JPS6023530B2 - push-pull amplifier circuit - Google Patents
push-pull amplifier circuitInfo
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- JPS6023530B2 JPS6023530B2 JP4924178A JP4924178A JPS6023530B2 JP S6023530 B2 JPS6023530 B2 JP S6023530B2 JP 4924178 A JP4924178 A JP 4924178A JP 4924178 A JP4924178 A JP 4924178A JP S6023530 B2 JPS6023530 B2 JP S6023530B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はオーディオ機器のパワーアンプ等に用いられる
プッシュプル増幅回路の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in push-pull amplifier circuits used in power amplifiers and the like of audio equipment.
かかる増幅回路の基本となるものはA級とB級のコンブ
リメンタリープッシュプル増幅回路であ。The basis of such an amplifier circuit is a class A and class B combinatory push-pull amplifier circuit.
ここでA級のものは一対の出力トランジスタは常に能動
領域にて動作し、遮断領域へ移行することがないのでス
イッチング歪が正じない利点が有るが、その反面バイア
ス電流を多く流す必要があり、熱損失が大きくなる欠点
がある。またB級のものはバイアス電流が少なくなって
熱損失は小さくなる利点が有るが、一対の出力トランジ
スタを交互に能動および遮断状態に切換えて動作させる
ため、スイッチング歪が発生する欠点がある。そこでコ
ンブリメンタリープツシュプル増幅回路の一対の出力ト
ランジスタのベース間に、該出力トランジスタに流れる
電流に応じて変化する可変バイアスを与えれば出力トラ
ンジスタを最小限の少ない動作電流で動作させ、かつ常
に能動領域にて動作させることが可能であり、B級動作
のブッシュプル増幅器にみられるようなスイッチング歪
の発生を防止する効果が有る。一方B級動作プッシュプ
ル増幅器におけるスイッチング歪は信号周波数が高い程
顕著に発生するものである。従って本発明の目的は上記
した可変バイアス発生手段を備えたプッシュプル増幅回
路におけるスイッチング歪発生防止効果を高城で増強す
ることにより、高城特性のより優れたプッシュプル増幅
回路を提供することにある。以下図面に基づいて本発明
の一実施例を具体的に説明する。Here, class A transistors have the advantage that the pair of output transistors always operate in the active region and never shift to the cutoff region, so switching distortion is not correct, but on the other hand, it is necessary to flow a large bias current. , the disadvantage is that heat loss is large. Class B transistors have the advantage of reducing bias current and reducing heat loss, but have the disadvantage of generating switching distortion because the pair of output transistors are alternately switched between active and cutoff states. Therefore, by applying a variable bias between the bases of a pair of output transistors in a combinatory push-pull amplifier circuit, which changes according to the current flowing through the output transistors, the output transistors can be operated with a minimum operating current and always It is possible to operate in the active region, and has the effect of preventing the occurrence of switching distortion as seen in class B operating bush-pull amplifiers. On the other hand, switching distortion in a class B operating push-pull amplifier occurs more significantly as the signal frequency becomes higher. Accordingly, an object of the present invention is to provide a push-pull amplifier circuit with improved high voltage characteristics by enhancing the effect of preventing the generation of switching distortion in the push-pull amplifier circuit equipped with the variable bias generating means described above. An embodiment of the present invention will be specifically described below based on the drawings.
第1図においてNPNの出力トランジスタQ,とPNP
の出力トランジスタQ2の両ェミッタがそれぞれ抵抗戊
,,R2を介して出力点OUTにて共通接続され、出力
点OUTにはスピーカ等の負荷RLが接続されて出力ト
ランジスタQ,,Q2で増幅した出力により駆動するよ
うになっている。トランジスタQ,およびQ2の両ベー
スにはそれぞれドライバートランジスタQおよびQ4の
ェミッタが接続され、そのェミツタと出力点OUTとの
間にはそれぞれェミッタ抵抗R3,R4が接続されてい
る。そして上記ドライバートランジスタQおよびQ4の
両ベース間にはバイアス発生回路からのベースバイアス
電圧が供給されている。すなわちベースバイアス発生回
路はNPNのトランジスタはと、基準バイアスを発生す
るダイオード○,,D2および電圧調整用抵抗R5とP
NPのトランジスタQ6との直列回路より構成しており
、ここに定電流源1,からの電流が供給されると共にベ
ースを入力端INに接続した入力トランジスタQ7によ
り入力信号が印加されるよう構成されている。上記トラ
ンジスタQ5,Q6は固定バイアス発生トランジスタと
して動作するものであり、該トランジスタQ,Q6には
出力トランジスタQ,,Q2の電流を検出する可変バイ
アストランジスタQ,Qが接続されている。すなわちP
NPトランジスタ偽はエミツタがトランジスタはのベー
スに接続されると共にさらに抵抗R6を介してトランジ
スタQ5のコレクタに接続され、又コレクタがトランジ
スタQ5のェミッ夕に接続されさらにベースが抵抗R8
、ダイオードD3を介して出力点OUTに接続されてお
り、NPNのトランジスタQ9はェミッタがトランジス
タQ6のベースに接続されると共にからに抵抗R7を介
してトランジスタQのコレクタに接続され、又コレクタ
がトランジスタQェミッタに接続され、さらにベースが
抵抗虫9、ダイオードD4を介して出力点OUTに接続
されている。抵抗R8とダイオードD3および抵抗R9
とダイオード04には定電流源ら,13からの電流が供
給されて、トランジスタQ,公のベースに出力点OUT
に対し一定蝿圧を供給するようになつている。ここで可
変バイアストランジスタQ8,Q9は糠信号時の動作点
が第2図に示すA点にあるよう、すなわちコレクタ電流
が流れ始めようとする最低限のベースバイアスが印加さ
れらるよう設定されており、このため無信号時はトラン
ジスタQ8,Qのコレクタ電流は非常に少ない。In Figure 1, an NPN output transistor Q, and a PNP
Both emitters of the output transistors Q2 are commonly connected at the output point OUT via resistors 戊, , R2, and a load RL such as a speaker is connected to the output point OUT, and the output amplified by the output transistors Q, , Q2 is connected to the output point OUT. It is designed to be driven by The emitters of driver transistors Q and Q4 are connected to the bases of transistors Q and Q2, respectively, and emitter resistors R3 and R4 are connected between the emitters and the output point OUT, respectively. A base bias voltage from a bias generation circuit is supplied between the bases of the driver transistors Q and Q4. In other words, the base bias generation circuit consists of an NPN transistor, a diode ○, D2 that generates a reference bias, and voltage adjustment resistors R5 and P.
It consists of a series circuit with an NP transistor Q6, to which a current is supplied from a constant current source 1, and an input signal is applied by an input transistor Q7 whose base is connected to the input terminal IN. ing. The transistors Q5 and Q6 operate as fixed bias generating transistors, and variable bias transistors Q and Q for detecting the currents of the output transistors Q and Q2 are connected to the transistors Q and Q6. That is, P
The NP transistor False has its emitter connected to the base of the transistor Q5 and is further connected to the collector of the transistor Q5 via a resistor R6, whose collector is connected to the emitter of the transistor Q5 and whose base is connected to the resistor R8.
, are connected to the output point OUT via a diode D3, and the emitter of the NPN transistor Q9 is connected to the base of the transistor Q6, which is also connected to the collector of the transistor Q via a resistor R7, and the collector is connected to the transistor Q9. It is connected to the Q emitter, and its base is further connected to the output point OUT via a resistor 9 and a diode D4. Resistor R8 and diode D3 and resistor R9
Current from the constant current source 13 is supplied to the diode 04, and the output point OUT is supplied to the transistor Q and the common base.
It is designed to supply a constant fly pressure to the air. Here, the variable bias transistors Q8 and Q9 are set so that the operating point during the bran signal is at point A shown in FIG. 2, that is, the minimum base bias is applied so that the collector current starts to flow. Therefore, when there is no signal, the collector currents of the transistors Q8 and Q are very small.
従って抵抗R6,R7の電圧降下も非常に小さくなり、
出力トランジスタQ,,Q2の両ベース間電圧はトラン
ジスタQ5,Q6のそれぞれのベース・ェミッタ間電圧
と、ダイオードD,,D2の順方向降下電圧と、抵抗R
5で生じる電圧の和に基づいて設定される。こうして入
力トランジスタQ7から信号が印加され、出力点OUT
がその入力信号条件により正側に遷移すると、出力トラ
ンジスタQ,に電流が流れてそのトランジスタQ,のベ
ースと出力点OUTとの間の電圧が増加するため、トラ
ンジスタQ8によって電流を検出し、そのベース・ェミ
ツタ間電圧が増加し、トランジスタQ6にコレクタ電流
が流れる。Therefore, the voltage drop across resistors R6 and R7 is also very small.
The voltage between the bases of the output transistors Q, Q2 is determined by the base-emitter voltage of the transistors Q5 and Q6, the forward drop voltage of the diodes D, D2, and the resistor R.
It is set based on the sum of the voltages generated in 5. In this way, a signal is applied from the input transistor Q7, and the output point OUT
When transitions to the positive side due to the input signal condition, current flows through the output transistor Q, and the voltage between the base of the transistor Q and the output point OUT increases, so the current is detected by the transistor Q8, and the The base-emitter voltage increases and collector current flows through transistor Q6.
ここで各トランジスタの電流増幅率が大きければ、抵抗
R6に流れる電流の殆んどがトランジスタQ8のコレク
タ電流となり、抵抗R5に流れる電流は無信号時と同じ
になってトランジスタQ8,Qの両コレクタ間の電圧は
無信号時と同一に保たれる。一方トランジスタ処の動作
点は第2図においてA点からB点に移行するが、この時
のベース・ェミッタ間の電圧の変化は微小であり、トラ
ンジスタQ8のベース・コレクタ間の電圧も無信号時と
略同じである。又抵抗R8とダイオードD3には定電流
源12により電流が供給され、その電圧降下は常に一定
である。従って出力点OUTに対するトランジスタQ2
のベース電圧は無信号時とほぼ同じ電圧に保たれること
になり、出力トランジスタQ2が遮断領域に移行するこ
とはない。次いで入力信号条件により出力点OUTが負
側に遷移して出力トランジスタQ2が増幅動作する場合
も、前述と同様の作用により出力トランジスタQ,は遮
断領域に移行することはない。If the current amplification factor of each transistor is large, most of the current flowing through resistor R6 will become the collector current of transistor Q8, and the current flowing through resistor R5 will be the same as when no signal is present, and will flow through both collectors of transistors Q8 and Q. The voltage between them is kept the same as when there is no signal. On the other hand, the operating point of the transistor shifts from point A to point B in Figure 2, but the change in the voltage between the base and emitter at this time is minute, and the voltage between the base and collector of transistor Q8 also changes when there is no signal. It is almost the same as Further, a current is supplied to the resistor R8 and the diode D3 by a constant current source 12, and the voltage drop thereof is always constant. Therefore, transistor Q2 for output point OUT
The base voltage of Q2 is maintained at approximately the same voltage as when there is no signal, and the output transistor Q2 does not enter the cutoff region. Next, even when the output point OUT shifts to the negative side due to the input signal condition and the output transistor Q2 performs an amplifying operation, the output transistor Q does not shift to the cutoff region due to the same effect as described above.
なお上記トランジスタQ,Qを含むバイアス発生回路の
両端P,Q間にはコンデンサCが並列に接続されている
。Note that a capacitor C is connected in parallel between both ends P and Q of the bias generating circuit including the transistors Q and Q.
このコンデンサCはバイアス発生回路の働きにより、点
P,Q間の電圧が増大する時充電され、逆に減少する時
に放電する。第1図の回路構成ではコンデンサCの充電
時間に対して放電時間の方が長く、従って高城信号が連
続する場合、コンデンサCが存在しない場合に比較して
P,Q間の電圧は増加し、その結果出力トランジスタQ
,,Q2の動作電流は増加する。このためB級増幅回路
においてスイッチング歪の発生が顕著になる高城周波数
で、バイアス回路の効果を増強することが出来、高城特
性のより優れた増幅回路を得ることができる。超高城周
波数において出力トランジスタQ,,Q2の動作電流が
増加し過ぎる場合には第3図に示すようにコンデンサC
と直列に抵抗Rを挿入すれば良い。本発明は以上のよう
に構成されているので、出力トランジスタは常に能動領
域で動作し、遮断鏡城へ移行することがないのでB級プ
ッシュプル増幅回路にみられるスイッチング歪を発生さ
せることはなく、又バイアス発生回路の両端にはコンデ
ンサCを並列に接続するよう構成したので、高城周波数
においてバイアス回路の効果を増強するよう作用し、高
城周波数の再生に際してもスイッチング歪の発生がない
。Due to the action of the bias generating circuit, this capacitor C is charged when the voltage between points P and Q increases, and conversely discharged when it decreases. In the circuit configuration shown in Fig. 1, the discharging time of capacitor C is longer than the charging time, so when the Takagi signal continues, the voltage between P and Q increases compared to the case where capacitor C does not exist. As a result, the output transistor Q
,, the operating current of Q2 increases. Therefore, the effect of the bias circuit can be enhanced at the Takagi frequency where switching distortion occurs significantly in a class B amplifier circuit, and an amplifier circuit with better Takagi characteristics can be obtained. If the operating current of the output transistors Q, Q2 increases too much at ultra-high frequencies, the capacitor C
It is sufficient to insert a resistor R in series with . Since the present invention is configured as described above, the output transistor always operates in the active region and does not shift to a cut-off mirror state, thereby eliminating the switching distortion seen in class B push-pull amplifier circuits. Also, since the capacitor C is connected in parallel to both ends of the bias generation circuit, the effect of the bias circuit is enhanced at the Takagi frequency, and switching distortion does not occur even when reproducing the Takagi frequency.
安定な増幅回路を提供することができる。A stable amplifier circuit can be provided.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図の実施例に用いられる一部のトランジスタの動作特性
図、第3図は可変バイアス発生回路に並例接続されるコ
ンデンサ回路の変形例を示した結線図である。
Q,,Q2…出力トランジスタ、Q5,Q…バイアス発
生トランジスタ、Q6,Q9…電流検出トランジスタ、
C…コンデンサ。
繁l図
第2図
第3図Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing operating characteristics of some transistors used in the embodiment shown in the figure, and a wiring diagram showing a modified example of a capacitor circuit connected in parallel to a variable bias generation circuit. Q,, Q2...output transistor, Q5, Q...bias generation transistor, Q6, Q9...current detection transistor,
C...Capacitor. Traditional Figure 2 Figure 3
Claims (1)
れる第1および第2の出力トランジスタのベース間に接
続されたベースバイアス手段を有してプツシユプル動作
する増幅回路において、前記ベースバイアス手段は前記
出力点に対し一定電圧を発生する第1および第2の定電
圧発生手段と、前記第1の出力トランジスタのベースに
抵抗を介してエミツタが接続され、かつ前記第1の定電
圧発生手段にベースが接続された第1のバイアストラン
ジスタと、前記第2の出力トランジスタのベースに抵抗
を介してエミツタが接続され、かつ前記第2の定電圧発
生手段にベースが接続された第2のバイアストランジス
タと、前記第1の出力トランジスタのベースにコレクタ
が接続され、前記第1のバイアストランジスタのエミツ
タにベースが接続され、前記第1のバイアストランジス
タのコレクタにエミツタが接続された第3のバイアスト
ランジスタと、前記第2の出力トランジスタのベースに
コレクタが接続され、前第2のバイアストランジスタの
エミツタにベースが接続され、前記第2のバイアストラ
ンジスタのコレクタにエミツタが接続された第4のバイ
アストランジスタと、前記第3および第4のバイアスト
ランジスタのエミツタ間に接続された基準バイアス発生
手段とを備え、さらに前記第3および第4のバイアスト
ランジスタのコレクタ間にコンデンサを接続したことを
特徴とするプツシユプル増幅回路。1. In an amplifier circuit that operates in a push-pull manner and has base bias means connected between the bases of first and second output transistors whose emitters are commonly connected at an output point via a resistor, the base bias means is first and second constant voltage generating means for generating a constant voltage with respect to the output point; an emitter is connected to the base of the first output transistor via a resistor; a first bias transistor whose base is connected; and a second bias transistor whose emitter is connected to the base of the second output transistor via a resistor, and whose base is connected to the second constant voltage generating means. and a third bias transistor having a collector connected to the base of the first output transistor, a base connected to the emitter of the first bias transistor, and an emitter connected to the collector of the first bias transistor. , a fourth bias transistor having a collector connected to the base of the second output transistor, a base connected to the emitter of the previous second bias transistor, and an emitter connected to the collector of the second bias transistor; a reference bias generating means connected between the emitters of the third and fourth bias transistors, and further comprising a capacitor connected between the collectors of the third and fourth bias transistors. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4924178A JPS6023530B2 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | push-pull amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4924178A JPS6023530B2 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | push-pull amplifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54142049A JPS54142049A (en) | 1979-11-05 |
| JPS6023530B2 true JPS6023530B2 (en) | 1985-06-07 |
Family
ID=12825367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4924178A Expired JPS6023530B2 (en) | 1978-04-27 | 1978-04-27 | push-pull amplifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023530B2 (en) |
-
1978
- 1978-04-27 JP JP4924178A patent/JPS6023530B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54142049A (en) | 1979-11-05 |
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