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JPS6023531B2 - low frequency amplifier - Google Patents
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JPS6023531B2 - low frequency amplifier - Google Patents

low frequency amplifier

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Publication number
JPS6023531B2
JPS6023531B2 JP5029478A JP5029478A JPS6023531B2 JP S6023531 B2 JPS6023531 B2 JP S6023531B2 JP 5029478 A JP5029478 A JP 5029478A JP 5029478 A JP5029478 A JP 5029478A JP S6023531 B2 JPS6023531 B2 JP S6023531B2
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JP
Japan
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transistor
output
base
current detection
transistors
Prior art date
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JP5029478A
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嘉延 杉山
秀夫 伊藤
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオーディオ機器のパワーアンプ等に用いられて
プッシュプル動作する低周波増幅器に係り、特にノッチ
ング歪の発生を防止するようにしたものに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a push-pull low frequency amplifier used in power amplifiers of audio equipment, and more particularly to one that prevents the occurrence of notching distortion.

従来より提案されているB級プッシュプル増幅器におい
てはトランジスタがスイッチング動作することによりノ
ツチング歪が発生し、その度合は比較的高い周波数や大
振幅の信号を増幅しているときに、トランジスタの動作
が信号に追従できないことから多くなるという欠点があ
った。
In class B push-pull amplifiers that have been proposed in the past, notching distortion occurs due to the switching operation of the transistor. The disadvantage is that the number of signals increases due to the inability to follow the signal.

本発明はこのような欠点を鱗消すべく、B級プッシュプ
ル動作する場合のノッチング歪を発生しないようにした
低周波増幅器を提供するものである。
In order to eliminate such drawbacks, the present invention provides a low frequency amplifier that does not generate notching distortion when performing class B push-pull operation.

この目的のため、本発明の低周波増幅器は、第1の出力
トランジスタと第2の出力トランジスタのヱミツタがそ
れぞれ抵抗を介して出力点に接続され、それらの第1及
び第2の出力トランジスタのベースに正負に変化する入
力信号を印加してプッシュプル動作するものにおいて、
前記第1の出力トランジスタと前記第2の出力トランジ
スタの凧ベース間にバイアスを印加するためのバイアス
回路を設けるとともに、前記第1の出力トランジスタの
ベースと前記出力点間に第1の出力トランジスタの電流
検出トランジスタのベース・ェミツタを接続し、また前
記第2の出力トランジスタのベースと前記出力点間に第
2の出力トランジスタに流れるェミツタ電流を検出する
第2の電流検出トランジスタのベース・ェミツタをそれ
ぞれ接続するとともに、前記第1の電流検出トランジス
タのェミッタと前記第2の出力トランジスタのべ−ス入
力間に前記バイアス回路を構成しているバイアス設定用
の第1の抵抗を接続し、前記第2の電流検出トランジス
タのコレクタと前記第1の出力トランジスタのベース入
力間に前記バイアス回路を構成しているバイアス設定用
の第2の抵抗をそれぞれ接続し、前記第1と第2の電流
検出トランジスタの動作により、前記バイアス回路の第
1及び第2の抵抗に流れる電流を変化させ、バイアス設
定量を変化させるようにして前記第1と第2の出力トラ
ンジスタのターンオフを妨げるように構成したことを特
徴とする。
For this purpose, the low-frequency amplifier of the present invention is provided such that the emitters of the first output transistor and the second output transistor are connected to the output point via a resistor, respectively, and the bases of the first and second output transistors are connected to the output point via a resistor. In devices that perform push-pull operation by applying input signals that change between positive and negative,
A bias circuit is provided for applying a bias between the bases of the first output transistor and the second output transistor, and a bias circuit is provided between the base of the first output transistor and the output point of the first output transistor. The base and emitter of a second current detection transistor are connected to each other, and the base and emitter of a second current detection transistor are connected between the base of the second output transistor and the output point to detect the emitter current flowing to the second output transistor. At the same time, a first resistor for bias setting forming the bias circuit is connected between the emitter of the first current detection transistor and the base input of the second output transistor. A second resistor for bias setting forming the bias circuit is connected between the collector of the current detection transistor and the base input of the first output transistor. The present invention is characterized in that the current flowing through the first and second resistors of the bias circuit is changed by operation, and the bias setting amount is changed to prevent turn-off of the first and second output transistors. shall be.

以下、図面を参照して本発明の−実施例を具体的に説明
する。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

図面においてNPNの駆動トランジスタQ5,Q7とP
NPの駆動トランジスタQ6,Q8がェミッタをそれぞ
れ抵抗R9,R,.とR,o,R,2を介して出力点0
に接続し、トランジスタQ7,Q8のベースをトランジ
スタは,Qのェミッタに接続している。またNPNの出
力トランジスタQとPNPの出力トランジスタQ,。が
ェミツタをそれぞれ抵抗R,3,R,4を介して出力点
0に接続し、べ−スをトランジスタQ7,Qのェミッタ
に接続してダーリントン回路を構成している。駆動トラ
ンジスタQ5,Q6の両ベース間にはNPNのトランジ
スタQ,とPNPのトランジスタQ2が直列に接続され
、トランジスタQ,のベース・コレクタ間に抵抗R,.
R3が接続され、トランジスタQ,,Q2の両ベース間
に抵抗R5とアィドリング調整用半固定抵抗R6が接続
され、トランジスタQ2のベース・コレクタ間に抵抗
R4,R2が後続されており、これらのトランジスタQ
,,Q2と抵抗R,ないしR6に定電流源1からの電流
が供給されて一定のバイアス電圧を発生している。また
トランジスタQ5,偽のベースには入力トランジスタQ
,.により正負に変化する入力信号Sを印加しており、
出力トランジスタQ9,Q,oの両ベース間と、出力点
との間に設けられた出力トランジスタの電流検出手段に
より、前記バイアス回路のバイアス設定量が変化される
よう構成されている。即ち、一方の出力トランジスタQ
のベースが抵抗虫8を介してPNPのトランジスタQ4
のヱミツタに接続され、そのトランジスタQのベースが
出力点0に接続されコレクタが抵抗R4とR2の間に接
続される。
In the drawing, NPN drive transistors Q5, Q7 and P
NP drive transistors Q6, Q8 connect their emitters to resistors R9, R, . and output point 0 via R,o,R,2
The bases of transistors Q7 and Q8 are connected to the emitter of transistor Q. Also, an NPN output transistor Q and a PNP output transistor Q. The emitters are connected to the output point 0 through resistors R, 3, R, and 4, respectively, and the bases are connected to the emitters of transistors Q7 and Q to form a Darlington circuit. An NPN transistor Q and a PNP transistor Q2 are connected in series between the bases of the driving transistors Q5 and Q6, and resistors R, .
R3 is connected, a resistor R5 and an idling adjustment semi-fixed resistor R6 are connected between the bases of transistors Q, Q2, and a resistor is connected between the base and collector of transistor Q2.
R4 and R2 are followed, and these transistors Q
, , Q2 and resistors R to R6 are supplied with current from a constant current source 1 to generate a constant bias voltage. Also, transistor Q5, the input transistor Q at the false base
、. An input signal S that changes between positive and negative is applied,
The bias setting amount of the bias circuit is configured to be changed by the current detection means of the output transistor provided between the bases of the output transistors Q9, Q, and o and the output point. That is, one output transistor Q
The base of the PNP transistor Q4 is connected via the resistor 8.
The base of the transistor Q is connected to the output point 0, and the collector is connected between the resistors R4 and R2.

また他方の出力トランジスタQ,oのベースが同じよう
に抵抗虫7を介してNPNのトランジスタQ3のェミツ
タに接続されそのトランジスタQのベースが出力点0に
接続され、コレクタが抵抗旅,とR3の間に接続される
。ここで抵抗はR2とR8と等しく、又抵抗R,はR7
と等しくなるようそれぞれ設定されている。これにより
無信号時のバイアス電圧V^B(トランジスタQ5,Q
6のベース間電圧)はトランジスタQ,,Q2のベース
・ェミッタ間電圧をVBEとすると、略2VB8(R,
十R2十R3十R4十R5十R6)/R5十R6で表わ
され、抵抗R6によって調整されたアイドル電流が出力
トランジスタQ9,Q,oに流れる。
In addition, the bases of the other output transistors Q and o are similarly connected to the emitter of the NPN transistor Q3 via the resistor 7, the base of the transistor Q is connected to the output point 0, and the collector is connected to the resistor, and the emitter of the NPN transistor Q3 is connected to the emitter of the NPN transistor Q3 through the resistor 7. connected between. Here, the resistance is equal to R2 and R8, and the resistance R, is R7
are set to be equal to each other. As a result, the bias voltage V^B (transistors Q5, Q
6) is approximately 2VB8 (R,
An idle current expressed as 1R20R30R40R50R6)/R50R6 and regulated by resistor R6 flows through output transistors Q9, Q, and o.

そして正の半サイクルの信号が入力トランジスタQ,.
により入力すると、出力トランジスタQ9で電力増幅さ
れた出力信号が出力点0に出力し、このときトランジス
タQ9を流れる電流により抵抗R,3に電圧降下を生じ
、この電圧降下に比例した電圧がトランジスタQ,仏,
Q,oに逆バイアスとなって加わり、夕−ンオフするよ
うになる。しかるに電流検出トランジスタQ4において
出力トランジスタQ9のベースに接続されたェミツタの
方が出力点0に接続されたベースに比べて電位が高くな
っており、これによりトランジスタQがオンしてトラン
ジスタQ4を介し抵抗R2の方に電流が流れる。そこで
抵抗R,3での電圧降下と同じ電圧が抵抗戊8に立つよ
うに抵抗R8の値を決めると、抵抗戊2と抵抗R8が等
しい場合に抵抗R,3での電圧降下分が抵抗K2に現わ
れる。従ってトランジスタQのベースの電位が下ってト
ランジスタQ,Q8,Q,oは糠バイアスを維持し、タ
ーンオフすることなくアイドル電流が流れ続ける。また
逆に負の半サイクルの信号が入力すると、出力トランジ
スタQ,。
Then, the positive half-cycle signal is input to the input transistors Q, .
When the output signal is amplified by the output transistor Q9, the output signal is outputted to the output point 0. At this time, the current flowing through the transistor Q9 causes a voltage drop across the resistor R,3, and a voltage proportional to this voltage drop is applied to the transistor Q. ,Buddha,
It is added as a reverse bias to Q and o, and turns off in the evening. However, in the current detection transistor Q4, the emitter connected to the base of the output transistor Q9 has a higher potential than the base connected to the output point 0, so that the transistor Q is turned on and the resistor is connected through the transistor Q4. Current flows towards R2. Therefore, if the value of resistor R8 is determined so that the same voltage as the voltage drop across resistor R,3 is applied to resistor 8, then when resistor 2 and resistor R8 are equal, the voltage drop across resistor R,3 will be the same voltage as resistor K2. appears in Therefore, the potential at the base of transistor Q falls, and transistors Q, Q8, Q, and o maintain a negative bias, and idle current continues to flow without being turned off. Conversely, when a negative half-cycle signal is input, the output transistor Q.

で電力増幅され、このときも同様に電流検出トランジス
タQ3がオンしてトランジスタQ5,Q7,Q9は順バ
イアスを維持し、ターンオフすることなくアイドル電流
が流れる。かくして正の半サイクルの信号の入力で出力
トランジスタQ9が増幅作用するとき、増幅作用しない
トランジスタQ,Q8,Q,。はターンオフしないよう
に保持され、逆に負の半サイクルの信号の入力で出力ト
ランジスタQ,oが増幅作用するときは、増幅作用しな
いトランジスタQ,Q7,Q9がターンオフしないよう
に保持される。このように本発明によると、B級プッシ
ュプル増幅器における出力トランジスタQ9,Q,oの
ターンオフが妨げられて常にA級モードで動作するよう
になるので、大振幅時または高い周波数でのノッチング
歪が改善される。
At this time, the current detection transistor Q3 is similarly turned on, transistors Q5, Q7, and Q9 maintain forward bias, and an idle current flows without being turned off. Thus, when the output transistor Q9 performs an amplifying action upon input of a positive half-cycle signal, the transistors Q, Q8, Q, do not perform an amplifying action. On the other hand, when the output transistors Q and o perform an amplifying action due to the input of a negative half-cycle signal, the transistors Q, Q7, and Q9, which do not perform an amplifying action, are held so as not to turn off. As described above, according to the present invention, the turn-off of the output transistors Q9, Q, and o in the class B push-pull amplifier is prevented and the output transistors Q9, Q, and o are always operated in the class A mode, so that notching distortion is reduced at large amplitudes or at high frequencies. Improved.

A級モードで動作をするがA級増幅器の欠点である熱等
の問題を生じることなく、A級増幅器の利点を生かした
効果的な増幅器を作り得る。放熱器等もA級増幅器のも
のと比べると非常に小さくなる。更にノッチング歪の改
善で増幅器の裸特性が良くなり、NF量が少なくて済む
等の効果が得られる。
Although it operates in class A mode, it is possible to create an effective amplifier that takes advantage of the advantages of class A amplifiers without causing problems such as heat, which are the drawbacks of class A amplifiers. The heat sink etc. are also very small compared to those of a class A amplifier. Furthermore, by improving notching distortion, the bare characteristics of the amplifier are improved, and effects such as a reduction in the amount of NF can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

添付図面は本発明による低周波増幅器の一実施例を示す
回路図である。 Q,ないしQ,.…トランジスタ、R,ないしR,4…
抵抗、1・・・定電流源、S・・・入力信号。
The accompanying drawing is a circuit diagram showing an embodiment of a low frequency amplifier according to the present invention. Q, or Q,. ...transistor, R, or R, 4...
Resistor, 1...constant current source, S...input signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1の出力トランジスタと第2の出力トランジスタ
のエミツタがそれぞれ抵抗を介して出力点に接続され、
それらの第1及び第2の出力トランジスタのベースに正
負に変化する入力信号を印加してプツシユプル動作する
低周波増幅器において前記第1の出力トランジスタと前
記第2の出力トランジスタの両ベース間にバイアスを印
加するためのバイアス回路を設けるとともに、前記第1
の出力トランジスタのベースと前記出力点間に第1の出
力トランジスタに流れるエミツタ電流を検出する第1の
電流検出トランジスタを設け、前記第1の電流検出トラ
ンジスタのベースを出力点に、エミツタを第1の出力ト
ランジスタのベースにそれぞれ接続し、また前記第2の
出力トランジスタのベースと前記出力点間に第2の出力
トランジスタに流れるエミツタ電流を検出する第2の電
流検出トランジスタを設け、前記第2の電流検出トラン
ジスタのベースを出力点に、エミツタを第2の出力トラ
ンジスタのベースにそれぞれ接続するとともに、前記第
1の電流検出トランジスタのコレクタと前記第2の出力
トランジスタのベース入力間に前記バイアス回路を構成
しているバイアス設定用の第1の抵抗を接続し、前記第
2の電流検出トランジスタのコレクタと前記第1の出力
トランジスタのベース入力間に前記バイアス回路を構成
しているバイアス設定用の第2の抵抗をそれぞれ接続し
、前記第1と第2の電流検出トランジスタの動作により
、前記バイアス回路の第1及び第2の抵抗に流れる電流
を変化させ、バイアス設定量を変化させるようにして前
記第1と第2の出力トランジスタのターンオフを妨げる
ように構成したことを特徴とする低周波増幅器。
1 The emitters of the first output transistor and the second output transistor are each connected to the output point via a resistor,
In a low frequency amplifier that performs push-pull operation by applying an input signal that changes between positive and negative to the bases of the first and second output transistors, a bias is applied between the bases of the first output transistor and the second output transistor. A bias circuit for applying the voltage is provided, and the first
A first current detection transistor for detecting an emitter current flowing through the first output transistor is provided between the base of the output transistor and the output point, the base of the first current detection transistor being the output point, and the emitter being the first current detection transistor. A second current detection transistor is provided between the base of the second output transistor and the output point for detecting an emitter current flowing through the second output transistor, and is connected to the bases of the output transistors of the second output transistor. The base of the current detection transistor is connected to the output point, the emitter is connected to the base of the second output transistor, and the bias circuit is connected between the collector of the first current detection transistor and the base input of the second output transistor. A first resistor for bias setting forming the bias circuit is connected between the collector of the second current detection transistor and the base input of the first output transistor. 2 resistors are connected to each other, and the current flowing through the first and second resistors of the bias circuit is changed by the operation of the first and second current detection transistors, thereby changing the bias setting amount. A low frequency amplifier characterized in that it is configured to prevent turn-off of the first and second output transistors.
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