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JPS6014766B2 - 包接ポリアミド及びその製造方法 - Google Patents
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JPS6014766B2 - 包接ポリアミド及びその製造方法 - Google Patents

包接ポリアミド及びその製造方法

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JPS6014766B2
JPS6014766B2 JP3725776A JP3725776A JPS6014766B2 JP S6014766 B2 JPS6014766 B2 JP S6014766B2 JP 3725776 A JP3725776 A JP 3725776A JP 3725776 A JP3725776 A JP 3725776A JP S6014766 B2 JPS6014766 B2 JP S6014766B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な溶解性のよい、特に親水性に富む包後
ポリァミド及びその製造方法に関する。
従来、親水性のポリアミドを製造する方法の一つとして
ボリァミドの主鏡に水酸基を導入する試みがなされてい
る。しかし、水酸基を有する線状ポリァミドの製造は、
例えば一般的な製法として知られているナイロン塩をつ
くり高温加圧下で反応させる方法では、架橋構造を有す
る不溶性のポリアミドが得られたり、水酸基の熱分解を
伴なうために着色し、分解したポリアミドが生成しやす
いという欠点を有するので著しく困難である。一方、近
年酒石酸あるいは粘液酸のようなQ−位に水酸基を有す
るオキシ酸のジェステルとジアミンとを重縮合反応させ
て水酸基を有する線状ポリアミドを製造する方法も提案
されてはいるが、こうして得られるポリアミドは高結晶
性であり、親水性は水酸基が導入されているにもかかわ
らず期待されるよりも低いというのが実情である。本発
明者は、合成が容易であり、しかも溶解性に優れ、かつ
親水性に富むポリアミドの製造方法を多角的に検討した
結果、ジアミンの代りにシクロデキストリンとジアミン
との包後化合物を出発原料とすることに着目し、本発明
を完成するに至ったものである。すなわち、本発明の目
的は室温付近の温和な条件で溶解性に優れ、かつ親水性
に富む新規なジアミン成分としてシクロデキストリンに
より包接されたジアミンを構造中に含むポリアミド及び
その製造方法を提供することにある。
本発明について概説すると、本発明は一般式で表される
繰り返し単位を有し、mークレゾール中3000の極限
粘度が0.1以上であるシクロデキストリン包接ポリア
ミド(但し、一般式1においてAは式で表される基、n
は4 〜6の整数をそれぞれ表し、R,はテトラメチレン基又
はフェニレン基、R2はへキサメチレン基又はキシリレ
ン基を表わし、R,とR2の少くとも一は前記の基のう
ちの環状基の一である。
)に関し、又本発明は一般式HOOC−R.−COO日
・・….(0)で表わされる二塩基酸又はそ
の反応性酸誘導体と一般式日2N−R2−NH2
......(m)で表わされるジアミンを包
接した一般式で表わされるシクロデキストリン包酸化合
物とを重縮合させることを特徴とする一般式で表される
繰り返し単位を有するシクロデキストリン包後ボリァミ
ドの製造方法(但し、一般式1,0,肌Wにおいて、A
は式で表される基、nは4〜6の 整数をそれぞれ表し、R.はテトラメチレン基又はフェ
ニレン基、R2はへキサメチレン基又はキシリレン基を
表わし、R,とR2の少くとも一は前言己の基のうちの
環状基の一である。
)に関する。本発明の重合体の繰り返し単位を構成し、
重合体の出発物質となるジアミンの包接に用いるシクロ
デキストリンはd−グルコースが6〜8個環状にQ−1
,4結合によりつながったものであり、次式で表される
。上式においてn=4をq−シクロデキストリン、n=
5を8−シクロデキストリン、n=6をy−シクロデキ
ストリンと称するが、これらQ−体、8一体、ッ一体で
は分子内部の空洞の径が異なっている。
シクロデキストリン分子の模式図を第1図に示すが、第
1図における軽yは、d一体では6A、8一体では7〜
8A、またy−体では9〜10Aであるので、どの型の
シクロデキストリンを用いるかは包鞍すべきジァミンの
分子構造で異なるが、一般には8−シク。デキストリン
を用いる。シクロデキストリンに包接される一般式 QN−R2‐NH2 ・・・…(m)で
表されるジアミンは1,6−ジアミノヘキサン、1,4
−キシリレンジアミン、1,3ーキシリレンジアミン、
1,2ーキシリレンジアミンが挙げられ、これらは単独
又は混合物として使用される。
これらのシクロデキストリンとジアミンとの包酸化合物
の合成は、例えばシクロデキストリンの水溶液中に30
〜40℃で当量のジアミンを添加することにより行うが
、・・この際シクロデキストリンの空洞内部が親油性で
あるためにジアミンとは容易に包嬢化合物を形成する。
反応後、反応混合液を室温に放置すると、包綾化合物が
白色の沈殿として析出する。これらジアミンの包接化合
物は水には難港性で、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ヘキサメチルホスホリツクトリアミド等
の有機溶媒には容易に溶解する。このシクロデキストリ
ン包援化合物は単離して軍縮合反応に使用するが、必ず
しもこの単離は重縮合反応に際して必要でなく、反応漣
液のま)重縮合反応に使用してもよい。本発明のポリア
ミドを製造するのに用いられる一般式MOOC−R,一
COO日 ….・・(ロ)で表わされる二塩
基酸又はその反応性酸議導体、例えば酸ハラィド、ェス
テルとしてはアジピン酸、ィソフタル酸、テレフタル酸
及びこれらの酸ハラィド、ェステルを挙げられる。
後述する性質のシクロデキストリン包薮ポリアミドは前
記ジアミン及び二塩基酸のR,及びR2の少くとも一が
前記の化合物における炭化水素基が環状基である場合に
得られる。本発明におけるポリアミドの合成における重
縮合反応は通常有機溶媒中で行なうことが望ましいが、
減水相の界面で行なってもよく、又無溶媒で実施しても
よい。
生成したポリアミド重合体は前記一般式で示されるよう
にドーナツ型のシクロデキストリン分子の空洞を、二塩
基酸とジアミンとの重縮合体鎖が貫通している構造を有
するが、異種のシクロデキストリン包姿化合物の混合物
及び異種の二塩基酸の混合物を重縮合させた重合体をも
含む。
本発明のポリアミドの分子量はなんら限定されるもので
はないが、一般に平均分子量1,000〜6,000,
000、望ましくは10,000〜1,000,000
であり、mークレゾール中30午0の極限粘度では0.
1以上である。
本発明の包鞍ポリアミドは、包接したシクロデキストリ
ンの型で分子内に水酸基を有するため、親水性が通常の
ポリァミド‘こ比べると著しく大きく、たとえば60%
の相対湿度の時、含水率(湿潤重量を基準とする)は1
0〜30%にも達するという特徴を有している。
又、本発明の包髪ポリアミドは通常のポリアミNこ比べ
て、溶解性に優れており・、ジメチルホルムアミド、ジ
メテルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリア
ミド、m−クレゾール等に可溶であり、これらの溶液か
ら繊維、フィルム等を成形することができ、しかも分子
内に多数の水酸基を有するので、この水酸基を利用して
種々の化学試剤と反応させて有用な高分子材料とするこ
とも可能であり、多様な機能性をも賦与することができ
る。
次に実施例により本発明を具体的に説明するが本発明は
何らこれらに限定されるものではない。
参考例ジアミンの包嬢化合物の合成 へキサメチレンジアミンの水溶液に当量の8ーシクロデ
キストリンを2%濃度で加え、30〜40午0に加温し
ながら健梓すると溶解して均一な溶液となる。
そのまま室温に放置すると次第に白色の沈殿が生成する
。この沈殿を炉別し、アセトンでよく洗浄し乾燥する。
この生成物はへキサメチレンジアミンを空洞内に含む8
ーシクロデキストリンとの包懐化合物であることが元素
分析、NMR及び赤外吸収から確認された。mーキシリ
レンジアミンあるいはpーキシリレンジアミンとの包蟹
化合物も同様にして得られる。なお得られたこれらの包
酸化合物はいずれも水に難溶性で、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリツク
トリアミド等のァミド系溶媒に容易に溶解する。
融点はなく30000付近で分解する。これらの包酸化
合物のうち、ヘキサメチレンジァミンと3−シクロデキ
ストリンとからなる包嬢化合物の元素分析の結果はC:
46.10%、H:6.90%、N:2.18%であり
、1対1の包薮化合物として求めた計算値、C:46.
08%、H:6.88%、N:2.24%とよく一致す
る。
またこの化合物のIRスペクトルは第2図に示した通り
であるが、3500cの‐1に−OH,一NHの伸縮振
動、1050弧‐1にホルマール結合による吸収が認め
られる。一方、この同じ包接化合物のNMRスペクトル
を第3図に示したが、8−シクロデキストリンの−CH
2一が3.籾肌、一CH一が4.側肌、一〇Hが5.2
岬に現われ、またへキサメチレンジアミンの吸収が2.
3肌こ出現している。第4図にはp−キシリレンジアミ
ンと8ーシクロデキストリンとの包姿化合物のNMRス
ペクトルを示したが、ここでも8ーシクロデキストリン
の−C&−が3.幼四、一CH−が4.7脚、一OHが
5.2肌に現われ、包接p−キシリレンジァミンの吸収
が2.3肌こ認められる。
実施例 1 界面重縮合反応 へキサメチレンジアミンと3−シクロデキストリンとの
包薮化合物を0.08hoそ/そ〜0.1moそ/その
濃度で水に溶解し、2倍当量のNaOHを同時に熔解す
る。
ジアミンと当量のィソフタル酸クロリドをベンゼン中に
0.5hoそ/その濃度で溶解した溶液をジアミンの包
嬢化合物の水溶液中に燈拝しながら滴下する。直ちに白
色の重合体が析出してくるが3比分間燈拝した後重合体
を炉別し、アセトンで洗浄する。重合体収量はほぼ理論
量であり、mークレゾール中30ooでの極限粘度は0
.25であった。得られた重合体は明瞭な融点を示さず
、30000付近で分解するが熱水に溶解するほか、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドにも溶解す
る。
得られた重合体の元素分析値はC:45.31%、H:
1.90%であり、計算値C:45.41%、H:5.
95%、N:1.89%とよく一致した。
実施例 2 溶液重縮合反応 3−シクロデキストリンとへキサメチレンジアミンから
得た包接化合物をジメチルホルムアミドに溶解し、2倍
当量のトリェチルアミンの共存下で当量のテレフタル酸
クロリドと室温で櫨拝しながら反応させた。
溶液はゲル状となるが、30分後にアセトン中に投入す
ると白色の重合体が得られた。収量はほぼ定量的であっ
た。得られた重合体はm−クレゾール中30℃で0.2
3の極限粘度を示し、熱水中で膨潤するのみならず、ジ
メチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリツクトリア
ミドに溶解する。
融点はなく、加熱すると黒化して30ぴ○付近から分解
する。第5図に重合体のIRスペクトルを示したが、3
400,3100伽‐1に−NH−の伸縮振動、163
0,1550弧‐1に−CONH−の特性吸収が認めら
れる他、1050肌‐1にホルマール結合による特性吸
収が認められたので包嬢化合物であることが確認された
。実施例 3〜7 溶液車縮合反応 実施例2と同様にして種々のジアミンと8ーシクロデキ
ストリンとの包嬢化合物と種々の酸クロリドを用いて重
縮合反応を行ない、ポリアミドを合成した。
結果は下表のとおりである。なおこれらの実施例で得ら
れた重合体はいずれも明瞭な融点を示さず、30000
付近で分解する。
第6図に実施例6で合成したp−キシリレンジアミンと
3ーシクロデキストリンとの包薮化合物とテレフタル酸
クロリドから得られる包薮ポリアミドのNMRスペクト
ルを示した。3.9側、4.7脚、5.2肌こ8−シク
ロデキストリンに基ず〈特性吸収が認められるので包嬢
重合体と断定される。
【図面の簡単な説明】
第1図はシクロデキストリン分子の模式図である。 第2図はへキサメチレンジアミンのPーシクロデキスト
リン包懐化合物のIRスペクトルであり、第3図はへキ
サメチレンジアミンのP−シクロデキストリン包援化合
物のNMRスペクトルである。第4図はp−キシリレン
ジアミンのB−シクロデキストリン包鞍化合物のNMR
スペクトルである。第5図は8ーシクロデキストリンに
よって包接されたへキサメチレンジアミンとテレフタル
酸クロリドとの重縮合反応によって得られた包嬢ポリア
ミドのIRスペクトルである。第6図は8ーシクロヂキ
ストリンによって包接されたp−キシリレンジアミンと
テレフタル酸クロリドとの重縮合反応によって得られた
包援ポリアミドのNMRスペクトルである。矛1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される繰り返し単位を有し、m−クレゾール中30
    ℃の極限粘度が0.1以上であるシクロデキストリン包
    接ポリアミド。 (但し、一般式(I)において、 Aは式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される基、nは4 〜6の整数をそれぞれ表し、R_1はテトラメチレン基
    又はフエニレン基、R_2はヘキサメチレン基又はキシ
    リレン基を表わし、R_1とR_2の少くとも一は前記
    の基のうちの環状基の一である。 )2一般式HOOC−R_1−COOH……(II)で表
    わされる二塩基酸又は、その反応性酸誘導体と一般式H
    _2N−R_2−NH_2……(III)で表わされるジ
    アミンを包接した一般式▲数式、化学式、表等がありま
    す▼で表わされるシクロデキストリン包接化合物とを重
    縮合させることを特徴とする一般式▲数式、化学式、表
    等があります▼ で表される繰り返し単位を有するシクロデキストリン包
    接ポリアミドの製造方法。 (但し、一般式I,II,III,IVにおいて、Aは式▲数式
    、化学式、表等があります▼ で表される基、nは4 〜6の整数をそれぞれ表し、R_1はテトラメチレン基
    又はフエニレン基、R_2はヘキサメチレン基又はキシ
    リレン基を表わし、R_1とR_2の少くとも一は前記
    の基のうちの環状基の一である。 )
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