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JPS6012784B2 - Semiconductor package molding method - Google Patents
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JPS6012784B2 - Semiconductor package molding method - Google Patents

Semiconductor package molding method

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Publication number
JPS6012784B2
JPS6012784B2 JP58177651A JP17765183A JPS6012784B2 JP S6012784 B2 JPS6012784 B2 JP S6012784B2 JP 58177651 A JP58177651 A JP 58177651A JP 17765183 A JP17765183 A JP 17765183A JP S6012784 B2 JPS6012784 B2 JP S6012784B2
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JP
Japan
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thermoplastic resin
resin plate
semiconductors
lead frame
shaped molded
Prior art date
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Expired
Application number
JP58177651A
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Japanese (ja)
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JPS5976449A (en
Inventor
圭司 硲
庸 前田
伸一 太田
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6012784B2 publication Critical patent/JPS6012784B2/en
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00Packaging processes not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイオードやトランジスターのような半導体素
子や、これら半導体の集積回路(以下半導体類と称す)
を気密収納する為のパッケージ成形方法、更に詳しくは
半導体類を装着したりードフレームを予め成形された少
くとも1個が半導体類を収納するための窪みを有する二
個の熱可塑性樹脂板状成形品(以下熱可塑性樹脂板状体
と称す)により挟んだ状態で一体密封化することを特徴
とする熱可塑性樹脂製のフラットパッケージ及びデュア
ルインラインパツケージ等の製法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to semiconductor elements such as diodes and transistors, and integrated circuits of these semiconductors (hereinafter referred to as semiconductors).
A method of molding a package for airtightly storing semiconductors, more specifically, a method of molding two thermoplastic resin plates into which semiconductors are attached, at least one of which has a pre-molded card frame, at least one of which has a recess for storing semiconductors. The present invention relates to a method for manufacturing thermoplastic resin flat packages, dual in-line packages, etc., which are sandwiched between two thermoplastic resin plates (hereinafter referred to as thermoplastic resin plates) and integrally sealed.

従来、半導体類のパッケージ方式には金属、セラミック
ス及びガラス等で気密シールを行なうパッケージ方式と
プラスチックによるパッケージ方式とかありチップの保
護技術の進歩による信頼性の向上により、最近は廉価な
プラスチックパッケージが主流となっている。現在実用
に供せられているプラスチックパッケージにはその製造
方式によりいわゆるモールド法と注入法の2種類がある
Traditionally, packaging methods for semiconductors include packaging methods that use metal, ceramics, glass, etc. for airtight sealing, and packaging methods using plastic. Recently, inexpensive plastic packages have become mainstream due to improved reliability due to advances in chip protection technology. It becomes. There are two types of plastic packages currently in practical use, the so-called molding method and the injection method, depending on their manufacturing method.

中でも金属との密着性、耐溢性、電気及び機械的特性な
どに優れたェポキシ樹脂のトランスファーモールド法に
よるプラスチックパッケージが最も多く用いられている
Among these, plastic packages made of epoxy resin transfer molding are most commonly used because of their excellent adhesion to metals, spill resistance, and electrical and mechanical properties.

このモールド法は第1図に示すようにタブ1上のべレッ
ト2を金やアルミ等の金属線3によりリード4に結線し
た状態のリードフレーム5を上型6及び下型7の間に挟
み、図示はしていないがスプル−、ランナー、ゲートを
介してトランスファー成形機より成形樹脂材料をキャビ
ティ8に充填成形する方法である。
In this molding method, as shown in Fig. 1, a lead frame 5 in which a pellet 2 on a tab 1 is connected to a lead 4 with a metal wire 3 such as gold or aluminum is sandwiched between an upper mold 6 and a lower mold 7. Although not shown, this is a method in which a molded resin material is filled into the cavity 8 from a transfer molding machine via a sprue, runner, and gate.

この方法の難点‘まリードフレームの厚みのバラッキ、
金型加工の精度及び使用にともなう摩耗、寸法の狂い等
により、金型とりードフレーム間に隙間が出来、この部
分及びその周辺にフラッシュの出る場合が多いことであ
りこれらリード上のフラッシュはリードとソケットとの
接触不良や半田作業の妨げの原因となるため除去作業が
必要となる等の欠点があった。
The disadvantage of this method is that the thickness of the lead frame varies,
Due to the accuracy of mold processing and wear and dimensional deviations due to use, gaps are created between the mold lead frames, and flash often appears in and around this area.The flash on these leads is There are drawbacks such as poor contact between the lead and the socket and interference with soldering work, which requires removal work.

更に、この方法では樹脂による封止成形中にチップが成
形樹脂材料と直接接触することにより高温、高圧の状態
におかれるため、場合によっては半導体機能の信頼性に
影響を及ぼすといった欠点もあった。
Furthermore, with this method, the chip comes into direct contact with the molding resin material during resin sealing, exposing it to high temperature and high pressure conditions, which in some cases has the disadvantage of affecting the reliability of semiconductor functions. .

このようなモールド法の欠点を改良するために特開昭5
2−77669のような方法が提案されている。
In order to improve the drawbacks of the molding method, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5
A method such as No. 2-77669 has been proposed.

この方法は第2図に示すごとく半導体類を装着していな
いリードフレーム5を予め熱可塑性樹脂により成形した
窓部9のある溶着用リブ10のついたプラスチックケ−
ス11と底部のあるプラスチックケース12により挟み
超音波または高周波により溶着一体化したのちプラスチ
ックケース11の窓部9を介して図には示していないが
半導体類のチップを収納する方法である。
As shown in FIG. 2, this method uses a lead frame 5 on which no semiconductors are mounted, and a plastic case with a welding rib 10 and a window 9 formed in advance from thermoplastic resin.
In this method, a semiconductor chip (not shown in the figure) is housed through a window 9 of the plastic case 11 after being sandwiched between a base 11 and a plastic case 12 with a bottom and welded together using ultrasonic or high frequency waves.

しかし、この方法は半導体類のチップをプラスチックケ
ース11の窓部9より組み込み、次いで半導体類の回路
とりードを金属線により結線することが必要であるが、
プラスチックケース11の形状寸法によっては、プラス
チックケースが障害となって結線作業に支障困難をきた
す場合があり、結線に支障のない場合でも結線後にプラ
スチックケース11の窓部9を別の蓋状物もしくは樹脂
状物によって気密シールする工程が必要であるなどの問
題に加えて、接合合体部がプラスチックケースとりード
間及びプラスチックケースと蓋状物もしくは半導体類の
チップと樹脂状物の2個所となるため気密シールの信頼
性にも影響を及ぼすなどの欠点があった。
However, with this method, it is necessary to incorporate the semiconductor chip through the window 9 of the plastic case 11, and then connect the semiconductor circuit leads with metal wires.
Depending on the shape and dimensions of the plastic case 11, the plastic case may become an obstacle and make wiring work difficult. In addition to problems such as the need for an airtight sealing process using a resin-like material, there are two joining parts: one between the plastic case and the lead, and the other between the plastic case and a lid-like object, or between the semiconductor chip and the resin-like object. Therefore, there were drawbacks such as affecting the reliability of the airtight seal.

かかる欠点を解消するために、第3図に示すように予め
成形された少くとも1個が半導体類を収納するための窪
みを有する2個の熱可塑性樹脂板状体13,13′によ
り図示はされていないが半導体類を装着したりードフレ
ーム5を挟んだ状態で固定台14と超音波振動工具ホー
ン15の間に挟み、次いで超音波振動を与えることによ
り熱可塑性樹脂板状体13,13′とりードフレーム5
の間の振動摩擦により生じた溶融樹脂をリードマレーム
のリード間隙16に流し込ませることよりなる半導体類
のパッケージ方法も提案されている。
In order to eliminate this drawback, as shown in FIG. 3, two thermoplastic resin plates 13 and 13', each of which is pre-formed and has at least one recess for accommodating the semiconductor, are used. Although this is not the case, thermoplastic resin plates 13, 13 are made by attaching semiconductors or sandwiching the board frame 5 between the fixed base 14 and the ultrasonic vibration tool horn 15, and then applying ultrasonic vibrations. 'Toread frame 5
A method for packaging semiconductors has also been proposed in which molten resin generated by vibrational friction between the leads is poured into the lead gaps 16 of the lead malem.

しかしかかる方法に於いても、次のような欠陥が発生す
るという問題があった。
However, even in this method, there is a problem in that the following defects occur.

即ち平坦な合体面とりードフレームの接触摩擦の場合接
触面積が比較的大きくなり、溶融に大きなエネルギーを
必要とするため、超音波振動時間を一定とした場合には
工具ホーンの振中を大きくする必要があり、一方振中を
一定とした場合には長時間の振動を要するなどにより振
動中に溶融樹脂の中に空気が巻き込まれ易く、多孔質化
されるために気密化に問題を生じるとともに超音波振動
の振中あるいは振動時間の増大により繊細なりードの変
形や折損等の致命的な問題の生じることがあった。
In other words, in the case of contact friction of a flat combined chamfer lead frame, the contact area is relatively large and a large amount of energy is required for melting, so if the ultrasonic vibration time is constant, the vibration of the tool horn will be increased. On the other hand, if the shaking is kept constant, it will take a long time to vibrate, and air will easily get caught up in the molten resin during the vibration, causing problems with airtightness as it becomes porous. At the same time, fatal problems such as deformation or breakage of the delicate cords may occur due to the ultrasonic vibration during vibration or an increase in the vibration time.

本発明はこのような欠点に鑑みてなされたもので以下一
実施例を示す第4図〜第8図によりその内容を説明する
The present invention has been made in view of these drawbacks, and the details thereof will be explained below with reference to FIGS. 4 to 8 showing one embodiment.

第4図において予め成形された少なくとも1個(第4図
においては2個とも)が半導体類を収納するための窪み
17,17′のある2個の熱可塑性樹脂板状体13,1
3′により、図には示されてし・ない半導体類を装着し
たりードフレーム5を挟み、これらを少なくとも超音波
振動より前に所定の温度に予熱した後、工具ホーン15
による超音波振動により熱可塑性樹脂板状体を融合合体
せしめる。
In FIG. 4, two thermoplastic resin plates 13, 1 are formed in advance and have at least one (in FIG. 4, both) recesses 17, 17' for accommodating semiconductors.
3' sandwich the board frame 5 on which semiconductors (not shown) are mounted, and after preheating these to a predetermined temperature at least before ultrasonic vibration, the tool horn 15
The thermoplastic resin plates are fused together by ultrasonic vibration.

この際2個の熱可塑性樹脂板状体13,13′の少なく
とも一方(第4図においては2個とも)の合体面側に位
置する基礎面18,18′上に窪み17,17′をとり
囲む形で、連続せる1個の凸部を有する熱可塑性樹脂板
状体を用いる。
At this time, depressions 17, 17' are formed on the base surfaces 18, 18' located on the combined surface side of at least one of the two thermoplastic resin plates 13, 13' (both in FIG. 4). A thermoplastic resin plate-like body having one continuous convex portion surrounding it is used.

いずれか一方の板状体が窪みを有しない場合には対とな
る熱可塑性樹脂板状体の窪み部に対応する個所をとり囲
む形で連続せる1個の凸部を有する熱可塑性樹脂板状体
を用いる。ここで超音波振動を工具ホーン15を介して
板状体に加えるとまずリードフレーム5と接した凸部が
振動摩擦により溶融し、溶融樹脂がリードフレーム5の
リード間隙16に流れ込み、更に凸部の溶融が進むと第
5図に部分的に示すように基礎面18とりードの表面2
0の間に形成された凸部19が占める容量以外の空隙2
1にも溶融樹脂が流れ込み、また第6図に示す設計上意
図したバリ溜め22にも溶融樹脂が流入し最終的には2
個の熱可塑性樹脂板状体によりリ−ドを挟んだ形で一体
密封化される。
If one of the plate-shaped bodies does not have a recess, a thermoplastic resin plate having one continuous convex part that surrounds the part corresponding to the concave part of the paired thermoplastic resin plate-shaped body. Use your body. When ultrasonic vibration is applied to the plate-like body through the tool horn 15, the convex portion in contact with the lead frame 5 first melts due to vibration friction, the molten resin flows into the lead gap 16 of the lead frame 5, and then the convex portion As the melting progresses, the base surface 18 and the surface 2 of the lead, as partially shown in FIG.
The void 2 other than the volume occupied by the convex portion 19 formed between the
The molten resin flows into 1, and also flows into the burr reservoir 22, which was intended in the design, as shown in FIG.
The leads are sandwiched between two thermoplastic resin plate-like bodies and are integrally sealed.

この際重要なことは、合体後のりードの表面20が2個
の熱可塑性樹脂板状体の合体面側に位置する凸部の基礎
面18に接しない位置で合体させることである。
What is important in this case is that the surfaces 20 of the joined leads are not brought into contact with the base surface 18 of the convex portion located on the joining surface side of the two thermoplastic resin plates.

これによりリードの表裏両面と該基礎面との間に空隙2
1が確保される。
As a result, there is a gap 2 between the front and back surfaces of the lead and the base surface.
1 is secured.

この空隙には超音波振動により溶融した樹脂の一部が流
入し周辺の樹脂と熔融合体される。
A portion of the resin melted by ultrasonic vibration flows into this gap and is fused with the surrounding resin.

超音波落着において充分な気密落着を得るためには溶融
合体部の温度をある水準以上に致達させるために一定容
量以上の溶融容積を確保することが必要であるが、前述
の空隙は一定容量以上の溶融容積を確保し気密化を計る
上で不可欠な条件となる。この空隙を設けない場合には
、超音波振動により溶融させる必要のある最小限度の容
積は窪み部を除く熱可塑性樹脂板状体のりードフレーム
に対する投影部に相当するりード間隙の総容量と設計上
の意図したバリ溜め部の総容積の合算容積でよいはずで
あるが、リードフレーム及び板状体の寸法、形状等によ
っても異なるが、第6図に示した16ピンDIPの例に
よれば、この総容積は1.4×10‐2が程度であり、
1個の熱可塑性樹脂板状体当りにすればその半分の7×
10‐3のと極めて小さく仮りに凸部の形状を第7図(
aは平面図、bはal−1断面図、cはaロー0断面図
)のように設計した場合にその高さを求めてみると高々
170ム程度で超音波容量で気密性を必要とする対象の
場合の落着突起としては充分に機能しえない程小さくな
る。本発明は発明の重点則ち溶融合体部の温度をある水
準以上に致達させ一定時間以上、この温度付近に維持さ
せるために必要な一定容量以上の溶融樹脂容積が確保さ
れる場合においては、{11 2個の熱可塑性樹脂板状
体の少なくとも一方の合体面側にのみ凸部を設ける。
In order to obtain sufficient airtight deposition in ultrasonic deposition, it is necessary to secure a melting volume of at least a certain volume in order to reach the temperature of the molten melt above a certain level. This is an essential condition in order to secure the above melting volume and achieve airtightness. If this gap is not provided, the minimum volume that needs to be melted by ultrasonic vibration is the total volume of the lead gap corresponding to the projection of the thermoplastic resin plate to the lead frame excluding the recessed part. The combined volume of the total volume of the burr reservoir should be sufficient as intended in the design, but it varies depending on the dimensions and shapes of the lead frame and plate-like body, but as shown in the example of the 16-pin DIP shown in Fig. 6, For example, this total volume is approximately 1.4 × 10-2,
For one thermoplastic resin plate, half of that is 7×
The shape of the convex part is shown in Fig. 7 (
(a is a plan view, b is a cross-sectional view of AL-1, c is a cross-sectional view of A-row), and the height is about 170 m at most, which requires airtightness due to the ultrasonic capacity. It becomes so small that it cannot function satisfactorily as a landing protrusion in the case of a target. The main point of the present invention is that when a molten resin volume greater than a certain volume necessary to reach the temperature of the molten body above a certain level and maintain it around this temperature for a certain period of time or more is secured, {11 A convex portion is provided only on the combined surface side of at least one of the two thermoplastic resin plates.

{21 2個の合体面側の少なくとも一方にリードフレ
ームのリード間隙に競合可能な凸部を設ける。
{21 A convex portion capable of competing with the lead gap of the lead frame is provided on at least one of the two joining surfaces.

‘3’ リードフレームが熱可塑性樹脂板状体の少なく
とも一方の基礎面と接しないで合体する。
'3' The lead frame is combined without contacting at least one base surface of the thermoplastic resin plate.

以上3点のいずれの場合においても好ましい気密合体が
達成される。また、同様な意味合いから凸部の溶融樹脂
により実質的に空隙が埋め込まれる限りにおいては、凸
部19,19′の基礎面18,18′は一平面である必
要はなく、従って空隙21の容積は場所によって変動し
て差つかえなく、また熱可塑性樹脂板状体の形状によっ
ては意図的に凸部、従って空隙の形状、配置等に変動を
もたせた方が良好な気密溶着性の得られる場合もある。
即ち、本発明は熱可塑性樹脂板状体の合体面側に凸部を
設け、リードの表面(第6図に示される平面又はその裏
面)が、凸部が設けられた基礎面(熱可塑性樹脂板状体
の最大の断面積を有す面と考えられる)に接しない状態
で合体させることにより凸部の溶融樹脂の一部が、板状
体の基礎面とりード表面との間の空隙に流入するように
して、良好な合体状態を得るために必要な一定容量以上
の溶融樹脂量を確保しようとするものである。
In any of the above three cases, a preferable airtight union is achieved. Further, from the same point of view, as long as the void is substantially filled with the molten resin of the convex portion, the base surfaces 18, 18' of the convex portions 19, 19' do not need to be flat, and therefore the volume of the void 21 may vary depending on the location, and depending on the shape of the thermoplastic resin plate, better airtight welding performance may be obtained by intentionally varying the shape and arrangement of the convex portions and therefore the voids. There is also.
That is, in the present invention, a protrusion is provided on the combined surface side of the thermoplastic resin plate, and the surface of the lead (the plane shown in FIG. 6 or its back surface) is connected to the base surface (thermoplastic resin (which is considered to be the surface with the largest cross-sectional area of the plate), a part of the molten resin on the convex part is absorbed into the gap between the base beveled surface of the plate and the surface of the plate. The purpose is to ensure that the amount of molten resin is greater than a certain volume necessary to obtain a good coalescing state.

第8図は合体後の半導体パッケージを示す斜視図である
。熱可塑性樹脂板状体とりードフレームの予熱は超音波
振動の諸条件を最も緩やかな条件にし、合体時のりード
フレームの変形及び損傷を皆無にする上で重要な要件で
あり、その条件は板状体やりードフレームの材質及び形
状等により異なるが、一般的には熱可塑性樹脂板状体に
悪影響を与える変形の生じない上限の温度及び時間以下
で行なわれる。
FIG. 8 is a perspective view showing the semiconductor package after being assembled. Preheating the thermoplastic resin plate-shaped lead frame is an important requirement in order to make the ultrasonic vibration conditions the gentlest and to eliminate any deformation or damage to the lead frame when assembled. Although the process differs depending on the material and shape of the plate-shaped body and the lead frame, it is generally carried out at a temperature and time below the upper limit that does not cause deformation that adversely affects the thermoplastic resin plate-shaped body.

さらに一方リードフレームに装着した半導体類の機能に
障害を及ぼさない上限の温度及び時間以内でかつリード
フレームに酸化や鎚の生じない上限の温度及び時間以下
であることが必要である。以上加熱手段として、超音波
振動について説明したが、熱盤援触加熱、温風加熱等の
手段も使用し得る。
Furthermore, on the other hand, it is necessary that the temperature and time be within an upper limit that does not impair the functions of the semiconductors mounted on the lead frame, and below the upper limit temperature and time that will not cause oxidation or damage to the lead frame. Although ultrasonic vibration has been described above as a heating means, means such as hot plate assisted heating and hot air heating may also be used.

本発明に用いられる熱可塑性樹脂としては、それぞれの
半導体類のパッケージに対する要求特性に応じて種々の
種類のものが用いられるが、高い耐熱性(耐熱変形性及
び耐熱劣化性)と低い透湿性及び一定水準以上の電気、
機械特性に加え更に一定水準以上の成形性を有すること
が必要である。
Various types of thermoplastic resins are used in the present invention depending on the characteristics required for each semiconductor package. Electricity above a certain level,
In addition to mechanical properties, it is also necessary to have moldability above a certain level.

代表例としては、ポリフェニレンオキサィド、ポリエー
テルサルフオン、ポリスルフオン、フヱノキシ樹脂、ポ
リアセタール等のエーテル系樹脂、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアリレー
ト等のェステル系樹脂、ポリカーボネート等の炭酸ェス
テル系樹脂、ポリアミド系樹脂の中でも吸水率の低いグ
レード、ポリフェニレンサルフアィド等の樹脂及びこれ
ら樹脂の一部とガラス繊維を中心とした充填剤との組み
合わせ等をあげることが出来る。
Typical examples include ether resins such as polyphenylene oxide, polyether sulfon, polysulfone, phenoxy resin, and polyacetal, ester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyarylate, carbonate ester resins such as polycarbonate, Examples of polyamide resins include grades with low water absorption, resins such as polyphenylene sulfide, and combinations of some of these resins and fillers, mainly glass fibers.

実施例熱変形温度(ASTM D−64818.6k9
/地)が17yoのポリアリレート樹脂を用いて第7図
のような形状寸法(単位肋)の熱可塑性樹脂板状体並び
に厚み(b図のd)を1.18柳にする以外は第7図と
同一形状寸法の熱可塑性樹脂板状体を成形し半導体類の
チップを装着した厚さ250ムの16ピンDIP型リー
ドフレームを挟み周囲にバリ止め用の可榛性耐熱材料を
装着後200002分間加熱を行なつた。
Example heat distortion temperature (ASTM D-64818.6k9
The thermoplastic resin plate-like body having the shape and dimensions (unit rib) as shown in Fig. 7 and the thickness (d in Fig. B) of 1.18 willow using a polyarylate resin with a diameter of 17yo 200002 After molding a thermoplastic resin plate with the same shape and dimensions as shown in the figure, sandwiching a 250mm thick 16-pin DIP lead frame with a semiconductor chip attached, and attaching a flexible heat-resistant material to prevent burrs around it.200002 Heating was carried out for a minute.

次いでこれを発振周波数19.靴Hz、出力30肌の超
音波溶着機に取り付けた端部寸法2比蚊×7肌の矩形工
具ホーンにより4k9/地の圧を厚さの大きい熱可塑性
樹脂板状体側からかけ、工具ホーン先端部の振中が35
仏となるように振中調整を行なった後0.頚砂間、超音
波発振を行なった。
Next, this is set to an oscillation frequency of 19. Using a rectangular tool horn with an end size of 2 mosquitoes x 7 skins attached to an ultrasonic welding machine with an output of 30 Hz and an output of 30 skin, apply a pressure of 4k9/ground from the thick thermoplastic resin plate side to the tip of the tool horn. The club's average is 35
After adjusting the swing to make it perfect, it is 0. Ultrasonic oscillation was performed between the neck and the sand.

得られた合体品はリード表面からの厚み方向の長さがそ
れぞれ表裏で2.2肌及び1.5脚で全体の厚みは3.
95側であった。外周及び窪み部には障害となるような
バリはほとんど認められなかった。得られた半導体パッ
ケージは5k9/地、2池rの加圧赤色水浸せき試験に
於いても赤色物のパッケージ内への侵入は認められず、
良好な封止性を有することが確認された。またリードの
変形及び折損も認められなかった。本実施例では第7図
に示した高さ0.9肋の凸部を約0.58柳超音波振動
により溶融し、この際の溶融樹脂の総量は3.16×1
0‐2めであった。比較例凸部の総容積を第7図に示す
窪み17,17′の部分を除く熱可塑性樹脂板状体のり
ードフレームに対する投影部に相当するりード間隙の総
容量と第6図に示した設計上意図したバリ溜め22の部
分の総容積の合算容量である1.4×10‐2流にした
以外は実施例と同様な条件で合体を行なったが、完全な
封止成形品は得られず外観上合体されたとみなされる状
態になるには1.5秒間以上の超音波発振が必要であっ
た。
The length of the obtained combined product in the thickness direction from the lead surface is 2.2 mm and 1.5 mm on the front and back, respectively, and the overall thickness is 3.5 mm.
It was on the 95 side. Almost no burrs that could be an obstacle were observed on the outer periphery and in the recessed areas. The obtained semiconductor package was subjected to a pressurized red water immersion test of 5k9/base and 2 ponds, and no red matter was observed to enter the package.
It was confirmed that it had good sealing properties. Also, no deformation or breakage of the lead was observed. In this example, the convex portion having a height of 0.9 ribs shown in FIG.
It was 0-2. The total volume of the convex portion of the comparative example is expressed as the total volume of the lead gap corresponding to the projected portion of the thermoplastic resin plate with respect to the lead frame excluding the recesses 17 and 17' shown in FIG. 7, and the total volume of the lead gap shown in FIG. The assembly was carried out under the same conditions as in the example except that the total volume of the burr reservoir 22 was set to 1.4 Ultrasonic oscillation for 1.5 seconds or more was required to achieve a state in which it was not possible to obtain a state in which it could be considered that they had coalesced in appearance.

この場合、窪み17,17′は気泡を巻き込んだ樹脂が
充満し、窪みの容積を確保することが出来ず、又リード
フレームの変形、リードの折損等が認められた。
In this case, the depressions 17 and 17' were filled with resin containing air bubbles, making it impossible to secure the volume of the depressions, and deformation of the lead frame and breakage of the leads were observed.

尚、この場合の溶融樹脂の総量は1.4×10‐2流で
あった。
Incidentally, the total amount of molten resin in this case was 1.4 x 10-2 flow.

以上説明したように本発明においては次の効果が達成さ
れる。
As explained above, the following effects are achieved in the present invention.

○’少くとも1個が半導体類を収納するための窪みを有
する熱可塑性樹脂板状体を使用することによりパッケー
ジを合体成形する際に、半導体類とりード間の結線損傷
が皆無となるとともに半導体類に高温、高圧がかからな
い為イオン性物質が接触し難い等の理由により半導体機
能の信頼性向上が期待出来る。
○'By using a thermoplastic resin plate-like body, at least one of which has a recess for storing semiconductors, there will be no damage to the connections between the semiconductors and the leads when the package is molded together. Since high temperatures and high pressures are not applied to semiconductors, it is difficult for ionic substances to come into contact with them, so it is expected that the reliability of semiconductor functions will improve.

{2) 2個の熱可塑性樹脂板状体の少なくとも一方の
合体面側に設けた凸部の基礎面に接しない位置でリード
フレームを合体させることにより、リードと基礎面との
間に空隙が確保され、これにより超音波熔着において温
度をある水準以上に到達させるために必要な一定溶量以
上の樹脂容積を熔融させることが可能となり結果的に気
密性が改善された。
{2) By combining the lead frames at a position that does not touch the base surface of the protrusion provided on the combined surface side of at least one of the two thermoplastic resin plates, a gap is created between the leads and the base surface. As a result, in ultrasonic welding, it is possible to melt a resin volume greater than a certain amount required to reach a certain level of temperature, and as a result, airtightness is improved.

【3’超音波振動に先立って熱可塑性樹脂板状体及びリ
ードフレームを一定温度に加熱すること及び溶融凸部を
設けたことにより超音波振動の条件、即ち振動の振中及
び時間を低減もしくは短縮することが出釆るようになり
、繊細脆弱な1′ードフレームの変形及び折損等の問題
が改善された。
[3' By heating the thermoplastic resin plate and lead frame to a certain temperature prior to ultrasonic vibration and providing a melting convex portion, the conditions for ultrasonic vibration, that is, the duration and time of vibration, can be reduced or This has improved the problem of deformation and breakage of the delicate and fragile 1' board frame.

■ 上記超音波振動条件の緩和により溶融樹脂中への気
泡の巻き込みが少なくなり気密性が向上する一方バリの
発生が少くなり、半導体類を収納する為の窪みの容積確
保が容易となった。
■ By relaxing the ultrasonic vibration conditions mentioned above, air bubbles are less entrained in the molten resin and airtightness is improved, while the occurrence of burrs is reduced, making it easier to secure the volume of the recess for storing semiconductors.

【5} 同様に超音波振動条件の緩和は溶着作業時間の
短縮につながった。‘61 本発明により半導体類のパ
ッケージ組立自動化が可能となった。
[5} Similarly, relaxing the ultrasonic vibration conditions led to a reduction in welding work time. '61 The present invention has made it possible to automate the assembly of semiconductor packages.

‘7ー 従来提案されている半導体類が装着されていな
いリードフレームを窓部を有する成形品及び底部を有す
る成形品により合体させた後半導体類を組み込み更に窓
部を封止する方法に比べ、本発明方法では一回の合体成
形により完全に気密化された半導体類のパッケージが成
形出来るため工程の簡素化が計れる。
'7- Compared to the conventionally proposed method in which a lead frame without semiconductors attached is combined with a molded product with a window and a molded product with a bottom, semiconductors are incorporated and the window is further sealed. In the method of the present invention, a completely airtight semiconductor package can be formed by a single combined molding process, thereby simplifying the process.

‘8} 従来の熱硬化性樹脂によるモールド封止法に比
べ成形時の樹脂粘度を高く保ち得るため成形時のバリの
発生がほとんど認められず工程の軽減が計れる。
'8} Compared to the conventional mold sealing method using thermosetting resin, the resin viscosity during molding can be kept high, so there is almost no burr generation during molding, and the process can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図及び第3図は従来の半導体類のパッケー
ジ成形方法を示す断面図、第4図〜第8図は本発明の一
実施例を示す図で、第4図は断面図、第5図は第4図の
一部の拡大断面図、第6図はリードフレームを含むパッ
ケージの平面図、第7図は熱可塑性樹脂板状体の形状寸
法を示す平面図a及び断面図b,c、第8図は本発明の
方法により得られた半導体パッケージの斜視図である。 符号の説明、1・・・・・・タブ、2・・・・・・半導
体類のチップ、3・・・・・・金属線、4・・・・・・
リード、5・・・・・・リードフレーム、6・・・・・
・上型、7・・・・・・下型、8・・・・・・キャビテ
ィ、9・・・…窓部、10…・・・落着用リブ、11・
・・・・・プラスチックケース、12・・・・・・底部
のあるプラスチックケース、13,13′・・・・・・
熱可塑性樹脂板状体、14…・・・固定台、15・・・
・・・超音波振動工具ホーン、16・・・・・・リード
間隙、17,17′・・・・・・窪み、18,18′・
・・・・・基礎面、19,19′……凸部、20……リ
ードの表面、21・・・・・・空隙、22・・・・・・
バリ溜め、23・・・・・・パッケージ。発イ図発2図 第3図 第4図 第5図 第6図 溝フ図 第8図
1, 2, and 3 are cross-sectional views showing a conventional semiconductor package molding method, and FIGS. 4 to 8 are views showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view. , FIG. 5 is an enlarged sectional view of a part of FIG. 4, FIG. 6 is a plan view of a package including a lead frame, and FIG. 7 is a plan view a and a sectional view showing the shape and dimensions of the thermoplastic resin plate. Figures b, c and 8 are perspective views of a semiconductor package obtained by the method of the present invention. Explanation of symbols, 1...Tab, 2...Semiconductor chip, 3...Metal wire, 4...
Lead, 5...Lead frame, 6...
・Upper die, 7...Lower die, 8...Cavity, 9...Window part, 10...Rib for dropping, 11.
...Plastic case, 12...Plastic case with bottom, 13, 13'...
Thermoplastic resin plate-shaped body, 14...Fixing stand, 15...
...Ultrasonic vibration tool horn, 16... Lead gap, 17, 17'... Hollow, 18, 18'.
...Foundation surface, 19, 19'...Protrusion, 20...Lead surface, 21...Void, 22...
Bali reservoir, 23...Package. Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Groove diagram Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 少なくとも1個が半導体類を収納する為の窪みを有
する2個の熱可塑性樹脂板状成形品により、半導体類を
装着したリードフレームを挟み熱可塑性樹脂板状成形品
を加熱融合合体せしめる半導体類のパツケージ成形方法
において、少なくとも1個の熱可塑性樹脂板状成形品の
合体面側に該成形品が窪みを有する場合には窪みをとり
囲む形で、また該成形品が窪みを有しない場合には対と
なる熱可塑性樹脂板状成形品の窪み部に対応する箇所を
とり囲む形で連続せる1個の凸部を設け、該凸部の基礎
面がリードフレームの表面に接しない位置で合体させる
ことを特徴とする半導体類のパツケージ成形方法。 2 熱可塑性樹脂板状成形品を超音波振動により加熱融
合合体せしめることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体類のパツケージ成形方法。 3 加熱融合合体させる前に、リードフレームと熱可塑
性樹脂板状成形品の少なくとも一方を予備加熱すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項、又は第2項記載の
半導体類のパツケージ成形方法。 4 凸部の溶融樹脂の一部により2個の熱可塑性樹脂板
状成形品の少なくとも一方の合体面側に設けた凸部の基
礎面とリードフレームの少なくとも一方の表面との間に
形成された空隙を実質的に充満させることを特徴とする
特許請求の範囲第1項、第2項、又は第3項記載の半導
体類のパツケージ成形方法。
[Scope of Claims] 1. A thermoplastic resin plate-shaped molded product is sandwiched between two thermoplastic resin plate-shaped molded products, at least one of which has a recess for accommodating semiconductors, and a lead frame on which semiconductors are mounted is sandwiched between two thermoplastic resin plate-shaped molded products, at least one of which has a recess for accommodating semiconductors. In a package molding method for semiconductors in which heat fusion is carried out, if at least one thermoplastic resin plate-shaped molded product has a depression on the joining surface side, the molded product is formed so as to surround the depression; If there is no depression, a continuous convex part is provided that surrounds the part corresponding to the concave part of the paired thermoplastic resin plate-shaped molded product, and the base surface of the convex part is the surface of the lead frame. A method for molding packages for semiconductors, which is characterized in that they are combined at positions where they do not come into contact with each other. 2. A method for molding a semiconductor package according to claim 1, characterized in that thermoplastic resin plate-shaped molded products are heated and fused together by ultrasonic vibration. 3. A method for molding a package of semiconductors according to claim 1 or 2, characterized in that at least one of the lead frame and the thermoplastic resin plate-shaped molded product is preheated before being heated and fused together. . 4 A part of the molten resin of the convex part is formed between the base surface of the convex part provided on the combined surface side of at least one of the two thermoplastic resin plate-shaped molded products and at least one surface of the lead frame. A method for molding a semiconductor package according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the voids are substantially filled.
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