の
   一方の抵抗器に直流的に並列となるように接続したレベ
   ル判別回路。