JPS6015008B2 - thermal infrared detector - Google Patents
thermal infrared detectorInfo
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- JPS6015008B2 JPS6015008B2 JP53113380A JP11338078A JPS6015008B2 JP S6015008 B2 JPS6015008 B2 JP S6015008B2 JP 53113380 A JP53113380 A JP 53113380A JP 11338078 A JP11338078 A JP 11338078A JP S6015008 B2 JPS6015008 B2 JP S6015008B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は熱形赤外線検出器に関し、特にたとえば焦電
効果形の赤外線検出素子を用いて新規なパッケージを施
した熱形赤外線検出器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thermal infrared detector, and more particularly to a thermal infrared detector using, for example, a pyroelectric effect type infrared detecting element and provided with a novel package.
熱形赤外線検出器として、従来よりたとえば魚雷形の検
出素子やサーミスタを用いたものが知られている。この
発明の背景となる篤露形の検出素子を用いた赤外線検出
器が第1図に示される。従来の赤外線検出器は、この第
1図に示すように、外部導出ピン1,1′を貫通固定さ
せた絶縁基板2に焦電効果素子すなわち赤外線検出素子
3を固着し、その基板2をスペース4を介してハーメチ
ックベース5に取付ける。そして、赤外線を受入れる孔
6aを有する金属ケース6を、基板2を囲むようにハー
メチツクベース5に、ハーメチツクジールする。金属ケ
ース6の孔6aには、所望の波長領域にある赤外線を透
過させ得る材料からなる窓部材7が設けられる。ハーメ
チックシール構造を用いたパッケージは、一般的に知ら
れているように、ケースが金属であるため電気的シール
ド効果が得られ、また構造的にも強固であるが、このよ
うな熱形赤外線検出器に適用したことにより、次に述べ
るような、解決すべき欠点を生じる。2. Description of the Related Art As thermal infrared detectors, for example, those using torpedo-shaped detection elements or thermistors are known. An infrared detector using a dew-type detection element, which is the background of this invention, is shown in FIG. As shown in FIG. 1, a conventional infrared detector has a pyroelectric effect element, that is, an infrared detection element 3, fixed to an insulating substrate 2 through which external lead-out pins 1 and 1' are fixed, and the substrate 2 is fixed in a space. 4 to the hermetic base 5. Then, a metal case 6 having a hole 6a for receiving infrared rays is hermetically sealed to the hermetic base 5 so as to surround the substrate 2. A window member 7 made of a material capable of transmitting infrared rays in a desired wavelength range is provided in the hole 6a of the metal case 6. As is generally known, packages using a hermetic seal structure have a metal case, which provides an electrical shielding effect, and is also structurally strong. When applied to containers, the following drawbacks arise that must be resolved.
すなわち、{1)パッケージコストが高いので、高価な
特殊用途にしか応用できない。■外部導出リードを基板
と平行に引出す、いわゆる縦形構造に構成することが困
難である。{3}外部導出リードとしてフレキシブルな
被覆リード線を使用することが困難である。【41ケー
スが金属であるから、ポリエチレン等の材質から成る窓
部材を接着剤でケースに取付ける際、その後着剤が赤外
線透過部までにじみ出て、感度のぱらつきが生じたり、
また作業性も悪い。‘5}金属ケースの熱容量が大きい
ので、検出器の周囲温度が低から高へ急変すると、ケー
スの周囲に霧が生じ、その霧が窓部材にまで伝わり、赤
外線が遮断されたり、窓部材とケースとの固着部分から
このケース内へ湿気が侵入したりする。■検出素子の後
段に接続する電界効果トランジスタ(以下「FET」と
いう)をケース内に収納する場合、FET本体の耐湿性
がいまだ不充分なため、ケース内に侵入する湿気の影響
をなくするようにこのFETをたとえば樹脂コーティン
グする必要がある。That is, {1) Since the package cost is high, it can only be applied to expensive special uses. (2) It is difficult to construct a so-called vertical structure in which external leads are drawn out parallel to the substrate. {3} It is difficult to use flexible covered lead wires as external leads. [41] Since the case is made of metal, when a window member made of a material such as polyethylene is attached to the case with adhesive, the adhesive may seep into the infrared transmitting area, causing sensitivity fluctuations.
It also has poor workability. '5} Since the metal case has a large heat capacity, when the ambient temperature around the detector suddenly changes from low to high, fog will form around the case and the fog will be transmitted to the window parts, blocking infrared rays and causing damage to the window parts. Moisture may enter the case through the parts that are attached to the case. ■When storing a field-effect transistor (hereinafter referred to as "FET") that is connected after the detection element in a case, the moisture resistance of the FET itself is still insufficient, so it is necessary to prevent the influence of moisture from entering the case. For example, it is necessary to coat this FET with a resin.
‘71金属ケースは熱伝導性が良く、一方検出素子を取
付ける基板も通常熱伝導性の良いアルミナ基板を用いる
ので、組立時にケースと基板とが接触した場合、ェネル
ギ変化の緩やかな赤外線を検知することが困難である。
棚さらに、金属ケースを用いるために、どうしても大き
くなり、小型化が困難である。そこで、この発明では、
上述のすべての欠点を解消し得る新規なパッケージ構造
の熱形赤外線検出器を提供する。The '71 metal case has good thermal conductivity, and the board on which the detection element is mounted is usually an alumina board with good thermal conductivity, so if the case and the board come into contact during assembly, infrared rays with gradual energy changes can be detected. It is difficult to do so.
Furthermore, since the shelf uses a metal case, it is inevitably large, making it difficult to downsize it. Therefore, in this invention,
A thermal infrared detector with a new package structure that can overcome all the above-mentioned drawbacks is provided.
この発明は、要約すれば、外部導出リードが取付けられ
た中実または中空の筒状の支持体の一方主表面に熱形赤
外線検出素子を取付け、この一方主表面側に突出するよ
うに支持体よりも長い長さの熱収縮性チューブをこの支
持体の側面にかぶせ、この熱収縮性チューブを収縮させ
たときその支持体の一方主表面側に突出する部分が内側
に収縮され、さらに、この内側に収縮した部分にたとえ
ばパラフィン系樹脂のような樹脂層を形成するようにし
たものである。In summary, the present invention is such that a thermal infrared detection element is attached to one main surface of a solid or hollow cylindrical support to which an external lead is attached, and the support is protruded toward the other main surface. A heat-shrinkable tube with a length longer than A resin layer, such as paraffin resin, is formed on the inwardly contracted portion.
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。The above objects and other objects and features of the invention will become more apparent from the following detailed description with reference to the drawings.
なお、以下の実施例では、熱形赤外線検出素子として、
たとえばLITa03,PbTj03,SBN,PZT
などを小片に加工した焦電形素子について説明するが、
の発明は、さらに、たとえばNi,Co,Mn,Cu,
Feなどの複合酸化物をフレーク状にしたものまたはこ
のような複合酸化物を基板上に厚膜もしくは薄膜形成し
たものすなわちサーミスタボロメータのような熱形赤外
線検出素子を用いるものにも適用できることを予め指摘
しておく。In addition, in the following examples, as a thermal infrared detection element,
For example LITa03, PbTj03, SBN, PZT
I will explain the pyroelectric element which is processed into small pieces.
The invention further provides, for example, Ni, Co, Mn, Cu,
It should be noted in advance that it can also be applied to composite oxides such as Fe in the form of flakes, or composite oxides formed as thick or thin films on substrates, that is, those using thermal infrared detection elements such as thermistor bolometers. Let me point this out.
第2図はこの発明の一実施例を示す構造断面図である。
構成において、この実施例では中空部12を有する筒状
支持体10を用いる。この筒状支持体10は、たとえば
アルミナセラミツクなどの絶縁体から成る。この筒状支
持体10の中空部12は、その一方主表面に取付けられ
る焦電形赤外線検出素子20のヒートシンクを妨げるよ
うに形成されるものであり、たとえば素子20と支持体
10との間に断熱性のスベーサ等を介挿したりすれば、
この支持体10は中実のものでもよい。なお、この明細
書では中実のものも中空のものも筒状支持体10として
表現する。篤蚤形赤外線検出素子20は、たとえば第3
図のように構成される。FIG. 2 is a structural sectional view showing an embodiment of the present invention.
In construction, this example uses a cylindrical support 10 having a hollow section 12. The cylindrical support 10 is made of an insulator such as alumina ceramic. The hollow portion 12 of the cylindrical support 10 is formed to obstruct the heat sink of the pyroelectric infrared detection element 20 attached to one main surface of the cylindrical support 10. For example, the hollow portion 12 is formed between the element 20 and the support 10. If you insert a heat insulating substrate etc.
This support 10 may be solid. In this specification, both solid and hollow supports are expressed as the cylindrical support 10. The infrared detection element 20 is, for example, a third
It is configured as shown in the figure.
すなわち、素子20は、たとえばPbTi03のような
セラミック基板21の両面に電極22および23を設け
、この電極22と23との間に分極処理を施して篤露効
果を持たせた後、一方の電極23の表面に黒化膜24を
形成する。この黒化膜24は、赤外線を有効に受けるた
めの受光面となる。したがって、この素子20は、受光
面すなわち黒化膜24が外側に向くように筒状支持体1
0の−方主表面に接着ないし取付けられる。筒状支持体
10の他方主表面側には、外部導出リード11,11′
が固定される。That is, in the element 20, electrodes 22 and 23 are provided on both sides of a ceramic substrate 21 such as PbTi03, and after polarization treatment is performed between the electrodes 22 and 23 to give an exposure effect, one electrode is A blackened film 24 is formed on the surface of 23. This blackened film 24 becomes a light-receiving surface for effectively receiving infrared rays. Therefore, this element 20 is mounted on the cylindrical support 1 such that the light-receiving surface, that is, the blackened film 24 faces outward.
Adhesive or attached to the - side main surface of 0. External lead-out leads 11, 11' are provided on the other main surface side of the cylindrical support 10.
is fixed.
さらに、この支持体10のこの他方主表面側には、前記
中空部に素子20の後段に接続されるFET30が設け
られる。そして、このFET30はFETリード31お
よび32によって、この支持体10の他方主表面に固定
される。さらに、この他方主表面には、FET30の動
作抵抗(Rg,Rs)として働く被膜抵抗体40が形成
されている。これら素子20、FET30、被膜抵抗体
40並びに外部導出リード11,11′は、たとえば第
4図に示すように結線されている。さらに、筒状支持体
10の周側面には、熱収縮性チューブ60がかぶせられ
る。Further, on the other main surface side of the support body 10, an FET 30 connected to the rear stage of the element 20 is provided in the hollow portion. The FET 30 is fixed to the other main surface of the support 10 by FET leads 31 and 32. Furthermore, a film resistor 40 is formed on the other main surface, which serves as an operating resistance (Rg, Rs) of the FET 30. These elements 20, FET 30, film resistor 40, and external leads 11, 11' are connected, for example, as shown in FIG. 4. Further, a heat-shrinkable tube 60 is placed over the circumferential side of the cylindrical support 10 .
この熱収縮性チューブ60の長さは、筒状支持体10の
長さよりも長く選ばれていて、その長い部分61は支持
体10の一方主表面側すなわち素子20の取付けられて
いる側に突出するようにかぶせられる。そして、この熱
収縮性チューブ60が加熱によって収縮されたとき、こ
の長い部分61は、この第2図に示すように、その端緑
が内側に向くように収縮される。そして、この熱収縮性
チューブ60の長い部分61によって規定される空間お
よび筒状支持体10の他方主表面側に、たとえばポヱチ
レン、ポリプロピレン等のパラフィン系樹脂から成り、
所定の赤外線を透過させる樹脂層71および72を形成
する。The length of this heat-shrinkable tube 60 is selected to be longer than the length of the cylindrical support 10, and its long portion 61 protrudes toward one main surface side of the support 10, that is, the side on which the element 20 is attached. It is covered like this. When the heat-shrinkable tube 60 is shrunk by heating, the long portion 61 is shrunk so that its green end faces inward, as shown in FIG. The space defined by the long portion 61 of the heat-shrinkable tube 60 and the other main surface of the cylindrical support 10 are filled with a paraffin resin such as polyethylene, polypropylene, etc.
Resin layers 71 and 72 that transmit predetermined infrared rays are formed.
樹脂層71および72を形成するとき、筒状支持体の中
空部12にもこの樹脂が流れ込むことがある。このよう
にして形成したパラフィン系樹脂層71は、硬化後、熱
収縮性チューブ60の長い部分61によって押えられて
いるため機械的に堅固な耐環境コート材となるとともに
、素子20への赤外線透過窓の役割をも果たす。この樹
脂層71の材質としてたとえばポリエチレンを使用する
と、このポリエチレンは、他の樹脂に比べて水蒸気の非
透過性に優れているため、水蒸気の非透過性が耐環境特
性の内最も重要なフアク外こなるといわれる篤露形検出
素子を用いた検出器の場合に特に良好である。ある実験
によれば、高温度雰囲気中においてたとえば10岬時間
程度放置した後、それを取出して試験したとき、たとえ
ば第1図に示す従来の赤外線検出器においては、金属ケ
ースと窓部材との隙間から水蒸気が侵入するため、この
湿度環境から取出して約7幼時間後にやっと湿中放置前
の状態に戻る。これは、金属ケース内に水蒸気がこもり
、この水蒸気が外部に再び放出されるのに時間がかかる
からである。これに対して、この実施例によれば、どの
ような湿中に放置しても、約1時間以内に緑中放置前の
状態に戻る。このような試験データからもこの実施例の
耐環境特性は良好であることがわかる。 第5図はこの
ような赤外線検出器を用いる一例を示す図解図である。
赤外線検出器100は、通常、そのままでは出力変化量
が小さいので、第4図に示すFET30のように電気回
路によってまたは光学的にその出力変化量を増幅する必
要がある。光学的に増幅する手段としては、赤外線透過
レンズを用いる方法と、この第5図に示すような凹面鏡
を利用する方法とがある。レンズは非常に高価であるた
め、一般には、こねような集光ミラーを利用するのがほ
とんどである。この第5図のように、集光ミラー200
を用いる場合、入射赤外線30川ま、このミラー200
によって反射され、ある点に設けられた検出器100の
受光面に反射赤外線300aとして入射される。しかし
ながら、このような集光ミラー200を用いる場合には
、全入射赤外線の内検出器10川こさえぎられた分はミ
ラー200には到達せず、したがって検出器100の受
光面にも入射しないことになる。そのため、このような
集光ミラー200を用いる方式を探る限り、検出器10
0の「さえぎり」による入射光量の減少は極力抑える必
要がある。そのために、検出器100そのものはでき得
る限り小型化することが望まれる。そこで、この第2図
に示すような実施例の場合、従来の金属ケースを用いる
ものに比べて、非常に小型化でき、したがってこの検出
器100の受光面に入射する光量の減少は最少限にとど
められ得る。なお、このような赤外線検出器100を実
際に用いる場合には、従来の金属ケースによるパッケー
ジに比べて電気的なシールド効果が悪いので、たとえば
この赤外線検出器100からの出力信号を増幅するため
の増幅器等の回路(図示せず)と検出器100とを同一
のシールドケース中に納めるようにすれば、静電誘導は
回避され、安定した動作を行うことができる。When forming the resin layers 71 and 72, this resin may also flow into the hollow portion 12 of the cylindrical support. After curing, the paraffin-based resin layer 71 formed in this manner is held down by the long portion 61 of the heat-shrinkable tube 60, so that it becomes a mechanically strong environmentally resistant coating material and also prevents infrared rays from transmitting to the element 20. It also serves as a window. For example, if polyethylene is used as the material for this resin layer 71, this polyethylene has superior water vapor impermeability compared to other resins, and therefore, water vapor impermeability is the most important environmental resistance characteristic. This is particularly good in the case of a detector using a dew-type detection element. According to an experiment, when the detector was left in a high-temperature atmosphere for about 10 hours and then taken out and tested, for example, in the conventional infrared detector shown in Figure 1, the gap between the metal case and the window member was Because water vapor enters the product, it only returns to its state before being left in the humidity about 7 hours after it is removed from this humid environment. This is because water vapor is trapped inside the metal case and it takes time for this water vapor to be released to the outside again. On the other hand, according to this embodiment, no matter what kind of humidity it is left in, it returns to its state before being left in the greenery within about one hour. It can be seen from such test data that the environmental resistance properties of this example are good. FIG. 5 is an illustrative diagram showing an example of using such an infrared detector.
Since the infrared detector 100 normally has a small amount of change in output as it is, it is necessary to amplify the amount of change in output by an electric circuit like the FET 30 shown in FIG. 4 or optically. Optical amplification means include a method using an infrared transmitting lens and a method using a concave mirror as shown in FIG. Lenses are very expensive, so in most cases a condenser mirror is used. As shown in FIG. 5, the condensing mirror 200
When using, the incident infrared radiation is 30 degrees, and this mirror is 200 degrees.
The reflected infrared light 300a enters the light-receiving surface of the detector 100 provided at a certain point. However, when such a condensing mirror 200 is used, the portion of the total incident infrared rays that is blocked by the detector 10 does not reach the mirror 200 and therefore does not enter the light receiving surface of the detector 100. become. Therefore, as long as a method using such a condensing mirror 200 is explored, the detector 10
It is necessary to suppress the decrease in the amount of incident light due to "obstruction" of zero. For this reason, it is desired that the detector 100 itself be made as small as possible. Therefore, in the case of the embodiment shown in FIG. 2, it can be made much smaller than the conventional one using a metal case, and therefore the decrease in the amount of light incident on the light receiving surface of this detector 100 can be minimized. It can be stopped. Note that when such an infrared detector 100 is actually used, the electrical shielding effect is poorer than that of a conventional metal case package. By housing a circuit such as an amplifier (not shown) and the detector 100 in the same shield case, electrostatic induction can be avoided and stable operation can be achieved.
次に、第2図および第6図、第7図を参照して、このよ
うな赤外線検出器の製造方法の実施例について説明する
。Next, an embodiment of a method for manufacturing such an infrared detector will be described with reference to FIG. 2, FIG. 6, and FIG. 7.
まず、たとえばアルミナセラミック等から成る筒状支持
体10を準備する。First, a cylindrical support 10 made of, for example, alumina ceramic is prepared.
そして、必要に応じて、たとえば第4図に示す抵抗Rg
およびRsに相当する被膜抵抗体40やそれに付随する
電極を印刷または競付け等の方法で形成する。その後、
この支持体10の一方主表面に篤亀形赤外線検出素子2
0をたとえばェポキシ系樹脂のような接着剤で取付ける
。それとともに、この支持体10の他方主表面側に、か
つ中空部12に位置するように、FET30をFETリ
ード31および32によって取付ける。そして、この支
持体10‘こ外部導出リード11,11′がリード線3
(第6図)を取付けるとともに、接続部51,51′お
よび52によって、たとえば第4図のような回路機成に
なるように結線する。その後、第7図に示すように支持
体10の周側面に、この支持体10の長さよりも長い部
分61を有する熱収縮性チューブたとえばST−40D
G(商品名;信越シリコン)を、かぶせる。このとき、
長い部分61は、必ず、支持体10の一方主表面側に突
出するようにかぶせる。その後、たとえば約150℃で
加熱する。応じて、熱収縮性チューブ60の長い部分6
1は、その端縁が収縮し、第2図に示すように内側に収
縮する。このとき、熱収縮性チューブ60の材質として
は、樹脂層71,72をパラフィン系樹脂とする場合に
は、同じ系統のパラフィン系樹脂を用いることが望まし
い。そのようにすれば、樹脂層71とチューブ60,6
1との接着性が良好になる。続いて、上述のようにして
熱収縮させた後、約110qoで溶融したパラフィン系
ワックスの液中に浸す。そして、その液中から取出して
常温硬化させる。このようにして、第2図に示すような
構造の赤外線検出器100が得られる。上述の実施例で
は、熱収縮性チューブ60を収縮させた後にパラフィン
系ワックス液中にディップさせた例について説明したが
、さらに次のような方法も考えられる。すなわち、熱収
縮性チュ−ブを第7図に示すように支持体10の筒側面
にかぶせた後、その状態で約150ご0〜180qoで
溶融したポリエチレン液中にディツプする。そのとき、
温度が高いため、熱収縮性チューブ60が収縮するとと
もに、第2図に示すような樹脂層71,72が形成され
る。なお、この場合においても、先の実施例と同様に、
熱収縮性チューブ60と樹脂層71,72の材質は互い
に同成分を含むことが望ましい。これによって、チュー
ブと樹脂層とが互いに溶接し合い、さらに強固で耐湿性
に優れた赤外線検出器が得られよう。以上のように、こ
の発明によれば、熱収縮性チューブとパラフィン系樹脂
とによて検出器をコートするようにしたため、従来の金
属ケースを用いるものに比べて、能率的でかつ経済的に
大量生産を行うことができる。Then, if necessary, for example, a resistor Rg shown in FIG.
Then, the film resistor 40 corresponding to Rs and the electrodes associated therewith are formed by a method such as printing or bonding. after that,
A tortoise-shaped infrared detection element 2 is mounted on one main surface of the support 10.
0 with an adhesive such as epoxy resin. At the same time, the FET 30 is attached to the other main surface side of the support body 10 and located in the hollow portion 12 using FET leads 31 and 32. The external leads 11, 11' of this support 10' are connected to the lead wires 3.
(FIG. 6) is attached, and wires are connected using the connecting portions 51, 51' and 52 so as to have a circuit configuration as shown in FIG. 4, for example. Thereafter, as shown in FIG. 7, a heat-shrinkable tube such as ST-40D having a portion 61 longer than the length of the support 10 is attached to the circumferential side of the support 10.
Cover with G (product name: Shin-Etsu Silicon). At this time,
The long portion 61 is always placed over one main surface of the support 10 so as to protrude therefrom. Thereafter, it is heated, for example, at about 150°C. Accordingly, the long section 6 of the heat-shrinkable tube 60
1 has its edges contracted and contracted inward as shown in FIG. At this time, as the material of the heat-shrinkable tube 60, when the resin layers 71 and 72 are made of paraffin resin, it is desirable to use the same type of paraffin resin. By doing so, the resin layer 71 and the tubes 60, 6
The adhesion with 1 becomes better. Subsequently, after being heat-shrinked as described above, it is immersed in a liquid of melted paraffin wax at about 110 qo. Then, it is taken out from the liquid and cured at room temperature. In this way, an infrared detector 100 having a structure as shown in FIG. 2 is obtained. In the above-mentioned embodiment, an example was explained in which the heat-shrinkable tube 60 was shrunk and then dipped in a paraffin wax liquid, but the following method is also conceivable. That is, as shown in FIG. 7, a heat-shrinkable tube is placed over the cylindrical side of the support 10, and then dipped in a molten polyethylene solution at about 150 to 180 qo. then,
Since the temperature is high, the heat-shrinkable tube 60 contracts and resin layers 71 and 72 as shown in FIG. 2 are formed. In addition, in this case as well, as in the previous example,
It is desirable that the materials of the heat-shrinkable tube 60 and the resin layers 71 and 72 contain the same components. As a result, the tube and the resin layer will be welded to each other, and an infrared detector that is even stronger and has excellent moisture resistance will be obtained. As described above, according to the present invention, since the detector is coated with a heat-shrinkable tube and paraffin resin, it is more efficient and economical than the conventional one using a metal case. Capable of mass production.
また、その検出器機造も、横形、縦形あるいはフレキシ
ブルな被覆リード線を用いた構造など任意の構成をとる
ことができ、設計の融通性が高まる。さらに、従来のよ
うな窓都材を接着する必要がないため、検出素子の受光
部に接着剤等が付着することなく、しかも付着の懸念な
く製造でき、性能のばらつきがなくしかも作業性が高ま
る。この検出器は樹脂によってコ−トされているため、
周囲温度が急変してもそれによる霧の発生はほとんどな
く、素子の受光部に影響を与えることがない。さらに、
第2図に示すように筒状支持体10の他方主表面側にも
樹脂層72を形成するような実施例にすれば、内蔵する
FET等が樹脂外装で包まれることになり、このFET
に耐湿性向上の特別な処理をしなくてもよい。Further, the detector structure can have any configuration such as horizontal, vertical, or structure using flexible covered lead wires, increasing flexibility in design. Furthermore, since there is no need to glue the window material as in the past, there is no need for adhesive to adhere to the light-receiving part of the detection element, and it can be manufactured without worrying about adhesion, eliminating variations in performance and increasing workability. . This detector is coated with resin, so
Even if the ambient temperature suddenly changes, fog is hardly generated and the light receiving part of the element is not affected. moreover,
As shown in FIG. 2, if the resin layer 72 is also formed on the other main surface side of the cylindrical support 10, the built-in FET etc. will be wrapped in a resin exterior, and this FET
There is no need for special treatment to improve moisture resistance.
図面の簡単な説明第1図はこの発明の背景となる従来の
赤外線検出器を示す構造図解図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an illustrative structural diagram showing a conventional infrared detector which is the background of the present invention.
第2図はこの発明の一実施例を示す構造図解図である。
第3図は篤軍形赤外線検出素子20の構造を示す図解図
である。第4図は第2図に示す実施例の等価回路を示す
。第5図は赤外線検出器100を実際に用いる場合に光
学的に変化量を増幅するための一例を示す図解図である
。第6図および第7図は第2図に示す実施例の製造工程
を示す構造図解図である。図において、100は赤外線
検出器、10は筒状支持体、20‘ま篤露形赤外線検出
素子、30はFET、40は被膜抵抗体、6川ま熱収縮
性チューブ、61はチューブ60の長い部分、71およ
び72は樹脂層を示す。第1図
第2図
第3図
第4図
第5図
第6図
第7図FIG. 2 is a structural diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an illustrative diagram showing the structure of the aggressive type infrared detection element 20. FIG. 4 shows an equivalent circuit of the embodiment shown in FIG. FIG. 5 is an illustrative diagram showing an example of optically amplifying the amount of change when the infrared detector 100 is actually used. 6 and 7 are structural diagrams showing the manufacturing process of the embodiment shown in FIG. 2. FIG. In the figure, 100 is an infrared detector, 10 is a cylindrical support, 20' is a dew-type infrared detection element, 30 is an FET, 40 is a film resistor, 6 is a heat-shrinkable tube, and 61 is a long tube 60. Portions 71 and 72 indicate resin layers. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7
Claims (1)
所定の位置に外部導出リードが取付けられた支持体と、
前記筒状の支持体の一方主表面に取付けられる熱形赤外
線検出素子と、前記支持体の側面にかぶせるための熱収
縮性チユーブであつて、その長さは前記支持体の長さよ
り長く選ばれていて、この長い部分はこのチユーブが支
持体の側面にかぶせられるとき前記一方主表面側に突出
しかつ内側に収縮されている、そのような熱収縮性チユ
ーブと、少なくとも前記熱収縮性チユーブの内側に収縮
した前記長い部分によつて規定される空間に形成され、
所定の赤外線を透過させる樹脂材料から成る樹脂層とを
含む熱形赤外線検出器。1 Made of an insulator and formed into a solid or hollow cylinder,
a support body with an external lead-out lead attached to a predetermined position;
A thermal infrared detection element attached to one main surface of the cylindrical support, and a heat-shrinkable tube to be placed over the side surface of the support, the length of which is selected to be longer than the length of the support. and this long portion protrudes toward said one major surface and is contracted inwardly when said tube is placed over the side surface of the support, and at least said inner side of said heat-shrinkable tube. formed in a space defined by the long portion contracted to
A thermal infrared detector comprising a resin layer made of a resin material that transmits predetermined infrared rays.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53113380A JPS6015008B2 (en) | 1978-09-13 | 1978-09-13 | thermal infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53113380A JPS6015008B2 (en) | 1978-09-13 | 1978-09-13 | thermal infrared detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5539082A JPS5539082A (en) | 1980-03-18 |
| JPS6015008B2 true JPS6015008B2 (en) | 1985-04-17 |
Family
ID=14610818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53113380A Expired JPS6015008B2 (en) | 1978-09-13 | 1978-09-13 | thermal infrared detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015008B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737944B2 (en) * | 1984-12-10 | 1995-04-26 | キヤノン株式会社 | Scattered light measuring device |
| JPH0526508Y2 (en) * | 1986-12-09 | 1993-07-05 | ||
| JPH01131128U (en) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 |
-
1978
- 1978-09-13 JP JP53113380A patent/JPS6015008B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5539082A (en) | 1980-03-18 |
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