JPS6142862B2 - - Google Patents
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- JPS6142862B2 JPS6142862B2 JP54066409A JP6640979A JPS6142862B2 JP S6142862 B2 JPS6142862 B2 JP S6142862B2 JP 54066409 A JP54066409 A JP 54066409A JP 6640979 A JP6640979 A JP 6640979A JP S6142862 B2 JPS6142862 B2 JP S6142862B2
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- lead frame
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオードやトランジスターのような
半導体素子や、これら半導体の集積回路(以下、
半導体類と称す)を気密収納するためのパツケー
ジ成形方法に関するものであり、更に詳しくは半
導体類を装着したリードフレームを予め成形され
た少くとも1個が半導体類を収納するための窪み
を有する2個の熱可塑性樹脂板状成形品(以下、
板状体と称す)により挾んだ状態で一体気密化す
ることを特徴とする熱可塑性樹脂製のフラツトパ
ツケージ及びデユアルインラインパツケージ等の
製法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to semiconductor elements such as diodes and transistors, and integrated circuits of these semiconductors (hereinafter referred to as
The present invention relates to a package forming method for airtightly storing semiconductors (referred to as semiconductors), and more specifically, at least one pre-formed lead frame with semiconductors mounted thereon has a recess for storing semiconductors. pieces of thermoplastic resin plate-shaped molded products (hereinafter referred to as
The present invention relates to a method for manufacturing thermoplastic resin flat packages, dual in-line packages, etc., which are made integrally airtight while being sandwiched between plates (referred to as plate-like bodies).
従来、半導体類のパツケージ方式には、金属、
セラミツクス及びガラス等で気密シールを行なう
パツケージ方式とプラスチツクによるパツケージ
方式とがあり、チツプの保護技術の進歩による信
頼性の向上により、最近は廉価なプラスチツクパ
ツケージが主流となつている。 Traditionally, packaging methods for semiconductors include metal,
There are two types of packaging methods: one using ceramics, glass, etc. for an airtight seal, and the other using plastic. Recently, inexpensive plastic packaging has become mainstream due to improved reliability due to advances in chip protection technology.
現在、実用に供せられているプラスチツクパツ
ケージにはその製造方式によりいわゆるモールド
法と注入法の2種類がある。 Currently, there are two types of plastic packages in practical use, the so-called molding method and the injection method, depending on the manufacturing method.
中でも金属との密着性、耐湿性、電気及び機械
特性などに優れたエポキシ樹脂のトランスフアー
成形法によるプラスチツクパツケージが最も多く
使用されている。 Among these, plastic packages made by transfer molding of epoxy resins, which have excellent adhesion to metals, moisture resistance, and electrical and mechanical properties, are most commonly used.
この成形法は第1図に示すようにタブ1上の半
導体類のチツプ2を金やアルミニウム等のリード
線3によりリード4に結線した状態のリードフレ
ーム5を上型6及び下型7の間に挾み、図示はし
ていないがスプルー、ランナ、ゲートを介してト
ランスフアー成形機より成形樹脂材料をキヤビテ
イ8に充填成形する方法である。 In this molding method, as shown in FIG. 1, a lead frame 5 in which a semiconductor chip 2 on a tab 1 is connected to a lead 4 using a lead wire 3 made of gold, aluminum, etc. is placed between an upper mold 6 and a lower mold 7. In this method, a molded resin material is filled into the cavity 8 using a transfer molding machine via sprues, runners, and gates (not shown).
このトランスフアー成形法はリードフレームの
厚みのバラツキ、金型加工の精度及び使用にとも
なう摩耗、寸法の狂い等により、金型とリードフ
レーム間に隙間ができ、この部分およびその周辺
にフラツシユの出る場合が多く、これらリード上
のフラツシユはリードとソケツトとの接触不良や
半田づけ作業の妨げの原因となるため除去作業が
必要となる等の欠点を有していた。 This transfer molding method creates a gap between the mold and the lead frame due to variations in lead frame thickness, mold machining accuracy, wear due to use, and dimensional deviations, and flashes occur in and around this area. In many cases, these flashes on the leads cause poor contact between the leads and the sockets and hinder soldering work, so they have to be removed.
更にこの方法ではリードフレームやリード線あ
るいは半導体類と封止に供する樹脂材料の熱膨脹
係数の差による熱応力の発生により、場合によつ
ては内部リード線の断線やチツプの割れをおこす
等の欠点もあつた。 Furthermore, this method has disadvantages such as the occurrence of thermal stress due to the difference in coefficient of thermal expansion between the lead frame, lead wires, or semiconductors and the resin material used for sealing, which may cause internal lead wires to break or chips to crack. It was hot too.
このようなトランスフアー成形法の欠点を改良
するために、第2図に示すように予め成形された
少なくとも1個が半導体類を収納するための窪み
を有する2個の板状体9,9′により図示はされ
ていないが半導体類を装着したリードフレーム5
を挾んだ状態で固定台10と超音波振動工具ホー
ン11の間に挾み、次いで超音波振動を与えるこ
とにより板状体9,9′とリードフレーム5の間
の振動摩擦により生じた溶融樹脂をリードフレー
ムのリード間隙12に流し込ませることよりなる
半導体類のパツケージ方法が提案されている。 In order to improve this drawback of the transfer molding method, as shown in FIG. Although not shown in the figure, a lead frame 5 on which semiconductors are mounted
is sandwiched between the fixed base 10 and the ultrasonic vibrating tool horn 11, and then ultrasonic vibration is applied to melt the material caused by the vibration friction between the plate-shaped bodies 9, 9' and the lead frame 5. A method of packaging semiconductors has been proposed that involves pouring resin into the lead gaps 12 of a lead frame.
しかしかかる方法に於いても、次のような欠陥
が時により発生するという問題があつた。 However, even with this method, there is a problem that the following defects sometimes occur.
すなわち、熱可塑性樹脂板状体が融合合体する
に必要な程度に超音波融着条件を設定すると、超
音波振動工具ホーン11の伸縮振動エネルギーに
より第1図に示した半導体類のチツプ2とリード
4の間をつなぐリード線3が接続点から切断され
るという重大な欠陥の発生する場合があつた。 That is, when the ultrasonic welding conditions are set to the extent necessary for the thermoplastic resin plates to fuse together, the elastic vibration energy of the ultrasonic vibration tool horn 11 causes the semiconductor chips 2 and leads shown in FIG. In some cases, a serious defect occurred in which the lead wire 3 connecting between the two was disconnected from the connection point.
かかる欠陥の発生を少なくするために超音波融
着条件、例えば振動の振巾を小さくし振動時間を
短縮する等の目的で板状体の合体面に接合部の応
力を高め溶融を容易にするための溶融突起を設け
たり、また予め板状体やリードフレームを予熱し
ておく等の試みがなされているが、これでもなお
前記のようなリード線の接続点からの切断を皆無
にすることが出来ないという問題があつた。 In order to reduce the occurrence of such defects, ultrasonic welding conditions are used, for example, to reduce the amplitude of vibration and shorten the vibration time, and to increase the stress at the joint on the joining surface of the plate-shaped bodies to facilitate melting. Attempts have been made to provide melting protrusions for this purpose, or to preheat the plate-shaped body or lead frame in advance, but these methods still do not prevent the lead wire from being disconnected from the connection point. There was a problem that I couldn't do it.
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、以下一実施例を示す第3図及び第4図によ
りその内容を説明する。 The present invention has been made in view of these points, and its contents will be explained below with reference to FIGS. 3 and 4 showing one embodiment.
第3図は於いて予め成形された少くとも1個が
半導体類を収納するための窪み13,13′(第
3図では2個の窪みを有する例を示す)のある2
個の板状体9,9′により半導体類のチツプ2を
タブ1に装着した、周囲が固定治具14,14′
により固定されたリードフレーム5を2個の超音
波振動工具ホーン11,11′の押圧力により対
向させて挾む。 FIG. 3 shows a two-dimensional structure having at least one pre-formed recess 13, 13' (an example having two recesses is shown in FIG. 3) for accommodating semiconductors.
A semiconductor chip 2 is attached to the tab 1 by plate-like bodies 9, 9', and the surroundings are fixing jigs 14, 14'.
The lead frame 5, which is fixed by the above, is sandwiched facing each other by the pressing force of the two ultrasonic vibrating tool horns 11, 11'.
この2個の超音波振動工具ホーン11,11′
は第4図の振動系のダイアグラムに示したよう
に、それぞれ固定ホーン15,15′を介して振
動子16,16′に結合しており、振動子16,
16′は単一の超音波発振装置17により励振さ
れ、この振動が超音波振動工具ホーン11,1
1′に伝達されて板状体の合体面を溶融合体せし
める。 These two ultrasonic vibration tool horns 11, 11'
are coupled to vibrators 16 and 16' via fixed horns 15 and 15', respectively, as shown in the diagram of the vibration system in FIG.
16' is excited by a single ultrasonic oscillator 17, and this vibration is transmitted to the ultrasonic vibrating tool horns 11, 1.
1', and the joining surfaces of the plate-like bodies are molten and amalgamated.
この際リードフレームの振動を最小限にとど
め、これにより脆弱なリード線の接触点を保護す
る上で、2個の振動子にそれぞれ固定ホーンを介
して結合している、振動位相を実質的に同位相に
調整した2個の超音波振動工具ホーンを相対向さ
せた状態で用いることが重要である。 At this time, in order to minimize the vibration of the lead frame and thereby protect the fragile contact points of the lead wires, the vibration phase of the two vibrators, each coupled via a fixed horn, can be effectively controlled. It is important to use two ultrasonic vibrating tool horns that are adjusted to the same phase and are opposed to each other.
これにより振動時の2個の超音波振動工具ホー
ンの伸縮振動状態は実質的にリードフレームの位
置する面を対称面として対称運動を行なう結果、
リードフレームの振動を、脆弱なリード線が破断
しない最小限度にとどめることが可能となる。 As a result, the expansion and contraction vibration state of the two ultrasonic vibrating tool horns during vibration is substantially symmetrical with the plane where the lead frame is located as a symmetrical plane.
It is possible to keep the vibration of the lead frame to a minimum level so that the fragile lead wires do not break.
2個の超音波振動工具ホーンの振動位相を同位
相とするためには、それぞれの振動子を単一の超
音波発信装置により振動させることが必要であ
り、また対となる振動系のそれぞれの主要構成部
品である振動子、固定ホーン及び工具ホーン等は
もとより工具ホーンの押圧の為の加圧装置や合体
する為の板状体にいたるまで対としての均衡を維
持させ、対となる振動系が時系列的に同じ共振周
波数を有するように装置面、条件面で配慮されて
いることが必要である。 In order to make the vibration phases of two ultrasonic vibrating tool horns the same, it is necessary to vibrate each vibrator with a single ultrasonic transmitter, and also to vibrate each vibrator of the paired vibration system. The main components, such as the vibrator, fixed horn, tool horn, etc., as well as the pressurizing device for pressing the tool horn and the plate-shaped bodies for joining, are maintained in balance as a pair, and the paired vibration system It is necessary to take into account the equipment and conditions so that the two have the same resonant frequency over time.
また、振動系の共振周波数は種々の因子、例え
ば合体操作中の振動による発熱膨脹や板状体の合
体界面融解による、工具ホーンを介して加えられ
ている押圧負荷の変動等により時々刻々変化する
ので合体操作中に超音波発信装置による発振周波
数をつねに振動系の共振周波数に一致させるため
超音波溶着機は第4図のダイアグラムに示したよ
うに対をなしている一方の振動子、固定ホーンお
よび工具ホーン等よりなる振動系の振動状態を検
出器18によりピツクアツプしこれを発振装置1
7にフイードバツクするいわゆる振動帰還形発振
方式等の自動周波数追尾機能を有していることが
必要である。 In addition, the resonant frequency of the vibration system changes from time to time due to various factors, such as heat expansion due to vibration during the joining operation, fluctuations in the pressing load applied via the tool horn due to melting of the joining interface of the plate-shaped bodies, etc. Therefore, in order to always match the oscillation frequency of the ultrasonic transmitter to the resonant frequency of the vibration system during the joining operation, the ultrasonic welding machine uses one vibrator and a fixed horn as shown in the diagram in Figure 4. A detector 18 picks up the vibration state of the vibration system consisting of a tool horn, etc., and transmits it to the oscillator 1
It is necessary to have an automatic frequency tracking function such as a so-called vibration feedback type oscillation system that provides feedback to the oscillator.
なお、板状体の合体面に溶融を容易にするため
の溶融突起を設けたり、また予め板状体やリード
フレームを予熱することは超音波融着条件を緩や
かにし、従つて不必要なリードフレームの振動を
最小限度にとどめる上で効果的である。 Note that providing melting protrusions on the joining surfaces of the plates to facilitate melting, or preheating the plates and lead frames in advance, will ease the ultrasonic welding conditions and eliminate unnecessary leads. This is effective in keeping frame vibration to a minimum.
予熱の条件は板状体やリードフレームの材質及
び形状等により異なるが、一般的には板状体に悪
影響を与える変形の生じない上限の温度及び時間
以下で行なわれる。 Preheating conditions vary depending on the material and shape of the plate-shaped body and lead frame, but are generally performed at a temperature and time below the upper limit that does not cause deformation that adversely affects the plate-shaped body.
更にリードフレームに装着した半導体類の機能
に障害を及ぼさない上限の温度及び時間以内で、
且つリードフレームに酸化や焼鈍の生じない上限
の温度及び時間以下であることが必要である。 Furthermore, within the upper limit temperature and time that does not impede the functions of the semiconductors mounted on the lead frame,
In addition, the temperature and time must be below the upper limit at which oxidation and annealing do not occur in the lead frame.
本発明に用いられる熱可塑性樹脂としては、そ
れぞれの半導体類のパツケージに対する要求特性
に応じて種々の種類のものが用いられるが、高い
耐熱性(耐熱変形性及び耐熱劣化性)と低い透湿
性及び一定水準以上の電気、機械特性に加えて更
に一定水準以上の成形性を有することが必要であ
る。 Various types of thermoplastic resins are used in the present invention depending on the characteristics required for each semiconductor package. In addition to electrical and mechanical properties of a certain level or higher, it is also necessary to have moldability of a certain level or higher.
代表的な例としては、ポリフエニレンサルフア
イドや、ポリフエニレンオキサイド、ポリエーテ
ルサルフオン、ポリスルフオンフエノキシ樹脂及
びポリアセタール等のエーテル系樹脂、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト及びポリアリレート等のエステル系樹脂、ポリ
アミド系樹脂の中でも吸水率の低いグレード等の
樹脂及びこれらの樹脂の混合系更にはこれら樹脂
とガラス繊維を中心とした無機質充填剤との組合
わせ等をあげることができる。 Typical examples include ether resins such as polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polyether sulfone, polysulfon phenoxy resin, and polyacetal, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyarylate. Among the ester resins and polyamide resins, examples include resins with low water absorption, mixtures of these resins, and combinations of these resins with inorganic fillers, mainly glass fibers.
実施例
熱変形温度(ASTM D―648 18.6Kg/cm2)が
260℃以上のポリフエニレンサルフアイド樹脂を
用いて第3図のように半導体類を収納するための
窪みを有する2個の同形状同寸法の板状体を射出
成形により成形した。Example Heat distortion temperature (ASTM D-648 18.6Kg/cm 2 )
Using polyphenylene sulfide resin at a temperature of 260° C. or higher, two plate-like bodies having the same shape and size and having a recess for accommodating semiconductors as shown in FIG. 3 were molded by injection molding.
一方、タブ上に装着したMOS型LSIの電極とリ
ードの間を太さ32μの金製のリード線を用い、熱
圧着法により結線した16ピンDIP型リードフレー
ムの周囲を固定治具により固定し、2個の板状体
を相対向させて上下より同一の加圧気体源により
加圧作動する2個の超音波振動工具ホーンを介し
て挾み板状体の上下面より4Kg/cm2の圧力をかけ
た。 On the other hand, a 32μ thick gold lead wire was used between the electrodes and leads of the MOS LSI mounted on the tab, and a fixing jig was used to secure the 16-pin DIP lead frame, which was connected using thermocompression bonding. , two plate-shaped bodies are placed facing each other, and a force of 4 kg/cm 2 is applied from the upper and lower surfaces of the sandwiched plate-shaped bodies through two ultrasonic vibrating tool horns that are pressurized from above and below by the same pressurized gas source. I applied pressure.
用いた超音波融着機は、発振周波数が19.5KHz
で一方の振動系に振動帰還型周波数追尾機能を有
し、単一の発振装置によりそれぞれの振動系が振
動するように構成されており、振動位相を実質的
に同位相に調整した2個の超音波工具ホーンを相
対向させた状態で用いた。 The ultrasonic fusion machine used has an oscillation frequency of 19.5KHz.
One of the vibration systems has a vibration feedback frequency tracking function, and each vibration system is configured to vibrate with a single oscillation device, and the two vibration systems are adjusted to have substantially the same vibration phase. The ultrasonic tool horns were used facing each other.
次いで、超音波発振を0.8秒間行ないリードフ
レームを抱き込む形で2個の板状体を融合合体さ
せた。 Next, ultrasonic oscillation was performed for 0.8 seconds to fuse the two plate-like bodies together by embracing the lead frame.
得られた半導体パツケージは5Kg/cm2、24時間
の加圧赤色水浸漬試験に於いても赤色物のパツケ
ージ内、特に窪み部への浸入は認められず、また
実装機能試験に於いても良好な結果が得られリー
ド線の破断が生じていないことが確認された。 The obtained semiconductor package had a weight of 5 kg/cm 2 , and no red material was found to have entered the package, especially into the recesses, even in the 24-hour pressurized red water immersion test, and it also performed well in the mounting function test. It was confirmed that no breakage of the lead wire occurred.
以上説明したように本発明に於いては次の効果
が達成される。 As explained above, the following effects are achieved in the present invention.
(1) 共通の超音波発振源を有する2個の振動子に
よりそれぞれ振動する振動系の振動位相を実質
的に同位相に調整しかかる2個の超音波振動工
具ホーンを相対向させた状態の二連対向式超音
波融着機を用いて、半導体類を装着させたリー
ドフレームを上下から挾む形で板状体を合体さ
せたことにより脆弱なリード線を破損すること
なく、かつ水密性に優れた半導体パツケージが
得られた。(1) Two ultrasonic vibrating tool horns in which the vibration phases of the vibrating systems vibrated by two vibrators having a common ultrasonic oscillation source are adjusted to substantially the same phase are opposed to each other. By using a double facing type ultrasonic welding machine to join the plate-like bodies by sandwiching the lead frame with semiconductors attached from above and below, it is possible to avoid damaging the fragile lead wires and to maintain water tightness. A semiconductor package with excellent properties was obtained.
(2) 半導体類を収納する窪みを有することにより
従来問題となつていた熱応力が原因での内部リ
ード線の断線やチツプの割れの問題が解決され
た。(2) By having a recess for storing semiconductors, the conventional problems of internal lead wire breakage and chip cracking caused by thermal stress have been solved.
第1図及び第2図は従来の半導体類のパツケー
ジ成形方法を示す断面図、第3図および第4図は
それぞれ本発明の一実施例を示す断面図および振
動系のダイアグラム、第5図は本発明の方法によ
り得られた半導体パツケージの斜視図である。
符号の説明、1……タブ、2……半導体類のチ
ツプ、3……リード線、4……リード、5……リ
ードフレーム、6……上型、7……下型、8……
キヤビテイ、9,9′……板状体、10……固定
台、11,11′……超音波振動工具ホーン、1
2……リード間隙、13,13′……窪み、1
4,14′……固定治具、15,15′……固定ホ
ーン、16,16′……振動子、17……超音波
発振装置、18……振動状態検出器。
1 and 2 are cross-sectional views showing a conventional semiconductor package molding method, FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views and a vibration system diagram showing an embodiment of the present invention, respectively, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor package molding method. FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor package obtained by the method of the present invention. Explanation of symbols, 1...Tab, 2...Semiconductor chip, 3...Lead wire, 4...Lead, 5...Lead frame, 6...Upper die, 7...Lower die, 8...
Cavity, 9, 9'... Plate-shaped body, 10... Fixing base, 11, 11'... Ultrasonic vibration tool horn, 1
2... Lead gap, 13, 13'... Hollow, 1
4, 14'... Fixing jig, 15, 15'... Fixed horn, 16, 16'... Vibrator, 17... Ultrasonic oscillator, 18... Vibration state detector.
Claims (1)
窪みを有する2個の熱可塑性樹脂板状成形品によ
り半導体類を装着したリードフレームを挟み、超
音波振動により熱可塑性樹脂板状成形品を融合合
体せしめる半導体類のパツケージ成形方法におい
て、共通の超音波発振装置により励振された振動
位相が実質的に同位相である2個の超音波振動工
具ホーンをそれぞれ2個の熱可塑性樹脂板状成形
品に対向接触させて合体することを特徴とする半
導体類のパツケージ成形方法。1 A lead frame on which semiconductors are mounted is sandwiched between two thermoplastic resin plate molded products, at least one of which has a recess for storing semiconductors, and the thermoplastic resin plate molded products are fused together by ultrasonic vibration. In a package molding method for semiconductors, two ultrasonic vibrating tool horns excited by a common ultrasonic oscillator and having substantially the same vibration phase are each formed into two thermoplastic resin plate-shaped molded products. A method for molding packages for semiconductors, which is characterized in that they are joined together by facing each other in contact with each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6640979A JPS55158651A (en) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | Molding method for package of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6640979A JPS55158651A (en) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | Molding method for package of semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158651A JPS55158651A (en) | 1980-12-10 |
| JPS6142862B2 true JPS6142862B2 (en) | 1986-09-24 |
Family
ID=13314961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6640979A Granted JPS55158651A (en) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | Molding method for package of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55158651A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263449A (en) * | 1986-08-01 | 1987-03-20 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1979
- 1979-05-28 JP JP6640979A patent/JPS55158651A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158651A (en) | 1980-12-10 |
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